用于平坦化或拋光基材表面的組合物和方法是本領(lǐng)域中公知的。拋光組合物(也稱為拋光漿料)典型地含有在液體載劑中的研磨材料并通過使表面與用拋光組合物飽和的拋光墊接觸而施加至所述表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、鈰氧化物、鋁氧化物、鋯氧化物、及錫氧化物。拋光組合物典型地與拋光墊(例如拋光布或圓盤)結(jié)合使用。代替被懸浮于拋光組合物中，或者，除了被懸浮于拋光組合物中之外，研磨材料可被引入拋光墊中。作為用于隔離半導(dǎo)體器件的元件的方法，大量注意力被引向淺溝槽隔離(STI)工藝，其中在硅基材上形成硅氮化物層，經(jīng)由蝕刻或光刻法形成淺溝槽，且沉積介電層(例如，氧化物)以填充所述溝槽。由于以此方式形成的溝槽或線路的深度的變化，因此，典型地必須在基材頂部上沉積過量的介電材料以確保完全填充所有溝槽。隨后典型地通過化學(xué)機械平坦化工藝移除過量的介電材料以使硅氮化物層暴露。當(dāng)硅氮化物層被暴露時，暴露于化學(xué)機械拋光組合物的基材的最大區(qū)域包含硅氮化物，其必須隨后被拋光以實現(xiàn)高度平坦和均勻的表面。通常，過去的實踐已強調(diào)對氧化物拋光優(yōu)先于對硅氮化物拋光的選擇性。因此，硅氮化物層已在化學(xué)機械平坦化工藝期間充當(dāng)停止層，因為在硅氮化物層暴露時總的拋光速率降低。近來，還已強調(diào)了對氧化物拋光優(yōu)先于對多晶硅拋光的選擇性。例如，添加一系列BRIJTM和聚環(huán)氧乙烷表面活性劑、以及PLURONICTML-64(具有15的HLB的環(huán)氧乙烷-環(huán)氧丙烷-環(huán)氧乙烷三嵌段共聚物)被聲稱提高氧化物相對于多晶硅的拋光選擇性(參見Lee等人，“EffectsofNonionicSurfactantsonOxide-to-PolysiliconSelectivityduringChemicalMechanicalPolishing”，J.Electrochem.Soc.，149(8):G477-G481(2002))。此外，美國專利第6,626,968號公開了通過使用選自如下的具有親水和疏水官能團(tuán)的聚合物添加劑可改善硅氧化物相對于多晶硅的拋光選擇性：聚乙烯基甲基醚、聚乙二醇、聚氧乙烯23月桂基醚、聚丙酸、聚丙烯酸、和聚醚二醇雙(醚)。典型地使用常規(guī)的拋光介質(zhì)和含有研磨劑的拋光組合物拋光STI基材。然而，已觀察到利用常規(guī)的拋光介質(zhì)和含有研磨劑的拋光組合物拋光STI基材導(dǎo)致基材表面的過度拋光或者在STI特征中形成凹坑及其它形貌缺陷(例如基材表面上的微刮痕)。該過度拋光及在STI特征中形成凹坑的現(xiàn)象稱為凹陷(dishing)。凹陷是不合乎需要的，因為基材特征的凹陷可通過造成晶體管和晶體管部件(組件)彼此隔離失敗，由此導(dǎo)致短路而不利地影響器件制造。另外，基材的過度拋光還可導(dǎo)致氧化物損失并使下伏氧化物暴露于來自拋光或化學(xué)活性的損害，這不利地影響器件的品質(zhì)和性能。因此，在本領(lǐng)域中仍然需要可提供硅氧化物、硅氮化物和多晶硅的合乎需要的選擇性且具有合適的移除速率、低的缺陷率(defectivity)、和合適的凹陷性能的拋光組合物和方法。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供化學(xué)機械拋光組合物，其包含以下物質(zhì)、基本上由以下物質(zhì)組成、或由以下物質(zhì)組成：(a)約0.05重量％至約10重量％的鈰土(ceria)研磨劑，(b)約10ppm至約1000ppm的式I聚合物：其中X1和X2獨立地選自O(shè)、C、及S，Y1和Y2獨立地選自O(shè)H、C1-C10烷基、及式CxHyFz的基團(tuán)，R1、R2、R3和R4獨立地選自氫、F、C1-C10烷基、C6-C10芳基、及雜芳族基，x為1至約20的整數(shù)，z為1至約41的整數(shù)，m為約3至約500的整數(shù)，且Y1或Y2中的至少一者為CxHyFz，或者，R1-R4中的至少一者為F；以及(c)水，其中該拋光組合物具有約1至約4.5的pH值。本發(fā)明還提供化學(xué)機械拋光基材的方法，其包括：(i)使基材與拋光墊及化學(xué)機械拋光組合物接觸，該化學(xué)機械拋光組合物包含以下物質(zhì)、基本上由以下物質(zhì)組成、或由以下物質(zhì)組成：(a)約0.05重量％至約10重量％的鈰土研磨劑，(b)約10ppm至約1000ppm的式I聚合物：其中X1和X2獨立地選自O(shè)、C、及S，Y1和Y2獨立地選自O(shè)H、C1-C10烷基、及式CxHyFz的基團(tuán)，R1、R2、R3和R4獨立地選自氫、F、C1-C10烷基、C6-C10芳基、及雜芳族基，x為1至約20的整數(shù)，z為1至約41的整數(shù)，且m為約3至約500的整數(shù)，其中Y1或Y2中的至少一者為CxHyFz，或者，R1-R4中的至少一者為F，以及(c)水，其中該拋光組合物具有約1至約4.5的pH值；(ii)使該拋光墊及該化學(xué)機械拋光組合物相對于該基材移動，及(iii)研磨該基材的至少一部分以拋光該基材。具體實施方式本發(fā)明提供化學(xué)機械拋光組合物，其包含以下物質(zhì)、基本上由以下物質(zhì)組成、或由以下物質(zhì)組成：(a)約0.05重量％至約10重量％的鈰土研磨劑，(b)約10ppm至約1000ppm的式I聚合物：其中X1和X2獨立地選自O(shè)、C、及S，Y1和Y2獨立地選自O(shè)H、C1-C10烷基、及式CxHyFz的基團(tuán)，R1、R2、R3和R4獨立地選自氫、F、C1-C10烷基、C6-C10芳基、及雜芳族基，x為1至約20的整數(shù)，z為1至約41的整數(shù)，m為約3至約500的整數(shù)，且Y1或Y2中的至少一者為CxHyFz，或者，R1-R4中的至少一者為F；以及(c)水，其中該拋光組合物具有約1至約4.5的pH值。該化學(xué)機械拋光組合物包含鈰土研磨劑。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的，鈰土(ceria)是稀土金屬鈰的氧化物，且也被稱為鈰的氧化物(cericoxide)、鈰氧化物(ceriumoxide)(例如氧化鈰(IV))、或二氧化鈰。氧化鈰(IV)(CeO2)可通過煅燒草酸鈰或氫氧化鈰形成。鈰還形成鈰(III)氧化物，例如，Ce2O3。該鈰土研磨劑可為這些或其他鈰土氧化物中的任意一種或多種。該鈰土研磨劑可為任何適宜的類型。如本文中所使用的，“濕法”鈰土是指通過沉淀、縮合-聚合、或類似工藝制得的鈰土(與例如熱解(fumed)或火成(pyrogenic)的鈰土不同)。已典型地發(fā)現(xiàn)，包含濕法鈰土研磨劑的本發(fā)明拋光組合物當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的方法用于拋光基材時，展現(xiàn)出較低的缺陷。不希望受特定理論的束縛，相信濕法鈰土包含球形鈰土顆粒和/或較小的聚集鈰土顆粒，從而當(dāng)用于本發(fā)明方法中時，導(dǎo)致較低的基材缺陷率。示例性的濕法鈰土為可從Rhodia商購獲得的HC-60TM鈰土。鈰土顆?？删哂腥魏芜m宜的平均尺寸(即，平均顆粒直徑)。若平均鈰土粒度過小，則拋光組合物可能不會展現(xiàn)出足夠的移除速率。與此相反，若平均鈰土粒度過大，則拋光組合物可展現(xiàn)出不期望的拋光性能，例如差的基材缺陷率。因此，鈰土顆?？删哂屑s10納米或更大的平均粒度，例如，約15納米或更大、約20納米或更大、約25納米或更大、約30納米或更大、約35納米或更大、約40納米或更大、約45納米或更大、或約50納米或更大。可選擇地，或者此外，鈰土可具有約1,000納米或更小的平均粒度，例如，約750納米或更小、約500納米或更小、約250納米或更小、約150納米或更小、約100納米或更小、約75納米或更小、或約50納米或更小。因此，鈰土可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均粒度。舉例而言，鈰土可具有約10納米至約1,000納米、約10納米至約750納米、約15納米至約500納米、約20納米至約250納米、約20納米至約150納米、約25納米至約150納米、約25納米至約100納米、或約50納米至約150納米、或約50納米至約100納米的平均粒度。對于非球形的鈰土顆粒，顆粒的尺寸為包圍該顆粒的最小球體的直徑。鈰土的粒度可使用任何適宜的技術(shù)(例如使用激光衍射技術(shù))量測。適宜的粒度量測儀器是從例如MalvernInstruments(Malvern,UK)得到的。鈰土顆粒優(yōu)選在本發(fā)明拋光組合物中是膠體穩(wěn)定的。術(shù)語膠體是指鈰土顆粒在液體載劑(例如水)中的懸浮液。膠體穩(wěn)定性是指該懸浮液隨時間的保持性。在本發(fā)明的上下文中，如果當(dāng)將研磨劑置于100毫升量筒中并使其無攪動地靜置2小時的時間時，量筒底部50毫升中的顆粒濃度([B]，以g/mL表示)與量筒頂部50毫升中的顆粒濃度([T]，以g/mL表示)之間的差除以研磨劑組合物中顆粒的初始濃度([C]，以g/mL表示)小于或等于0.5(即，{[B]–[T]}/[C]≤0.5)，則認(rèn)為研磨劑是膠體穩(wěn)定的。更優(yōu)選地，[B]-[T]/[C]的值小于或等于0.3，且最優(yōu)選小于或等于0.1。該拋光組合物可包含任何適宜量的鈰土研磨劑。若本發(fā)明的拋光組合物包含過少的鈰土研磨劑，則該組合物可能不會展現(xiàn)出足夠的移除速率。與此相反，若該拋光組合物包含過多的鈰土研磨劑，則該拋光組合物可能展現(xiàn)出不期望的拋光性能和/或可能不具有成本效益和/或可能缺乏穩(wěn)定性。該拋光組合物可包含約10重量％或更少的鈰土，例如，約9重量％或更少、約8重量％或更少、約7重量％或更少、約6重量％或更少、約5重量％或更少、約4重量％或更少、約3重量％或更少、約2重量％或更少、約1重量％或更少、約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少的鈰土、或約0.5重量％或更少的鈰土。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約0.05重量％或更高的鈰土，例如，約0.1重量％或更高、約0.2重量％或更高、約0.3重量％或更高、約0.4重量％或更高、約0.5重量％或更高、或約1重量％或更高的鈰土。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的鈰土。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.05重量％至約10重量％的鈰土，例如，0.1重量％至約10重量％、約0.1重量％至約9重量％、約0.1重量％至約8重量％、約0.1重量％至約7重量％、約0.1重量％至約6重量％、約0.1重量％至約5重量％的鈰土、約0.1重量％至約4重量％、約0.1重量％至約3重量％的鈰土、約0.1重量％至約2重量％的鈰土、約0.1重量％至約1重量％的鈰土、約0.2重量％至約2重量％的鈰土、約0.2重量％至約1重量％的鈰土、或約0.3重量％至約0.5重量％的鈰土。在一個實施方式中，該拋光組合物在使用點(point-of-use)處包含約0.2重量％至約0.6重量％的鈰土(例如，約0.4重量％的鈰土)。在另一個實施方式中，該拋光組合物包含約2.4重量％的鈰土作為濃縮物。該化學(xué)機械拋光組合物包含本文所述的式I聚合物。在一些實施方式中，該聚合物具有式I，其中Y1或Y2中的至少一者為CxHyFz。在一些實施方式中，該聚合物具有式I，其中Y1和Y2兩者均為CxHyFz。在一些實施方式中，x為1至9的整數(shù)。在一些實施方式中，x為1至8的整數(shù)，且y為1至40的整數(shù)。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將可理解的，在式CxHyFz的基團(tuán)中，y+z＝2x+1，使得指定x、y和z中的任意兩者允許計算第三個變量。在一些優(yōu)選實施方式中，該聚合物具有式I，其中X1和X2中的每一者均為O。在一些實施方式中，R1、R2、R3和R4中的每一者獨立地為氫或F。在這些實施方式的一些中，R1、R2、R3和R4中的至少一者為F，且Y1和Y2可為本文針對Y1和Y2所述基團(tuán)中的任意一者。適宜的式I聚合物的非限制性實例包括由DuPont供應(yīng)的CAPSTONETM系列聚合物的成員，例如，CAPSTONETMFS-30、CAPSTONETMFS-31、CAPSTONETMFS-34、CAPSTONETMFS-35、CAPSTONETMFS-65、CAPSTONETMFS-81、及CAPSTONETMST-100HS。所述式I聚合物可具有任何適宜的分子量。所述式I聚合物可具有約500克/摩爾或更大的平均分子量，例如，約600克/摩爾或更大、約750克/摩爾或更大、約1,000克/摩爾或更大、約1,500克/摩爾或更大、約2,000克/摩爾或更大、約2,500克/摩爾或更大、約3,000克/摩爾或更大、約3,500克/摩爾或更大、約4,000克/摩爾或更大、約4,500克/摩爾或更大、約5,000克/摩爾或更大、約5,500克/摩爾或更大、約6,000克/摩爾或更大、約6,500克/摩爾或更大、約7,000克/摩爾或更大、或約7,500克/摩爾或更大?？蛇x擇地，或者此外，所述式I聚合物可具有約10,000克/摩爾或更小的平均分子量，例如，約9,000克/摩爾或更小、約8,000克/摩爾或更小、約7,500克/摩爾或更小、約7,000克/摩爾或更小、約6,500克/摩爾或更小、約6,000克/摩爾或更小、約5,500克/摩爾或更小、約5,000克/摩爾或更小、約4,500克/摩爾或更小、約4,000克/摩爾或更小、約3,500克/摩爾或更小、約3,000克/摩爾或更小、約2,500克/摩爾或更小、或約2,000克/摩爾或更小。因此，所述式I聚合物可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均分子量。舉例而言，所述式I聚合物可具有約500克/摩爾至約10,000克/摩爾、約500克/摩爾至約9,000克/摩爾、約500克/摩爾至約8,000克/摩爾、約500克/摩爾至約7,000克/摩爾、約500克/摩爾至約6,000克/摩爾、約500克/摩爾至約5,000克/摩爾、約1000克/摩爾至約10,000克/摩爾、約1000克/摩爾至約9,000克/摩爾、約1000克/摩爾至約8,000克/摩爾、約1000克/摩爾至約7,000克/摩爾、約1000克/摩爾至約6,000克/摩爾、或約1000克/摩爾至約5,000克/摩爾的平均分子量。該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的式I聚合物。該拋光組合物可包含約10ppm或更高的式I聚合物，例如，約15ppm或更高、約20ppm或更高、約25ppm或更高、約30ppm或更高、約35ppm或更高、或約40ppm或更高的式I聚合物。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1000ppm或更低的式I聚合物，例如，約800ppm或更低、約600ppm或更低、約400ppm或更低、約200ppm或更低、約100ppm或更低、約80ppm或更低、約60ppm或更低、或約40ppm或更低的式I聚合物。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的式I聚合物。舉例而言，該拋光組合物可包含約10ppm至約1000ppm、約15ppm至約800ppm、約15ppm至約600ppm、約15ppm至約400ppm、約15ppm至約200ppm、約15ppm至約100ppm、約15ppm至約80ppm、約15ppm至約60ppm、或約15ppm至約40ppm的式I聚合物。該化學(xué)機械拋光組合物任選地包含選自以下的離子型聚合物：(a)式II的離子型聚合物：其中X1和X2獨立地選自氫、-OH、及-COOH，且X1和X2中的至少一者為-COOH，Z1和Z2獨立地為O或S，R1、R2、R3和R4獨立地選自氫、C1-C6烷基、及C7-C10芳基，且n為約3至約500的整數(shù)；及(b)聚丙烯酸酯。在一些實施方式中，該離子型聚合物具有式II，其中X1和X2兩者均為-COOH。在一些實施方式中，該離子型聚合物具有式II，其中Z1和Z2兩者均為O，且R1、R2、R3和R4為氫。在一些優(yōu)選實施方式中，該離子型聚合物具有式II，其中X1和X2兩者均為-COOH，Z1和Z2兩者均為O，且R1、R2、R3和R4為氫。適宜的式II的離子型聚合物的非限制性實例為從SigmaAldrich得到的平均分子量為600克/摩爾的聚(乙二醇)二羧酸(PDA600)。在一些實施方式中，該離子型聚合物為聚丙烯酸酯。該聚丙烯酸酯可為未經(jīng)改性的聚丙烯酸酯。在一些實施方式中，聚丙烯酸酯是經(jīng)疏水改性的聚丙烯酸酯。適宜的聚丙烯酸酯的非限制性實例為從KaoCorporation得到的Mighty21ES。該離子型聚合物可具有任何適宜的分子量。該離子型聚合物可具有約250克/摩爾或更大的平均分子量，例如，約300克/摩爾或更大、約400克/摩爾或更大、約500克/摩爾或更大、約600克/摩爾或更大、約750克/摩爾或更大、約1,000克/摩爾或更大、約1,500克/摩爾或更大、約2,000克/摩爾或更大、約2,500克/摩爾或更大、約3,000克/摩爾或更大、約3,500克/摩爾或更大、約4,000克/摩爾或更大、約4,500克/摩爾或更大、約5,000克/摩爾或更大、約5,500克/摩爾或更大、約6,000克/摩爾或更大、約6,500克/摩爾或更大、約7,000克/摩爾或更大、或約7,500克/摩爾或更大?？蛇x擇地，或者此外，該離子型聚合物可具有約15,000克/摩爾或更小的平均分子量，例如，約14,000克/摩爾或更小、約13,000克/摩爾或更小、約12,000克/摩爾或更小、約11,000克/摩爾或更小、約10,000克/摩爾或更小、約9,000克/摩爾或更小、約8,000克/摩爾或更小、約7,500克/摩爾或更小、約7,000克/摩爾或更小、約6,500克/摩爾或更小、約6,000克/摩爾或更小、約5,500克/摩爾或更小、約5,000克/摩爾或更小、約4,500克/摩爾或更小、約4,000克/摩爾或更小、約3,500克/摩爾或更小、約3,000克/摩爾或更小、約2,500克/摩爾或更小、或約2,000克/摩爾或更小。因此，該離子型聚合物可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均分子量。舉例而言，該離子型聚合物可具有約250克/摩爾至約15,000克/摩爾、約250克/摩爾至約14,000克/摩爾、約250克/摩爾至約13,000克/摩爾、約250克/摩爾至約12,000克/摩爾、約250克/摩爾至約11,000克/摩爾、約250克/摩爾至約10,000克/摩爾、約400克/摩爾至約10,000克/摩爾、約400克/摩爾至約8,000克/摩爾、約400克/摩爾至約6,000克/摩爾、約400克/摩爾至約4,000克/摩爾、約400克/摩爾至約2,000克/摩爾等的平均分子量。該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的離子型聚合物。該拋光組合物可包含約0.001重量％或更高的離子型聚合物，例如，約0.005重量％或更高、約0.01重量％或更高、約0.025重量％或更高、約0.05重量％或更高、約0.075重量％或更高、或約0.1重量％或更高的離子型聚合物。可選擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1重量％或更少的離子型聚合物，例如，約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.4重量％或更少、或約0.3重量％或更少的離子型聚合物。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的離子型聚合物。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.001重量％至約1重量％、約0.01重量％至約0.9重量％、約0.025重量％至約0.8重量％、約0.05重量％至約0.7重量％、或約0.1重量％至約0.5重量％的離子型聚合物等。該化學(xué)機械拋光組合物任選地包含一種或多種聚乙烯醇。該聚乙烯醇可為任何適宜的聚乙烯醇且可為直鏈或支鏈聚乙烯醇。適宜的支鏈聚乙烯醇的非限制性實例是NichigoG-聚合物，例如，從NipponGohsei,Japan得到的OKS-1009和OKS-1083產(chǎn)品。該聚乙烯醇可具有任何適宜的水解度。水解度是指與游離羥基和乙?；u基的總和相比的存在于聚乙烯醇上的游離羥基的量。優(yōu)選地，該聚乙烯醇具有約90％或更高的水解度，例如，約92％或更高、約94％或更高、約96％或更高、約98％或更高、或約99％或更高的水解度。該聚乙烯醇可具有任何適宜的分子量。該聚乙烯醇可具有約250克/摩爾或更大的平均分子量，例如，約300克/摩爾或更大、約400克/摩爾或更大、約500克/摩爾或更大、約600克/摩爾或更大、約750克/摩爾或更大、約1,000克/摩爾或更大、約2,000克/摩爾或更大、約3,000克/摩爾或更大、約4,000克/摩爾或更大、約5,000克/摩爾或更大、約7,500克/摩爾或更大、約10,000克/摩爾或更大、約15,000克/摩爾或更大、約20,000克/摩爾或更大、約25,000克/摩爾或更大、約30,000克/摩爾或更大、約50,000克/摩爾或更大、或約75,000克/摩爾或更大?？蛇x擇地，或者此外，該聚乙烯醇可具有約250,000克/摩爾或更小的平均分子量，例如，約200,000克/摩爾或更小、約180,000克/摩爾或更小、約150,000克/摩爾或更小、約100,000克/摩爾或更小、約90,000克/摩爾或更小、約85,000克/摩爾或更小、約80,000克/摩爾或更小、約75,000克/摩爾或更小、約50,000克/摩爾或更小、約45,000克/摩爾或更小、約40,000克/摩爾或更小、約35,000克/摩爾或更小、約30,000克/摩爾或更小、約25,000克/摩爾或更小、約20,000克/摩爾或更小、約15,000克/摩爾或更小、約12,500克/摩爾或更小、或約10,000克/摩爾或更小。因此，該聚乙烯醇可具有由上述端點中的任意兩個所界定的平均分子量。舉例而言，該聚乙烯醇可具有約250克/摩爾至約250,000克/摩爾、250克/摩爾至約200,000克/摩爾、250克/摩爾至約180,000克/摩爾、250克/摩爾至約150,000克/摩爾、250克/摩爾至約100,000克/摩爾、約250克/摩爾至約75,000克/摩爾、約250克/摩爾至約50,000克/摩爾、約250克/摩爾至約25,000克/摩爾、約250克/摩爾至約10,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約75,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約50,000克/摩爾、約10,000克/摩爾至約40,000克/摩爾、約50,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約75,000克/摩爾至約100,000克/摩爾、約25,000克/摩爾至約200,000克/摩爾、或約50,000克/摩爾至約180,000克/摩爾等的平均分子量。該拋光組合物在使用點處包含任何適宜量的聚乙烯醇。該拋光組合物可包含約0.001重量％或更高、例如，約0.005重量％或更高、約0.01重量％或更高、約0.025重量％或更高、約0.05重量％或更高、約0.075重量％或更高、或約0.1重量％或更高的聚乙烯醇?？蛇x擇地，或者此外，該拋光組合物可包含約1重量％或更少、例如，約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.4重量％或更少、或約0.3重量％或更少的聚乙烯醇。因此，該拋光組合物可包含由上述端點中的任意兩個所界定的量的離子型聚合物。舉例而言，該拋光組合物可包含約0.001重量％至約1重量％、約0.01重量％至約0.9重量％、約0.025重量％至約0.8重量％、約0.05重量％至約0.7重量％、或約0.1重量％至約0.5重量％的聚乙烯醇等。該化學(xué)機械拋光組合物任選地包含一種或多種不同于聚乙烯醇的非離子型聚合物。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，該拋光組合物包含一種或多種選自以下的非離子型聚合物：聚亞烷基二醇、聚醚胺、聚環(huán)氧乙烷/聚環(huán)氧丙烷共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、硅氧烷聚環(huán)氧烷烴共聚物、經(jīng)疏水改性的聚丙烯酸酯共聚物、親水性非離子型聚合物、多醣、及其混合物。非離子型聚合物優(yōu)選為水溶性的且與拋光組合物的其它組分相容。在一些實施方式中，非離子型聚合物起到表面活性劑和/或潤濕劑的作用。該化學(xué)機械拋光組合物可包含一種或多種能夠調(diào)節(jié)(即，調(diào)整)拋光組合物的pH值的化合物(即，pH調(diào)節(jié)化合物)。拋光組合物的pH值可使用能夠調(diào)節(jié)拋光組合物的pH值的任何適宜的化合物來進(jìn)行調(diào)節(jié)。該pH調(diào)節(jié)化合物合乎需要地是水溶性的且與該拋光組合物的其它組分相容。典型地，該化學(xué)機械拋光組合物在使用點處具有約1至約7的pH值。優(yōu)選地，該化學(xué)機械拋光組合物在使用點處具有約1至約4.5的pH值。本發(fā)明拋光組合物可配制成提供緩沖能力。典型地，該拋光組合物的緩沖可通過如下實現(xiàn)：添加一種或多種堿性化合物以將該拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)至在式II離子型聚合物的一種或多種pKa值范圍內(nèi)的值?？墒褂萌魏芜m宜的堿性化合物來調(diào)節(jié)pH值以提供緩沖能力。適宜的堿性化合物的非限制性實例包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨、及有機胺(例如三乙醇胺)。式II的離子型聚合物本質(zhì)上為酸性的。因此，當(dāng)該拋光組合物包含式II的離子型聚合物時，堿性化合物的存在給拋光組合物提供了緩沖能力。在其它實施方式中，合乎需要的是，拋光組合物包含能夠調(diào)節(jié)pH值且單獨地能夠緩沖該拋光組合物的酸性pH的另一化合物。因此，在這些實施方式中，合乎需要的是，拋光組合物的pH值小于7.0(例如，6.5+/-0.5、6.0+/-0.5、5.5+/-0.5、5.0+/-0.5、4.5+/-0.5、4.0+/-0.5、3.5+/-0.5、3.0+/-0.5、2.5+/-0.5、2.0+/-0.5、1.5+/-0.5、或1.0+/-0.5)。典型地，在這些實施方式中，該拋光組合物的pH值在使用點處為約1至約4.5。因此，能夠調(diào)節(jié)該拋光組合物的pH值的化合物典型地具有至少一個在25℃下量測時具有約3至約7的pKa值的可離子化的基團(tuán)。能夠調(diào)節(jié)并緩沖pH的化合物可選自：銨鹽、堿金屬鹽、羧酸、堿金屬氫氧化物、堿金屬碳酸鹽、堿金屬碳酸氫鹽、硼酸鹽、及其混合物。該化學(xué)機械拋光組合物任選地進(jìn)一步包含一種或多種添加劑。示例性的添加劑包括調(diào)理劑(conditioner)、酸(例如，磺酸)、絡(luò)合劑(例如，陰離子型聚合物絡(luò)合劑)、螯合劑、殺生物劑、防垢劑(scaleinhibiter)、分散劑等。殺生物劑當(dāng)存在時可為任何適宜的殺生物劑且可以任何適宜的量存在于拋光組合物中。適宜的殺生物劑為異噻唑啉酮殺生物劑。該拋光組合物中所用的殺生物劑的量典型地為約1ppm至約50ppm，優(yōu)選約10ppm至約20ppm。將理解，該拋光組合物的作為酸、堿、或鹽(例如，離子型聚合物、堿、氫氧化銨等)的任意組分當(dāng)溶解于該拋光組合物的水中時，可作為陽離子及陰離子以解離的形式存在。本文所列舉的拋光組合物中所存在的這樣的化合物的量應(yīng)理解為是指在該拋光組合物的制備中所用的未解離的化合物的重量。該拋光組合物可通過任何適宜的技術(shù)來生產(chǎn)，其中的許多是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。該拋光組合物可以分批或連續(xù)工藝制備。一般而言，拋光組合物通過將該拋光組合物的組分組合來制備。本文所用的術(shù)語“組分”包括單獨的成分(例如，鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑)以及成分(例如，鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物等)的任意組合。舉例而言，該拋光組合物可通過以下制備：(i)提供液體載劑的全部或部分，(ii)使用用于制備這樣的分散體的任何適宜的方式來分散鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑，(iii)在合適時調(diào)節(jié)分散體的pH值，以及(iv)任選地添加適宜量的任何其它任選的組分和/或添加劑至混合物中。替代地，該拋光組合物可通過以下制備：(i)以鈰氧化物漿料的形式提供一種或多種組分(例如，液體載劑、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑)，(ii)以添加劑溶液的形式提供一種或多種組分(例如，液體載劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑)，(iii)將該鈰氧化物漿料與該添加劑溶液組合以形成混合物，(iv)任選地添加適宜量的任何其它任選的添加劑至該混合物中，及(v)在合適時調(diào)節(jié)混合物的pH值。該拋光組合物可作為包含以下物質(zhì)的單包裝體系供應(yīng)：鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑、及水。替代地，本發(fā)明的拋光組合物作為雙包裝體系供應(yīng)，所述雙包裝體系包含在第一包裝中的鈰氧化物漿料以及在第二包裝中的添加劑溶液，其中該鈰土氧化物漿料基本上由下列成分組成、或由下列成分組成：鈰土研磨劑、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑、及水，且其中該添加劑溶液基本上由下列成分組成、或由下列成分組成：式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑。該雙包裝體系允許通過改變兩個包裝(即，鈰氧化物漿料及添加劑溶液)的共混比率來調(diào)節(jié)基材的整體平坦特性及拋光速度。可采用各種方法來利用這樣的雙包裝拋光體系。舉例而言，該鈰氧化物漿料及添加劑溶液可通過在供應(yīng)管道的出口處接合并連接的不同管道遞送至拋光臺。該鈰氧化物漿料及添加劑溶液可在拋光之前不久或在即將拋光之前混合，或可同時供應(yīng)至該拋光臺上。此外，當(dāng)混合這兩個包裝時，可在需要時添加去離子水以調(diào)節(jié)該拋光組合物以及所得基材的拋光特性。類似地，可與本發(fā)明結(jié)合使用三包裝體系、四包裝體系或更多包裝體系，其中多個容器各自含有本發(fā)明化學(xué)機械拋光組合物的不同組分、一種或多種任選的組分、和/或一種或多種呈不同濃度的相同組分。為了在使用點處或其附近混合兩個或更多個儲存裝置中所含的組分以產(chǎn)生拋光組合物，所述儲存裝置典型地提供有一條或多條從各儲存裝置引導(dǎo)至拋光組合物的使用點(例如，壓板、拋光墊、或基材表面)的流動管線(flowline)。如本文中所使用的，術(shù)語“使用點”是指拋光組合物在其處被施加至基材表面(例如，拋光墊或基材表面本身)的點。術(shù)語“流動管線”意指從單獨的儲存容器到儲存于其中的組分的使用點的流動路徑。流動管線可各自直接通向使用點，或者，可將流動管線中的兩條或更多條在任何點處組合成通向使用點的單一流動管線。此外，任意流動管線(例如，單獨的流動管線或組合的流動管線)可首先通向一個或多個其它裝置(例如，泵送裝置、量測裝置、混合裝置等)，然后到達(dá)組分的使用點。該拋光組合物的組分可獨立遞送至使用點(例如，將組分遞送至基材表面，所述組分在拋光過程期間在所述基材表面上混合)，或者，所述組分的一種或多種可在遞送至使用點之前(例如，在遞送至使用點之前不久或即將遞送至使用點之前)組合。若組分在以混合形式添加至該壓板之前約5分鐘或更短(例如，在以混合形式添加至該壓板之前約4分鐘或更短、約3分鐘或更短、約2分鐘或更短、約1分鐘或更短、約45秒或更短、約30秒或更短、約10秒或更短)或在使用點處遞送所述組分的同時進(jìn)行組合(例如，所述組分在分配器處組合)，則所述組分是“在即將遞送至使用點之前”組合。若組分在距使用點5米內(nèi)(例如，在距使用點1米內(nèi)、或甚至在距使用點10厘米內(nèi)(例如，在距使用點1厘米內(nèi)))組合，則所述組分也是“在即將遞送至使用點之前”組合。當(dāng)該拋光組合物的組分中的兩種或更多種在到達(dá)使用點之前組合時，所述組分可在流動管線中組合并遞送至該使用點而無需使用混合裝置。替代地，一條或多條流動管線可通向混合裝置以促進(jìn)所述組分中的兩種或更多種的組合?？墒褂萌魏芜m宜的混合裝置。舉例而言，該混合裝置可為供所述組分中的兩種或更多種流動通過其的噴嘴或噴射器(例如，高壓噴嘴或噴射器)。替代地，該混合裝置可為容器型混合裝置，其包含：一個或多個入口，通過該一個或多個入口將該拋光漿料的兩種或更多種組分引入至該混合器；以及至少一個出口，使經(jīng)混合的組分通過該至少一個出口離開混合器以便直接或經(jīng)由設(shè)備的其它構(gòu)件(例如，經(jīng)由一條或多條流動管線)遞送至使用點。此外，該混合裝置可包含超過一個腔室，各腔室具有至少一個入口及至少一個出口，其中，兩種或更多種組分在各腔室中組合。若使用容器型混合裝置，則該混合裝置優(yōu)選包含混合機構(gòu)以進(jìn)一步促進(jìn)組分的組合。混合機構(gòu)是本領(lǐng)域中普遍知曉的且包括攪拌器、共混器、攪動器、葉片式折流板(paddledbaffle)、氣體分布器系統(tǒng)(gasspargersystem)、振動器等。該拋光組合物還可作為濃縮物提供，該濃縮物意欲在使用前用適當(dāng)量的水進(jìn)行稀釋。在這樣的實施方式中，該拋光組合物濃縮物包含一定量的拋光組合物組分，使得當(dāng)用適當(dāng)量的水稀釋該濃縮物時，該拋光組合物的各組分將以在上文針對各組分所列舉的適當(dāng)范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。舉例而言，鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑可各自以上文針對各組分所列舉的濃度的約2倍(例如，約3倍、約4倍、或約5倍)的量存在于該濃縮物中，以便當(dāng)該濃縮物用等體積的水(例如，分別地，2等體積的水、3等體積的水、或4等體積的水)稀釋時，各組分將以在以上針對各組分所列舉的范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。此外，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，該濃縮物可含有適當(dāng)分?jǐn)?shù)的存在于最終拋光組合物中的水，以確保鈰土研磨劑、式I聚合物、任選的離子型聚合物、任選的聚乙烯醇、任選的非離子型聚合物、任選的pH調(diào)節(jié)劑、和/或任何任選的添加劑至少部分或全部地溶于該濃縮物中。本發(fā)明還提供化學(xué)機械拋光基材的方法，其包括：(i)使基材與拋光墊及本文所述的化學(xué)機械拋光組合物接觸，(ii)使該拋光墊相對于該基材移動，同時其間具有該化學(xué)機械拋光組合物，及(iii)研磨該基材的至少一部分以拋光該基材。該化學(xué)機械拋光組合物可用于拋光任何適宜的基材且尤其可用于拋光包含至少一個由低介電材料構(gòu)成的層(典型地，表面層)的基材。適宜的基材包括半導(dǎo)體工業(yè)中所用的晶片。晶片典型地包含例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬復(fù)合物、金屬合金、低介電材料、或其組合，或者，由例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬復(fù)合物、金屬合金、低介電材料、或其組合組成。本發(fā)明的方法尤其可用于拋光包含硅氧化物、硅氮化物、和/或多晶硅(例如上述材料中的任意一種、兩種、或尤其是全部三種)的基材。在一些實施方式中，該基材包含多晶硅與硅氧化物和/或硅氮化物的組合。多晶硅可為任合適宜的多晶硅，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。多晶硅可具有任何適宜的相，且可為非晶的、結(jié)晶的、或其組合。硅氧化物類似地可為任何適宜的硅氧化物，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。硅氧化物的適宜類型包括但不限于硼磷硅玻璃(BPSG)、PETEOS、熱氧化物(thermaloxide)、未經(jīng)摻雜的硅酸鹽玻璃、以及HDP氧化物。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含硅氧化物的基材時，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出高的移除速率。舉例而言，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含高密度等離子體(HDP)氧化物和/或等離子體增強的原硅酸四乙酯(PETEOS)和/或原硅酸四乙酯(TEOS)的硅晶片時，該拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出約500埃/分鐘或更高的硅氧化物移除速率，例如，700埃/分鐘或更高、約1,000埃/分鐘或更高、約1,250埃/分鐘或更高、約1,500埃/分鐘或更高、約1,750埃/分鐘或更高、約2,000埃/分鐘或更高、約2,500埃/分鐘或更高、約3,000埃/分鐘或更高、或約3,500埃/分鐘或更高。在一個實施方式中，硅氧化物的移除速率可為約4,000埃/分鐘或更高、約4,500埃/分鐘或更高、或約5,000埃/分鐘或更高。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含硅氮化物的基材時，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出低的移除速率。舉例而言，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含硅氮化物的硅晶片時，該拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出約250埃/分鐘或更低的硅氮化物移除速率，例如，約200埃/分鐘或更低、約150埃/分鐘或更低、約100埃/分鐘或更低、約75埃/分鐘或更低、約50埃/分鐘或更低、或甚至約25埃/分鐘或更低。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的方法拋光包含多晶硅的基材時，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出低的移除速率。舉例而言，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光包含多晶硅的硅晶片時，該拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出約1,000埃/分鐘或更低的多晶硅移除速率，例如，約750埃/分鐘或更低、約500埃/分鐘或更低、約250埃/分鐘或更低、約100埃/分鐘或更低、約50埃/分鐘或更低、約25埃/分鐘或更低、約10埃/分鐘或更低、或甚至約5埃/分鐘或更低。當(dāng)拋光基材時，本發(fā)明的拋光組合物合乎需要地展現(xiàn)出低的顆粒缺陷，如通過合適的技術(shù)所測定的。在優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物包含促進(jìn)低缺陷率的濕法鈰土。利用本發(fā)明拋光組合物拋光的基材上的顆粒缺陷可通過任何適宜的技術(shù)測定。舉例而言，可使用激光光散射技術(shù)(例如，暗場法向光束復(fù)合物(DCN)和暗場傾斜光束復(fù)合物(DCO))來測定經(jīng)拋光的基材上的顆粒缺陷。用于評估顆粒缺陷率的適宜的儀器可從例如KLA-Tencor得到(例如，在120納米閾值或160納米閾值下操作的SURFSCANTMSP1儀器)。利用本發(fā)明拋光組合物拋光的基材(尤其是包含硅氧化物和/或硅氮化物和/或多晶硅的硅)合乎需要地具有約20,000計數(shù)或更小的DCN值，例如，約17,500計數(shù)或更小、約15,000計數(shù)或更小、約12,500計數(shù)或更小、約3,500計數(shù)或更小、約3,000計數(shù)或更小、約2,500計數(shù)或更小、約2,000計數(shù)或更小、約1,500計數(shù)或更小、或約1,000計數(shù)或更小。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光的基材具有約750計數(shù)或更小的DCN值，例如，約500計數(shù)、約250計數(shù)、約125計數(shù)、或甚至約100計數(shù)或更小的DCN值。可選擇地，或者此外，用本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物拋光的基材合乎需要地展現(xiàn)出少的刮痕，如通過合適的技術(shù)所測定的。舉例而言，根據(jù)本發(fā)明的實施方式拋光的硅晶片合乎需要地具有約250條或更少的刮痕、或約125條或更少的刮痕，如通過本領(lǐng)域中已知的任何合適的方法所測定的。本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物可被調(diào)整以在對具體的薄層材料具有選擇性的合乎需要的拋光范圍處提供有效的拋光，而同時使表面不平整性、缺陷、腐蝕、侵蝕和停止層的移除最小(少)化。在一定程度上，可通過改變拋光組合物的組分的相對濃度來控制選擇性。當(dāng)合乎需要時，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物可用于以約5:1或更高(例如，約10:1或更高、約15:1或更高、約25:1或更高、約50:1或更高、約100:1或更高、或約150:1或甚至更高)的二氧化硅對多晶硅的拋光選擇性來拋光基材。此外，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物可用于以約2:1或更高(例如，約4:1或更高、或約6:1或更高)的硅氮化物對多晶硅的拋光選擇性來拋光基材。一些配制物可展現(xiàn)出甚至更高的二氧化硅對多晶硅的選擇性，例如，約20:1或更高、或甚至約30:1或更高。在優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物同時提供二氧化硅相對于硅氮化物的選擇性拋光以及二氧化硅相對于多晶硅的選擇性拋光。本發(fā)明的化學(xué)機械拋光組合物和方法特別適合于與化學(xué)機械拋光設(shè)備結(jié)合使用。典型地，該設(shè)備包含：壓板，其在使用時處于運動中并且具有由軌道、線性或圓周運動產(chǎn)生的速度；拋光墊，其與該壓板接觸且在運動時隨該壓板移動；以及載體，其固持待通過使該基材與該拋光墊的表面接觸并且使該基材相對于該拋光墊的表面移動而拋光的基材。該基材的拋光通過如下發(fā)生：將該基材放置成與該拋光墊和本發(fā)明的拋光組合物接觸，且隨后使該拋光墊相對于該基材移動，以便研磨該基材的至少一部分以拋光該基材。可使用任何合適的拋光墊(例如，拋光表面)以所述化學(xué)機械拋光組合物對基材進(jìn)行拋光。合適的拋光墊包括，例如，編織及非編織的拋光墊。此外，合適的拋光墊可包含具有不同密度、硬度、厚度、可壓縮性、壓縮回彈能力和壓縮模量的任何合適的聚合物。合適的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成產(chǎn)物、及其混合物。軟質(zhì)聚氨酯拋光墊與本發(fā)明拋光方法結(jié)合是特別有用的。典型的墊包括但不限于SURFINTM000、SURFINTMSSW1、SPM3100(可從例如EminessTechnologies商購獲得)、POLITEXTM和FujiboPOLYPASTM27。特別優(yōu)選的拋光墊為可從CabotMicroelectronics商購獲得的EPICTMD100墊。另一優(yōu)選拋光墊為可從Dow,Inc.得到的IC1010墊。合乎需要地，該化學(xué)機械拋光設(shè)備進(jìn)一步包含原位拋光終點檢測系統(tǒng)，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。通過分析從正被拋光的基材表面反射的光或其它輻射來檢查和監(jiān)控拋光過程的技術(shù)是本領(lǐng)域中已知的。這樣的方法描述于例如美國專利5,196,353、美國專利5,433,651、美國專利5,609,511、美國專利5,643,046、美國專利5,658,183、美國專利5,730,642、美國專利5,838,447、美國專利5,872,633、美國專利5,893,796、美國專利5,949,927和美國專利5,964,643中。合乎需要地，對于正被拋光的基材的拋光過程的進(jìn)度的檢查或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點，即，確定何時終止對于特定基材的拋光過程。實施例以下這些實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明，但當(dāng)然無論如何不應(yīng)解釋為限制其范圍。以下縮寫用在整個實施例中：移除速率(RR)；原硅酸四乙酯(TEOS)；硅氮化物(SiN)；多晶硅(polySi)；分子量(MW)；及聚乙二醇(PEG)。在以下實施例中，使用MIRRATM(AppliedMaterials,Inc.)或REFLEXIONTM(AppliedMaterials,Inc.)工具拋光如下基材：覆蓋于硅上的TEOS硅氧化物(由四乙氧基硅烷制備)、覆蓋于硅上的HDP(高密度等離子體)硅氧化物、覆蓋于硅上的多晶硅、覆蓋于硅上的硅氮化物、和從SilybInc.獲得的圖案化晶片。所述圖案化晶片包含在經(jīng)硅氧化物覆蓋的基材上的100微米的硅氮化物特征。對于所有組合物皆使用IC1010TM拋光墊(RohmandHaasElectronicMaterials)以及相同的拋光參數(shù)。標(biāo)準(zhǔn)Mirra拋光參數(shù)如下：IC1010TM墊，下壓力＝20.68kPa(3psi)，頭速度＝85rpm，壓板速度＝100rpm，總流量＝150mL/分鐘。移除速率通過如下計算：使用光譜橢圓偏光法(spectroscopicellipsometry)測量膜厚度，并且，從最初厚度減去最終厚度。在本文所述的實施例中，通過將等體積的濕法鈰土配制物和添加劑配制物組合來制備拋光組合物。在一些情形中，如下文所記錄的，將所述拋光組合物進(jìn)一步用水稀釋，從而，在拋光組合物中提供指定量的鈰土。所述濕法鈰土是來自于Rhodia的HC-60TM產(chǎn)品。所述濕法鈰土配制物和添加劑配制物分別闡釋于表1和表2中。PEG是指分子量為8000且從DowCorporation獲得的聚乙二醇。式I聚合物是從DuPont獲得的各種CAPSTONETM聚合物且在表2中針對各拋光組合物進(jìn)行鑒別。陰離子型聚合物PDA600(即，式II的離子型聚合物)是分子量為600且從Sigma-Aldrich獲得的聚乙二醇二酸。陰離子型聚合物Mighty21ES(即，作為聚丙烯酸酯的離子型聚合物)是從Kao獲得的。聚乙烯醇(“PVA”)是來自于NipponGohsei的OKS1009產(chǎn)品。Kordek是從DowChemical獲得的殺生物劑。TEA是三乙醇胺。表1.濕法鈰土配制物配制物濕法鈰土(重量％)pH值PEG(重量％)吡啶甲酸(重量％)WPC10.840.20.02WPC20.840.20.06表2.添加劑配制物*-鑒別特定的CAPSTONETM聚合物實施例1利用拋光組合物1A-1M在相同條件下拋光包含TEOS和多晶硅的硅晶片。通過將表1及2中所述的等體積的研磨劑配制物和添加劑配制物以表3中闡釋的組合進(jìn)行組合來獲得所述拋光組合物。將拋光組合物1A-1M中每一種的pH值調(diào)節(jié)至4。拋光組合物1A-1M中的每一種均含有0.4重量％的濕法鈰土。在拋光之后，確定TEOS和多晶硅的移除速率，并計算出TEOS對多晶硅的選擇性。結(jié)果闡釋于表3中。表3如由表3中所闡釋的結(jié)果明顯的，含有式I聚合物的拋光組合物1C-1H、1K、及1M(本發(fā)明)展現(xiàn)出約105至502的TEOS:多晶硅選擇性。拋光組合物1I展現(xiàn)出約47的TEOS:多晶硅選擇性，但展現(xiàn)出約1881埃/分鐘的TEOS移除速率。拋光組合物1A、1B、及1J(對比)展現(xiàn)出約32至97的TEOS:多晶硅選擇性。拋光組合物1J(對比)展現(xiàn)出約97的TEOS:多晶硅選擇性，但展現(xiàn)出約1460埃/分鐘的TEOS移除速率。拋光組合物1L的結(jié)果似為異常值。實施例2該實施例表明了根據(jù)本發(fā)明的實施方式由本發(fā)明拋光組合物所展現(xiàn)的在多晶硅移除速率方面的降低的可變性。利用四種不同的拋光組合物(即，拋光組合物2A-2D)拋光包含經(jīng)高密度等離子體(“HDP”)氧化物覆蓋的硅、經(jīng)TEOS覆蓋的硅、經(jīng)硅氮化物覆蓋的硅、以及經(jīng)多晶硅覆蓋的硅的單獨的基材。拋光組合物2A(本發(fā)明)包含等體積的利用水1:1.7稀釋的濕法鈰土配制物WPC1以及利用水1:1.5稀釋的添加劑配制物F3，從而，提供0.23重量％的濕法鈰土。拋光組合物2B(本發(fā)明)包含等體積的濕法鈰土配制物WPC1以及添加劑配制物F3，從而提供0.4重量％的濕法鈰土。拋光組合物2C(對比)包含等體積的利用水1:1.7稀釋的濕法鈰土配制物WPC1以及利用水1:1.5稀釋的添加劑配制物F1，從而提供0.23重量％的濕法鈰土。拋光組合物2D(對比)包含等體積的濕法鈰土配制物WPC1以及添加劑配制物F1，從而提供0.4重量％的濕法鈰土。將拋光組合物2A-2D中的每一種均調(diào)節(jié)至4的pH值。在拋光之后，確定了HDP、TEOS、硅氮化物、及多晶硅的移除速率。拋光組合物2C及2D各被評估了兩次。結(jié)果闡釋于表4中。表4如由表4所闡釋的結(jié)果明顯的，分別含有0.23重量％和0.4重量％濕法鈰土且分別含有13ppm和20ppm的CAPSTONETMFS-31的拋光組合物2A和2B(本發(fā)明)展現(xiàn)出大致相同的多晶硅移除速率。含有0.23重量％濕法鈰土且沒有CAPSTONETMFS-31的拋光組合物2C(對比)、以及含有0.4重量％濕法鈰土且沒有CAPSTONETMFS-31的拋光組合物2D(對比)展現(xiàn)出高度可變的多晶硅移除速率。實施例3該實施例表明了根據(jù)本發(fā)明的實施方式利用包含濕法鈰土及式I聚合物的拋光組合物所觀察到的對凹陷和侵蝕以及對多晶硅損失和氧化物損失的影響。利用三種不同的拋光組合物(即，拋光組合物3A-3C)拋光單獨的圖案化基材，這些圖案化基材包含最初在具有約3200埃的氧化物溝槽深度的經(jīng)硅氧化物覆蓋的基材上覆蓋有約1300埃氧化物的100微米和900微米的多晶硅特征(約2200埃厚的特征)。拋光組合物3A(對比)包含等體積的濕法鈰土配制物WPC1與添加劑配制物F9的混合物。拋光組合物3B(對比)包含等體積的濕法鈰土配制物WPC1與添加劑配制物F1的混合物。拋光組合物3C(本發(fā)明)包含等體積的濕法鈰土配制物WPC1與添加劑配制物F3的混合物。添加劑配制物F1及F9不含式I聚合物。將所述基材拋光至終點并加上40％過度拋光。在拋光之后，確定在100微米特征中的多晶硅損失(表示為Δ多晶硅)、在100微米和900微米特征中的剩余溝槽氧化物、侵蝕、以及凹陷。結(jié)果闡釋于表5中。至終點的拋光時間以及過度拋光的時間也指示于表5中。表5如由表5中所闡釋的結(jié)果明顯的，包含20ppmCAPSTONETMFS-31的拋光組合物3C(本發(fā)明)對100微米和900微米的特征均展現(xiàn)出經(jīng)改善的溝槽氧化物保護(hù)。相對于本發(fā)明的配制物3C，對比例3A和3B對于100微米的特征分別顯示出本發(fā)明配制物3C所顯示的溝槽保護(hù)的81％和97％。對于900微米的特征，對比例3A和3B分別顯示出本發(fā)明配制物3C所顯示的溝槽保護(hù)的40％和93％。拋光組合物3C(本發(fā)明)分別展現(xiàn)出拋光組合物3A和3B(對比)所展現(xiàn)的凹陷的約5％和36％以及侵蝕的約40％和72％。實施例4該實施例表明了根據(jù)本發(fā)明的實施方式利用包含式I聚合物的拋光組合物所觀察到的對凹陷和侵蝕以及對硅氮化物損失和氧化物損失的影響。利用三種不同的拋光組合物(即，拋光組合物4A-4C)拋光單獨的圖案化基材，所述圖案化基材包含最初在具有約3200埃的氧化物溝槽深度的經(jīng)硅氧化物覆蓋的基材上覆蓋有約1600埃氧化物的100微米和900微米的硅氮化物特征(約1600埃厚的特征)。通過將等體積的濕法鈰土配制物WPC1與添加劑配制物混合來制備拋光組合物4A-4C中的每一種。使用添加劑配制物F9制備拋光組合物4A(對比)。使用添加劑配制物F1制備拋光組合物4B(對比)。使用添加劑配制物F3制備拋光組合物4C(本發(fā)明)。將所述基材拋光至終點并加上大約40％過度拋光。在拋光之后，確定在100微米特征中的硅氮化物損失(表示為Δ氮化物)、在100微米和900微米特征中的剩余溝槽氧化物、侵蝕、以及凹陷。結(jié)果闡釋于表6中。至終點的拋光時間以及過度拋光的時間也指示于表6中。表6如由表6中所闡釋的結(jié)果明顯的，包含20ppmCAPSTONETMFS-31的拋光組合物4C(本發(fā)明)對100微米和900微米的特征均顯示出經(jīng)改善的溝槽氧化物保護(hù)。相對于本發(fā)明的配制物4C，對比例4A和4B對于100微米的特征分別顯示出本發(fā)明配制物4C所顯示的溝槽保護(hù)的72％和96％。對于900微米的特征，對比例4A和4B分別顯示出本發(fā)明配制物4C所顯示的溝槽保護(hù)的10％和98％。拋光組合物4C(本發(fā)明)分別展現(xiàn)出拋光組合物4A和4B(對比)所展現(xiàn)的凹陷的約45％和80％以及侵蝕的約38％和76％。將本文中引用的所有參考文獻(xiàn)(包括出版物、專利申請和專利)特此通過參考引入，其參考程度如同每一篇參考文獻(xiàn)被單獨地和具體地說明以通過參考引入且在本文中被全部地闡述一樣。在描述本發(fā)明的范圍中(尤其是在下列權(quán)利要求的范圍中)使用術(shù)語“一個(種)(a,an)”和“所述(該，the)”以及類似指示物將被解釋為涵蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者，除非在本文中另外說明或與上下文明顯矛盾。術(shù)語“包含”、“具有”、“包括”和“含有”將被解釋為開放式術(shù)語(即，意味著“包括，但不限于”)，除非另外說明。本文中數(shù)值范圍的列舉僅僅意圖用作單獨提及落在該范圍內(nèi)的每個獨立值的簡寫方法，除非在本文中另外說明，且在說明書中引入每個獨立的值，就如同其在本文中被單獨地列舉一樣。本文中描述的所有方法可以任何合適的順序進(jìn)行，除非在本文中另外說明或與上下文明顯矛盾。本文中提供的任何和所有實施方式、或示例性語言(如，“例如”)的使用僅用來更好地說明本發(fā)明，而不是對本發(fā)明的范圍加以限制，除非另外說明。本說明書中沒有語言應(yīng)被解釋為將任何非要求保護(hù)的要素指明為對于本發(fā)明的實踐所必需的。本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括本發(fā)明人已知的用于實施本發(fā)明的最佳模式。在閱讀上述描述后，那些優(yōu)選實施方式的變型對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可變得明晰。本發(fā)明人希望熟練技術(shù)人員在適當(dāng)時采用這樣的變型，且本發(fā)明人意圖讓本發(fā)明用不同于本文中具體描述的方式進(jìn)行實踐。因此，本發(fā)明包括如由適用的法律所允許的附于此的權(quán)利要求書中所敘述的主題的所有變型和等同物。此外，上述要素的以其所有可能的變型的任何組合被本發(fā)明所涵蓋，除非在本文中另外說明或相反與上下文明顯矛盾。當(dāng)前第1頁1 2 3