共改性lds添加劑及含該添加劑的聚芳酯組合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及共改性LDS添加劑，還設(shè)及LDS添加劑的改性方法，W及含有該LDS添 加劑的組合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 激光直接成型（LDS)技術(shù)是指利用計算機控制激光掃描的區(qū)域，將激光照射到含 有激光敏感添加劑的制件上，活化出電路圖案，該制件上被活化的區(qū)域可W在無電化學(xué)鍛 中沉積金屬銅、鑲、金等金屬，從而實現(xiàn)在=維塑料制件上制造出導(dǎo)電圖案。
[0003] 隨著激光直接成型（LDS)技術(shù)的快速發(fā)展，模塑互聯(lián)器件（MouldedInterco皿ect Device)的生產(chǎn)速度更迅捷，流程更簡化，成本更可控，應(yīng)用領(lǐng)域更寬廣，其最大的優(yōu)勢在 于，它能夠減少電子產(chǎn)品的元器件數(shù)量并節(jié)約空間。比如，采用LDS技術(shù)制造的天線被廣泛 地應(yīng)用在智能手機、筆記本電腦等移動終端上，采用LDS技術(shù)制造的傳感器，最小導(dǎo)線寬度 可達150ym，最小線間寬度可達150ym，該不但減少了元器件的數(shù)量，還達到了節(jié)約空間 和減重的目的。
[0004] 此外，LDS技術(shù)的優(yōu)勢還體現(xiàn)在它的靈活性上。如果需要改變元器件上導(dǎo)電路徑， 只需要更改CAD中的電路圖形設(shè)計即可，不需重新設(shè)計模具。因為LDS技術(shù)不需要掩膜，所 W其加工過程更加簡便，加工成本更低。應(yīng)用于LDS技術(shù)的材料科學(xué)也得到了快速的發(fā)展。 樹脂基體覆蓋了通用塑料、工程塑料W及特種工程塑料。其中比較典型的應(yīng)用是聚碳酸醋、 聚碳酸醋與丙締膳/ 了二締/苯己締的合金，用它們來制作的LDS天線已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在 智能手機、平板電腦W及筆記本電腦上。
[0005] 但是，現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的塑料制件上的金屬薄膜附著力不強，雖然大部分金 屬薄膜的百格測試基本在4-10%，但是，隨著金屬薄膜的所處環(huán)境越來越惡劣、廠家對廢品 率的嚴格要求、消費者對質(zhì)量的苛刻要求，金屬薄膜的附著力需要能通過各種復(fù)雜和嚴格 的測試，而現(xiàn)有技術(shù)的LDS材料無法滿足該要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的之一為提供一種共改性LDS添加劑。
[0007] 共改性LDS添加劑，包括100重量份的激光敏感化合物和10-30重量份的含哲基 改性化合物，所述含哲基改性化合物部分包覆于所述激光敏感化合物表面，所述激光敏感 化合物的化學(xué)通式為XY2化，激光敏感化合物為等軸晶系，X與Y均為金屬元素，X與Y來自 元素周期表中第IIIA族、IB族、IIB族、VIB族、WB族、或W族；
[000引所述含哲基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
[0009]
[0010] 所述m為0-5的整數(shù)，X為具有哲基基團的一價基團或哲基，所述X在化晚環(huán)上的 位置為橫酸基團的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0011] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述的共改性LDS添加劑還包括含駿基改性 化合物，所述含駿基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
[0012]
[0013] 所述m為0-5的整數(shù)，X為具有駿基基團的一價基團或駿基，所述X在化晚環(huán)上的 位置為橫酸基團的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0014] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述含駿基改性化合物與含哲基改性化合物 的質(zhì)量比為1 ;〇. 5-2。
[0015] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述的共改性LDS添加劑還包括1-10重量份 的金屬氨氧化物，所述金屬氨氧化物部分包覆于激光敏感化合物表面。
[0016] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述金屬氨氧化物與含哲基改性化合物的質(zhì) 量比為1 ;3-5。
[0017] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述的激光敏感化合物的粒徑為1-50微米。 [001引共改性LDS添加劑的制備方法，包括W下步驟：
[0019] S10、將100重量份激光敏感化合物、10-30重量份含哲基改性化合物中超聲分散 5~30min，得到乳濁液；
[0020] S20、將所得的乳濁液在50~90°C下攬拌5~30min后，溫度保持在70-85°C，繼 續(xù)反應(yīng)2~化；
[0021] S30、所得到的溶膠經(jīng)離屯、分離后分別用去離子水、無水己醇各洗漆4次，再在 90°C下烘干獲得前驅(qū)體粉末；
[0022] S40、將干燥后的前驅(qū)體粉末放置在150~200°C下鍛燒2~化得到共改性LDS添 加劑。
[0023] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述的S10步驟還包括含駿基改性化合物， 所述含駿基改性化合物與含哲基改性化合物的質(zhì)量比為1 ;〇. 5-2。
[0024] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案，本發(fā)明所述的S10步驟還包括W金屬氨氧化物為質(zhì) 量計算，W金屬氨氧化物計，1-10重量份的金屬氯化物，在S20步驟之后還包括S201步驟； 緩慢滴加30重量份碳酸錠沉淀劑溶液，繼續(xù)反應(yīng)2~化。
[0025] 聚芳醋組合物，包括100重量份的聚芳醋樹脂，10-100重量份的填料，1-30重量份 的前述的LDS添加劑。
[0026]在下文中將進一步詳細描述本發(fā)明的方法。在W下方案中，除非另有說明，各定義 如上所限定。
【具體實施方式】
[0027]本文提到的所有出版物、專利申請、專利和其它參考文獻，如果沒有相反說明，均 將其全部內(nèi)容明確地援引加入本文，如同它們在本文中被完全公開。
[002引除非另有限定，本文使用的所有技術(shù)W及科學(xué)術(shù)語具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技 術(shù)人員通常理解的相同的含義。當(dāng)存在矛盾時，W本說明書中的定義為準。
[0029]如本文所用術(shù)語"由…制備"與"包含"同義。本文中所用的術(shù)語"包含"、"包括"、 "具有"、"含有"或其任何其它變形，意在覆蓋非排它性的包括。例如，包含所列要素的組合 物、步驟、方法、制品或裝置不必僅限于那些要素，而是可W包括未明確列出的其它要素或 此種組合物、步驟、方法、制品或裝置所固有的要素。
[0030] 連接詞"由…組成"排除任何未指出的要素、步驟或組分。如果用于權(quán)利要求中，此 短語將使權(quán)利要求為封閉式，使其不包含除那些描述的材料W外的材料，但與其相關(guān)的常 規(guī)雜質(zhì)除外。當(dāng)短語"由…組成"出現(xiàn)在權(quán)利要求主體的子句中而不是緊接在主題之后時， 其僅限定在該子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作為整體的所述權(quán)利要求之外。
[0031] 當(dāng)量、濃度、或者其它值或參數(shù)W范圍、優(yōu)選范圍、或一系列上限優(yōu)選值和下限優(yōu) 選值限定的范圍表示時，該應(yīng)當(dāng)被理解為具體公開了由任何范圍上限或優(yōu)選值與任何范圍 下限或優(yōu)選值的任一配對所形成的所有范圍，而不論該范圍是否單獨公開了。例如，當(dāng)公開 了范圍"1至5"時，所描述的范圍應(yīng)被解釋為包括范圍"1至4"、"1至3"、"1-2"、"1-2和 4-5"、"1-3和5"等。當(dāng)數(shù)值范圍在本文中被描述時，除非另外說明，否則該范圍意圖包括 其端值和在該范圍內(nèi)的所有整數(shù)和分數(shù)。
[0032]此外，除非存在明確的相反指示，否則"或"是指包括性的"或"而不是排他性的 "或"。例如，W下任何一種形式均滿足條件A"或"B;A為真（或存在）并且B為偽（或不 存在），A為偽（或不存在）并且B為真（或存在），W及A和B均為真（或存在）。
[0033]此外，本發(fā)明要素或組分前的不定冠詞"一種"和"一個"對要素或組分的數(shù)量要求 (即出現(xiàn)次數(shù)）無限制性。因此"一個"或"一種"應(yīng)被解讀為包括一個或至少一個，并且單 數(shù)形式的要素或組分也包括復(fù)數(shù)形式，除非所述數(shù)量明顯旨指單數(shù)形式。
[0034]本發(fā)明所述的激光敏感化合物是指在特定的激光，如波長為1064nm的激光下活 化的化合物。
[0035]共改性LDS添加劑，包括100重量份的激光敏感化合物和10-30重量份的含哲基 改性化合物，所述含哲基改性化合物部分包覆于所述激光敏感化合物表面，所述激光敏感 化合物的化學(xué)通式為XY204,激光敏感化合物為等軸晶系，X與Y均為金屬元素，X與Y來自 元素周期表中第IIIA族、IB族、IIB族、VIB族、WB族、或W族；
[0036]所述含哲基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下：
[0037]
[003引所述m為0-5的整數(shù)，X為具有哲基基團的一價基團或哲基，所述X在化晚環(huán)上的 位置為橫酸基團的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0039] 激化敏威化合物
[0040] 所述金屬化合物優(yōu)選包含可定義晶體形式內(nèi)的兩種或更多種金屬氧化物的團簇 構(gòu)形?？偩w形式處于理想（即未被污染、未衍生）狀態(tài)時具有如下通式：
[0041] XY