相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本專(zhuān)利申請(qǐng)要求美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)no.62/066,484(2014年10月21日提交)和62/198,002(2015年7月28日提交)的優(yōu)先權(quán)，這兩篇美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)被引入作為參考。
背景技術(shù)：
：在集成電路及其它電子器件的制造中，多個(gè)導(dǎo)電、半導(dǎo)電及介電的材料層沉積至基板表面上或自基板表面移除。隨著材料層依序地沉積至基板上及自基板移除，基板的最上部表面可變得非平坦且需要進(jìn)行平坦化。對(duì)表面進(jìn)行平坦化或?qū)Ρ砻孢M(jìn)行“拋光”是這樣的工藝，通過(guò)該工藝，自基板的表面移除材料以形成總體上均勻平坦的表面。平坦化可用于移除不合乎期望的表面形貌(topography)及表面缺陷，諸如粗糙表面、經(jīng)團(tuán)聚的材料、晶格損傷、刮痕、以及受污染的層或材料。平坦化也可用于通過(guò)移除過(guò)量的沉積材料而在基板上形成特征，該沉積材料用于填充所述特征并提供用于后續(xù)的加工及金屬化水平的均勻表面。用于對(duì)基板表面進(jìn)行平坦化或拋光的組合物及方法在本領(lǐng)域中是公知的?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化或化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)是用于使基板平坦化的常用技術(shù)。cmp采用被稱(chēng)為cmp組合物或更簡(jiǎn)單地被稱(chēng)為拋光組合物(也被稱(chēng)作拋光漿料)的化學(xué)組合物以用于自基板選擇性地移除材料。典型地，通過(guò)使基板的表面與飽含拋光組合物的拋光墊(例如，拋光布或拋光盤(pán))接觸而將拋光組合物施加至基板。典型地，通過(guò)拋光組合物的化學(xué)活性和/或懸浮于拋光組合物中或結(jié)合到拋光墊(例如，固定研磨劑式拋光墊)中的研磨劑的機(jī)械活性而進(jìn)一步輔助基板的拋光。鈷正在成為用于集成到先進(jìn)集成電路器件中的金屬。鈷的有效集成將要求具有高移除速率、良好平坦化效率、低凹陷與侵蝕及低缺陷率的cmp方法。在ph9.5及高于ph9.5下，鈷形成不可溶的鈍化氧化物-氫氧化物包覆物。低于該ph，則鈷易于與水反應(yīng)以形成可溶的水合co(ii)物質(zhì)。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2014/0243250a1公開(kāi)了在ph9.0及高于ph9.0下展現(xiàn)適度的鈷移除速率的拋光組合物，但要求高的顆粒加載量以及高的下壓力，這從經(jīng)濟(jì)和加工的觀點(diǎn)來(lái)看是不利的。通常需要侵蝕性的配制物以達(dá)成可接受的鈷速率。集成電路器件典型地包含具有蝕刻至基板中的電路線(xiàn)路的經(jīng)圖案化的晶片，所述基板典型地包含諸如硅氧化物的介電材料。鈷在經(jīng)圖案化的基板的表面上的積層(layering)允許形成鈷電路線(xiàn)路。然后，通過(guò)拋光至下伏電介質(zhì)的層級(jí)(level)來(lái)移除鈷。侵蝕是指經(jīng)圖案化的區(qū)域內(nèi)的介電材料的損耗，且可通過(guò)控制研磨劑含量而得以減輕。凹陷是指電路跡線(xiàn)內(nèi)的鈷的損耗。凹陷控制是更具有挑戰(zhàn)性的，且要求拋光組合物具有這樣的能力：一旦鈷的上覆覆蓋層(overlyingblanket)被移除以暴露出下伏介電材料，則停止或減少所述跡線(xiàn)內(nèi)的鈷移除。因此，在本領(lǐng)域中仍需要提供高的鈷移除速率同時(shí)展現(xiàn)可接受的凹陷、侵蝕、腐蝕以及低的缺陷率的拋光組合物。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其包含：(a)研磨劑顆粒；(b)鈷腐蝕抑制劑；(c)鈷凹陷控制劑，其中該鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基(headgroup)及c13-c20脂族尾基(tailgroup)；(d)對(duì)鈷進(jìn)行氧化的氧化劑；及(e)水，其中，該拋光組合物具有約3至約8.5的ph。本發(fā)明還提供化學(xué)機(jī)械拋光基板的方法，包括：(i)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，該化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含：(a)研磨劑顆粒；(b)鈷腐蝕抑制劑；(c)鈷凹陷控制劑，其中該鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c13-c20脂族尾基；(d)對(duì)鈷進(jìn)行氧化的氧化劑；及(e)水，其中，該拋光組合物具有約3至約8.5的ph；(ii)相對(duì)于該基板移動(dòng)該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物；及(iii)磨除該基板的至少一部分以?huà)伖庠摶?。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物，包含：(a)研磨劑顆粒；(b)鈷腐蝕抑制劑；(c)鈷凹陷控制劑，其中鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c13-c20脂族尾基；(d)對(duì)鈷進(jìn)行氧化的氧化劑；及(e)水，其中，該拋光組合物具有約3至約8.5的ph。拋光組合物包含研磨劑(即，一種或多種研磨劑)。研磨劑可為呈顆粒的形式的任何適合的研磨劑或研磨劑組合。研磨劑可為任何適合的研磨劑，例如，研磨劑可為天然的或合成的，且可包含金屬氧化物、碳化物、氮化物、金剛砂、金剛石等。研磨劑也可為聚合物顆粒或經(jīng)涂布的顆粒。研磨劑合乎期望地包含金屬氧化物、基本上由金屬氧化物組成或由金屬氧化物組成。典型地，金屬氧化物選自：氧化硅(silica)、氧化鋁(例如，α氧化鋁顆粒(即，α-氧化鋁)、γ氧化鋁顆粒(即，γ-氧化鋁)、δ氧化鋁顆粒(即，δ-氧化鋁)、或熱解氧化鋁顆粒)、二氧化鈰、氧化鋯、其共形成產(chǎn)物、以及它們的組合。在優(yōu)選實(shí)施方式中，研磨劑顆粒合乎期望地為帶負(fù)電荷的(anionic)。優(yōu)選地，化學(xué)機(jī)械拋光組合物包含氧化硅研磨劑。氧化硅可為任何適合的氧化硅，例如，氧化硅可為濕法氧化硅或熱解氧化硅。優(yōu)選地，氧化硅為濕法氧化硅。濕法氧化硅可為任何適合的濕法氧化硅。舉例而言，濕法氧化硅可為經(jīng)縮聚的氧化硅。經(jīng)縮聚的氧化硅顆粒典型地通過(guò)縮合si(oh)4以形成膠體顆粒而制備，其中，膠體被定義為具有介于約1nm與約1000nm之間的平均粒度。這樣的研磨劑顆?？筛鶕?jù)美國(guó)專(zhuān)利5,230,833而制備，或可作為各種市售產(chǎn)品中的任一者而獲得，諸如akzo-nobelbindzil50/80產(chǎn)品及nalco1050、1060、2327及2329產(chǎn)品，以及可購(gòu)自dupont、bayer、appliedresearch、nissanchemical、fuso及clariant的其它相似產(chǎn)品。研磨劑顆?？删哂腥魏芜m合的表面電荷。優(yōu)選地，研磨劑顆粒為帶負(fù)電荷的研磨劑顆粒?！皫ж?fù)電荷的”意指研磨劑顆粒在拋光組合物的ph下具有負(fù)的表面電荷。研磨劑顆?？稍谄涮烊粻顟B(tài)下在拋光組合物的ph下為帶負(fù)電荷的，或者，可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任意方法來(lái)使研磨劑顆粒在拋光組合物的ph下為帶負(fù)電荷的，所述方法諸如(例如)通過(guò)表面金屬摻雜(例如，通過(guò)使用鋁離子的摻雜)，或通過(guò)運(yùn)用系栓(tethered)有機(jī)酸、系栓的基于硫的酸或系栓的基于磷的酸的表面處理。研磨劑可具有任何適合的平均粒度(即，平均粒徑)。研磨劑可具有約5nm或更大的平均粒度，例如，約10nm或更大、約15nm或更大、約20nm或更大、約25nm或更大、約30nm或更大、約35nm或更大、或約40nm或更大?？蛇x擇地，或者此外，研磨劑可具有約150nm或更小的平均粒度，例如，約140nm或更小、約130nm或更小、約120nm或更小、約110nm或更小、或約100nm或更小。因此，研磨劑可具有在由以上端點(diǎn)中的任兩者界定的粒度分布中的最大值。舉例而言，研磨劑可具有如下平均粒度：約5nm至約150nm、約10nm至約140nm、約15nm至約130nm、約20nm至約120nm、約20nm至約110nm、約20nm至約100nm、約30nm至約150nm、約30nm至約140nm、約30nm至約130nm、約30nm至約120nm、約30nm至約110nm、約30nm至約100nm、約35nm至約150nm、約35nm至約140nm、約35nm至約130nm、約35nm至約120nm、約35nm至約110nm、或約35nm至約100nm。對(duì)于球形研磨劑顆粒，顆粒的大小為顆粒的直徑。對(duì)于非球形研磨劑顆粒，顆粒的大小為包圍該顆粒的最小球體的直徑?？墒褂萌魏芜m合的技術(shù)(例如，使用激光衍射技術(shù))來(lái)量測(cè)研磨劑的粒度。適合的粒度量測(cè)儀器可購(gòu)自(例如)malverninstruments(malvern,uk)。研磨劑顆粒優(yōu)選地在本發(fā)明的拋光組合物中是膠體穩(wěn)定的。術(shù)語(yǔ)膠體是指顆粒在液體載劑(例如，水)中的懸浮液。膠體穩(wěn)定性是指懸浮液隨時(shí)間的保持性。在本發(fā)明的上下文中，若出現(xiàn)如下情形便認(rèn)為研磨劑是膠體穩(wěn)定的：當(dāng)將研磨劑置于100ml量筒中且使其無(wú)干擾地靜置兩小時(shí)之時(shí)，量筒的底部50ml中的顆粒濃度([b]，以g/ml為單位)與量筒的頂部50ml中的顆粒濃度([t]，以g/ml為單位)之間的差值除以研磨劑組合物中顆粒的初始濃度([c]，以g/ml為單位)小于或等于0.5(即，{[b]-[t]}/[c]≤0.5)。更優(yōu)選地，[b]-[t]/[c]的值小于或等于0.3，且最優(yōu)選地小于或等于0.1。拋光組合物可包含任何適合量的研磨劑顆粒。若本發(fā)明的拋光組合物包含過(guò)少的研磨劑，則組合物可能未展現(xiàn)出足夠的移除速率。與此對(duì)比，若拋光組合物包含過(guò)多的研磨劑，則拋光組合物可能展現(xiàn)出不合乎期望的拋光性能和/或可能不是成本有效的和/或可能缺乏穩(wěn)定性。拋光組合物可包含約10重量％或更少的研磨劑，例如，約9重量％或更少、約8重量％或更少、約7重量％或更少、約6重量％或更少、約5重量％或更少、約4重量％或更少、約3重量％或更少、約2重量％或更少、約1.5重量％或更少、約1重量％或更少、約0.9重量％或更少、約0.8重量％或更少、約0.7重量％或更少、約0.6重量％或更少、或約0.5重量％或更少的研磨劑?？蛇x擇地，或者此外，拋光組合物可包含約0.05重量％或更多的研磨劑，例如，約0.1重量％或更多、約0.2重量％或更多、約0.3重量％或更多、約0.4重量％或更多、約0.5重量％或更多、或約1重量％或更多。因此，拋光組合物可包含由前述端點(diǎn)中的任兩者界定的量的研磨劑顆粒。舉例而言，拋光組合物可包含約0.05重量％至約10重量％的研磨劑，例如，0.1重量％至約10重量％、約0.1重量％至約9重量％、約0.1重量％至約8重量％、約0.1重量％至約7重量％、約0.1重量％至約6重量％、約0.1重量％至約5重量％、約0.1重量％至約4重量％、約0.1重量％至約3重量％、約0.1重量％至約2重量％、約0.2重量％至約2重量％、約0.3重量％至約2重量％、約0.4重量％至約2重量％、約0.5重量％至約2重量％、約0.1重量％至約1.5重量％、約0.2重量％至約1.5重量％、約0.3重量％至約1.5重量％、約0.4重量％至約1.5重量％、約0.5重量％至約1.5重量％、約0.1重量％至約1重量％、約0.2重量％至約1重量％、約0.3重量％至約1重量％、約0.4重量％至約1重量％、或約0.5重量％至約1重量％的研磨劑。拋光組合物包含鈷腐蝕抑制劑。鈷腐蝕抑制劑可為任何適合的鈷腐蝕抑制劑。在實(shí)施方式中，鈷腐蝕抑制劑包含陰離子型頭基以及c8-c14脂族尾基，例如，c8-c14烷基或c8-c14烯基尾基。陰離子型頭基可為任何適合的陰離子型頭基。在優(yōu)選實(shí)施方式中，鈷腐蝕抑制劑包含具有結(jié)構(gòu)r-con(ch3)ch2cooh的肌氨酸衍生物，其中，con(ch3)ch2cooh形成頭基，且r形成尾基。r基團(tuán)典型地為c9-c13脂族基，且可為c8-c13烷基或c8-c13烯基，例如，c8烷基、c9烷基、c10烷基、c11烷基、c12烷基、c13烷基、c8烯基、c9烯基、c10烯基、c11烯基、c12烯基、或c13烯基。在其中鈷腐蝕抑制劑為肌氨酸衍生物的優(yōu)選實(shí)施方式中，出于碳計(jì)數(shù)的目的，尾基的常規(guī)命名包括其上連接有r基團(tuán)的羰基。因此，c12肌氨酸酯是指肌氨酸月桂酰基酯。當(dāng)尾基為烯基(其中雙鍵不在尾基的末端處)時(shí)，烯基可具有e構(gòu)型或z構(gòu)型，或可為e異構(gòu)體與z異構(gòu)體的混合。鈷腐蝕抑制劑可為單一化合物，或可為兩種或更多種具有陰離子型頭基以及c8-c20脂族尾基的化合物的混合物或兩種或更多種如本文中所描述的具有c7-c19脂族r基團(tuán)的肌氨酸衍生物的混合物，其限制條件為約75重量％或更多(例如，約80重量％或更多、約85重量％或更多、約90重量％或更多、或約95重量％或更多)的所述化合物包含陰離子型頭基以及c10-c14脂族尾基或?yàn)榫哂衏9-c13脂族r基團(tuán)的肌氨酸衍生物。拋光組合物可包含任何適合量的鈷腐蝕抑制劑。拋光組合物可包含約1ppm或更多的鈷腐蝕抑制劑，例如，約5ppm或更多、約10ppm或更多、約20ppm或更多、約30ppm或更多、約40ppm或更多、或約50ppm或更多。可選擇地，或者此外，拋光組合物可包含約1000ppm或更少的鈷腐蝕抑制劑，例如，約900ppm或更少、約800ppm或更少、約700ppm或更少、約600ppm或更少、約500ppm或更少、約400ppm或更少、約300ppm或更少、或約200ppm或更少。因此，拋光組合物可包含由前述端點(diǎn)中的任兩者界定的量的鈷腐蝕抑制劑。舉例而言，拋光組合物可包含約1ppm至約1000ppm的鈷腐蝕抑制劑、約10ppm至約900ppm、約10ppm至約800ppm、約10ppm至約700ppm、約10ppm至約600ppm、約10ppm至約500ppm、約10ppm至約400ppm、約20ppm至約300ppm、約30ppm至約200ppm、約30ppm至約150ppm、約30ppm至約100ppm、或約50ppm至約100ppm。拋光組合物包含鈷凹陷控制劑。鈷凹陷控制劑可為任何適合的鈷凹陷控制劑。在實(shí)施方式中，鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c13-c20脂族基，例如，c13-c20烷基或c13-c20烯基尾基。優(yōu)選地，鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c15-c18脂族尾基。陰離子型頭基可為任何適合的陰離子型頭基。在優(yōu)選實(shí)施方式中，陰離子型頭基包含具有結(jié)構(gòu)r-con(ch3)ch2cooh的肌氨酸衍生物，其中，con(ch3)ch2cooh形成頭基，且r形成尾基。r基團(tuán)典型地為c13-c20脂族基，且可為c13烷基、c14烷基、c15烷基、c16烷基、c17烷基、c18烷基、c19烷基、c20烷基、c13烯基、c14烯基、c15烯基、c16烯基、c17烯基、c18烯基、c19烯基、或c20烯基。優(yōu)選地，r基團(tuán)為c15-c17脂族基。在其中鈷凹陷控制劑為肌氨酸衍生物的優(yōu)選實(shí)施方式中，出于碳計(jì)數(shù)的目的，尾基的常規(guī)命名包括其上連接有r基團(tuán)的羰基。因此，c18肌氨酸酯是指(例如)肌氨酸十八烷?；セ蚣“彼嵊王；?。當(dāng)尾基為烯基(其中雙鍵不在尾基的末端處)時(shí)，烯基可具有e構(gòu)型、z構(gòu)型，或可為e異構(gòu)體與z異構(gòu)體的混合。鈷凹陷控制劑可為單一化合物，或可為兩種或更多種具有陰離子型頭基以及c13-c20烷基或c13-c20烯基尾基的化合物的混合物。在另一實(shí)施方式中，陰離子型頭基包含二苯醚二磺酸根基團(tuán)。適合的含二苯醚二磺酸根的鈷凹陷控制劑的實(shí)例為下式的化合物：其中r為c13-c20脂族尾基，優(yōu)選地為c16-c18脂族尾基。拋光組合物可包含任何適合量的鈷凹陷控制劑。拋光組合物可包含約1ppm或更多的鈷凹陷控制劑，例如，約5ppm或更多、約10ppm或更多、約14ppm或更多、約20ppm或更多、或約25ppm或更多?？蛇x擇地，或者此外，拋光組合物可包含約100ppm或更少的鈷凹陷控制劑，例如，約95ppm或更少、約90ppm或更少、約85ppm或更少、約80ppm或更少、約75ppm或更少、約70ppm或更少、約65ppm或更少、約60ppm或更少、約55ppm或更少、或約50ppm或更少。因此，拋光組合物可包含由前述端點(diǎn)中的任兩者界定的量的鈷凹陷控制劑。舉例而言，拋光組合物可包含約1ppm至約100ppm的鈷凹陷控制劑、約5ppm至約100ppm、約5ppm至約95ppm、約5ppm至約90ppm、約5ppm至約85ppm、約5ppm至約80ppm、約5ppm至約75ppm、約5ppm至約70ppm、約10ppm至約100ppm、約10ppm至約95ppm、約10ppm至約90ppm、約10ppm至約85ppm、約10ppm至約80ppm、約10ppm至約75ppm、約10ppm至約70ppm、或約25ppm至約75ppm。應(yīng)當(dāng)理解，取決于拋光組合物的ph，前述肌氨酸衍生物或二苯醚二磺酸根可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽或其類(lèi)似者)的形式、酸的形式或作為其酸與鹽的混合物而存在。肌氨酸衍生物或二苯醚二磺酸根的酸或鹽形式或其混合物適合用于制備拋光組合物。拋光組合物任選地進(jìn)一步包含鈷促進(jìn)劑。鈷促進(jìn)劑可為在使用拋光組合物以?huà)伖獍挼幕鍟r(shí)增強(qiáng)鈷的移除速率的任何適合的化合物。鈷促進(jìn)劑可選自：具有式nr1r2r3的化合物，其中，r1、r2及r3獨(dú)立地選自氫、羧基烷基、經(jīng)取代的羧基烷基、羥基烷基、經(jīng)取代的羥基烷基及氨基羰基烷基，其中r1、r2及r3中沒(méi)有一個(gè)是氫或者其中之一為氫；二羧基雜環(huán)；雜環(huán)基烷基-α-氨基酸；n-(酰氨基烷基)氨基酸；未經(jīng)取代的雜環(huán)；經(jīng)烷基取代的雜環(huán)；以經(jīng)取代的烷基取代的雜環(huán)；n-氨基烷基-α-氨基酸；及其組合。鈷促進(jìn)劑可為選自本文中所敘述的化合物的種類(lèi)的任何適合的鈷促進(jìn)劑。在優(yōu)選實(shí)施方式中，鈷促進(jìn)劑為亞氨基二乙酸、2-[雙(2-羥基乙基)氨基]-2-(羥基甲基)-1,3-丙二醇、二羥乙基甘氨酸(bicine)、吡啶甲酸、二吡啶甲酸、組氨酸、[(2-氨基-2-氧基乙基)氨基]乙酸、咪唑、n-甲基咪唑、賴(lài)氨酸、或者它們的組合。鈷促進(jìn)劑可以任何適合的濃度存在于拋光組合物中。典型地，鈷促進(jìn)劑可以約5mm或更大的濃度存在于拋光組合物中，例如，約10mm或更大、約15mm或更大、約20mm或更大、約25mm或更大、約30mm或更大、約35mm或更大、約40mm或更大、約45mm或更大、或約50mm或更大。可選擇地，或者此外，鈷促進(jìn)劑可以約100mm或更小的濃度存在于拋光組合物中，例如，約95mm或更小、約90mm或更小、約85mm或更小、約80mm或更小、約75mm或更小、約70mm或更小、約65mm或更小、或約60mm或更小。因此，鈷促進(jìn)劑可以由前述端點(diǎn)中的任兩者界定的濃度存在于拋光組合物中。舉例而言，鈷促進(jìn)劑可以約5mm至約100mm的濃度存在于拋光組合物中，例如，約5mm至約90mm、約5mm至約80mm、約5mm至約70mm、約5mm至約60mm、約10mm至約100mm、約10mm至約90mm、約10mm至約80mm、約10mm至約70mm、約10mm至約60mm、約20mm至約100mm、約20mm至約90mm、約20mm至約80mm、約20mm至約70mm、或約20mm至約60mm。拋光組合物包含使過(guò)渡金屬氧化的氧化劑。優(yōu)選地，氧化劑使鈷氧化。氧化劑可為在拋光組合物的ph下具有足夠量值的氧化電位以使鈷氧化的任何適合的氧化劑。在優(yōu)選實(shí)施方式中，氧化劑為過(guò)氧化氫。拋光組合物可包含任何適合量的氧化劑。拋光組合物優(yōu)選地包含約10重量％或更少(例如，約8重量％或更少、約6重量％或更少、約4重量％或更少、約2重量％或更少、約1重量％或更少、或約0.5重量％或更少)的過(guò)氧化氫。拋光組合物可具有任何適合的ph。典型地，拋光組合物可具有約3或更大的ph，例如，約3.5或更大、約4或更大、約4.5或更大、約5或更大、約5.5或更大、約6或更大、約6.5或更大、或約7或更大。可選擇地，或者此外，拋光組合物可具有約8.5或更小的ph，例如，約8.4或更小、約8.3或更小、約8.2或更小、約8.1或更小、或約8或更小。因此，拋光組合物可具有由針對(duì)拋光組合物所敘述的以上端點(diǎn)中的任兩者界定的ph。舉例而言，拋光組合物可具有約3至約8.5的ph，例如，約3.5至約8.5、約4至約8.5、約4.5至約8.5、約5至約8.5、約5.5至約8.5、約6至約8.5、約6.5至約8.5、約6.5至約8.4、約6.5至約8.3、約6.5至約8.2、約6.5至約8.1、或約6.5至約8?？墒褂萌魏芜m合的酸或堿來(lái)調(diào)整拋光組合物的ph。適合的酸的非限制性實(shí)例包括硝酸、硫酸、磷酸、以及諸如乙酸的有機(jī)酸。適合的堿的非限制性實(shí)例包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、及氫氧化銨?；瘜W(xué)機(jī)械拋光組合物任選地進(jìn)一步包含一種或多種添加劑。示例性的添加劑包括調(diào)理劑、酸(例如，磺酸)、絡(luò)合劑(例如，陰離子型聚合物絡(luò)合劑)、螯合劑、殺生物劑、阻垢劑、分散劑等。當(dāng)存在時(shí)，殺生物劑可為任何適合的殺生物劑且可以任何適合的量存在于拋光組合物中。適合的殺生物劑為異噻唑啉酮?dú)⑸飫?。殺生物劑在拋光組合物中的量典型地為約1ppm至約50ppm，優(yōu)選地為約10ppm至約40ppm，更優(yōu)選地為約20ppm至約30ppm?？赏ㄟ^(guò)任何適合的技術(shù)來(lái)制備拋光組合物，其中許多技術(shù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。可以分批或連續(xù)工藝來(lái)制備拋光組合物。通常，可通過(guò)以任何次序組合拋光組合物的組分來(lái)制備拋光組合物。如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“組分”包括單獨(dú)的成分(例如，研磨劑、鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、氧化劑、任選的鈷促進(jìn)劑、任選的ph調(diào)節(jié)劑等)以及成分(例如，研磨劑、鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、氧化劑、任選的鈷促進(jìn)劑、任選的ph調(diào)節(jié)劑等)的任何組合。舉例而言，可將研磨劑分散于水中。然后，可通過(guò)能夠?qū)⒔M分結(jié)合到拋光組合物中的任何方法來(lái)添加及混合鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑及任選的鈷促進(jìn)劑?？稍谥苽鋻伖饨M合物期間的任何時(shí)刻添加氧化劑?？稍谑褂弥爸苽鋻伖饨M合物，其中恰好在使用之前(例如，在使用之前約1分鐘內(nèi)，或在使用之前約1小時(shí)內(nèi)，在使用之前約7天內(nèi)，或在使用之前約14天內(nèi))將一種或多種組分(諸如氧化劑)添加至拋光組合物。也可通過(guò)在拋光操作期間將組分混合于基板的表面處來(lái)制備拋光組合物?？蓪伖饨M合物作為包含研磨劑、鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、氧化劑、任選的鈷促進(jìn)劑、任選的ph調(diào)節(jié)劑及水的單包裝體系供應(yīng)?？蛇x擇地，可將研磨劑作為在水中的分散體供應(yīng)于第一容器中，且可將鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、任選的鈷促進(jìn)劑及任選的ph調(diào)節(jié)劑以干燥形式或作為在水中的溶液或分散體供應(yīng)于第二容器中。合意的是，相對(duì)于拋光組合物的其它組分單獨(dú)地供應(yīng)氧化劑，且在使用前不久(例如，在使用之前2周或2周內(nèi)，在使用之前1周或1周內(nèi)，在使用之前1天或1天內(nèi)，在使用之前1小時(shí)或1小時(shí)內(nèi)，在使用之前10分鐘或10分鐘內(nèi)，或在使用之前1分鐘或1分鐘內(nèi))例如由最終使用者將之與拋光組合物的其它組分進(jìn)行組合。第一或第二容器中的組分可呈干燥形式，而其它容器中的組分可呈水性分散體形式。此外，適合的是使第一及第二容器中的組分具有不同的ph值，或者，可選擇地，具有基本上相似或甚至相等的ph值。拋光組合物的各組分的其它的兩個(gè)容器組合、或者三個(gè)或更多個(gè)容器組合在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。本發(fā)明的拋光組合物還可作為濃縮物提供，該濃縮物意圖在使用之前用適量的水稀釋。在這樣的實(shí)施方式中，拋光組合物濃縮物可包含研磨劑、鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、任選的鈷促進(jìn)劑及任選的ph調(diào)節(jié)劑、具有或不具有氧化劑，其量使得在用適量的水及氧化劑(如果尚未以適當(dāng)?shù)牧看嬖诘脑?huà))稀釋濃縮物時(shí)，拋光組合物的各組分就將以在上文針對(duì)各組分的所敘述的適當(dāng)范圍內(nèi)的量存在于拋光組合物中。舉例而言，研磨劑、鈷腐蝕抑制劑、鈷凹陷控制劑、任選的鈷促進(jìn)劑及任選的ph調(diào)節(jié)劑可各自以上文針對(duì)各組分所敘述的濃度的約2倍(例如，約3倍、約4倍、或約5倍)大的量的濃度而存在，使得當(dāng)用等體積的(例如，分別用2倍等體積的水、3倍等體積的水、或4倍等體積的水)以及適當(dāng)量的氧化劑稀釋濃縮物時(shí)，各組分將以在上文針對(duì)各組分所闡述的范圍內(nèi)的量存在于拋光組合物中。此外，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，濃縮物可含有存在于最終拋光組合物中的適當(dāng)分率的水，以便確保其它組分至少部分地或完全地溶解于濃縮物中。本發(fā)明還提供化學(xué)機(jī)械拋光基板的方法，包括：(i)使基板與如本文中所描述的拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸；(ii)相對(duì)于基板移動(dòng)拋光墊，其中化學(xué)機(jī)械拋光組合物在拋光墊與基板之間；及(iii)磨除基板的至少一部分以?huà)伖庠摶濉４褂帽景l(fā)明的方法拋光的基板可為任何適合的基板，尤其是含有鈷的基板。優(yōu)選的基板包含至少一個(gè)層，尤其是用于拋光的暴露層，其包含鈷、基本上由鈷組成或由鈷組成，使得至少一部分的鈷被磨除(即移除)以?huà)伖庠摶?。特別適合的基板包括但不限于用于半導(dǎo)體工業(yè)中的晶片。晶片典型地包含(例如)以下物質(zhì)或由(例如)以下物質(zhì)組成：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬?gòu)?fù)合物、金屬合金、低介電材料、或者它們的組合。在優(yōu)選實(shí)施方式中，晶片包含被蝕刻至基板的表面中的電路跡線(xiàn)的圖案，其被填充有鈷。本發(fā)明的方法也可用于拋光包含鈷及鈷合金的基板，其可用于燃?xì)廨啓C(jī)及噴氣式飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)用的渦輪葉片、整形外科植入物、修復(fù)用部件(諸如髖部及膝部的替換物)、牙齒修復(fù)物、高速鋼鉆頭及永磁鐵中。本發(fā)明的拋光方法特別適于結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)裝置而使用。典型地，該裝置包括：平臺(tái)，其在使用中時(shí)處于運(yùn)動(dòng)中且具有由軌道、線(xiàn)性或圓周運(yùn)動(dòng)引起的速度；拋光墊，其與平臺(tái)接觸且在運(yùn)動(dòng)中時(shí)隨著平臺(tái)而移動(dòng)；及載體，其固持待通過(guò)接觸拋光墊的表面且相對(duì)于拋光墊的表面移動(dòng)而拋光的基板?；宓膾伖馔ㄟ^(guò)如下方式進(jìn)行：將基板置放成與拋光墊及本發(fā)明的拋光組合物接觸，且然后使拋光墊相對(duì)于基板移動(dòng)，以便磨除基板的至少一部分以?huà)伖庠摶濉；蹇衫迷摶瘜W(xué)機(jī)械拋光組合物以及任何適宜的拋光墊(例如，拋光表面)來(lái)平坦化或拋光。適宜的拋光墊包括(例如)紡織及非紡織的拋光墊。而且，適宜的拋光墊可包含具有各種密度、硬度、厚度、壓縮性、壓縮回彈能力、及壓縮模量的任何適宜的聚合物。適宜的聚合物包括(例如)聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、氟碳化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚異氰脲酸酯、其共形成產(chǎn)物、及其混合物。合意的是，該cmp裝置進(jìn)一步包括原位拋光終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。通過(guò)分析從工件表面反射的光或其它輻射來(lái)檢查和監(jiān)控拋光過(guò)程的技術(shù)是本領(lǐng)域中已知的。這樣的方法描述于例如美國(guó)專(zhuān)利5,196,353、美國(guó)專(zhuān)利5,433,651、美國(guó)專(zhuān)利5,609,511、美國(guó)專(zhuān)利5,643,046、美國(guó)專(zhuān)利5,658,183、美國(guó)專(zhuān)利5,730,642、美國(guó)專(zhuān)利5,838,447、美國(guó)專(zhuān)利5,872,633、美國(guó)專(zhuān)利5,893,796、美國(guó)專(zhuān)利5,949,927及美國(guó)專(zhuān)利5,964,643中。合意的是，對(duì)于正被拋光的工件的拋光過(guò)程的進(jìn)展的檢查或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點(diǎn)，即，確定何時(shí)終止對(duì)特定工件的拋光過(guò)程。可以許多種方式來(lái)表征化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程，諸如在基板的移除速率、凹陷及侵蝕方面?？墒褂萌魏芜m合的技術(shù)來(lái)測(cè)定基板的移除速率。用于測(cè)定基板的移除速率的適合的技術(shù)的實(shí)例包括：在使用本發(fā)明的拋光方法之前及之后稱(chēng)重基板以測(cè)定每單位拋光時(shí)間所移除的基板的量，其可在每單位拋光時(shí)間所移除的基板的厚度方面與移除速率相關(guān)；及在使用本發(fā)明的拋光方法之前及之后測(cè)定基板的厚度以直接地量測(cè)每單位拋光時(shí)間的基板的移除率。可使用任何適合的技術(shù)來(lái)測(cè)定凹陷及侵蝕。用于測(cè)定凹陷及侵蝕的適合的技術(shù)的實(shí)例包括掃描電子顯微法、探針測(cè)繪及原子力顯微法?？墒褂脕?lái)自veeco(plainview,ny)的dimensionatomicforceprofiler(afptm)來(lái)實(shí)施原子力顯微法。不希望受限于任何具體理論，據(jù)信，陰離子型表面活性劑在帶正電的鈷基板上組合(assemble)，但與陰離子型速率促進(jìn)劑競(jìng)爭(zhēng)結(jié)合位點(diǎn)。隨著鈷被移除并且暴露出下伏的硅氧化物，位于鈷上的陰離子型表面活性劑的相對(duì)表面濃度增大，這是因?yàn)楸┞冻龅拟挼谋砻娣e減小。長(zhǎng)鏈陰離子型表面活性劑(即，c13-c20脂族凹陷控制劑)被認(rèn)為首先錨定至位于溝槽中的鈷且使得較短鏈的表面活性劑(即，c9-c14脂族鈷腐蝕抑制劑)能夠比原本將在不存在長(zhǎng)鏈陰離子型表面活性劑的情況下發(fā)生的情形更快地在鈷表面上組合并群集(pack)在一起。位于鈷表面上的鈷腐蝕抑制劑及鈷凹陷控制劑的增大的濃度被認(rèn)為通過(guò)化學(xué)手段(腐蝕的抑制和鈷促進(jìn)劑(如果存在的話(huà))的抑制)以及機(jī)械手段(保護(hù)免于研磨)兩者來(lái)抑制鈷移除。因此，有效地減緩了鈷從經(jīng)清除的特征的移除，從而導(dǎo)致經(jīng)改善的凹陷性能。通過(guò)以下實(shí)施方式來(lái)例示本發(fā)明：1.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，包含：(a)研磨劑顆粒，(b)鈷腐蝕抑制劑，(c)鈷凹陷控制劑，其中，該鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c13-c20脂族尾基，(d)對(duì)鈷進(jìn)行氧化的氧化劑，及(e)水，其中該拋光組合物具有約3至約8.5的ph。2.實(shí)施方式1的拋光組合物，其中，該拋光組合物包含約0.1重量％至約2重量％的研磨劑顆粒。3.實(shí)施方式1或2的拋光組合物，其中，該鈷腐蝕抑制劑包含陰離子型頭基以及c8-c14脂族尾基。4.實(shí)施方式1-3中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該鈷腐蝕抑制劑具有下式：rcon(ch3)cooh，其中r為c8-c13脂族基。5.實(shí)施方式1-4中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該拋光組合物包含約50ppm至約1000ppm的該鈷腐蝕抑制劑。6.實(shí)施方式1-5中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該鈷凹陷控制劑包含陰離子型頭基以及c15-c18脂族尾基。7.實(shí)施方式1-5中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該鈷凹陷控制劑具有下式：rcon(ch3)cooh，其中r為c15-c17脂族基，或者，r為c16-c18烷基二苯醚二磺酸根。8.實(shí)施方式1-7中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該拋光組合物包含約5ppm至約100ppm的該鈷凹陷控制劑。9.實(shí)施方式1-8中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該拋光組合物進(jìn)一步包含鈷促進(jìn)劑，其選自：具有式nr1r2r3的化合物，其中，r1、r2及r3獨(dú)立地選自氫、羧基烷基、經(jīng)取代的羧基烷基、羥基烷基、經(jīng)取代的羥基烷基及氨基羰基烷基，其中r1、r2及r3中沒(méi)有一個(gè)是氫或者其中之一為氫；二羧基雜環(huán)；雜環(huán)基烷基-α-氨基酸；n-(酰氨基烷基)氨基酸；未經(jīng)取代的雜環(huán)；經(jīng)烷基取代的雜環(huán)；以經(jīng)取代的烷基取代的雜環(huán)；n-氨基烷基-α-氨基酸；及其組合。10.實(shí)施方式1-9中任一項(xiàng)的拋光組合物，其中，該氧化劑為過(guò)氧化氫。11.化學(xué)機(jī)械拋光基板的方法，包括：(i)使基板與拋光墊及實(shí)施方式1-10中任一項(xiàng)的化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，(ii)相對(duì)于該基板移動(dòng)該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物，及(iii)磨除該基板的至少一部分以?huà)伖庠摶濉?2.實(shí)施方式11的方法，其中，該基板包含鈷，而且，該鈷的至少一部分被磨除以?huà)伖庠摶濉?3.實(shí)施方式11或12的方法，其中，該基板包含半導(dǎo)體器件。以下實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但當(dāng)然不應(yīng)被認(rèn)作以任何方式限制其范圍。實(shí)施例1該實(shí)施例表明了由含有鈷腐蝕抑制劑及鈷凹陷控制劑的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的拋光組合物展現(xiàn)出的針對(duì)經(jīng)圖案化的晶片的毯覆式的鈷的移除速率。運(yùn)用五種不同的拋光組合物(拋光組合物1a至1e)來(lái)拋光包含位于經(jīng)圖案化的硅氧化物基板上的鈷層的經(jīng)圖案化的基板。所述基板包含50μm寬及50μm長(zhǎng)的圖案特征。拋光組合物1a至1e中的每一者在ph7.5下在水中含有0.5重量％的具有70nm平均粒度的濕法氧化硅(fusochemicalco.japan)、0.6重量％的亞氨基二乙酸、0.04重量％的bis-tris緩沖劑、0.5重量％的過(guò)氧化氫、及31ppm的kordek殺生物劑。拋光組合物1a至1e中的每一者還含有具有表1a中所闡述的量的特定的鈷腐蝕抑制劑和/或鈷凹陷控制劑，其中，tsf-20為c16-烷基二苯醚二磺酸根的鈷凹陷控制劑。表1a拋光組合物鈷腐蝕抑制劑鈷凹陷控制劑1a(對(duì)比)800μmn-月桂?；“彼釤o(wú)1b(對(duì)比)1000μmn-月桂酰基肌氨酸無(wú)1c(本發(fā)明)800μmn-月桂?；“彼?0ppmtsf-201d(本發(fā)明)800μmn-月桂酰基肌氨酸20ppmn-油烯基肌氨酸1e(對(duì)比)800μmn-椰油?；“彼釤o(wú)在三組不同的拋光條件下拋光基板：(a)在10.3kpa的下壓力下20秒；(b)在10.3kpa的下壓力下10秒；及(c)在20.7kpa的下壓力下10秒。此外，在20.7kpa的下壓力下拋光基板直至表面沒(méi)有鈷+5秒。在拋光之后，針對(duì)被拋光10秒及20秒的基板測(cè)定鈷移除速率。針對(duì)被拋光直至無(wú)表面鈷的基板，量測(cè)達(dá)到清除的時(shí)間+5秒。結(jié)果闡述在表1b中。表1b如自表1中所闡述的結(jié)果明晰的，在本發(fā)明的拋光組合物及對(duì)比拋光組合物當(dāng)中，在20.7kpa的下壓力下的鈷移除速率是大致相當(dāng)?shù)?，其中，與針對(duì)拋光組合物1a所觀測(cè)到的移除速率相比較，針對(duì)拋光組合物1c及1d所觀測(cè)到的移除速率分別為大約92％及94％。在所述拋光組合物當(dāng)中，清除時(shí)間+5秒也是相似的。實(shí)施例2該實(shí)施例表明了由含有鈷腐蝕抑制劑及鈷凹陷控制劑的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的拋光組合物展現(xiàn)出的針對(duì)包覆有鈷的圖案化晶片所觀測(cè)到的凹陷結(jié)果。運(yùn)用五種不同的拋光組合物(實(shí)施例1中所描述的拋光組合物1a至1e)來(lái)拋光包含在經(jīng)圖案化的硅氧化物基板上的鈷層的經(jīng)圖案化的基板。所述基板包含50μm寬及50μm長(zhǎng)的圖案特征。拋光組合物1a至1e中的每一者用于在20.7kpa的下壓力下將一個(gè)經(jīng)圖案化的基板拋光至終點(diǎn)+5秒，而且，在20.7kpa的下壓力下將第二個(gè)經(jīng)圖案化的基板拋光這樣的時(shí)間：終點(diǎn)-20％。在拋光之后，針對(duì)每個(gè)基板，在基板的中部中心位置處測(cè)定凹陷。結(jié)果闡述在表2中。表2如自表2中所闡述的結(jié)果明晰的，使用分別含有800ppm的n-月桂?；“彼峒皀-椰油酰基肌氨酸(具有c12及c14烷基尾基)的拋光組合物1a及1e導(dǎo)致在經(jīng)圖案化的基板的50μm×50μm溝槽線(xiàn)路中的鈷的總損耗。與含有800ppm的n-月桂酰基肌氨酸的拋光組合物1a相比較，使用含有1000ppm的n-月桂酰基肌氨酸的拋光組合物1b導(dǎo)致了減小的凹陷。然而，能量色散x射線(xiàn)光譜學(xué)顯示，沒(méi)有完全地從位于基板表面上的硅氧化物特征清除鈷。使用含有800μm的n-月桂?；“彼峒?0ppm的tsf-20(即，c16-烷基二苯醚二磺酸根的鈷凹陷控制劑)的組合的拋光組合物1c導(dǎo)致這樣的凹陷，所述凹陷為由使用拋光組合物1b在終點(diǎn)+5秒時(shí)所導(dǎo)致的凹陷的大約72％以及在終點(diǎn)-20％時(shí)所導(dǎo)致的凹陷的大約70％。使用含有800μm的n-月桂酰基肌氨酸及10ppm的n-油?；“彼?即，c18-烷基肌氨酸)鈷凹陷控制劑)的組合的拋光組合物1d導(dǎo)致這樣的凹陷，所述凹陷為由使用拋光組合物1b在終點(diǎn)+5秒時(shí)所導(dǎo)致的凹陷的大約56％以及在終點(diǎn)-20％時(shí)所導(dǎo)致的凹陷的大約79％。由使用拋光組合物1d所導(dǎo)致的凹陷隨著拋光時(shí)間增加而減小。實(shí)施例3該實(shí)施例表明了由含有鈷腐蝕抑制劑及鈷凹陷控制劑的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的拋光組合物展現(xiàn)出的針對(duì)包覆有鈷的圖案化晶片所觀測(cè)到的凹陷結(jié)果。運(yùn)用五種不同的拋光組合物(拋光組合物3a至3f)來(lái)拋光包含在經(jīng)圖案化的硅氧化物基板上的鈷層的經(jīng)圖案化的基板。所有的拋光組合物均在ph7.5下在水中含有0.5重量％的具有70nm平均粒度的濕法氧化硅(fusochemicalco.japan)、0.6重量％的亞氨基二乙酸、0.5重量％的過(guò)氧化氫、以及31ppm的kordekmlx殺生物劑。拋光組合物3a至3f進(jìn)一步含有具有如表3中所闡述的量的添加劑。所述基板包含50μm寬及50μm長(zhǎng)的圖案特征。拋光組合物3a至3f中的每一者用于在10.3kpa的下壓力下將一個(gè)經(jīng)圖案化的基板拋光至終點(diǎn)+5秒。在拋光之后，針對(duì)每個(gè)基板，在基板的中部中心位置處測(cè)定凹陷。結(jié)果闡述在表3中。表3如自表3中所闡述的結(jié)果明晰的，使用含有800μm的n-月桂?；“彼峒?0ppm的n-油酰基肌氨酸的拋光組合物3c導(dǎo)致這樣的凹陷，所述凹陷為由使用含有1000μm的n-月桂?；“彼岬膾伖饨M合物3a所導(dǎo)致的凹陷的大約81％。使用拋光組合物3c導(dǎo)致這樣的凹陷，所述凹陷為由使用含有800μm的n-月桂?；“彼岬膾伖饨M合物3b所導(dǎo)致的凹陷的大約55％。使用分別含有20ppm的n-油酰基肌氨酸及20ppm的tsf-20但無(wú)n-月桂?；“彼岬膾伖饨M合物3e及3f導(dǎo)致這樣的凹陷，所述凹陷與由使用拋光組合物3b所導(dǎo)致的凹陷大致相同。將本文中引用的所有參考文獻(xiàn)(包括出版物、專(zhuān)利申請(qǐng)和專(zhuān)利)在此引入作為參考，其參考程度如同各參考文獻(xiàn)被單獨(dú)和具體說(shuō)明以引入作為參考并且各參考文獻(xiàn)在本文中全部闡述一般。在描述本發(fā)明的范圍(特別是所附權(quán)利要求的范圍)中使用術(shù)語(yǔ)“一個(gè)”和“一種”和“該”和“至少一個(gè)(種)”以及類(lèi)似的指示物應(yīng)理解為包括單數(shù)和復(fù)數(shù)，除非本文中另有說(shuō)明或上下文明顯矛盾。在一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的列表后使用術(shù)語(yǔ)“至少一個(gè)(種)”(例如，“a和b中的至少一個(gè)(種)”)解釋為意指選自所列項(xiàng)目中的一個(gè)(種)項(xiàng)目(a或b)或所列項(xiàng)目中的兩個(gè)(種)或更多個(gè)(種)項(xiàng)目的任何組合(a和b)，除非本文中另有說(shuō)明或上下文明顯矛盾。術(shù)語(yǔ)“包含”、“具有”、“包括”、和“含有”應(yīng)理解為開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)(即，意味著“包括，但不限于”)，除非另有說(shuō)明。本文中數(shù)值范圍的列舉僅僅用作單獨(dú)提及落在該范圍內(nèi)的每個(gè)獨(dú)立值的簡(jiǎn)寫(xiě)方法，除非本文中另有說(shuō)明，并且在說(shuō)明書(shū)中引入每個(gè)獨(dú)立值，就如同其在這里被單獨(dú)列舉一樣。本文描述的所有方法可以任何適宜的順序進(jìn)行，除非本文另有說(shuō)明或與上下文明顯矛盾。本文中提供的任何和所有實(shí)例、或示例性語(yǔ)言(如，“例如”)的使用僅用來(lái)更好地說(shuō)明本發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的范圍加以限定，除非另有說(shuō)明。說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有語(yǔ)言應(yīng)被理解為是在將任何非要求保護(hù)的要素表明為是本發(fā)明的實(shí)踐所必需的。本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，包括本發(fā)明人已知的進(jìn)行本發(fā)明的最佳模式。通過(guò)閱讀上述說(shuō)明書(shū)，那些優(yōu)選實(shí)施方式的變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得明晰。本發(fā)明人希望技術(shù)人員適當(dāng)?shù)夭捎眠@種變化，且本發(fā)明人希望本發(fā)明用不同于本文具體描述的方式進(jìn)行實(shí)踐。因此，本發(fā)明包括適用法律所允許的、所附權(quán)利要求書(shū)中所列舉的主題的所有修改和等價(jià)物。此外，在其所有可能變化中的上述要素的任意組合包括在本發(fā)明中，除非本文另有說(shuō)明或與上下文明顯矛盾。當(dāng)前第1頁(yè)12