[0141] 將 PS 粒料 90g，PS-MAH-SA400 IOg 在密煉機(jī)中 190°C密煉 5min，190-205°C注塑打 板，測(cè)試表面電阻值。
[0142] 對(duì)上述實(shí)施例制得的PS板材按照GB1410測(cè)試其表面電阻，電阻值如下：
[0146] 實(shí)施例8-1為空白組
[0147] 將PA6粒料100g，在密煉機(jī)中205°C密煉5min，235-245°C注塑打板，測(cè)試表面電阻 值。
[0148] 實(shí)施例8-2
[0149] 將 PA6 粒料 97. 5g，PS-MAH-SA500 2. 5g 在密煉機(jī)中 205°C密煉 5min，235-245°C注 塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0150] 實(shí)施例8-3
[0151] 將 PA6 粒料 95g，PS-MAH-SA500 5g 在密煉機(jī)中 205°C密煉 5min，235-245°C注塑打 板，測(cè)試表面電阻值。
[0152] 實(shí)施例8-4
[0153] 將 PA6 粒料 92. 5g，PS-MAH-SA500 7. 5g 在密煉機(jī)中 205°C密煉 5min，235-245°C注 塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0154] 實(shí)施例8-5
[0155] 將 PA6 粒料 90g，PS-MAH-SA500 IOg 在密煉機(jī)中 205°C密煉 5min，235-245°C注塑 打板，測(cè)試表面電阻值。
[0156] 對(duì)上述實(shí)施例制得的PA6板材按照GB1410測(cè)試其表面電阻，電阻值如下：
[0160] 實(shí)施例9-1為空白組
[0161] 將環(huán)氧樹(shù)脂E-44 100g，在密煉機(jī)中180°C密煉5min，200-215°C注塑打板，測(cè)試表 面電阻值。
[0162] 實(shí)施例9-2
[0163] 將環(huán)氧樹(shù)脂 E-44 97. 5g，PS-MAH-SA600 2. 5g 在密煉機(jī)中 180 °C 密煉 5min， 200-215 °C注塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0164] 實(shí)施例9-3
[0165] 將環(huán)氧樹(shù)脂 E-44 95g，PS-MAH-SA600 5g 在密煉機(jī)中 180°C密煉 5min，200-215°C 注塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0166] 實(shí)施例9-4
[0167] 將環(huán)氧樹(shù)脂 E-44 92. 5g，PS-MAH-SA600 7. 5g 在密煉機(jī)中 180 °C 密煉 5min， 200-215 °C注塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0168] 實(shí)施例9-5
[0169] 將環(huán)氧樹(shù)脂 E-44 90g，PS-MAH-SA600 IOg 在密煉機(jī)中 180°C密煉 5min，200-215°C 注塑打板，測(cè)試表面電阻值。
[0170] 對(duì)上述實(shí)施例制得的環(huán)氧樹(shù)脂板材按照GB1410測(cè)試其表面電阻，電阻值如下：

[0172] 上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟 悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因 此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完 成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在于：其步驟如下： 1) 將高聚物單體A、酸酐B、引發(fā)劑C按照100: (50-95) : (0. 2-0. 5)的重量比投入反應(yīng) 釜，通氮?dú)獗Ｗo(hù)，65-250°C下反應(yīng)3-8小時(shí)，得到高聚物單體A與酸酐B的嵌段共聚物D ; 2) 向100重量份的嵌段共聚物D中加入10-65重量份的離子液體，通氮?dú)獗Ｗo(hù)， 65-250°C下攪拌1-5小時(shí)，得到離子液體接枝后的嵌段共聚物E ; 3) 將70-99重量份的離子液體接枝后的嵌段共聚物E、0. 05-0. 2重量份的抗氧劑、1-3 重量份的羥基硅油、0-50重量份的填料、3-10重量份的熱穩(wěn)定劑、3-5重量份的硅酮低聚物 投入密煉機(jī)85-90°C下加熱攪拌均勻，然后通過(guò)雙螺桿擠出機(jī)60-250°C下擠出造粒，得到 永久抗靜電離子液體高聚物母料。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟1)中，高聚物單體A為含有不飽和雙鍵、碳原子數(shù)為3-18的苯乙烯及其同系 物。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟1)中，酸酐B為順丁烯二酸酐或順丁烯二酸酐中雙鍵相連的氫原子被其他基 團(tuán)取代的有機(jī)酸酐。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟1)中，引發(fā)劑C為受熱后能夠分解產(chǎn)生自由基的過(guò)氧化物引發(fā)劑，即過(guò)氧化苯 甲酰、過(guò)氧化苯甲酸叔丁酯、過(guò)氧化二異丙苯、二叔丁基過(guò)氧化物、2, 5-二甲基-2, 5-二叔 丁基過(guò)氧基己烷中的一種或幾種的混合物。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟2)中，離子液體為咪唑型離子液體、吡啶型離子液體、哌啶型離子液體、吡咯 烷型離子液體、季銨型離子液體、嗎啉型離子液體、季膦型離子液體中的一種或幾種的混合 物。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟3)中，抗氧劑為硫代二丙酸二月桂酯、2, 4, 6-三叔丁基季戊四醇雙亞磷酸酯、 螺乙二醇雙[2, 2' -亞甲基雙（4, 6-二叔丁基苯基）]亞磷酸酯、季戊四醇雙二亞磷酸二 (2, 4-二叔丁基苯基）酯中的一種或幾種的混合物。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟3)中，填料為云母、石英、鋁礬土、硅藻土、膨潤(rùn)土、球形碳酸媽、霞石、沉淀法 白炭黑中的一種或幾種的混合物，且粒度D(0.9)彡8 ym。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟3)中，熱穩(wěn)定劑為硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂、甲基硫醇錫中的一種或幾 種的混合物。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其特征在 于：所述步驟3)中，硅酮低聚物為有機(jī)硅氧烷環(huán)體DMC加熱聚合后形成的低聚物，且粘度為 80-100 萬(wàn) CP。10. -種永久抗靜電離子液體高聚物母料在高分子材料中的應(yīng)用，其特征在于：將權(quán) 利要求1所述的永久抗靜電離子液體高聚物母料添加于高聚物基體中制成高分子材料，其 中永久抗靜電離子液體高聚物母料的質(zhì)量百分比為2. 5-10%，其余為高聚物基體，高聚物
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種永久抗靜電離子液體高聚物母料的制備方法，其步驟如下：1)將高聚物單體A、酸酐B、引發(fā)劑C投入反應(yīng)釜，通氮?dú)獗Ｗo(hù)，65-250℃下反應(yīng)3-8小時(shí)，得到嵌段共聚物D；2)向100重量份的嵌段共聚物D中加入10-65重量份的離子液體，通氮?dú)獗Ｗo(hù)，65-250℃下攪拌1-5小時(shí)，得到嵌段共聚物E；3)將70-99重量份的離子液體接枝后的嵌段共聚物E、0.05-0.2重量份的抗氧劑、1-3重量份的羥基硅油、0-50重量份的填料、3-10重量份的熱穩(wěn)定劑、3-5重量份的硅酮低聚物投入密煉機(jī)加熱攪拌均勻，然后擠出造粒，得到永久抗靜電離子液體高聚物母料。本發(fā)明還提供了該高聚物母料在高分子材料中的應(yīng)用。本發(fā)明制備出的高聚物母料具有永久抗靜電性能，與高聚物之間的相容性非常好。
【IPC分類(lèi)】C08L25/14, C08F212/08, C08L25/06, C08L35/06, C08K5/098, C08F8/34, C08L55/02, C08K3/34, C08F8/42, C08L83/06, C08L77/02, C08L23/12, C08F8/40, C08F8/44, C08J3/22, C08L63/00, C08F222/08, C08K13/02, C08L27/06, C08L23/06, C08L69/00, C08L75/04, C08K5/372, C08F220/14
【公開(kāi)號(hào)】CN105061968
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510449504
【發(fā)明人】徐力群, 周華群
【申請(qǐng)人】紹興佳華高分子材料股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2015年7月28日