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      一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠及其制備方法_2

      文檔序號:9559885閱讀:來源:國知局
      繼續(xù)加入高嶺土、納米硼化鈦、交聯(lián)劑、催化劑、其他助劑,升溫至190°C,抽真空,真空度控 制在0. 05-0.1 MPa,混煉40min,降溫至50°C以下出膠,得到混合膠料;
      [0070] (2)將步驟⑴得到的混合膠料,在煉膠機(jī)上薄通4-6次,下片,放置24小時以上, 然后在平板硫化機(jī)上,在175°C下,硫化llmin,得到高強(qiáng)度耐磨電子硅膠。
      [0071] 實(shí)施例4
      [0072] -種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,以重量份計(jì),包括以下組分:
      [0073] 甲基乙烯基硅橡膠14份,
      [0074] 甲基乙烯基苯基硅橡膠8份,
      [0075] 二羥基聚二甲基硅氧烷48份,
      [0076] α,ω -羥基封端聚二甲基硅氧烷60份,
      [0077] 甲基乙烯基硅油30份,高嶺土 3份,
      [0078] 納米硼化鈦1份,交聯(lián)劑1. 4份,
      [0079] 催化劑1 · 8份,其他助劑1 · 4份。
      [0080] 其制備方法包括以下步驟:
      [0081] (1)將甲基乙烯基硅橡膠、甲基乙烯基苯基硅橡膠、二羥基聚二甲基硅氧烷、 α,ω -羥基封端聚二甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅油加入到捏合機(jī)中,在90°C下,混煉2. 4h, 繼續(xù)加入高嶺土、納米硼化鈦、交聯(lián)劑、催化劑、其他助劑,升溫至185°C,抽真空,真空度控 制在0. 05-0.1 MPa,混煉45min,降溫至50°C以下出膠,得到混合膠料;
      [0082] (2)將步驟⑴得到的混合膠料,在煉膠機(jī)上薄通4-6次,下片,放置24小時以上, 然后在平板硫化機(jī)上,在170°C下,硫化12min,得到高強(qiáng)度耐磨電子硅膠。
      [0083] 實(shí)施例5
      [0084] -種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,以重量份計(jì),包括以下組分:
      [0085] 甲基乙烯基硅橡膠16份,
      [0086] 甲基乙烯基苯基硅橡膠10份,
      [0087] 二羥基聚二甲基硅氧烷50份,
      [0088] α,ω -羥基封端聚二甲基硅氧烷70份,
      [0089] 甲基乙烯基硅油35份,高嶺土 3. 5份,
      [0090] 納米硼化鈦1. 1份,交聯(lián)劑1. 6份,
      [0091 ] 催化劑2份,其他助劑1. 6份。
      [0092] 其制備方法包括以下步驟:
      [0093] (1)將甲基乙烯基硅橡膠、甲基乙烯基苯基硅橡膠、二羥基聚二甲基硅氧烷、 α,ω -羥基封端聚二甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅油加入到捏合機(jī)中,在95°C下,混煉2. 6h, 繼續(xù)加入高嶺土、納米硼化鈦、交聯(lián)劑、催化劑、其他助劑,升溫至190°C,抽真空,真空度控 制在0. 05-0.1 MPa,混煉50min,降溫至50°C以下出膠,得到混合膠料;
      [0094] (2)將步驟⑴得到的混合膠料,在煉膠機(jī)上薄通4-6次,下片,放置24小時以上, 然后在平板硫化機(jī)上,在175°C下,硫化13min,得到高強(qiáng)度耐磨電子硅膠。
      [0095] 實(shí)施例6
      [0096] -種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,以重量份計(jì),包括以下組分:
      [0097] 甲基乙烯基硅橡膠18份,
      [0098] 甲基乙烯基苯基硅橡膠11份,
      [0099] 二羥基聚二甲基硅氧烷55份,
      [0100] α,ω -羥基封端聚二甲基硅氧烷75份,
      [0101] 甲基乙烯基硅油40份,高嶺土 4份,
      [0102] 納米硼化鈦1. 4份,交聯(lián)劑1. 8份,
      [0103] 催化劑2. 5份,其他助劑1. 8份。
      [0104] 其制備方法包括以下步驟:
      [0105] (1)將甲基乙烯基硅橡膠、甲基乙烯基苯基硅橡膠、二羥基聚二甲基硅氧烷、 α,ω-羥基封端聚二甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅油加入到捏合機(jī)中,在l〇〇°C下,混煉 2. 8h,繼續(xù)加入高嶺土、納米硼化鈦、交聯(lián)劑、催化劑、其他助劑,升溫至195°C,抽真空,真空 度控制在0. 05-0.1 MPa,混煉55min,降溫至50°C以下出膠,得到混合膠料;
      [0106] ⑵將步驟⑴得到的混合膠料,在煉膠機(jī)上薄通4-6次,下片,放置24小時以上, 然后在平板硫化機(jī)上,在180°C下,硫化14min,得到高強(qiáng)度耐磨電子硅膠。
      [0107] 下面對本發(fā)明提供的電子硅膠進(jìn)行性能測試。
      [0108] (1)力學(xué)性能
      [0109] 將電子硅膠固化后,進(jìn)行測試,測試如表1所示:
      [0112] (2)物理性能
      [0115] 從表1、表2來看,本發(fā)明提供的電子硅膠強(qiáng)度大,耐溶劑性強(qiáng)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,以重量份計(jì),包括以下組分: 甲基乙烯基硅橡膠10-20份, 甲基乙烯基苯基硅橡膠6-12份, 二羥基聚二甲基硅氧烷40-60份,α,ω-羥基封端聚二甲基硅氧烷40-80份, 甲基乙烯基硅油20-40份,高嶺土 1-4份, 納米硼化鈦〇. 5-1. 5份,交聯(lián)劑1-2份, 催化劑1-3份,其他助劑1-2份。2. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,以重量份計(jì),包括以下 組分: 甲基乙烯基硅橡膠18份, 甲基乙烯基苯基硅橡膠10份, 二羥基聚二甲基硅氧烷50份,α,ω-羥基封端聚二甲基硅氧烷60份, 甲基乙烯基硅油35份,高嶺土 3. 5份, 納米硼化鈦1份,交聯(lián)劑1.5份, 催化劑2份,其他助劑1份。3. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,所述高嶺土的粒徑大 小為 80-100nm。4. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,所述納米硼化鈦的粒 徑大小為20-50nm。5. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,所述交聯(lián)劑為松香季 戊四醇酯、環(huán)氧硬脂酸辛酯、對叔丁基苯甲酸鋅、二甲基二乙氧硅烷、四甲氧基硅烷中的一 種或多種混合。6. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,所述催化劑為二月桂 二丁基錫、辛酸亞錫、堿式硅酸鉛中的一種或多種混合。7. 如權(quán)利要求1所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,其特征在于,所述其他助劑為癸基 十四醇鯨蠟硬脂酸酯、苯胺甲基三乙氧基硅烷、硬脂酸鈣中的一種或多種混合。8. 如權(quán)利要求1至7任一所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠的制備方法,其特征在于,包 括以下步驟: (1) 將甲基乙烯基硅橡膠、甲基乙烯基苯基硅橡膠、二羥基聚二甲基硅氧烷、α,ω-羥 基封端聚二甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅油加入到捏合機(jī)中,在80-100°C下,混煉2-3h,繼續(xù) 加入高嶺土、納米硼化鈦、交聯(lián)劑、催化劑、其他助劑,升溫至180-20(TC,抽真空,真空度控 制在0. 05-0.IMPa,混煉30-60min,降溫至50°C以下出膠,得到混合膠料; (2) 將步驟(1)得到的混合膠料,在煉膠機(jī)上薄通4-6次,下片,放置24小時以上,然后 在平板硫化機(jī)上,在170_180°C下,硫化10_15min,得到高強(qiáng)度耐磨電子硅膠。9. 如權(quán)利要求8所述的一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠的制備方法,其特征在于,步驟(2) 中,所述硫化的溫度為175 °C,所述硫化的時間為12min。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高強(qiáng)度耐磨電子硅膠,以重量份計(jì),包括以下組分:甲基乙烯基硅橡膠10-20份,甲基乙烯基苯基硅橡膠6-12份,二羥基聚二甲基硅氧烷40-60份,α,ω-羥基封端聚二甲基硅氧烷40-80份,甲基乙烯基硅油20-40份,高嶺土1-4份,納米硼化鈦0.5-1.5份,交聯(lián)劑1-2份,催化劑1-3份,其他助劑1-2份。本發(fā)明還公開了該高強(qiáng)度耐磨電子硅膠的制備方法。該電子硅膠粘結(jié)力強(qiáng),機(jī)械性能好,耐磨耐油性好,抗沖擊能力強(qiáng),耐老化、耐熱性能好,且制備方法簡單,成本低。
      【IPC分類】C08K3/38, C08L83/07, C08K13/02, C08K3/34, C08L83/06
      【公開號】CN105315674
      【申請?zhí)枴緾N201510821797
      【發(fā)明人】李曉明
      【申請人】蘇州蓋德精細(xì)材料有限公司
      【公開日】2016年2月10日
      【申請日】2015年11月24日
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