[0050]圖4是本發(fā)明實施例3制得的液滴陣列芯片上形成的液滴陣列圖案效果圖；
[0051]圖5是本發(fā)明實施例4制得的液滴陣列芯片上形成的液滴陣列圖案效果圖；
[0052]圖6是本發(fā)明實施例5制得的液滴陣列芯片上形成的液滴陣列圖案效果圖。
【具體實施方式】
[0053]為更好的說明本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點，下面將結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。圖1是本發(fā)明制備液滴陣列芯片的方法的一種實施方式的流程圖。
[0054]實施例1
[0055]液滴陣列芯片
[0056]一種液滴陣列芯片，其包括:基底;所述基底具有相互交替排布的親水區(qū)和疏水區(qū)以形成親疏水陣列；
[0057]所述親水區(qū)通過氧等離子體處理而形成;所述疏水區(qū)通過物理揮發(fā)沉積全氟癸基三乙氧基硅烷而形成;所述親疏水陣列為平面液滴陣列；所述親水區(qū)為邊長為200um，間距為400um的正方形陣列；
[0058]所述基底材料為單晶硅。
[0059]液滴陣列芯片的制備方法
[0060]一種液滴陣列芯片的制備方法，包括以下步驟:
[0061 ] I)取一基底，對其表面進行清洗，以除去表面有機及無機雜質；具體清洗步驟為:依次在丙酮、無水乙醇和超純水中超聲清洗，氮氣吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附帶的水蒸氣;基底材料為單晶娃；
[0062]2)對基底進行處理，獲得親疏陣列
[0063]a、對基底進行表面親水性修飾，具體處理方法為氧等離子體處理；
[0064]b、使用旋涂儀在基底表面均勻地旋涂一層正性或負性光刻膠，之后在熱臺上進行前烘使光刻膠固定在基底上，取下后在特定掩膜板下進行曝光，該特定掩膜板排布邊長為200um，間距為400um的正方形陣列；用顯影液除去未曝光的負性光刻膠或已曝光的正性光刻膠，得到正方形光刻膠覆蓋的陣列圖案，最后清洗吹干進行下一步操作；
[0065]C、采用等離子體處理對基底進一步清洗后，通過物理揮發(fā)沉積的方法在基底表面修飾上疏水性材料，疏水材料為全氟癸基三乙氧基硅烷(PFTS);
[0066]d、用丙酮或乙醇除去基底表面剩余光刻膠，清洗吹干得到平面型液滴陣列芯片。
[0067]將上述液滴陣列芯片浸入水中，取出后即得到水滴形成的液滴陣列，如圖2所示。
[0068]實施例2
[0069]液滴陣列芯片
[0070]除親疏水區(qū)形狀不同且親水區(qū)與疏水區(qū)相互更換位置之外，其余同實施例1;本實施例中的液滴陣列芯片的疏水區(qū)為圓形，其直徑為20um且呈間距為200um的陣列排布。
[0071]液滴陣列芯片的制備方法
[0072]除步驟b中的掩膜板為排布有直徑為20um且呈間距為200um的圓形陣列，且顯影得到光刻膠圍設的圓形凹面陣列圖案外，其余同實施例1。
[0073]將上述液滴陣列芯片浸入十六烯中，取出后即得到十六烯液滴形成的液滴陣列，如圖3所示。
[0074]實施例3
[0075]液滴陣列芯片
[0076]除親疏水區(qū)形狀不同且親水區(qū)與疏水區(qū)相互更換位置之外，其余同實施例1;本實施例中的液滴陣列芯片的疏水區(qū)為邊長為I OOum，間距為200um的正方形陣列；
[0077]液滴陣列芯片的制備方法
[0078]—種液滴陣列芯片的制備方法，包括以下步驟:
[0079]I)取一基底，對其表面進行清洗，以除去表面有機及無機雜質；具體清洗步驟為:依次在丙酮、無水乙醇和超純水中超聲清洗，氮氣吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附帶的水蒸氣;基底材料為單晶娃；
[0080]2)對基底進行處理，獲得親疏陣列
[0081 ] a、對基底進行表面疏水性修飾，具體處理方法為通過物理揮發(fā)沉積的方法在基底表面修飾上疏水性材料，疏水材料為全氟癸基三乙氧基硅烷(PFTS);
[0082]b、使用旋涂儀在基底表面均勻地旋涂一層正性或負性光刻膠，之后在熱臺上進行前烘使光刻膠固定在基底上，取下后在特定掩膜板下進行曝光，該特定掩膜板排布邊長為lOOum，間距為200um的正方形陣列；用顯影液除去未曝光的負性光刻膠或已曝光的正性光刻膠，得到正方形光刻膠覆蓋的陣列圖案，最后清洗吹干進行下一步操作；
[0083]C、采用等離子體處理對基底進一步清洗后，通過氧等離子體處理對基底表面進行親水性修飾；
[0084]d、用丙酮或乙醇除去基底表面剩余光刻膠，清洗吹干得到平面型液滴陣列芯片。
[0085]將上述液滴陣列芯片浸入十六烯中，取出后即得到十六烯液滴形成的液滴陣列，如圖4所示。
[0086]實施例4
[0087]液滴陣列芯片
[0088]除親水區(qū)的形狀之外，其余同實施例1;本實施例中的液滴陣列芯片的親水區(qū)為圓形，其直徑為200um且呈間距為400um的陣列排布。
[0089]液滴陣列芯片的制備方法
[0090]除步驟b中的掩膜板上排布有直徑為200um且呈間距為400um的圓形陣列外，其余同實施例1。
[0091]將上述液滴陣列芯片浸入水中，取出后即得到水滴形成的液滴陣列，如圖5所示。
[0092]實施例5
[0093]液滴陣列芯片
[0094]除親水區(qū)的形狀之外，其余同實施例1;本實施例中的液滴陣列芯片的親水區(qū)為正六邊形，其邊長為200um且呈間距為800um的陣列排布。
[0095]液滴陣列芯片的制備方法
[0096]除步驟b中的掩膜板上排布有邊長為200um且呈間距為800um的正六邊形陣列外，其余同實施例1。
[0097]將上述液滴陣列芯片浸入水中，取出后即得到水滴形成的液滴陣列，如圖6所示。
[0098]實施例6
[0099]液滴陣列芯片
[0100]除親水區(qū)的形狀之外，其余同實施例1;本實施例中的液滴陣列芯片的親水區(qū)為正六邊形，其邊長為I OOnm且呈間距為300nm的陣列排布。
[0101]液滴陣列芯片的制備方法
[0102]除步驟b中的掩膜板上排布有邊長為10nm且呈間距為300nm的正六邊形陣列外，其余同實施例1。
[0103]將上述液滴陣列芯片浸入金屬納米顆粒溶液中，取出后即得到金屬納米顆粒形成的液滴陣列。
[0104]實施例7
[0105]液滴陣列芯片
[0106]除親水區(qū)通過噴涂氧化鐵而形成，其余同實施例1;
[0107]液滴陣列芯片的制備方法
[0108]除步驟a為對基底進行表面親水性修飾，具體處理方法為將氧化鐵噴涂于基底表面之外，其余同實施例1。
[0109]將上述液滴陣列芯片浸入水中，取出后即得到水滴形成的液滴陣列。
[0110]實施例8
[0111]液滴陣列芯片
[0112]—種液滴陣列芯片，其包括:基底;所述基底具有相互交替排布的親水區(qū)和疏水區(qū)以形成親疏水陣列；
[0113]所述親水區(qū)由基底表面直接形成，所述疏水區(qū)通過涂抹聚四氟乙烯而形成;所述親疏水陣列為平面液滴陣列；所述親水區(qū)為圓形，其直徑為600um且呈間距為900um的陣列排布；
[0114]所述基底材料為氮化鋁。
[0115]液滴陣列芯片的制備方法
[0116]—種液滴陣列芯片的制備方法，包括以下步驟:
[0117]I)取一基底，對其表面進行清洗，以除去表面有機及無機雜質；具體清洗步驟為:依次在丙酮、無水乙醇和超純水中超聲清洗，氮氣吹干后放入烘箱烘干，除去基底本身附帶的水蒸氣;基底材料為氮化鋁；
[0118]2)對基底進行處理，獲得親疏陣列
[0119]a、使用旋涂儀在基底表面均勻地旋涂一層正性或負性光刻膠，之后在熱臺上進行前烘使光刻膠固定在基底上，取下后在特定掩膜板下進行曝光，該特定掩膜板上排