用于激光直接成型的改善的熱塑性組合物及其制造方法和用圖
【專利說明】用于激光直接成型的改善的熱塑性組合物及其制造方法和 用途
【背景技術(shù)】
[0001] 可W提供電氣組件作為具有期望的印刷導(dǎo)體的模制注射裝置（MID)。與由玻璃纖 維增強(qiáng)塑料等制成的常規(guī)電路板形成對(duì)比的是，W運(yùn)種方法制造的MID組件是=維（3D)模 制部件，具有集成的印刷導(dǎo)體布線W及可能的進(jìn)一步的電子或電機(jī)組件。即使組件僅具有 印刷導(dǎo)體并且用來替代常規(guī)的電氣裝置或電子裝置內(nèi)的布線，使用運(yùn)種類型的MID組件節(jié) 省了空間，使得相關(guān)裝置變得更小。通過減少組裝和接觸步驟的數(shù)量，還降低了制造成本。 運(yùn)些MID裝置在手機(jī)、PDA和筆記本應(yīng)用中作用巨大。
[0002] 沖壓金屬（stampmetal)、安裝的柔性印刷電路板（FPCB)W及雙射模制法是用來 制造MID的S種現(xiàn)有技術(shù)。然而，沖壓和FPCB安裝方法在圖案幾何形狀方面具有限制，并 且加工昂貴。同樣地，RF圖案的改變導(dǎo)致在加工方面昂貴并且耗時(shí)的改變。也已經(jīng)使用雙 射模制（雙組分注射模制）方法W生產(chǎn)具有真實(shí)的S維結(jié)構(gòu)的3D-MID。例如，通過隨后的 化學(xué)腐蝕，化學(xué)表面活化和選擇性金屬涂層可W形成天線。該方法設(shè)及相對(duì)較高的初始成 本并且僅對(duì)于大的生產(chǎn)數(shù)量是經(jīng)濟(jì)上可行的。雙射模制（2-shotmolding)也不認(rèn)為是環(huán) 境友好的方法。所有的運(yùn)=種方法是基于工具的技術(shù)，其具有有限的靈活性、較長的開發(fā)周 期、困難的原型、昂貴的設(shè)計(jì)改變，W及有限的小型化產(chǎn)生能力。因此，越來越普遍地使用激 光直接成型（LD巧方法形成MID。在LDS方法中，計(jì)算機(jī)控制的激光束穿過MIDW便在設(shè)置 導(dǎo)電路徑的位置激活塑料表面。
[0003] 用于3DMID的激光-支持的或激光直接的成型方法（LD巧簡化了制造方法。簡 化小型化方法，具有小于0. 1毫米（mm)的可能的分辨率的激光可W產(chǎn)生精細(xì)的結(jié)構(gòu)并且從 塑料表面精確地和選擇性地除去材料。例如，LDS方法允許直接地和成本有效地將天線結(jié)構(gòu) 結(jié)合至手機(jī)外殼。此外，LDS方法允許復(fù)雜的機(jī)電系統(tǒng)，其結(jié)合用于汽車和醫(yī)療應(yīng)用的機(jī)械 和電性能。利用激光直接成型方法，也可W獲得小的導(dǎo)電路徑寬度（如150微米W下）。另 夕F，導(dǎo)電路徑之間的間距也可W很小。因此，由該方法形成的MID在最終使用的應(yīng)用中可W 節(jié)省空間和重量。激光直接成型的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的靈活性。如果將要改變電路的設(shè)計(jì)， 只是簡單地重新編程控制激光的計(jì)算機(jī)即可。
[0004] 在常規(guī)的LDS方法中，熱塑性組合物可W滲雜有含金屬的LDS添加劑，使得它可 W通過激光活化。然后，可W使用激光束W活化LDS添加劑，在表面上形成微小粗糖軌道 (micro-rou曲track)。存在于微小粗糖軌道的表面上的來自LDS添加劑的金屬顆粒可W 進(jìn)而形成用于后續(xù)金屬化的核。然而，由于使用的不同的化學(xué)鍛溶液和條件，常規(guī)LDS材料 的電鍛性能在如電鍛速率和鍛層的粘附性的方面可W變化。此外，一些LDS填料在加工期 間具有可W對(duì)聚合物基質(zhì)有害的表面pH，從而導(dǎo)致聚合物的降解。例如，該聚合物基質(zhì)的降 解導(dǎo)致，最終組合物的下降的延展性。改變的延展性伴隨其它性質(zhì)變化一起，可W導(dǎo)致顯著 的，W及潛在的不期望的材料的整體性能的改變。
[0005] 因此，有利的是提供具有優(yōu)良的電鍛性能同時(shí)保持良好的機(jī)械性能的LDS共混的 熱塑性組合物（或LDS化合物）。還有利的是提供LDS共混的熱塑性組合物，其由于組合物 提供優(yōu)良的機(jī)械性能的能力能夠用于各種應(yīng)用中。還有利的是提供能夠用于激光直接成型 方法的熱塑性組合物。因此，仍然存在對(duì)于在加工過程中防止或減少聚合物基質(zhì)的降解的 熱塑性組合物的需要。本公開的各個(gè)方面滿足了運(yùn)個(gè)需要和其他需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 如本文具體地體現(xiàn)和廣泛地描述的，根據(jù)本發(fā)明的目的，在一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā) 明設(shè)及包含W下的熱塑性組合物：
[0007] a.聚碳酸醋聚合物；
[000引 b.聚硅氧烷-聚碳酸醋共聚物；
[000引 C.激光直接成型添加劑擬及
[0010] d.硅氧烷添加劑；
[0011] 其中，由組合物形成的具有3.2毫米（mm)厚度的模制品表現(xiàn)出的缺口懸臂梁沖擊 能量比由不含硅氧烷添加劑的相同的參考組合物形成的模制品所表現(xiàn)出的缺口懸臂梁沖 擊能量大至少10百分比（％)。
[0012] 本發(fā)明還公開了用于制備熱塑性組合物的方法，包括形成包含W下各項(xiàng)的共混組 合物：
[0013] a.聚碳酸醋聚合物；
[0014] b.聚硅氧烷-聚碳酸醋共聚物；
[0015] C.激光直接成型添加劑；W及 [001引d.硅氧烷添加劑；
[0017] 其中，由共混組合物形成的具有3. 2毫米（mm)厚度的模制品表現(xiàn)出的缺口懸臂梁 沖擊能量比由不含硅氧烷添加劑的相同的參考共混組合物形成的模制品所表現(xiàn)出的缺口 懸臂梁沖擊能量大至少10%。
[001引還公開了包含W下各項(xiàng)的制品
[0019] a.聚碳酸醋聚合物；
[0020] b.聚硅氧烷-聚碳酸醋共聚物；
[0021] C.激光直接成型添加劑擬及 [002引d.硅氧烷添加劑；
[0023] 其中，由共混組合物形成的具有3. 2毫米（mm)厚度的模制品表現(xiàn)出的缺口懸臂梁 沖擊能量比由不含硅氧烷添加劑的相同的參考共混組合物形成的模制品所表現(xiàn)出的缺口 懸臂梁沖擊能量大至少10%。
[0024] 雖然本發(fā)明的實(shí)施方式可特定的法定類別，如系統(tǒng)法定類別進(jìn)行描述并要求 保護(hù)，但運(yùn)只是出于方便的考慮，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解本發(fā)明的每個(gè)方面可W W任何的法定類別進(jìn)行描述并要求保護(hù)。除非另有明確說明，本文所列出的任何方法或方 面絕不是旨在解釋為要求其步驟W特定順序來進(jìn)行。因此，在權(quán)利要求或說明書中沒有明 確說明方法權(quán)利要求的情況下，即步驟并不限定為特定的順序，絕不是旨在在任何方面推 斷順序。運(yùn)適用于用于解釋的任何可能的非表達(dá)性基礎(chǔ)，包括有關(guān)步驟或操作流程的排列 的邏輯問題、由語法組織或標(biāo)點(diǎn)衍生的明顯含義或在本說明書中描述的方面的數(shù)量或類 型。
[00巧]在接下來的說明中將部分地闡述其它優(yōu)點(diǎn)，或者可w通過實(shí)踐進(jìn)行學(xué)習(xí)。通過在 所附權(quán)利要求中特別指出的元素和組合將實(shí)現(xiàn)并獲得運(yùn)些優(yōu)點(diǎn)。如要求保護(hù)的，應(yīng)該理解 的是前面的總體描述和W下的詳細(xì)描述僅是示例性和說明性的而不是限制性的。
【附圖說明】
[0026] 結(jié)合于本說明書中并且構(gòu)成說明書一部分的附圖示出了示例性方面，并且與說明 書一起用來解釋本文公開的組合物、方法和系統(tǒng)的原理。
[0027] 圖1示出了混合裝置（compoundingset-up)的代表性的示意圖。圖1包括（100) 電機(jī)、（120)齒輪箱、（130)振動(dòng)器進(jìn)料器、（140)擠出機(jī)、（150)硬質(zhì)模頭（diehard)、（160) 真空累、（170)線束（strand)、（180)水浴，化及（190)造粒機(jī)。
[0028] 圖2示出了具有用于混合的螺桿設(shè)計(jì)的代表性的溫度曲線。圖2示出了在點(diǎn)A處 添加聚合物、LDS填料和添加劑。在點(diǎn)B處的溫度為240°C，在點(diǎn)C處為260°C，而在點(diǎn)D處 為 280〇C。
[0029] 圖3示出了比較配制品的代表性的熱重分析。
[0030] 圖4示出了對(duì)于代表性的公開的組合物在室溫和零下溫度（-23°c)下測(cè)得的代表 性缺口懸臂梁沖擊強(qiáng)度。
[0031] 圖5示出了對(duì)于代表性的公開的組合物在室溫和零下溫度下（-23°c)測(cè)得的的代 表性缺口懸臂梁沖擊強(qiáng)度。
[0032] 圖6示出了相比于未處理的組分材料，用于代表性的公開的組合物的代表性FTIR 數(shù)據(jù)。圖片A示出了未反應(yīng)的SOI的FTIR。虛線示出了與和金屬氧化物的化學(xué)鍵形成一致 的峰。在圖片B示出了提取的組合物。在圖片B中，箭頭示出了與金屬氧化物的M-0鍵一 致的峰。圖片C示出了用于未處理的化-化尖晶石的FTIR
[0033] 圖7A、圖7B和圖7C示出了相比于用硅氧烷材料處理的代表性化-化尖晶石表面， 用于未處理的化-化尖晶石的代表性的X射線光電子數(shù)據(jù)。特別地，圖7A示出未處理的 化-化尖晶石批次1，圖7B示出了未處理的化-化尖晶石批次2,W及圖7C示出了用SOI處 理的化-化尖晶石表面。
[0034] 圖8示出了對(duì)于純組合物、對(duì)照組合物和代表性的公開的組合物的代表性的分子 量數(shù)據(jù)。箭頭指向具有SF-處理的LDS1的柱。
[0035] 圖9A、圖9B和圖9C示出了用于各種公開的組合物的代表性的缺口懸臂梁沖擊數(shù) 據(jù)。
[0036] 圖10示出了用于在不同代表性條件下加工的代表性的公開的組合物的代表性的 缺口懸臂梁沖擊強(qiáng)度數(shù)據(jù)。箭頭指向用SF處理的組合物的柱。
[0037] 圖11示出了用于在不同代表性條件下加工的代表性的公開的組合物的代表性的 缺口懸臂梁沖擊強(qiáng)度數(shù)據(jù)。
[0038] 圖12示出了用于代表性的公開的組合物的代表性的熱性質(zhì)、曉曲性質(zhì)和拉伸性 質(zhì)。樣品11也具有2.IGPa的曉曲模量，而樣品12具有2. 27GPa的曉曲模量。樣品11具 有2. 12GPa的拉伸模量，而樣品12具有2. 3GPa的拉伸模量。
[0039] 圖13示出了用于代表性的公開的組合物的代表性的烙體流動(dòng)速率、分子量和缺 口懸臂梁沖擊強(qiáng)度性能。
[0040] 圖14示出了用于篩選代表性的公開的組合物的激光蝕刻參數(shù)（功率和頻率）的 代表性的電鍛數(shù)據(jù)。
【具體實(shí)施方式】
[0041] 通過參考W下【具體實(shí)施方式】、實(shí)施例、附圖、和權(quán)利要求W及之前和之后的它們的 描述可W更容易地理解本發(fā)明。然而，在公開和描述本發(fā)明的組合物、制品、裝置、系統(tǒng)、和/ 或方法之前，應(yīng)該理解，除非有另外的指明，本發(fā)明并不限于公開的特定的組合物、制品、裝 置、系統(tǒng)、和/或方法，當(dāng)然其本身是可W改變的。應(yīng)該理解的是，本文使用的術(shù)語僅是為了 描述特定的方面的目的，而不是旨在進(jìn)行限制。
[0042] 也提供了本發(fā)明的W下描述作為本發(fā)明W其最佳的、目前已知的實(shí)施方式能夠教 導(dǎo)。為此，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)并理解可W對(duì)在此公開的本發(fā)明的各種實(shí)施方式做 出改變和修改，而仍能獲得本發(fā)明的有利的結(jié)果。也將顯而易見地是通過選擇本發(fā)明的一 些特征而不利用其他特征可W獲得本發(fā)明的一些期望的益處。因此，那些相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù) 人員將認(rèn)識(shí)到對(duì)本發(fā)明的許多更改和修改都是可W的，并且在某些情況下甚至是希望的， 并且因此也是本發(fā)明的一部分。因此，提供W下說明作為本發(fā)明原理的說明而不是對(duì)其的 限制。
[0043] 本公開的元素的各種組合也包括在本發(fā)明內(nèi)，例如來自從屬于相同的獨(dú)立權(quán)利要 求的從屬權(quán)利要求的元素的組合。
[0044] 此外，應(yīng)該理解的是，除非另有明確說明，本文所列出的任何方法絕不是旨在解釋 為要求其步驟W特定順序來進(jìn)行。因此，在方法權(quán)利要求沒有實(shí)際地說明其步驟按照順序 進(jìn)行或，在權(quán)利要求或說明書中沒有另外地特別說明，步驟限定為特定的順序的情況下，絕 不是旨在在任何方面推斷順序。運(yùn)適用于用于解釋的任何可能的非表達(dá)性基礎(chǔ)，包括有關(guān) 步驟或操作流程的排列的邏輯問題；由語法組織或標(biāo)點(diǎn)衍生的明顯含義；W及在本說明書 中描述的方面的數(shù)量或類型。
[0045] 本文提及的所有出版物通過引用結(jié)合于此W公開和描述與出版物所述內(nèi)容結(jié)合 的本公開的方法和/或材料。
[0046] 也應(yīng)該理解的是，本文使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定的實(shí)施方式的目的，而并 不是旨在限制本發(fā)明。如在說明書和權(quán)利要求中使用的，術(shù)語"包括"可W包括"由…組成" 和"基本由…組成"的方面。除非另有定義，本文使用的所有技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與本 發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所通常理解的相同的意義。在本說明書和隨附的權(quán)利要求中，將引 用將在本文中限定的多個(gè)術(shù)語。
[0047] 如在說明書和所附權(quán)利要求中使用的，單數(shù)形式"一種"、"一個(gè)"和"該"包括復(fù)數(shù) 指示物，除非上下文另外明確地指出。因此，例如，提及"聚碳酸醋"包括兩種或更多種運(yùn)類 聚碳酸醋的混合物。此外，例如，提及填料包括兩種或更多種運(yùn)類填料的混合物。
[0048] 在本文中范圍可W表達(dá)為從"約"一個(gè)特定的值，和/或至"約"另一特定的值。當(dāng) 表達(dá)運(yùn)類范圍時(shí)，另一實(shí)施方式包括從一個(gè)特定的值和/或至另一特定的值。相似地，當(dāng)值 通過使用先行詞"約"表示為近似值時(shí)，應(yīng)該理解的是特定值形成了另一實(shí)施方式。應(yīng)該進(jìn) 一步理解的是每個(gè)范圍的端點(diǎn)顯然與另一端點(diǎn)是相關(guān)的，而且又獨(dú)立于其他端點(diǎn)。也應(yīng)該 理解的是存在本文公開的多個(gè)值，并且，每個(gè)值也在本文公開為除了該值本身之外的"約" 該特定值。例如，如果公開了值"10"，那么也公開了 "約10"。還應(yīng)該理解的是也公開了在 兩個(gè)特定單元之間的每個(gè)單元。例如，如果公開了 10和15,那么也公開了 11、12、13和14。
[0049] 如本文使用的術(shù)語"可選的"或"可選地"是指后續(xù)描述的事件、條件、部件、或情 況可W發(fā)生或可W不發(fā)生，W及該描述包括其中所述事件或和情況發(fā)生的情況，W及其中 所述事件或情況不發(fā)生的情況。
[0050] 如本文使用的，術(shù)語或短語"有效的V嘴效量"或"有效的條件"是指能夠執(zhí)行有 效量表達(dá)的功能或特性的運(yùn)類量或條件。如下文將要指出的，取決于公認(rèn)的變量，如所用的 材料和觀察到的加工方法，所需的確切量或特定條件將從一個(gè)實(shí)施方式到另一實(shí)施方式而 變化。因此，并不總是可能指定精確的"有效量"或"有效的條件"。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員僅使用常規(guī)實(shí)驗(yàn)可W容易地確定合適的有效量。
[0051] 公開了用來制備本發(fā)明公開的組合物的組分材料W及本文公開的方法中將使用 的組合物本身。在本文中公開了運(yùn)些和其它材料，W及應(yīng)該理解的是當(dāng)公開了運(yùn)些材料的 組合、子集、相互作用、組等時(shí)，即當(dāng)運(yùn)些化合物的每個(gè)不同的單個(gè)和集合的組合和排列的 特定的引用不能明確公開時(shí)，在本文中對(duì)每一種進(jìn)行了特定的考慮和描述。例如，如果公開 并討論了特定的化合物，并且討論了可W對(duì)包括運(yùn)些化合物的多種分子進(jìn)行的多種修改， 特別考慮的是化合物的各自的所有的組合和排列W及可能的修改，除非明確地表明相反。 因此，如果公開了一類分子A，B，和C并且公開了一類分子D、E、和FW及組合分子A-D的實(shí) 例，那么即使每一種沒有單獨(dú)說明每一種是單獨(dú)地和集合地考慮的含義組合，認(rèn)為公開了 A-E、A-F、B-D、B-E、B-F、C-D、C-E和C-F。同樣地，也公開了運(yùn)些的任何子集或組合。因此， 例如，認(rèn)為公開了亞組A-E、B-F和C-E。運(yùn)種概念適用于本申請(qǐng)的所有實(shí)施方式包括，但不 限于制備和使用本發(fā)明的組合物的方法中的步驟。因此，如果存在多種可W進(jìn)行的另外的 步驟的話，應(yīng)該理解的是利用本發(fā)明的方法的方面的任何特定的實(shí)施方式或組合可W進(jìn)行 運(yùn)些另外的步驟中的每一個(gè)。
[0052] 在說明書和隨附的權(quán)利要求中提及組合物或制品中的特定的元素或組分的重量 份（pbw)，表示組合物或制品中的元素或組分與任何其它元素或組分的之間的重量關(guān)系，其 表示為重量份。因此，在包含2重量份的組分X和5重量份的組分Y的組合物中，X和YW 2:5的重量比存在，并且W運(yùn)種比例存在而不論化合物中是否含有其它組分。
[0053] 組分的重量百分?jǐn)?shù)（wt%或重量％ )，除非特別地表明是相反的，是基于其中包含 組分的配制品或組合物的總重量。例如，如果說組合物或制品中特定的元素或組分具有 8wt%，應(yīng)該理解的是該百分?jǐn)?shù)是相對(duì)于lOOwt%的總組成百分?jǐn)?shù)。
[0054] 本文中公開的化合物使用標(biāo)準(zhǔn)命名法進(jìn)行描述。例如，未被任何指定基團(tuán)取代的 任何位置應(yīng)該理解為其化合價(jià)由所指定的價(jià)鍵或氨原子填充。不在兩個(gè)字母或符號(hào)之間的 破折號(hào)用來表示取代基的連接點(diǎn)。例如，-C冊(cè)是通過幾基的碳連接。除非另外地 限定，本文使用的技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的相同 的含義。
[00巧]如本文使用的術(shù)語"烷基基團(tuán)"是指具有1至24個(gè)碳原子的支鏈或直鏈飽和控基， 如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正下基、異下基、叔下基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十四 烷基、十六烷基、二十烷基、二十四烷基等。"低級(jí)烷基"是包含1至6個(gè)碳原子的烷基基團(tuán)。
[0056] 如本文使用的術(shù)語"烷氧基"是通過單個(gè)末端酸鍵連接的烷基基團(tuán)；即，"烷氧基" 可W限定為-OR,其中，R是如上面限定的烷基。"低級(jí)烷氧基"基團(tuán)是包含1至6個(gè)碳原子 的烷氧基基團(tuán)。
[0057] 如本文使用的術(shù)語"締基"是2至24個(gè)碳原子和包括至少一個(gè)碳-碳雙鍵的結(jié)構(gòu) 式的控基。不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，如（AB)C=C(CD)旨在包括E和Z兩種異構(gòu)體。運(yùn)可W在本文的 結(jié)構(gòu)式（其中，存在不對(duì)稱締控）中推測(cè)出，或者它可W明確地由鍵符號(hào)C表示。
[0058] 如本文使用的術(shù)語"烘基基團(tuán)"是2至24個(gè)碳原子W及包括至少一個(gè)碳-碳=鍵 的結(jié)構(gòu)式的控基。
[0059] 如本文使用的術(shù)語"芳基基團(tuán)"是指任何碳基芳族基團(tuán)，包括但不限于，苯、糞等， 術(shù)語"芳族"還包括"雜芳基基團(tuán)"，其限定為具有結(jié)合至芳族基團(tuán)的環(huán)中的至少一個(gè)雜原子 的芳族基團(tuán)。雜原子的實(shí)例包括但不限于氮、氧、硫和憐。芳基基團(tuán)可W是取代的或未取代 的。用包括但不限于，烷基、烘基、締基、芳基、面素、硝基、氨基、S旨、酬、醒、徑基、簇酸、或燒 氧基中的一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)取代芳基基團(tuán)。
[0060] 如本文使用的術(shù)語"環(huán)烷基"是由至少=個(gè)碳原子組成的非芳族碳基環(huán)。環(huán)烷基 的實(shí)例包括，但不限于，環(huán)丙基、環(huán)下基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。術(shù)語"雜環(huán)烷基基團(tuán)"是如上限 定的環(huán)烷基基團(tuán)，其中，環(huán)的至少一個(gè)碳原子用雜原子取代，例如但不限于氮、氧、硫或憐。
[0061] 如本文使用的術(shù)語"芳烷基"是具有烷基、烘基或締基基團(tuán)（如上面限定的連接至 芳族基團(tuán)）的芳基基團(tuán)。芳烷基基團(tuán)的實(shí)例是芐基基團(tuán)。
[0062] 如本文使用的術(shù)語"徑基烷基"是具有用徑基基團(tuán)取代的至少一個(gè)氨原子的上述 烷基、締基、烘基、芳基、芳烷基、環(huán)烷基、面代烷基或雜環(huán)烷基基團(tuán)。
[0063] 術(shù)語"烷氧基烷基基團(tuán)"限定為具有用上述烷氧基取代的至少一個(gè)氨原子的上述 烷基、締基、烘基、芳基、芳烷基、環(huán)烷基、面代烷基或雜環(huán)烷基基團(tuán)。
[0064] 如本文使用的術(shù)語"醋"由式-C(0)0A表示，其中，A可W是上述烷基、面代烷基、締 基、烘基、芳基、雜芳基、環(huán)烷基、環(huán)締基、雜環(huán)烷基或雜環(huán)締基。
[006引如本文使用的術(shù)語"碳酸醋基團(tuán)"由式-0C(0)0R表示，其中，R可W是上述氨、燒 基、締基、烘基、芳基、芳烷基、環(huán)烷基、面代烷基或雜環(huán)烷基基團(tuán)。
[0066] 如本文使用的術(shù)語"簇酸"由式-C(0)0H表示。
[0067] 如本文使用的術(shù)語"醒"由式-C(0)H表示。
[0068] 如本文使用的術(shù)語"酬基"由式-C(0)R表示，其中，R是上述烷基、締基、烘基、芳 基、芳烷基、環(huán)烷基、面代烷基或雜環(huán)烷基基團(tuán)。
[0069] 如本文使用的術(shù)語"幾基基團(tuán)"由式C= 0表示。
[0070] 如本文使用的術(shù)語"酸"由式AOAi表示，其中，A和A可W獨(dú)立地是上述烷基、面 代烷基、締基、烘基、芳基、雜芳基、環(huán)烷基、環(huán)締基、雜環(huán)烷基或雜環(huán)締基基團(tuán)。
[0071] 如本文使用的術(shù)語"硫代-氧代基團(tuán)"由式-S(0) 2R、-0S(0)2R4,或-0S(0) 20R表示， 其中，R可W是上述氨、烷基、締基、烘基、芳基、芳烷基、環(huán)烷基、面代烷基或雜環(huán)烷基基團(tuán)。
[0072] 如本文使用的術(shù)語"數(shù)均分子量"或"Mn"可W互換使用，并且是指樣品中所有聚 合物鏈的統(tǒng)計(jì)平均分子量并且由下式限定
[0073]
[0074] 其中，Mi是鏈的分子量W及Ni是該分子量的鏈的數(shù)量。通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已 知的方法可W確定聚合物，如聚碳酸醋聚合物或聚碳酸醋-聚甲基丙締酸甲醋（"PMMA")共聚物的Mn。應(yīng)該理解的是如本文中使用的，Mn是凝膠滲透色譜法測(cè)得的，并且用聚碳酸 醋標(biāo)準(zhǔn)物校準(zhǔn)。例如，利用合適的流動(dòng)相溶劑使用交聯(lián)的苯乙締-二乙締基苯柱W1毫克 每毫升的樣品濃度可W進(jìn)行凝膠滲透色譜。
[00巧]如本文使用的，術(shù)語"重均分子量"或"Mw"可W互換使用，并且由下式限定
[0076]
[0077] 其中，Mi是鏈的分子量化及Ni是該分子量的鏈的數(shù)量。相比于Mn，在確定對(duì)平均 分子量的貢獻(xiàn)中Mw考慮到給定鏈的分子量。因此，給定鏈的分子量越大，鏈對(duì)Mw的貢獻(xiàn)越 大。應(yīng)該理解的是，如本文使用的，Mw是凝膠滲透色譜測(cè)得的。在某些情況下，Mw是凝膠滲 透色譜測(cè)得的并且用聚碳酸醋標(biāo)準(zhǔn)物校準(zhǔn)。利用合適的流動(dòng)相溶劑使用交聯(lián)的苯乙締-二 乙締基苯柱W約1毫克每毫升的樣品濃度可W進(jìn)行凝膠滲透色譜。
[0078] 如本文使用的，術(shù)語"多分散性指數(shù)"或"PDI"可互換使用，并且由下式限定
[0079]
[0080] PDI具有大于或等于1的值，但是當(dāng)聚合物鏈接近一致的鏈長時(shí)，PDI趨于一致。
[0081] 如本文使用的術(shù)語"聚碳酸醋"或"聚碳酸醋類"包括共聚碳酸醋、均聚碳酸醋和 (共）聚醋碳酸醋。
[0082] 用于提及聚合物的組成的術(shù)語"殘