~C5Q的芳基、取代或未取代的C 5~C5Q的雜 環(huán)基；
[0083] R4為取代或未取代的(^~(:的烷基、取代或未取代的C6~C5Q的芳基、取代或未取代 的C5~C5Q的雜環(huán)基；
[0084]抱和1?6獨立的選自取代或未取代的&~〇5〇烷基、取代或未取代的C6~C 5Q的芳基、取 代或未取代的C5~C5Q的雜環(huán)基。
[0085] 上述&~〇5〇烷基優(yōu)選為&~&〇烷基，更優(yōu)選為&~〇5烷基，在本發(fā)明的某些具體實 施例中，其為甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基。
[0086] 本發(fā)明優(yōu)選的，所述芳雜環(huán)化合物具有以下結構：
[0087]
[0088]
[0089] 其中，
[0090] X/、X；/、X/、X/、X^ 獨立的優(yōu)選為C或N;
[0091] Y優(yōu)選為0、S或N(R/);
[0092] Z優(yōu)選為(KSJU/)或
[0093] R2、R3獨立的優(yōu)選為氫原子、鹵素原子，氰基、取代或非取代的心~(：5()烷基、取代或 非取代的C 6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的雜環(huán)基、取代或非取代的C 6~C5Q的芳香 族胺基；
[0094] R/優(yōu)選為取代或未取代的C6~C5Q的芳基、取代或未取代的C5~C 5Q的雜環(huán)基；
[0095] t和t分別優(yōu)選為取代或未取代的烷基、取代或未取代的C6~C5Q的芳基、 取代或未取代的C 5~C5Q的雜環(huán)基；
[0096] Ar/和AW獨立的優(yōu)選為取代或非取代的C6~C6Q的芳基;取代或非取代的C5~C 60 的雜環(huán)基、取代或非取代的C6~C3Q的芳胺基;所述C6~C6Q的芳基優(yōu)選為C 6~C5Q的芳基。
[0097] Ar/和Ar，獨立的優(yōu)選為取代或非取代C6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C 50雜 環(huán)基；
[0098] K優(yōu)選為取代或非取代的C6~C5Q芳烯基;更優(yōu)選為C6~C3Q芳烯基，本發(fā)明中，所述 芳烯基為含有芳香族基團的烯基。
[0099] Li優(yōu)選為0或1。
[0100] 上述烷基優(yōu)選為&~&〇烷基，更優(yōu)選為&~〇5烷基，在本發(fā)明的某些具體實 施例中，其為甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基。
[0101] 本發(fā)明優(yōu)選的，所述化合物具有以下E-ι~E-152任一結構：
>
[0102]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109]
[0110]
ο
[0111] 本發(fā)明中，所述C6~C5Q的芳基優(yōu)選為C6~C3Q的芳基，更優(yōu)選為C 6~C2Q的芳基;在本 發(fā)明的某些具體實施例中，其為苯基;所述C5~C 5Q的雜環(huán)基優(yōu)選為C5~C3Q的雜環(huán)基，所述C5 ~C3Q的雜環(huán)基更優(yōu)選為C5~C2Q的雜環(huán)基，本發(fā)明中，所述雜環(huán)基優(yōu)選為雜芳基;所述C 6~C50 的芳香族胺基優(yōu)選為C6~C3Q的芳香族胺基，所述C6~C3Q的芳香族胺基更優(yōu)選為C6~Cl5的芳 香族胺基。
[0112] 本發(fā)明中，上述取代的芳基、取代的雜環(huán)基、取代的芳香族胺基中，所述取代的是 指含有取代基的，所述取代基優(yōu)選選自鹵素、的烷基、&~〇5〇烷氧基、CpQm的 烷胺基、c 6~C6Q的芳胺基、&~〇50的烷巰基、C6~C6Q的芳巰基、C 2~C6Q的烯烴基、C2~C6Q的炔 烴基、C 3~C6Q的環(huán)烷基、C6~C6Q的芳基、C8~C 6Q的芳烯基、取代或非取代的硅基及取代或非 取代的C5~C6Q的雜環(huán)基。這些取代基可任選地進一步被選自上述基團的取代基取代。更優(yōu) 選為鹵素、-εΝ、&~&的烷基、c 6~C1Q的芳基、c6~C3Q的雜芳基;在本發(fā)明的某些具體實施例 中，所述取代基為甲基、鹵素、-CN、苯基、咔唑基、苯基取代的咔唑基。
[0113]本發(fā)明還提供了一種上述芳雜環(huán)化合物的制備方法，包括：
[0114] 1^為〇時，將式（m)所示的化合物與式（iv)所示的化合物和式(v)所示的化合物進 行反應，得到式(I)所示的芳雜環(huán)化合物；
[0115] 或者1^為1時，將式（m)所示的化合物與式（IV)所示的化合物和式(V)所示的化合 物、式(VI)所示的化合物進行反應，得到式(I)所示的芳雜環(huán)化合物；
[0118] 其中，[0119] Xa、Xb、X。、Xd 獨立的優(yōu)選為-C-Br、-C-C1 或-N;[0120] Y!優(yōu)選為-Β(0Η)2、硼類化合物基團，-NH-RiS-Nife;本發(fā)明中，所述硼類化合物基 團是指硼類化合物中，B原子連接的Η失去后剩余的基團，例如硼酸酯基團
[0116]
[0117]
[0121] 乂1、乂2、乂3、乂4獨立的優(yōu)選為(：或1
[0122] 獨立的選自氫原子、鹵素原子，氰基、取代或非取代的&~&()烷基、取代或 非取代的c 6~C5Q的芳基、取代或非取代的C5~C5Q的雜環(huán)基、取代或非取代的C 6~C5Q的芳香 族胺基;且中至少一個為上述取代或非取代的芳基、雜環(huán)基或芳香族胺基。
[0123] 上述的范圍同上，在此不再贅述。
[0124] 本發(fā)明對上述反應原料的來源并沒有特殊的限制，可為市售也可為制備。本發(fā)明 中所述式(m)所示的化合物優(yōu)選按照以下方法進行制備：
[0?25 ]將式(νπ)所示的化合物與式(VI)所示的化合物進行置換反應，得到式(IX)所示的 化合物；
[0126]將式(IX)所示的化合物依次進行縮合環(huán)化、還原反應，得到式(m)所示的化合物； Γηι?7?
[0130]本發(fā)明對上述置換反應，縮合環(huán)化反應，還原反應，以及后面的取代反應的反應條 件并無特殊限定，可以為該反應的常規(guī)條件。
[0131 ]在本發(fā)明的某些具體實施例中，上述置換反應，以乙醚為溶劑，反應溫度為干冰 浴，采用叔丁基鋰為堿，反應后處理為柱層析法。
[0132] 上述縮合環(huán)化反應的溶劑為THF(四氫呋喃），反應溫度為冰浴，采用式(IX)所示化 合物與LTPM反應，所述LTPM為叔丁基鋰與2，2，6，6-四甲基哌啶的反應混合液，反應溫度為 冰浴;所述反應的后處理方法為柱層析法。
[0133] 上述還原反應的溶劑為乙腈，三氯氧磷為還原劑，反應溫度為40~70°C，反應時間 為3~7h。反應體系加堿液中和，二氯甲烷萃取，有機相旋干即可得產物。
[0134] 上述置換反應采用式（ΙΠ )所示的化合物與式(IV)所示的化合物和式(V)所示的化 合物進行反應，或式（m)所示的化合物與式（iv)所示的化合物和式(v)所示的化合物、式 (VI)所示的化合物進行反應，上述反應的溶劑為甲苯、乙醇、水的混合溶液，所述甲苯、乙 醇、水的體積比優(yōu)選為2: (0.8~1.2): (0.8~1.2 )，反應的催化劑為四三苯基膦鈀，反應的 溫度為100~120°c，反應時間為20~30h，反應后處理采用柱層析法。
[0135] 在本發(fā)明的某些具體實施例中，所述YiS-NH-fogS
[0136] 當hS-NH-Rdt，反應體系采用甲苯為溶劑，在叔丁醇鈉，三(二亞芐基丙酮)二鈀， 三叔丁基膦混合體系中進行反應，反應溫度為80~120 °C，反應時間為20~30h，產物經柱層 析法進行提純。
[0137] 當Yj
-時，反應體系采用甲苯、乙醇、水的混合溶液作為溶劑，以四 三苯基磷鈀為催化劑，反應溫度為100~130 °C，反應時間為20~30h，產物經柱層析法進行 提純。
[0138] 本發(fā)明提供的芳雜環(huán)化合物制備方法簡單，易于產業(yè)化。
[0139] 本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括上述的式(I)所示的芳雜環(huán)化合物。
[0140] 所述有機電致發(fā)光器件為本領域技術人員熟知的有機電致發(fā)光器件即可，本發(fā)明 優(yōu)選包括第一電極、第二電極和設置于所述第一電極與第二電極之間的有機物層;所述有 機物層包含上述芳雜環(huán)化合物。
[0141] 本發(fā)明中，所述有機物層是指有機電致發(fā)光器件第一電極和第二電極之間的全部 層。所述有機物層中的至少一層包含至少一種上述芳雜環(huán)化合物，其作為電子傳輸層。
[0142] 本發(fā)明中，所述芳雜環(huán)化合物可以是單一形態(tài)，也可以跟其他物質混合添加至上 述有機層中，本發(fā)明對此并無特殊限定。
[0143] 按照本發(fā)明，所述有機物層優(yōu)選包括空穴注入層、空穴傳輸層、既具備空穴注入又 具備空穴傳輸技能層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層及既具備 電子傳輸又具備電子注入技能層中的一層或多層，更優(yōu)選包括依次設置的空穴注入層、空 穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層與電子注入層或依次設置的既具 備空穴注入又具備空穴傳輸技能層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層與既具備電子傳輸又 具備電子注入技能層。
[0144]當本發(fā)明有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層或既具備空穴注入又具備空穴傳 輸技能層時，優(yōu)選所述空穴注入層、空穴傳輸層或既具備空穴注入又具備空穴傳輸技能層 中至少一層包含空穴注入物質、空穴傳輸物質或既具備空穴注入又具備空穴傳輸技能的物 質，或電子傳輸物質生成的物質。
[0145] 當所述有機物層為多層結構時，所述有機物層包括發(fā)光層;所述發(fā)光層中優(yōu)選包 括磷光主體、焚光主體、磷光摻雜材料及焚光摻雜材料中的一種或多種;其中上述發(fā)光層中 包括上述芳雜環(huán)化合物，分三種情況：i)上述焚光主體可以是上述芳雜環(huán)化合物；i i)上述 熒光摻雜可以是上述芳雜環(huán)化合物；iii)上述熒光主體及熒光摻雜可以是上述芳雜環(huán)化合 物。
[0146] 所述發(fā)光層還可優(yōu)選為紅色、黃色或青色發(fā)光層，所述芳雜環(huán)化合物為紅色、黃色 或青色發(fā)光層的主體或摻雜物質。如，當所