，發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料（主體材料）和發(fā)光摻雜劑（發(fā) 光體）構(gòu)成，通過(guò)共蒸發(fā)將所述發(fā)光摻雜劑以特定的體積比例添加至所述一種或多種基質(zhì) 材料。此處以例如M1:M2: [Cu(InPEA)] (55% :35% :10%)的形式給出的細(xì)節(jié)是指，材料 Ml以55%的體積比例存在于該層中，M2以35%的比例存在于該層中并且[Cu(InPEA)]以 10%的比例存在于該層中。類似地，所述電子傳輸層也可以由兩種材料的混合物組成。所 述OLED的確切結(jié)構(gòu)可見于表1中。用于制造 OLED的材料示于表4中。
[0190] 以標(biāo)準(zhǔn)方式表征所述OLED。為此目的，根據(jù)電流-電壓-亮度特征（IUL特征）測(cè) 定電致發(fā)光光譜、功率效率（以cd/A計(jì)）和電壓（在lOOOcd/m 2下測(cè)量，以V計(jì)）。
[0191] 本發(fā)明化合物作為OLED中的發(fā)光體材料的用途
[0192] 本發(fā)明化合物的一種用途是在OLED中的發(fā)光層中作為發(fā)光體材料。
[0193] 表1 :0LED的結(jié)構(gòu)
[0195] 表2 :真空處理的OLED的結(jié)果
[0197] 2)由可溶性功能材料制造的溶液處理的器件
[0198] 還可從溶液中處理本發(fā)明的絡(luò)合物，并且其中與真空處理的OLED相比，它們產(chǎn)生 在工藝技術(shù)方面更簡(jiǎn)單的0LED，但其仍具有良好特性。這些組件的制造基于聚合物發(fā)光 二極管（PLED)的制造，其已經(jīng)在文獻(xiàn)中（例如WO 2004/037887中）描述多次。所述結(jié)構(gòu) 由基底/IT0/PED0T (80nm) /中間層（80nm) /發(fā)光層（80nm) /陰極構(gòu)成。為此目的，使用來(lái) 自Technoprint的基底（鈉 鈣玻璃），向其施加 ITO結(jié)構(gòu)（氧化銦錫，透明導(dǎo)電性陽(yáng)極）。 所述基底在清潔室中用去離子水和清潔劑（Dec〇neX15PF)清潔，然后通過(guò)UV/臭氧等離 子體處理活化。然后同樣在清潔室中，通過(guò)旋涂施加80nm的PEDOT (PED0T是聚噻吩衍生 物（Baytron P VAI 4083sp·)，來(lái)自H.C. Starck, Goslar，其以水性分散體形式提供）層作 為緩沖層。所需的旋轉(zhuǎn)速率取決于稀釋程度和特定的旋涂機(jī)幾何結(jié)構(gòu)（對(duì)于SOnm的典型 值：4500rpm)。為了從該層去除殘留的水，將基底在熱板上在180°C下烘烤10分鐘。所用 的中間層用于空穴注入；在這種情況下，使用來(lái)自默克（Merck)的HIL-012。所述中間層 還可以可選地由一個(gè)或多個(gè)層代替，其僅僅必須滿足如下的條件：不會(huì)由于從溶液中沉積 EML的后續(xù)處理步驟而再次脫離。為了制造發(fā)光層，將本發(fā)明的發(fā)光體與基質(zhì)材料一起溶 解在甲苯或THF中。此類溶液的典型固含量是16至25g/L，如果情況如此，則通過(guò)旋涂實(shí) 現(xiàn)對(duì)于器件典型的SOnm的層厚度。所述溶液處理的器件含有由（聚苯乙烯）：M3:M4:發(fā)光 體（25% :25% :40% :10% )構(gòu)成的發(fā)光層。在惰性氣體氣氛中（在該情況下是氬氣）旋 涂施加發(fā)光層，并在130°C下烘烤30分鐘。最后，通過(guò)氣相沉積依次施加由鋇（5nm)和錯(cuò) (IOOnm)構(gòu)成的陰極（高純度金屬，來(lái)自Aldrich，特別是鋇99.99% (目錄號(hào)474711);氣 相沉積系統(tǒng)，來(lái)自Lesker等，典型的氣相沉積壓力是5 X 10 6毫巴）。任選地，可首先施加空 穴阻擋層，然后施加電子傳輸層，并且然后僅在減壓下通過(guò)氣相沉積施加陰極（例如Al或 LiF/Al)。為了保護(hù)器件免受空氣和大氣水分影響，最后將器件封裝并且然后表征。所引的 OLED實(shí)施例尚未最優(yōu)化；表3總結(jié)了所獲得的數(shù)據(jù)。
[0199] 表3 :從溶液中處理的材料的結(jié)果
[0201] 表4:所用材料的結(jié)構(gòu)式
[0202]
【主權(quán)項(xiàng)】
1.式（1)的化合物，其中所用的符號(hào)和標(biāo)記如下： Μ選自化、Ag、Au、化和A1 ; A選自N和P; Y在每種情況下是相同或不同的并且是如下的二價(jià)基團(tuán)，該二價(jià)基團(tuán)選自CR2、0、S、 1，2-亞乙締基、1，2-亞苯基或1，3-亞苯基和具有5或6個(gè)芳族環(huán)原子的鄰位鍵合的亞雜 芳基基團(tuán)，其中運(yùn)些基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代； L\l2、l3在每種情況下是相同或不同的，并且是如下的雜芳基基團(tuán)，該雜芳基基團(tuán)具有 5至25個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代并且含有可與Μ配位的氮、硫或氧原 子，或者是如下的芳基或雜芳基基團(tuán)，該芳基或雜芳基基團(tuán)具有5至18個(gè)芳族環(huán)原子并且 可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代，并且具有與Μ配位的選自Ν、0、S和Ρ的環(huán)外供體原子并且可 被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代；同時(shí)，部分配體L\L2和L3還可經(jīng)由R基團(tuán)彼此連接，其彼此形 成橋； η在每種情況下是相同或不同的并且是0、1、2、3、4或5 ; R在每種情況下是相同或不同的并且是Η，D，F(xiàn)，C1，Br，I，N(r1)2,CN，Ν02,ORi，Si腳)3，B(0R1)2,C( = 0)Ri，P( = 0)巧1)2,S( = 0)Ri，S( = 0)2機(jī)OSOzRi，具有 1 至 40 個(gè)碳原子的 直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基 或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的締基或烘基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的邸2基團(tuán)可被RiC=CRi、C三c、sHri)2、c =0、C=S、C=NR1、P( = 0)巧1)、50、5〇2、祇、0、8或0)祇代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)氨 原子可被F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系， 所述環(huán)系中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一 個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的芳氧基、雜芳氧基、芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，或具有10至40個(gè)芳族 環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)Ri基團(tuán)取代的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳 基氨基基團(tuán)；兩個(gè)或更多個(gè)R取代基還可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族、雜芳族和/或 苯并稠合環(huán)系； R堆每種情況下是相同或不同的并且是H，D，F(xiàn)，C1，Br，I，N巧2)2,CN，N02, 0H，Si(R2)3，B(0R2) 2,C( = 0)r2,Ρ( = 0) (r2) 2,S( = 0)r2,S( = 0) 2R2, 0S02R2,具有 1 至 40 個(gè)碳原子的 直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基 或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)碳原子的締基或烘基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的邸2基團(tuán)可被R化=CR2、CSC、Si(R2)2、C =0、C=S、C=NR2、P( = 0)巧2)、50、5〇2、獻(xiàn)、0、5或0)獻(xiàn)代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)氨 原子可被F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系， 所述環(huán)系中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子并且可被一 個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的芳氧基、雜芳氧基、芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)，或具有10至40個(gè)芳族 環(huán)原子并且可被一個(gè)或多個(gè)R2基團(tuán)取代的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳 基氨基基團(tuán)；兩個(gè)或更多個(gè)Ri取代基還可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族、雜芳族和/或 苯并稠合環(huán)系； R2在每種情況下是相同或不同的并且是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個(gè)碳原子的脂族、芳族 和/或雜芳族控基基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)氨原子還可被F代替；兩個(gè)或更多個(gè)R2取代基還 可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族、雜芳族和/或苯并稠合環(huán)系； 如果所述化合物是帶電荷的化合物，則所述化合物還含有一個(gè)或多個(gè)可相同或不同的 抗衡離子。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于Μ是Cu(I)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于所述化合物不具有電荷。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于由A、Y、Μ和Li或 1/或l3形成的環(huán)含有5、6、7、8或9個(gè)環(huán)原子，優(yōu)選5、6、7或8個(gè)環(huán)原子，更優(yōu)選5、6或7個(gè) 環(huán)原子。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于L1或L2或L3具有 5至14個(gè)芳族環(huán)原子，優(yōu)選5至13個(gè)芳族環(huán)原子，更優(yōu)選5至10個(gè)芳族環(huán)原子，其中所述 芳基和雜芳基基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)R基團(tuán)取代。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于L1、L2和L3在每種 情況下是相同或不同的并且選自式（2)至（41)的基團(tuán)：其中R具有如權(quán)利要求1中所限定的相同的定義，所述基團(tuán)經(jīng)由*所示的位置與金屬Μ配化由#所示的位置指示其中部分配體Li或L2或L3與Y或與A鍵合的位置， 并且另外： X在每種情況下是相同或不同的并且是CR或N; D在每種情況下是相同或不同的并且是0H、0、SH、S、NRz、NR、PR、PRz、OR、SR、COO、-C( = 0)R、-CR( =NR)或-N( =CR2)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Y在每種情況下是 相同或不同的并且是選自CR2和0的二價(jià)基團(tuán)，更優(yōu)選是CR2,其條件是當(dāng)A=N時(shí)，Y不是 0。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所用的符號(hào)和標(biāo)記 如下： L\L2、L3在每種情況下是相同或不同的并且選自上述式似至（41)的基團(tuán)，其中每個(gè) 基團(tuán)中不超過(guò)Ξ個(gè)X符號(hào)是N; Y在每種情況下是相同或不同的并且是選自CR2和0的二價(jià)基團(tuán)； η在每種情況下是相同或不同的并且是0、1或2 ; 并且所用的其它符號(hào)和標(biāo)記各自具有權(quán)利要求1和6中給出的定義。9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述部分配體Li、L2 和L3中的至少兩個(gè)是相同的并且具有相同的取代。10. -種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，其特征在 于所述金屬Μ的金屬鹽或金屬絡(luò)合物與適當(dāng)時(shí)呈脫質(zhì)子化形式的適當(dāng)自由配體的反應(yīng)，任 選地然后進(jìn)行脫質(zhì)子化步驟。11. 一種制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物和至 少一種另外的化合物，尤其是溶劑。12. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物在電子器件中的用途，其用于產(chǎn) 生單重態(tài)氧，用于光催化中或用于氧傳感器中。13. -種在至少一個(gè)層中包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的 化合物的電子器件，所述電子器件尤其選自有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)集成電路、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng) 晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光晶體管、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受 器、有機(jī)場(chǎng)巧焰器件、發(fā)光電化學(xué)電池和有機(jī)激光二極管。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件，所述電子器件為有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在 于根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物存在于發(fā)光層中作為發(fā)光體或作為基 質(zhì)，或存在于空穴阻擋層中，或存在于電子傳輸層中。
【專利摘要】本發(fā)明涉及根據(jù)式(1)的金屬絡(luò)合物，涉及其在電子器件中的用途和涉及包含所述金屬絡(luò)合物的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
【IPC分類】C07D401/14, C07F1/10, C07F9/572, C07D403/14, H01L51/54, C07D409/14, C07F1/08, C09K11/06, C07F1/12, C07D417/14, C07D401/12, C07F5/06, C07F3/06
【公開號(hào)】CN105408319
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480014262
【發(fā)明人】拉斯·韋澤曼, 馬蒂亞斯·克萊赫, 赫爾曼·奧古斯特·馬耶爾
【申請(qǐng)人】默克專利有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2014年2月24日
【公告號(hào)】EP2970197A2, US20160126480, WO2014146749A2, WO2014146749A3