[0093] 雙螺桿擠出：混合后料經(jīng)雙螺桿擠出機(jī)抽真空擠出，雙螺桿擠出機(jī)的擠出溫度為 180-220°C;
[0094] 開煉：經(jīng)粉碎后的料按一固定質(zhì)量倒入開煉機(jī)，溫度控制在130-150°C，拉出厚度 為0. 2-0. 4mm的黑色芯材；
[0095] 復(fù)合：黑色芯材先進(jìn)行整形；整形后選用一面粗化后的鍍鎳銅箱作為電極進(jìn)行復(fù) 合；溫度控制在180_190°C之間，壓力控制在100_250bar;
[0096] 沖切：成型板材冷卻后進(jìn)行沖切切割，尺寸為3*4mm;
[0097] 熱處理：在80_120°C下進(jìn)行熱處理4h，獲得本實(shí)施例的芯片。
[0098] 實(shí)施例3
[0099] 芯片的原料包括以體積百分比計(jì)的以下組分：高密度聚乙烯40%，陶瓷粉 55. 5%，聚a-烯烴改性馬來酸酐蠟0.5%。
[0100] 本實(shí)施例，芯片的制作步驟為：
[0101] 配料：按照體積百分比的高密度聚乙烯40%，陶瓷粉55. 5%，聚a-烯烴改性馬來 酸酐蠟0. 5%進(jìn)行配料，然后將其倒入三位一體混合機(jī)中混合均勻；
[0102] 雙螺桿擠出：混合后料經(jīng)雙螺桿擠出機(jī)抽真空擠出，雙螺桿擠出機(jī)的擠出溫度為 180-220°C;
[0103] 開煉：經(jīng)粉碎后的料按一固定質(zhì)量倒入開煉機(jī)，溫度控制在130-150°C，拉出厚度 為0. 2-0. 4mm的黑色芯材；
[0104] 復(fù)合：黑色芯材先進(jìn)行整形；整形后選用一面粗化后的鍍鎳銅箱作為電極進(jìn)行復(fù) 合；溫度控制在180_190°C之間，壓力控制在100_260bar;
[0105] 沖切：成型板材冷卻后進(jìn)行沖切切割，尺寸為3*4mm ;
[0106] 熱處理：在80-120°C下進(jìn)行熱處理4h，獲得本實(shí)施例的芯片。
[0107] 實(shí)施例4
[0108] 芯片的原料包括以體積百分比計(jì)的以下組分：高密度聚乙烯40. 5%，陶瓷粉 55%，PP蠟 0.5%。
[0109] 本實(shí)施例，芯片的制作步驟為：
[0110] 配料：按照上述組分進(jìn)行配料，然后將其倒入三位一體混合機(jī)中混合均勻；
[0111] 雙螺桿擠出：混合后料經(jīng)雙螺桿擠出機(jī)抽真空擠出，雙螺桿擠出機(jī)的擠出溫度為 180-220°C;
[0112] 開煉：經(jīng)粉碎后的料按一固定質(zhì)量倒入開煉機(jī)，溫度控制在130-150°C，拉出厚度 為0. 2-0. 4mm的黑色芯材；
[0113] 復(fù)合：黑色芯材先進(jìn)行整形；整形后選用一面粗化后的鍍鎳銅箱電極進(jìn)行復(fù)合； 溫度控制在180_190°C之間，壓力控制在100_200bar;
[0114] 沖切：成型板材冷卻后進(jìn)行沖切切割，尺寸為3*4mm;
[0115] 熱處理：在80-120°C下進(jìn)行熱處理4h，獲得本實(shí)施例的芯片。
[0116] 室溫老化試驗(yàn)：
[0117] 記錄實(shí)施例1-4與比較例獲得的芯片樣品的初始電阻值，后將各芯片在溫度 25°C，30%RH(相對(duì)濕度）的環(huán)境下放置1個(gè)月，通過四線法測(cè)各芯片電阻并記錄數(shù)據(jù)；計(jì) 算獲得此時(shí)各芯片的電阻值變化率；回流焊過爐芯片，再次用四線法測(cè)量各芯片電阻并記 錄數(shù)據(jù)，獲得表1的數(shù)據(jù)表格。
[0118] 表1室溫老化實(shí)驗(yàn)
[0119]
[0120] 之后，再對(duì)各芯片進(jìn)行100次電流沖擊，測(cè)量獲得如圖3所示的各芯片電阻值變化 圖。
[0121] 實(shí)驗(yàn)結(jié)論：
[0122] 通過表1中各芯片實(shí)驗(yàn)前后阻值和變化率的對(duì)比，可見本發(fā)明的實(shí)施例1-4的芯 片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù)的比較例的芯片樣品在長時(shí)間室溫環(huán)境中阻值變化更小，具有更強(qiáng) 的穩(wěn)定性，即通過本發(fā)明PPTC芯片制法獲得的實(shí)施例1-4的芯片相較于比較例芯片樣品可 在室溫環(huán)境貯存更長時(shí)間，且其電阻穩(wěn)定性更強(qiáng)。實(shí)施例1-4的芯片相較于比較例芯片樣 品經(jīng)過高溫回流焊后，焊后電阻值保持更為穩(wěn)定。
[0123] 同時(shí)，參見圖3,對(duì)比實(shí)施例1-4芯片樣品的阻值變化曲線與比較例芯片樣品的阻 值變化曲線，可見通過本發(fā)明PPTC芯片制法獲得的實(shí)施例1-4的芯片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù) 的比較例芯片樣品，在經(jīng)過室溫老化實(shí)驗(yàn)后的電流沖擊實(shí)驗(yàn)中，其電阻值更為穩(wěn)定，電阻值 變化率更小。
[0124] 冷熱沖擊實(shí)驗(yàn)：
[0125] 記錄實(shí)施例1-4與比較例獲得的芯片樣品的初始電阻值，后將各芯片進(jìn)行85°C 與-55°C的冷熱循環(huán)，兩溫度環(huán)境各0. 5h，總計(jì)100個(gè)循環(huán)，記錄數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得此時(shí)各芯片 的電阻值變化率；回流焊過爐芯片，測(cè)量各芯片電阻并記錄數(shù)據(jù)，獲得表2的數(shù)據(jù)表格。
[0126] 表2冷熱沖擊實(shí)驗(yàn)
[0127]
[0128] 后，再對(duì)各芯片進(jìn)行100次電流沖擊，測(cè)量獲得如圖4所示的各芯片電阻值變化 圖。
[0129] 實(shí)驗(yàn)結(jié)論：
[0130] 通過表2中各芯片實(shí)驗(yàn)前后阻值和變化率的對(duì)比，可見本發(fā)明的實(shí)施例1-4的芯 片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù)的比較例的芯片樣品在冷熱沖擊環(huán)境中具有更強(qiáng)的穩(wěn)定性。實(shí)施例 1-4的芯片相較于比較例芯片樣品經(jīng)過高溫回流焊后，焊后電阻值保持更為穩(wěn)定。
[0131] 同時(shí)，參見圖4,對(duì)比實(shí)施例1-4芯片樣品的阻值變化曲線與比較例芯片樣品的阻 值變化曲線，可見通過本發(fā)明PPTC芯片制法獲得的實(shí)施例1-4的芯片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù) 的比較例芯片樣品，在經(jīng)過冷熱沖擊實(shí)驗(yàn)后的電流沖擊實(shí)驗(yàn)中，其電阻值更為穩(wěn)定，電阻率 升幅小，電阻值變化率更小。
[0132] 濕熱老化實(shí)驗(yàn)：
[0133] 記錄實(shí)施例1-4與比較例獲得的芯片樣品的初始電阻值，后將各芯片放置于 85°C、85%RH(相對(duì)濕度）的環(huán)境下500h，記錄此時(shí)的芯片電阻值數(shù)據(jù)，計(jì)算獲得此時(shí)各芯 片的電阻值變化率；回流焊過爐芯片，測(cè)量各芯片電阻并記錄數(shù)據(jù)，獲得表3的數(shù)據(jù)表格。
[0134] 表3濕熱老化實(shí)驗(yàn)
[0135]
[0136] 之后，再對(duì)各芯片進(jìn)行100次電流沖擊，測(cè)量獲得如圖5所示的各芯片電阻值變化 圖。
[0137] 實(shí)驗(yàn)結(jié)論：
[0138] 通過表3中各芯片實(shí)驗(yàn)前后阻值和變化率的對(duì)比，可見本發(fā)明的實(shí)施例1-4的芯 片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù)的比較例的芯片樣品在濕熱老化環(huán)境中具有更強(qiáng)的穩(wěn)定性，即具有 更好的耐濕耐熱性能。實(shí)施例1-4的芯片相較于比較例芯片樣品經(jīng)過高溫回流焊后，焊后 電阻值保持更為穩(wěn)定。
[0139] 同時(shí)，參見圖5,對(duì)比實(shí)施例1-4芯片樣品的阻值變化曲線與比較例芯片樣品的阻 值變化曲線，可見通過本發(fā)明PPTC芯片制法獲得的實(shí)施例1-4的芯片樣品相較于現(xiàn)有技術(shù) 的比較例芯片樣品，在經(jīng)過濕熱老化實(shí)驗(yàn)后的電流沖擊實(shí)驗(yàn)中，其電阻值更為穩(wěn)定，電阻值 變化率更小。
[0140] 通過上述室溫老化實(shí)驗(yàn)、冷熱沖擊實(shí)驗(yàn)以及濕熱老化實(shí)驗(yàn)的各數(shù)據(jù)間的對(duì)比，可 見本發(fā)明的PPTC芯片制法可提尚芯片存性，極大改善了芯片的抗?jié)窨购芰?，提尚了廣 品的穩(wěn)定性和可靠性，也為企業(yè)大大節(jié)省了芯片周轉(zhuǎn)成本。
[0141] 以上結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上 述說明對(duì)本發(fā)明做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限定，本 發(fā)明將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種PPTC芯材，其特征在于，包括以體積百分比計(jì)的以下組分： 結(jié)晶性高分子聚合物 35-60% ; 導(dǎo)電填料 35-60% ; 增塑劑 0.5-5%; 所述增塑劑采用聚酰胺改性PE蠟、PP蠟、聚酰胺蠟、聚a -烯烴改性馬來酸酐蠟和微 粉化聚四氟乙烯蠟中的一種或幾種的組合。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的PPTC芯材，其特征在于：所述結(jié)晶性高分子聚合物采用結(jié)晶 性聚烯烴聚合物。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PPTC芯材，其特征在于：所述導(dǎo)電填料采用導(dǎo)電金屬粉 和/或?qū)щ娞沾煞邸?. 一種PPTC芯片，其特征在于，采用根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的PPTC芯材制成。5. -種PPTC芯材制法，包括步驟： 51 :配料步驟，將原料混合均勻，所述原料包括以體積百分比計(jì)的以下組分： 結(jié)晶性高分子聚合物 35-60% ; 導(dǎo)電填料 35-60% ; 增塑劑 0.5-5%; 所述增塑劑采用聚酰胺改性PE蠟、PP蠟、聚酰胺蠟、聚a -烯烴改性馬來酸酐蠟和微 粉化聚四氟乙烯蠟中的一種或幾種的組合； 52 :混合后的原料經(jīng)一雙螺桿擠出機(jī)抽真空擠出獲得擠出料； 53 :開煉獲得芯材。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的PPTC芯材制備方法，其特征在于：所述S2步驟的擠出溫度 為 180-220。。。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的PPTC芯材制法，其特征在于，所述S3步驟進(jìn)一步包括步驟： 粉碎所述擠出料； 將一固定質(zhì)量的粉碎后的擠出料倒入開煉機(jī)，溫度130_150°C，預(yù)熱時(shí)間5-15分鐘，拉 出后形成所述芯材。8. 基于權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的PPTC芯材制法的一種PPTC芯片制法，包括步驟： 54 :將所述芯材與一面粗化的鍍鎳銅箱復(fù)合； 55 :沖切復(fù)合后的所述芯材； 56 :熱處理步驟。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的PPTC芯片制法，其特征在于，所述S4步驟進(jìn)一步包括步驟： 對(duì)所述芯材進(jìn)行整形； 用一面粗化的鍍鎳銅箱對(duì)整形后的所述芯材進(jìn)行復(fù)合，復(fù)合溫度180-190°C，復(fù)合壓力 100-500bar〇10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的PPTC芯片制法，其特征在于，所述熱處理溫度為80-120°C。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種PPTC芯片及其制法，其中PPTC芯材包括以體積百分比計(jì)的以下組分：結(jié)晶性高分子聚合物35-60％；導(dǎo)電填料35-60％；增塑劑0.5-5％；所述增塑劑采用聚酰胺改性PE蠟、PP蠟、聚酰胺蠟、聚α-烯烴改性馬來酸酐蠟和微粉化聚四氟乙烯蠟中的一種或幾種的組合。由于采用了本發(fā)明的一種PPTC芯片及其制法，使得制得的芯片具有室溫放置時(shí)間長，電阻穩(wěn)定性高；且芯片經(jīng)過高溫回流焊后，焊后電阻保持穩(wěn)定，冷熱沖擊性能穩(wěn)定，耐濕熱性能優(yōu)良；電流沖擊多次電阻率升幅小的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】C08L23/26, C08L23/06, C08K3/00, C08L27/18, C08L77/00, C08L23/12, C08L51/00
【公開號(hào)】CN105037871
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510354899
【發(fā)明人】張愛麗, 侯李明, 曾賢瑞
【申請(qǐng)人】上海神沃電子有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年6月24日