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      硅氧烷化合物及其制備方法

      文檔序號(hào):9421888閱讀:712來(lái)源:國(guó)知局
      硅氧烷化合物及其制備方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本申請(qǐng)涉及硅氧烷化合物(例如:硅氧烷低聚物和硅氧烷化合物)、交聯(lián)有機(jī)硅聚 合物及其制備方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 在現(xiàn)代工業(yè)中硅氧烷化合物和有機(jī)硅(silicone)具有多種用途。例如,硅氧烷化 合物廣泛用于交聯(lián)有機(jī)硅聚合物的制備。這些聚合物通常通過(guò)氫化硅烷化反應(yīng)或者縮合反 應(yīng)來(lái)制備。在氫化硅烷化反應(yīng)中,帶有乙烯基的硅氧烷化合物發(fā)生加成反應(yīng),以通過(guò)形成新 的Si-c鍵來(lái)連接所述化合物的單個(gè)分子。氫化硅烷化反應(yīng)通常由鉑催化,這樣將會(huì)提高這 些聚合物的成本,因?yàn)椴荒軓墓袒膹椥泽w中回收鉑。在縮合反應(yīng)中,硅氧烷化合物發(fā)生縮 合反應(yīng),以在單個(gè)分子間形成新的Si-0-Si鍵合。該縮合反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性有機(jī)化合物(V0C) 作為副廣品。
      [0003] 交聯(lián)有機(jī)娃聚合物能夠用作電子設(shè)備的密封劑或者封裝物(encapsulant)。特別 是,交聯(lián)有機(jī)硅聚合物能夠被用作發(fā)光二極管(LED)的封裝物。這些交聯(lián)有機(jī)硅聚合物因 其未妨礙電子元件的運(yùn)行而合乎需要。然而,具有足以用作較大功率LED的封裝物的高溫 穩(wěn)定性的交聯(lián)有機(jī)硅聚合物不具有高的折射率。該較低的折射率意味著從LED的光輸出將 因?yàn)長(zhǎng)ED的半導(dǎo)體模具中的內(nèi)反射而減弱。
      [0004] 人們需要如下硅氧烷化合物:該硅氧烷化合物適合用于制備交聯(lián)有機(jī)硅聚合物中 而不會(huì)生成大量揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物,例如通過(guò)縮合固化交聯(lián)有機(jī)硅聚合物產(chǎn)生的含碳V0C。還 需要硅氧烷化合物和交聯(lián)有機(jī)硅聚合物,該硅氧烷化合物和交聯(lián)有機(jī)硅聚合物呈現(xiàn)高折射 率并且由此更好地適合用于這樣的應(yīng)用中,即需要封裝材料呈現(xiàn)高折射率的那些應(yīng)用(例 如:LED密封物應(yīng)用)。還需要制備這些硅氧烷化合物和交聯(lián)有機(jī)硅聚合物的方法。本申請(qǐng) 中描述的主題致力于滿足這些需求及其它需求。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 在第一實(shí)施方案中,本發(fā)明提供包含多個(gè)硅氧烷重復(fù)單元的硅氧烷化合物,其中 約lOmol%或更多的所述硅氧烷重復(fù)單元為環(huán)三硅氧烷重復(fù)單元,并且所述環(huán)三硅氧烷重 復(fù)單元獨(dú)立地選自符合如下式(I)結(jié)構(gòu)的環(huán)三硅氧烷重復(fù)單元:
      [0006]
      [0007] 其中&和1?2獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng) 取代的烯基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳 基、經(jīng)取代的雜芳基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基 和三芳基甲硅烷氧基;R3和1?4獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基(alkanediyl)、經(jīng)取 代的烷二基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯 基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳 基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲硅烷氧 基;前提條件是,如果私和R4中的一個(gè)選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯 二基,那么私和R4中的另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基, 并且私和R4鍵合形成環(huán)狀部分。
      [0008] 在第二實(shí)施方案中,本發(fā)明提供用于制備硅氧烷化合物的方法,該方法包括如下 步驟:
      [0009] (a)提供第一硅氧烷化合物,該第一硅氧烷化合物包含至少一個(gè)符合式(XX)結(jié)構(gòu) 的鏈段
      [0010]
      [0011] 其中&和1?2獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng) 取代的烯基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳 基、經(jīng)取代的雜芳基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基 和三芳基甲硅烷氧基;r2。和r21獨(dú)立地選自氫、烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二 基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取 代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷 基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提 條件是R2(]和R21中僅一個(gè)可為氫;并且進(jìn)一步的前提條件是,如果R2(:和R21中的一個(gè)選自 烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么R2。和R21中的另一個(gè)也選自烷二 基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且R2(]和r21鍵合形成環(huán)狀部分;X為0或 者任意正整數(shù);
      [0012] (b)提供符合式(XXX)結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅化合物
      [0013]
      [0014] 其中私和R4獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二基、環(huán)烷基、經(jīng) 取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜 環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷基甲硅烷氧基、 芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提條件是,如果R;5 和R4中的一個(gè)選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么R,R4中的 另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且R#PR4鍵合形成環(huán) 狀部分;R3。和R31獨(dú)立地選自氫、烷基、經(jīng)取代的烷基、?;徒?jīng)取代的?;徊⑶襶為從1 至6的正整數(shù);
      [0015] (c)提供包含路易斯酸催化劑和溶劑的反應(yīng)相;
      [0016] (d)將所述第一硅氧烷化合物和所述有機(jī)硅化合物在所述反應(yīng)相中混合,使得所 述第一硅氧烷化合物和所述有機(jī)硅化合物發(fā)生縮合反應(yīng)以制備第二硅氧烷化合物,所述第 二硅氧烷化合物包含至少一個(gè)符合式(XL)結(jié)構(gòu)的鏈段
      [0017]
      [0018] 在第三實(shí)施方案中,本發(fā)明提供包含多個(gè)硅氧烷重復(fù)單元的硅氧烷化合物,其中 至少一部分的所述硅氧烷重復(fù)單元為環(huán)硅氧烷重復(fù)單元,并且所述環(huán)硅氧烷重復(fù)單元獨(dú)立 地選自符合式(XL)結(jié)構(gòu)的環(huán)硅氧烷重復(fù)單元:
      [0019]
      [0020] 其中&和1?2獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng) 取代的烯基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳 基、經(jīng)取代的雜芳基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基 和三芳基甲硅烷氧基;r2。和r21獨(dú)立地選自氫、烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二 基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取 代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷 基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提 條件是,'和R21中僅一個(gè)可為氫;并且進(jìn)一步的前提條件是,如果RM和R21中的一個(gè)選自 烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么R2。和R21中的另一個(gè)也選自烷二 基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且R2(]和R21鍵合形成環(huán)狀部分;R3和R4 獨(dú)立地選自鹵代烷基、芳烷基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基和經(jīng)取代的雜芳基;x為0或者 任意正整數(shù);并且y為從1至6的正整數(shù)。
      [0021 ] 在第四實(shí)施方案中,本發(fā)明提供符合式(LXX)結(jié)構(gòu)的化合物
      [0023] 其中R7。和R71獨(dú)立地選自鹵代烷基、芳烷基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基和經(jīng)取代 的雜芳基;c為 0 或者從 1 至 3 的正整數(shù);R72、R73、R74、R75、R76、R77、R7S、Rs。、RS1、RS2、RS3、RS4、 RS5和RS6獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、環(huán) 烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜 芳基、三烷基甲硅烷氧基、芳基二烷基甲硅烷氧基、烷基二芳基甲硅烷氧基和三芳基甲硅烷 氧基;前提條件是,如果C為0,那么R74和R82獨(dú)立地選自鹵代烷基、芳烷基、芳基、經(jīng)取代的 芳基、雜芳基和經(jīng)取代的雜芳基。
      [0024] 在第五實(shí)施方案中,本發(fā)明提供用于制備交聯(lián)有機(jī)硅聚合物的方法,該方法包括 如下步驟:
      [0025] (a)提供第一硅氧烷化合物,該第一硅氧烷化合物包含多個(gè)符合式(XL)結(jié)構(gòu)的重 復(fù)單元
      [0026]
      [0027] 其中&和1?2獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng) 取代的烯基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳 基、經(jīng)取代的雜芳基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基 和三芳基甲硅烷氧基;私和1? 4獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二基、 環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的 環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷基甲 娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提條件 是,如果r#pr4中的一個(gè)選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么r3 和r4中的另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且Rjpr4 鍵合形成環(huán)狀部分;R2(]和R21獨(dú)立地選自氫、烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二基、 環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的 環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷基甲 娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提條件 是,R2。和R21中僅一個(gè)可為氫;并且進(jìn)一步的前提條件是,如果R2。和R21中的一個(gè)選自烷二 基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么r2。和r21中的另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng) 取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且R2(]和R21鍵合形成環(huán)狀部分;X為0或者從 1至6的正整數(shù);并且y為從1至6的正整數(shù);
      [0028] (b)提供開環(huán)催化劑;
      [0029] (c)混合所述第一硅氧烷化合物和所述開環(huán)催化劑以產(chǎn)生反應(yīng)混合物;
      [0030] (d)使所述反應(yīng)混合物中的組分發(fā)生反應(yīng),使得(i)所述開環(huán)催化劑打開所述第 一硅氧烷化合物中的至少一部分所述符合式(XL)結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元以形成交聯(lián)基團(tuán),以及 (ii)至少一部分所述交聯(lián)基團(tuán)與所述第一硅氧烷化合物的其它分子發(fā)生反應(yīng)以產(chǎn)生分子 間交聯(lián),從而形成交聯(lián)有機(jī)硅聚合物。
      [0031] 在第六實(shí)施方案中,本發(fā)明提供用于制備交聯(lián)有機(jī)硅聚合物的成套材料(kit),該 成套材料包含第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分物理上彼此隔離直至需 要將其混合以產(chǎn)生交聯(lián)有機(jī)硅聚合物,其中:
      [0032] (a)所述第一部分包含第一硅氧烷化合物,該第一硅氧烷化合物包含多個(gè)符合式 (XL)結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元
      [0033]
      [0034] 其中&和1?2獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng) 取代的烯基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳 基、經(jīng)取代的雜芳基、二烷基甲娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基 和三芳基甲硅烷氧基;私和1? 4獨(dú)立地選自烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二基、 環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的 環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷基甲 娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提條件 是,如果r#pr4中的一個(gè)選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么r3 和r4中的另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且Rjpr4 鍵合形成環(huán)狀部分;R2(]和R21獨(dú)立地選自氫、烷基、經(jīng)取代的烷基、烷二基、經(jīng)取代的烷二基、 環(huán)烷基、經(jīng)取代的環(huán)烷基、烯基、經(jīng)取代的烯基、烯二基、經(jīng)取代的烯二基、環(huán)烯基、經(jīng)取代的 環(huán)烯基、雜環(huán)基、經(jīng)取代的雜環(huán)基、芳基、經(jīng)取代的芳基、雜芳基、經(jīng)取代的雜芳基、三烷基甲 娃烷氧基、芳基^烷基甲娃烷氧基、烷基^芳基甲娃烷氧基和二芳基甲娃烷氧基;如提條件 是,R2。和R21中僅一個(gè)可為氫;并且進(jìn)一步的前提條件是,如果R2。和R21中的一個(gè)選自烷二 基、經(jīng)取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,那么r2。和r21中的另一個(gè)也選自烷二基、經(jīng) 取代的烷二基、烯二基和經(jīng)取代的烯二基,并且R2(]和R21鍵合形成環(huán)狀部分;X為0或者從 1至6的正整數(shù);并且y為從1至6的正整數(shù);并且
      [0035] (b)所述第二部分包含開環(huán)催化劑。
      [0036] 在第七實(shí)施方案中,本發(fā)明提供發(fā)光二極管,該發(fā)光二極管包含:
      [0037] (a)半導(dǎo)體晶體,該半導(dǎo)體晶體包含在所述半導(dǎo)體晶體的第一區(qū)域中的n型半導(dǎo) 體材料、在所述半導(dǎo)體晶體的第二區(qū)域中的p型半導(dǎo)體材料和在所述半導(dǎo)體材料的所述第 一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間的邊界處的P_n結(jié);
      [0038] (b)陰
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