0361] 在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D6說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。下面示出在本實(shí)施 例中使用的材料的化學(xué)式。另外，省略已經(jīng)示出了的材料。
[0362]
[0363] 下面示出本實(shí)施例的發(fā)光元件3的制造方法。
[0364](發(fā)光元件3)
[0365] 首先，通過(guò)濺射法在玻璃襯底1100上形成ITS0膜來(lái)形成第一電極1101。另外，其 厚度為ll〇nm，而其電極面積為2mmX2mm。在此，第一電極1101是用作發(fā)光元件的陽(yáng)極的 電極。
[0366] 作為用來(lái)在襯底1100上形成發(fā)光元件的預(yù)處理，在利用水對(duì)襯底表面進(jìn)行洗滌， 并且以200 °C焙燒1小時(shí)后，進(jìn)行370秒的UV臭氧處理。
[0367] 此后，將襯底引入到其內(nèi)部被減壓到10 4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并且在真空 蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中以170°C進(jìn)行30分鐘的真空焙燒后，將襯底1100冷卻30分鐘左右。
[0368] 接著，以將形成有第一電極1101的面成為下面的方式將形成有第一電極1101的 襯底1100固定在設(shè)置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的襯底支架上，并減壓到10 4Pa左右，然后在第一 電極1101上通過(guò)利用電阻加熱的蒸鍍法共蒸鍍4,4'，4"-(1，3,5-苯三基）三（二苯并 噻吩）（縮寫：DBT3P-II)和氧化鉬（VI)，從而形成空穴注入層1111。其厚度為40nm，將 DBT3P-II和氧化鉬之間的重量比調(diào)節(jié)為4 :2( =DBT3P-II:氧化鉬）。
[0369] 接著，在空穴注入層1111上形成20nm厚的BPAFLP膜，而形成空穴傳輸層1112。
[0370] 接著，通過(guò)共蒸鍍?cè)趯?shí)施例3中合成的7-[3'_ (二苯并噻吩-4-基）聯(lián)苯-3-基] 二苯并[f，h]喹喔啉（縮寫：7mDBTBPDBq-II)、4-4'-雙[N-(l-萘基）-N_苯基氨基] 聯(lián)苯（縮寫：NPB)、（乙酰丙酮根）雙（4,6-二苯基啼啶基（diphenylpyrimidinato)) 銥（III)(縮寫：[Ir(dppm)2(acac)])，在空穴傳輸層1112上形成發(fā)光層1113。在此， 將 7mDBTBPDBq-II、NPB和[Ir(dppm)2(acac)]的重量比調(diào)節(jié)為 0? 8 :0? 2 :0? 05(= 7mDBTBPDBq-II:NPB:[Ir(dppm)2(acac)])。此外，將發(fā)光層 1113 的厚度設(shè)定為 40nm。
[0371] 此外，在發(fā)光層1113上形成10nm厚的7mDBTBPDBq-II膜，由此形成第一電子傳輸 層 1114a〇
[0372] 然后，在第一電子傳輸層1114a上形成20nm厚的BPhen膜，而形成第二電子傳輸 層 1114b〇
[0373] 再者，在第二電子傳輸層1114b上蒸鍍lnm厚的LiF膜，而形成電子注入層1115。
[0374] 最后，作為用作陰極的第二電極1103,蒸鍍200nm厚的鋁膜，而制造本實(shí)施例的發(fā) 光元件3。
[0375] 注意，在上述蒸鍍過(guò)程中，均采用電阻加熱方法進(jìn)行蒸鍍。
[0376] 表3示出通過(guò)上述步驟得到的發(fā)光元件3的元件結(jié)構(gòu)。
[0377][表 3]
[0378]
[0380] 在氮?dú)夥盏氖痔紫渲?，以不使發(fā)光元件暴露于大氣的方式使用玻璃襯底密封發(fā)光 元件3,然后對(duì)發(fā)光元件的工作特性進(jìn)行測(cè)量。另外，在室溫（保持為25°C的氣氛）下進(jìn)行 測(cè)量。
[0381] 圖18示出發(fā)光元件3的電流密度-亮度特性。在圖18中，橫軸表示電流密度（mA/ cm2)，縱軸表示亮度（cd/m2)。此外，圖19表示電壓-亮度特性。在圖19中，橫軸表示電壓 (V)，縱軸表示亮度（cd/m2)。此外，圖20表示亮度-電流效率特性。在圖20中，橫軸表示 亮度（cd/m2)，縱軸表示電流效率（cd/A)。此外，圖21示出電壓-電流特性。在圖21中，橫 軸表示電壓（V)，縱軸表示電流（mA)。此外，表4示出亮度為850cd/m2時(shí)的發(fā)光元件3中的 電壓（V)、電流密度（mA/cm2)、CIE色度坐標(biāo)（x，y)、電流效率（cd/A)、外部量子效率（％ )。
[0382][表 4]
[0383]
[0384] 如表4所示，亮度為850cd/m2時(shí)的發(fā)光元件3的CIE色度坐標(biāo)為（x，y) = (0. 57， 0. 43)。由此可知，發(fā)光元件3得到來(lái)源于[Ir(dppm)2(acac)]的發(fā)光。
[0385] 根據(jù)圖18至圖21以及表4可知，發(fā)光元件3的驅(qū)動(dòng)電壓低，且電流效率及外部量 子效率高。因此，確認(rèn)到應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式的化合物有效于實(shí)現(xiàn)良好的電壓-亮度特 性及亮度-電流效率特性。
[0386] 如上所述，通過(guò)將7mDBTBPDBq-II用作發(fā)光層的主體材料及電子傳輸層，可以制 造驅(qū)動(dòng)電壓低且電流效率及外部量子效率高的發(fā)光元件。
[0387] 接著，對(duì)發(fā)光元件3進(jìn)行可靠性測(cè)試。圖22示出可靠性測(cè)試的結(jié)果。在圖22中， 縱軸表示起始亮度為100%時(shí)的歸一化亮度（％)，而橫軸表示元件的驅(qū)動(dòng)時(shí)間（h)。
[0388] 在可靠性測(cè)試中，將起始亮度設(shè)定為5000cd/m2,并且在電流密度恒定的條件下驅(qū) 動(dòng)發(fā)光元件3。
[0389] 在260小時(shí)后，發(fā)光元件3保持起始亮度的71 %的亮度。
[0390] 以上結(jié)果示出如下事實(shí)，即通過(guò)將7mDBTBPDB_II用作發(fā)光層的主體材料及電子 傳輸層，可以實(shí)現(xiàn)具有高可靠性及長(zhǎng)壽命的元件。
[0391](參考例）
[0392] 具體地說(shuō)明在上述實(shí)施例中使用的（乙酰丙酮根）雙（4,6_二苯基嘧啶基））銥 (111)(縮寫：[Ir(dppm)2(acac)])的合成方法。下面示出[Ir(dppm)2(acac)]的結(jié)構(gòu)。
[0393]
[0394]〈步驟1 :4,6_二苯基啼啶（縮寫：Hdppm)的合成〉
[0395] 首先，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入5. 02g的4,6_二氯嘧啶、8. 29g的苯基硼 酸、7. 19g的碳酸鈉、0? 29g的雙（三苯基膦）鈀（II)氯化物（縮寫：Pd(PPh3)2Cl2)、20mL的 水和20mL的乙腈，并使用氬置換燒瓶?jī)?nèi)部的空氣。通過(guò)對(duì)該反應(yīng)容器照射微波（2.45GHz， 100W)60分鐘來(lái)進(jìn)行加熱。在此，在燒瓶中還放入2. 08g的苯基硼酸、1.79g的碳酸鈉、 0. 070g的Pd(PPh3)2Cl2、20mL的水和20mL的乙腈，并再次照射微波（2. 45GHz，100W)60分鐘 來(lái)進(jìn)行加熱。然后，對(duì)該反應(yīng)溶液添加水，并使用二氯甲烷抽出有機(jī)層。使用水對(duì)所得到的 抽出液進(jìn)行洗滌，使用硫酸鎂進(jìn)行干燥。在進(jìn)行干燥之后過(guò)濾溶液。在蒸餾而去除該溶液 的溶劑之后，通過(guò)將二氯甲基用作展開溶劑的硅膠柱層析法精制所得到的殘?jiān)瑥亩玫?嘧啶基衍生物的Hdppm(黃白色粉末，收率為38% )。另外，作為微波的照射，使用微波合成 裝置（由CEM公司制造，Discover)。下面示出步驟1的合成方案（x-1)。
[0396]
[0397]〈步驟2 :二-y-氯-雙[雙（4,6-二苯基嘧啶基）銥（III)](縮寫： [Ir(dppm)2Cl]2)的合成〉
[0398] 接著，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入15mL的2-乙氧基乙醇、5mL的水、1. 10g 的通過(guò)上述步驟1得到的Hdppm、0. 69g的氯化銥水合物（IrCl3 ?H20)，并使用氬置換燒瓶 內(nèi)部的空氣。然后，照射微波（2. 45GHz，100W)1小時(shí)，使其產(chǎn)生反應(yīng)。在蒸餾而去除溶劑之 后，使用乙醇過(guò)濾所得到的殘?jiān)?，然后進(jìn)行洗滌，從而得到雙核配合物[Ir(dppm) 2C1]2 (紅 褐色粉末，收率為88% )。下面示出步驟2的合成方案（x-2)。
[0399]
[0400]〈步驟3:(乙酰丙酮根）雙（4,6_二苯基嘧啶基）銥（III)(縮寫： [Ir(dppm)2(acac)])的合成〉
[0401] 再者，在安裝有回流管的茄形燒瓶中放入40mL的2-乙氧基乙醇、1. 44g的通過(guò)上 述步驟2得到的[Ir(dppm)2Cl]2、0. 30g的乙酰丙酮及1. 07g的碳酸鈉，并使用氬置換燒瓶 內(nèi)部的空氣。然后，照射微波（2. 45GHz，120W)60分鐘，使其產(chǎn)生反應(yīng)。蒸餾而去除溶劑，將 所得到的殘?jiān)芙庥诙燃谆卸M(jìn)行過(guò)濾，并去除不溶物。依次使用水及飽和食鹽水對(duì) 所得到的濾液進(jìn)行洗滌，并使用硫酸鎂進(jìn)行干燥。在進(jìn)行干燥之后過(guò)濾溶液。在蒸餾而去 除該溶液的溶劑之后，通過(guò)使用二氯甲基：醋酸乙酯=50 :1(體積比）的展開溶劑的硅膠 柱層析法精制所得到的殘?jiān)?。然后通過(guò)使用二氯甲基和乙烷的混合溶劑再結(jié)晶化，得到目 的物的橙色粉末（收率為32% )。下面示出步驟3的合成方案（x-3)。
[0402]
[0403] 下面示出利用核磁共振法NMR)的通過(guò)上述步驟3得到的橙色粉末的分析結(jié) 果。根據(jù)其結(jié)果可知得到[Ir(dppm)2(acac)]。
[0404] 4MMR.S(CDC13) :1. 83(s，6H)，5. 29(s，1H)，6. 48(d，2H)，6. 80(t，2H)，6. 90(t， 2H)，7. 55-7. 63 (m，6H)，7. 77 (d，2H)，8. 17 (s，2H)，8. 24 (d，4H)，9. 17 (s，2H) ?
[0405] 符號(hào)說(shuō)明
[0406] 102 EL層
[0407] 103 第一電極
[0408] 108 第二電極
[0409] 401源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路
[0410] 4〇2像素部
[0411] 403柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路
[0412] 404密封襯底
[0413] 405密封材料
[0414] 407 空間
[0415] 408 布線
[0416] 409FPC(柔性印刷電路）
[0417] 410元件襯底
[0418] 411 開關(guān)TFT
[0419] 412電流控制TFT
[0420] 413 第一電極
[0421] 414絕緣體
[0422] 416 EL層
[0423] 417 第二電極
[0424] 418發(fā)光元件
[0425] 423n溝道型TFT
[0426] 424p溝道型TFT
[0427] 501 襯底
[0428] 502 第一電極
[0429] 503 第二電極
[0430] 504 EL層
[0431] 505絕緣層
[0432] 506分隔層
[0433] 601照明裝置
[0434] 602照明裝置
[0435] 603臺(tái)式照明設(shè)備
[0436] 701空穴注入層
[0437] 702空穴傳輸層
[0438] 7〇3發(fā)光層
[0439] 704電子傳輸層
[0440] 705電子注入層
[0441] 706電子注入緩沖層
[0442] 707電子中繼層
[0443] 708復(fù)合材料層
[0444] 800 EL層
[0445] 801 EL層
[0446] 803電荷發(fā)生層
[0447] 901 第一襯底
[0448] 9〇2第二襯底
[0449] 903 第一端子
[0450] 904 第二端子
[0451] 9〇8發(fā)光元件
[0452] 909絕緣層
[0453] 910輔助布線
[0454] 911干燥劑
[0455] 912密封材料
[0456] 913a光提取結(jié)構(gòu)
[0457] 913b光提取結(jié)構(gòu)
[0458] 914平坦化層
[0459] 1100 襯底
[0460] 1101 第一電極
[0461] 1103 第二電極
[0462] 1111空穴注入層
[0463] 1112空穴傳輸層
[0464] 1113 發(fā)光層
[0465] 1114a電子傳輸層
[0466] 1114b電子傳輸層
[0467] 1115電子注入層
[0468] 7100電視裝置
[0469] 7101 框體
[0470] 7103 顯示部
[0471] 7105 支架
[0472] 7107 顯示部
[0473] 7109 操作鍵
[0474] 7110遙控操作機(jī)
[0475] 7201 主體
[0476] 7202 框體
[0477] 7203 顯示部
[0478] 7204 鍵盤
[0479] 7205外部連接端口
[0480] 7206定位裝置
[0481] 73〇1 框體
[0482] 73〇2 框體
[0483] 7303 連接部
[0484] 7304 顯示部
[0485] 7305 顯示部
[0486] 73〇6揚(yáng)聲器部
[0487] 7307記錄介質(zhì)插入部
[0488] 7308 LED燈
[0489] 73〇9 操作鍵
[0490] 7310連接端子
[0491] 7311 傳感器
[0492] 7312麥克風(fēng)
[0493] 7400移動(dòng)電話機(jī)
[0494] "7401 框體
[0495] 7402 顯示部
[0496] 7403 操作鍵
[0497] 7404外部連接端口
[0498] 7405 揚(yáng)聲器
[0499] 7406 麥克風(fēng)
[0500] 7501 照明部
[0501] 7502 燈罩
[0502] 7503可調(diào)支架
[0503] 7504 支柱
[0504] 7505 臺(tái)
[0505] 7506電源開關(guān)
[0506] 9501 照明部
[0507] 9503 支柱
[0508] 9505 支撐臺(tái)
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種由以下通式表示的化合物：R11至R19和R21至R27分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子 的芳基中； 在Q1是氮時(shí)，所述氮上的取代基選自以下結(jié)構(gòu)中：2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物， 其中，Ar還包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物， 其中，在所述取代基選自以下結(jié)構(gòu)中時(shí)，所述取代基包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基：R51至R54分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子的芳基中。5. -種發(fā)光裝置，包括： 第一電極； 所述第一電極上的層，該層包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物；以及 所述層上的第二電極。6. -種包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。7. -種包括根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置的照明裝置。8. -種由以下通式表示的化合物：R11至R19和R41至R47分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子 的芳基中； 在Q2是氮時(shí)，所述氮上的取代基選自以下結(jié)構(gòu)中：9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的化合物， 其中，Ar還包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基。10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的化合物， 其中，在所述取代基選自以下結(jié)構(gòu)中時(shí)，所述取代基包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基：R51至R54分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子的芳基中。12. -種發(fā)光裝置，包括： 第一電極； 所述第一電極上的層，該層包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的化合物；以及 所述層上的第二電極。13. -種包括根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。14. 一種包括根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置的照明裝置。15. -種由以下通式表示的化合物：R11至R19和R31至R38分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子 的芳基中。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的化合物， 其中，Ar還包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的化合物， 其中： 所述化合物由以下通式表示：R51至R54分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子的芳基中。18.-種發(fā)光裝置，包括： 第一電極； 所述第一電極上的層，該層包括根據(jù)權(quán)利要求15所述的化合物；以及 所述層上的第二電極。19. 一種包括根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。20. -種包括根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置的照明裝置。21. -種由以下通式表示的化合物：其中： Rn至R19分別選自氫、具有1至4個(gè)碳原子的烷基和具有6至13個(gè)碳原子的芳基；Ar為具有6至13個(gè)碳原子的取代或未取代的亞芳基； X2選自鹵和三氟甲磺酸酯基中。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的化合物， 其中，Ar選自以下結(jié)構(gòu)中：23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的化合物， 其中，Ar還包括具有1至4個(gè)碳原子的烷基。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的化合物， 其中，X2選自碘和溴中。
【專利摘要】本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種新的雜環(huán)化合物，在發(fā)光元件中，該雜環(huán)化合物可以用作使發(fā)光層的發(fā)光物質(zhì)分散的主體材料。本發(fā)明的一個(gè)方式提供由通式(G1)表示的雜環(huán)化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的咔唑基，R11至R19分別表示氫、碳數(shù)為1至4的烷基或者取代或未取代的碳數(shù)為6至13的芳基，并且，Ar表示取代或未取代的碳數(shù)為6至13的亞芳基，
【IPC分類】C07D403/10, C09K11/06, H05B33/14, C07D405/10, H01L51/54, C07D409/10
【公開號(hào)】CN105037339
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510301187
【發(fā)明人】門間裕史, 北野靖, 下垣智子, 大澤信晴, 瀬尾哲史
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2012年2月1日
【公告號(hào)】CN102643240A, CN102643240B, US9056856, US20120193613, US20150270499