離型膜及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種離型膜及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，市場上的離型膜多用于半導(dǎo)體元器件、液晶面板、等離子體（Plasma Display Panel，簡稱]3DP)和有機 EL(0rganic Electro-Luminescence:簡稱 OEL 或有機 EL)等顯示器材的保護膜，或用于不干膠、膠帶、止痛膏和風(fēng)濕膏等的背貼，用來防止上述物 品的保護膜或者上述物品自行粘連在一起。離型膜通常是在薄膜基材的一面或者是雙面涂 布上硅系或氟系離型樹脂所構(gòu)成。
[0003] 近些年來，隨著顯示器材向著大尺寸化和高精細化的發(fā)展，對離型膜的品質(zhì)要求 也越來越高，主要體現(xiàn)在需要離型膜上沒有異物并保證一定的清潔度，以防止異物在生產(chǎn) 過程中轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品當(dāng)中。與此同時，隨著人們生活品質(zhì)的不斷提高，對不干膠、膠帶、止痛膏 和風(fēng)濕膏等的潔凈程度要求也越來越高，離型膜上沒有異物這一要求也納入了用戶要求。
[0004] 對上述離型膜的異物或者缺陷的檢查，通常是通過生產(chǎn)線上的圖像分析檢測裝置 來完成的。有時候，也會通過人眼目視來進行檢測。特殊情況下，還會出現(xiàn)上述產(chǎn)品帶著背 貼（離型膜）來進行在線檢測。然而，人眼目視檢測會因為生產(chǎn)線速度過快，從而出現(xiàn)漏檢 或誤檢，還很容易出現(xiàn)檢測疲勞。所以，生產(chǎn)線上的圖像分析檢測裝置來完成檢測是現(xiàn)在的 生產(chǎn)主流。但是，這就要求離型膜要具有很好的光學(xué)特性（較低的反射率，干涉條紋等），才 能最大限度的減少檢測裝置的誤判，漏檢或過度檢測。
[0005] 同時，隨著分工的細化、產(chǎn)地的多元化以及運輸距離的延長，在庫調(diào)整時期的延長 等因素的影響，對離型膜的耐久性也有了更高的要求，尤其是不干膠、膠帶、止痛膏和風(fēng)濕 膏等使用壽命長的產(chǎn)品。為了延長離型膜的壽命，改善離型膜的離型效果，很多廠家采用加 厚硅膠涂層的做法，這樣一來，增加了成本，同時又帶來了干涉條紋增多的風(fēng)險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種離型膜及其制備方法，以提高離型膜的光學(xué)性能 和耐久性。
[0007] 為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種離型膜，該離型膜包括由 下往上依次層疊設(shè)置的基材原膜、中間層和離型層，中間層為由環(huán)氧基硅烷和不飽和官能 基硅烷在金屬螯合物存在環(huán)境下反應(yīng)形成的樹脂涂層。
[0008] 進一步地，環(huán)氧基硅烷的結(jié)構(gòu)式如式I所示，不飽和官能基硅烷的結(jié)構(gòu)式如式II 所示，其中，
[0009]
m和η均為大于等于1的整數(shù)，R1J 2和 R3獨立地選自H、C1-C8的烷基或者C1-C8的取代烷基；
[0010] 式 II 為：
[0011]
[0012] ，K為大于等于0且小于等于8的整數(shù)，L為大于等于1且小于等于8的整數(shù)，札、 私和R 3獨立地選自H、C1-C8的烷基或者C1-C8的取代烷基。
[0013] 進一步地，金屬螯合物的結(jié)構(gòu)式為：M[L]n，其中，M為配位金屬，L SR4OH或者 R5COCH2COR6,化為C1-C8的烷基，1?5和R 6獨立地選自C1-C8的烷基或C1-C8的烷氧基，η彡1。
[0014] 進一步地，配位金屬為鋁、鐵、鋯或鎂。
[0015] 進一步地，中間層為由20%~75% wt的環(huán)氧基硅烷、20%~75% wt的不飽和官 能基硅烷和1 %~20% wt的金屬螯合物反應(yīng)形成的樹脂涂層；優(yōu)選地，中間層為由20%~ 70% wt的環(huán)氧基硅烷、20%~70% wt的不飽和官能基硅烷和1 %~15% wt的金屬螯合物 反應(yīng)形成的樹脂涂層。
[0016] 進一步地，離型層為含有不飽和官能基且含硅的離型涂層。
[0017] 進一步地，中間層的厚度小于50納米，優(yōu)選為1~20納米。
[0018] 進一步地，離型層的厚度小于50納米，優(yōu)選為1~30納米。
[0019] 進一步地，基材原膜的厚度小于或等于500微米，優(yōu)選為10~100微米。
[0020] 本發(fā)明還提供了一種上述的離型膜的制備方法，該制備方法包括：制備中間層涂 布用材料；在基材原膜上涂布述中間層涂布用材料，干燥后得到中間層；在中間層的表面 上形成離型層。
[0021] 進一步地，制備中間層涂布用材料的步驟包括：將環(huán)氧基硅烷、不飽和官能基硅烷 和金屬螯合物按配比混合，并用有機溶劑溶解，加熱攪拌后，得到中間層涂布用材料。
[0022] 進一步地，形成中間層的步驟包括：將中間層涂布用材料置于基材原膜的一側(cè)表 面上進行刮涂，經(jīng)過80~120Γ的條件下干燥0. 5~5分鐘后，得到中間層；形成離型層 的步驟包括：將離型涂料助于述中間層的表面上進行刮涂，經(jīng)過80~120°C的條件下干燥 0.5~5分鐘后，得到離型層。
[0023] 應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明通過在基材原膜和離型層之間增加中間層，并利 用中間層來改善本發(fā)明提供的離型膜的密著性和耐久性，并使離型膜具有光學(xué)外觀良好、 便于產(chǎn)線線上監(jiān)控的特點，從而提高了產(chǎn)品的使用壽命，降低了產(chǎn)品的造價；而且，由于發(fā) 明提供的離型膜中不含有重金屬，鹵素及其化合物，使得該離型膜可以應(yīng)用到醫(yī)療或衛(wèi)生 行業(yè)中的保護膜之中，擴大了離型膜的使用范圍。
【附圖說明】
[0024] 構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示 意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0025] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式提供的離型膜的示意圖。
【具體實施方式】
[0026] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本申請。
[0027] 需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包 括"時，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0028] 為了便于描述，在這里可以使用空間相對術(shù)語，如"在……之上"、"在……上方"、 "在……上表面"、"上面的"等，用來描述如在圖中所示的一個器件或特征與其他器件或特 征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位 之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為"在其他器 件或構(gòu)造上方"或"在其他器件或構(gòu)造之上"的器件之后將被定位為"在其他器件或構(gòu)造下 方"或"在其他器件或構(gòu)造之下"。因而，示例性術(shù)語"在……上方"可以包括"在……上方" 和"在……下方"兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方 位），并且對這里所使用的空間相對描述作出相應(yīng)解釋。
[0029] 現(xiàn)有離型膜的光學(xué)性能和耐久性較差。為了解決此問題，本發(fā)明提供了一種離型 膜，如圖1所示：該離型膜包括由下往上依次層疊設(shè)置的基材原膜、中間層和離型層，中間 層為由環(huán)氧基硅烷和不飽和官能基硅烷在金屬螯合物存在環(huán)境下反應(yīng)形成的樹脂涂層。
[0030] 本發(fā)明在利用中間層改善了產(chǎn)品密著性和耐久性的同時，使得按照本發(fā)明提供的 離型膜產(chǎn)品具有光學(xué)外觀良好的同時，又具有很好的密著性和耐久性。增加中間層的主要 目的在于（1)改善離型涂層與基材的密著性；（2)提高離型膜的耐久性。本發(fā)明提供的中 間層包含羥基（由硅烷在遇到催化劑金屬螯合物時會發(fā)生加水分解化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生）、環(huán)氧 基和不飽和官能基團的樹脂涂層。含有羥基和環(huán)氧基主要是基于對基材密著性的考慮。羥 基和環(huán)氧基中的H原子，0原子，C-O與基材原膜中含有的0H，C-O官能基有一定的親和作 用，能夠改善界面的密著性。而密著性的提高以及中間層的插入，使得本發(fā)明所制備出的離 型膜比其他沒有中間層的離型膜具有更耐久的特性。含有不飽和官能基則是基于對上層離 型層的密著性和整體離型膜耐久性的考慮。中間層表面的不飽和官能基可以和上層的離型 層中的不飽和官能基反應(yīng)，增強與離型層的密著