表征
[0389] 在以下實(shí)施例V1-V7和E1-E23中呈現(xiàn)各種0LED的數(shù)據(jù)(參見(jiàn)表1和表2)。
[0390] 實(shí)施例Vl-E23的預(yù)處理：為了改進(jìn)加工，用20nm的PED0T:PSS(聚（3,4-亞乙基二氧 噻吩）：聚（苯乙烯磺酸酯），作為CLEVIOS? P VP AI 4083從德國(guó)賀利氏貴金屬材料有限公 司（Heraeus Precious Metals GmbH,Germany)購(gòu)買，從水溶液通過(guò)旋涂施加）涂布已經(jīng)涂 有50nm厚度結(jié)構(gòu)化ΙΤ0(氧化銦錫）的玻璃板。這些涂布的玻璃板形成施加0LED的基底。
[0391] 所述0LED基本上具有以下層結(jié)構(gòu):基底/空穴傳輸層(HTL)/中間層(IL)/電子阻擋 層(EBL)/發(fā)光層（EML)/任選的空穴阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/任選的電子注入層 (EIL)和最后的陰極。所述陰極由厚度為100nm的鋁層形成。所述0LED的確切結(jié)構(gòu)示于表1 中。所述0LED的制造所需的材料示于表3中。
[0392] 在真空室中通過(guò)熱氣相沉積施加所有材料。此處發(fā)光層總是由至少一種基質(zhì)材料 (主體材料)和發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成，所述發(fā)光摻雜劑與所述一種或多種基質(zhì)材料以特 定體積比例通過(guò)共蒸發(fā)混合。例如IC1: IC3:TEG1(55% :35% : 10% )的表述在此是指，材料 IC1在所述層中以55 %的體積比例存在，IC3在所述層中以35 %的比例存在，而TEG 1在所述 層中以10%的比例存在。類似地，所述電子傳輸層也可由兩種材料的混合物構(gòu)成。
[0393] 通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述0LED。為此目的，確定電致發(fā)光光譜、電流效率（以cd/A計(jì) 量）、功率效率（以lm/W計(jì)量)和外量子效率(EQE，以百分比計(jì)量），其作為發(fā)光密度的函數(shù)從 呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特征的電流/電壓/發(fā)光密度特征線（IUL特征線）計(jì)算，以及確定壽命。在 lOOOcd/m2的發(fā)光密度下測(cè)定電致發(fā)光光譜，并且自其計(jì)算CIE 1931x和y顏色坐標(biāo)。表2中 的術(shù)語(yǔ)U1000表示1000cd/m2的發(fā)光密度所需的電壓。CE1000和PE1000表示在1000cd/m 2下分 別達(dá)到的電流和功率效率。最后，EQE1000表示在lOOOcd/m2的工作發(fā)光密度下的外量子效 率。壽命LT被定義為這樣的時(shí)間，當(dāng)以恒定電流工作時(shí)，發(fā)光密度在該時(shí)間后從初始發(fā)光密 度降至特定比例L1。表2中的表達(dá)L0; j0 = 4000cd/m2和Ll = 70%是指在LT欄中指示的壽命 對(duì)應(yīng)于這樣的時(shí)間，在該時(shí)間后初始發(fā)光密度從4000cd/m2降至2800cd/m 2。類似地，L0; j0 = 20mA/cm2，Ll = 80%，是指以20mA/cm2工作時(shí)間LT后，發(fā)光密度降至其初始值的80%。
[0394]各種0LED的數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。實(shí)施例V1-V7是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的比較實(shí)施例，實(shí)施 例E1-E23示出根據(jù)本發(fā)明的0LED的數(shù)據(jù)。
[0395] 下文更詳細(xì)地解釋一些實(shí)施例以示例根據(jù)本發(fā)明的0LED的優(yōu)點(diǎn)。
[0396] 根據(jù)本發(fā)明的混合物在磷光0LED的發(fā)光層中的使用
[0397] 在用作磷光0LED中的基質(zhì)材料時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的材料相比于現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生所有參 數(shù)的顯著改進(jìn)，特別關(guān)于壽命和外量子效率的顯著改進(jìn)。
[0398]將根據(jù)本發(fā)明的化合物FF1和FF2與綠光發(fā)光的摻雜劑TEG1組合使用，與待觀察的 現(xiàn)有技術(shù)StdTl和StdT2相比，能夠使壽命增加約30-40% (實(shí)施例VI、E1和V2、E2)。此外，根 據(jù)本發(fā)明的化合物FF3能夠?qū)崿F(xiàn)與現(xiàn)有技術(shù)StdT3相比增加約25%的外量子效率(實(shí)施例 V3、E3)〇
[0399] 表1:0LED的結(jié)構(gòu)
[0400]
[0401]
[0402]
[0403] 表2:0LED的數(shù)據(jù)
[0404]
[0408]
[0409]
[0410]
[0411]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種通式(1)化合物其中以下適用于所用的符號(hào)和標(biāo)記： A和A， 彼此相同或不同地是具有5或6個(gè)環(huán)原子并可被一個(gè)或多個(gè)可彼此獨(dú)立的基團(tuán)R1取代的 芳族或雜芳族環(huán)； ETG 是來(lái)自缺電子雜芳族基團(tuán)的有機(jī)電子傳輸基團(tuán)（ETG)，其中所述ETG優(yōu)選是具有5至60 個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳基基團(tuán)，其中氮原子代表非常優(yōu)選的雜原子，非常特別優(yōu)選的ETG選自 基團(tuán)三嗪、嘧啶、吡嗪、吡唑、噠嗪、喹啉、異喹啉、噻唑、苯并噻唑、曬唑、苯并:韆:唑、咪唑、苯 并咪唑和吡啶，其中所述基團(tuán)ETG可被一個(gè)或多個(gè)彼此獨(dú)立的基團(tuán)R 1取代； Z 是單鍵或二價(jià)基團(tuán)；如果Z是單鍵，則所述基團(tuán)ETG與環(huán)A的碳原子直接鍵合； V 是單鍵、〇 = 0、以1?1)2、嫩義0、3、3以1?1)2』1? 1、？1?1、？（ = 0)1?1、30或302，其中，在單鍵的情 況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、以1^)2、嫩八0和S是優(yōu)選的，其 中單鍵、以1^) 2、0和S是非常優(yōu)選的，其中0和S是非常特別優(yōu)選的，其中0是尤其優(yōu)選的； W 是單鍵、0 = ASKR1)〗 JR^PR1^ =0)R\SO或S〇2,其中，在單鍵的情 況下，環(huán)A和A'的碳原子通過(guò)單鍵彼此直接連接，其中單鍵、(XRq^NR1、。和S是優(yōu)選的，其中 單鍵、以1^)2、0和S是非常優(yōu)選的，其中0和S是非常特別優(yōu)選的，其中0是尤其優(yōu)選的； m 是〇或1; η 是〇或1， 其中m=n; Ar3 是具有5至30個(gè)環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)或環(huán)系，其中所述環(huán)或環(huán)系在每種情況下可 被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，所述基團(tuán)R2可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán) R2可彼此形成閉環(huán)； R1 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，N02，Si(R 2)3，B(0R2)2，C(=0) R2，P ( = 0) (R2) 2，S ( = 0) R2，S ( = 0) 2R2，0S02R2，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代 烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或 環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R2C = CR2、C三C、Si(R2)2、Ge (妒）2、311(1?2)2丄=0丄=5、〇 = 56丄=冊(cè)2、？（=0)(1?2)、50、502、冊(cè)2、0、5或(：0順 2代替，并且其 中一個(gè)或多個(gè)Η原子可被0、？、(：1、8^1、0~或^)2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或 雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原 子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有10 至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基 團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合，或可交聯(lián)的基團(tuán)Q; 此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R1可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系，其中優(yōu)選兩個(gè) 或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R 1不彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； R2 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，N02，Si(R 3)3，B(0R3)2，C(=0) R3，P ( = 0) (R3) 2，S ( = 0) R3，S ( = 0) 2R3，0S02R3，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代 烷氧基基團(tuán)，或具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或 環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一 個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 3取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C = CR3、C三C、Si(R3)2、Ge (護(hù)）2、511(1?3)2丄=0丄=5、〇 = 56丄=冊(cè)3、？（=0)(1?3)、50、502、冊(cè)3、0、5或(：0順 3代替，并且其 中一個(gè)或多個(gè)Η原子可被0、？、(：1、8^1、0~或^)2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或 雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 3取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原 子的芳氧基、芳基烷氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R3取代，或具有10 至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基 團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 3取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合;此處兩個(gè)或更多個(gè) 相鄰的基團(tuán)R2可彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； R3 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族 烴基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)Η原子還可被F代替;此處兩個(gè)或更多個(gè)取代基R3還可彼此形成單 環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； Ρ 是1至7、優(yōu)選1至4、非常優(yōu)選1至3、特別優(yōu)選1或2、非常特別優(yōu)選正好為2和尤其優(yōu)選正 好為1的整數(shù)； R4 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是 N(R2)2，Si(R2)3，B(0R2) 2，C(=0)R2，P(=0)(R2)2，S(=0) R2，S( = 0)2R2，0S02R2，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，或具有2至 40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)，或具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、 烷氧基、烷基烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，其 中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的 CH2 基團(tuán)可被 R2C = CR2、C三 C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C =36工=冊(cè)2、？（=0)(1?2)、30、302、冊(cè)2、0、3或0)冊(cè) 2代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)!1原子可被0、 ?、(：1、8^1、0~或^)2代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每 種情況下可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基、芳基烷氧基或 雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或具有10至40個(gè)芳族環(huán)原子的二芳 基氨基基團(tuán)、二雜芳基氨基基團(tuán)或芳基雜芳基氨基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2 取代，或這些基團(tuán)中的兩種或更多種的組合;此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的基團(tuán)R4可彼此形成 單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于m=n= 1并且V是單鍵并且W不是單鍵。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于m=n= 1并且W是單鍵并且V不是單鍵。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物具有式 (2)其中上述定義適用于所用的標(biāo)記和符號(hào)，并且其中： X 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是N或CR1; Q 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是X = X、S、0或NR1，優(yōu)選X = X、S和0,非常優(yōu)選X = X和S，非常 特別優(yōu)選χ=χ。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物具有式 (3)6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物具有式 (3a)其中s和t可以是0至3的整數(shù)，并且其中s+t等于0至6的整數(shù)，s+t優(yōu)選等于4，s+t非常優(yōu) 選等于2，s+t非常特別優(yōu)選等于1，s+t尤其優(yōu)選等于0。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物具有式 (3b) 其中P是1全知、」at雙，?兀SEin燈乃z，..吊?兀mil：燈乃丄。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物具有式 (3c)9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述ETG是缺電子雜 芳族基團(tuán)并且選自以下基團(tuán)其中虛線鍵標(biāo)記鍵合位置，R1如上文所定義的，并且 Q， 在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地表示CR1或N，并且 Q" 是NR\〇或S; 其中至少一個(gè)Q '等于N和/或至少一個(gè)Q"等于NR1。10. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物，其特征在于Z是單鍵或具有5至 60個(gè)環(huán)原子的二價(jià)芳族或雜芳族環(huán)或環(huán)系，優(yōu)選是具有6至60個(gè)環(huán)原子的芳族環(huán)或環(huán)系。11. 一種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，所述方法 借助于Suzuki偶聯(lián)來(lái)實(shí)施。12. -種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，所述方法 借助于Buchwald或U1 lmann偶聯(lián)來(lái)實(shí)施。13. -種組合物，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物和 至少一種另外的化合物，所述另外的化合物選自熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、主體材料、基質(zhì) 材料、電子傳輸材料、電子注入材料、空穴導(dǎo)體材料、空穴注入材料、電子阻擋材料、空穴阻 擋材料、η型摻雜劑和p型摻雜劑。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的組合物，其特征在于所述另外的化合物是磷光發(fā)光體。15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的組合物，其特征在于所述另外的化合物是主體材料或 基質(zhì)材料。16. 根據(jù)權(quán)利要求13至15中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的組合物，其特征在于所述另外的化合 物具有2.5eV或更大、優(yōu)選3. OeV或更大、非常優(yōu)選3.5eV或更大的帶隙。17. -種制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至 少一種根據(jù)權(quán)利要求13至16中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的組合物和至少一種溶劑。18. 至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至少一種根據(jù)權(quán)利 要求13至16中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的組合物在電子器件中，優(yōu)選在有機(jī)電致發(fā)光器件中，非 常優(yōu)選在有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)或有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池(OLEC、LEEC、LEC)中，非常特別優(yōu) 選在0LED中的用途，所述化合物或所述組合物優(yōu)選用在發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)中 和用在空穴阻擋層(HBL)中，非常優(yōu)選用在EML和ETL中，非常特別優(yōu)選用在EML中。19. 一種電子器件，其優(yōu)選在發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)中和在空穴阻擋層(HBL) 中，非常優(yōu)選在EML和ETL中，非常特別優(yōu)選地在EML中包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中 的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至少一種根據(jù)權(quán)利要求13至16中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的組合 物。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的電子器件，其特征在于所述電子器件選自有機(jī)集成電路 (01C)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(0FET)、有機(jī)薄膜晶體管(0TFT)、有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)太陽(yáng)能 電池(0SC)、有機(jī)光學(xué)檢測(cè)器、有機(jī)光感受器，優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件。21. 根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的電子器件，其特征在于所述電子器件是還選自如下的 有機(jī)電致發(fā)光器件:有機(jī)發(fā)光晶體管(0LET)、有機(jī)場(chǎng)猝熄器件(0FQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池 (0LEC、LEC、LEEC)、有機(jī)激光二極管(Ο-laser)和有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)，優(yōu)選0LEC和0LED， 非常優(yōu)選0LED。22. -種用于制造根據(jù)權(quán)利要求19至21中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件的方法，其特 征在于通過(guò)氣相沉積或從溶液中施加至少一個(gè)有機(jī)層。23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子器件，其在醫(yī)學(xué)中用于光療法，優(yōu)選用于皮膚的光療 法，非常優(yōu)選用于治療或預(yù)防銀肩病、異位性皮膚炎、黃疸、新生兒黃疸、白癜風(fēng)、炎癥、疼痛 和用于傷口愈合。24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件在美容中的用途，所述器件優(yōu)選用于治療或預(yù)防皮膚 老化、皮膚皺紋、魚(yú)尾紋、痤瘡、黑頭和脂肪團(tuán)。25. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件在顯示器中或用于照明的用途。
【專利摘要】本申請(qǐng)涉及具有呈特定空間排列的官能取代基的通式(1)化合物，包含其的器件，以及其制備和用途。
【IPC分類】C07D403/10, C07D403/08, C07D491/048, C07D403/14, C07F5/02, C09K11/06, C07D405/14, C07D409/14, H01L51/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105636959
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480055306
【發(fā)明人】埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 伊里娜·馬丁諾娃, 安雅·雅提斯奇, 托馬斯·埃伯利, 喬納斯·瓦倫丁·克羅巴, 克里斯托夫·普夫盧姆
【申請(qǐng)人】默克專利有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2014年9月16日
【公告號(hào)】WO2015051869A1