本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種量子點膜、背光模組及液晶顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，消費者對液晶顯示設(shè)備的色域要求越來越高。近年來，無論是在國際消費類電子產(chǎn)品展覽會(CES)中，還是在中國家電博覽會(AWE)中，高色域液晶顯示設(shè)備都成為發(fā)展的主流。目前，主要通過量子點技術(shù)來實現(xiàn)高色域。具體來說，即在液晶顯示設(shè)備的背光模組的導光板和棱鏡片之間設(shè)置量子點膜。

現(xiàn)有的量子點膜的結(jié)構(gòu)如圖1所示?，F(xiàn)有的量子點膜主要包括：量子點層I以及設(shè)置在量子點層I上下表面的水氧阻隔層II。其中，量子點層I包括基體，以及分布在基體中的以CdSe為核、以ZnS為殼的量子點(CdSe/ZnS)。水氧阻隔層II為表面涂覆有氧化鋁(Al₂O₃)涂層或者其他無機物涂層的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，用于防止量子點與水蒸氣、氧氣接觸而失效。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下問題：水氧阻隔層的成本占量子點膜總成本的30％～50％以上，從而導致現(xiàn)有的量子點膜成本較高。并且水氧阻隔層中的無機物涂層會影響量子點膜的透光率，從而影響量子點膜的光學性能，進而影響液晶顯示設(shè)備的顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

基于以上所述，本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種不含水氧阻隔層的量子點膜，以及基于該量子點膜的背光模組及液晶顯示設(shè)備，降低量子點膜的成本，并改善量子點膜的光學性能。

具體而言，包括以下的技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種量子點膜，包括量子點層，所述量子點層包括基體以及分布在所述基體中的量子點，其中，所述量子點包括CdSe核、包覆所述CdSe核的中間殼層以及包覆所述中間殼層的ZnS殼層；所述中間殼層包括至少一層由第II副族元素和第VI主族元素形成的半導體材料；所述第II副族元素為Zn和/或Cd，所述第VI主族元素為S或者Se。

具體地，所述中間殼層包括一層所述半導體材料，所述中間殼層為ZnSe層或者CdZnS層；所述CdZnS層中Cd、Zn以及S的摩爾比為1∶1∶2。

具體地，所述中間殼層包括兩層所述半導體材料，兩層所述半導體材料的組成不相同。

具體地，所述中間殼層為CdS/ZnSe層。

進一步地，所述量子點為采用以下方法制備得到的量子點：

步驟1，制備氧化鎘的硬脂酸鈉溶液，向所述氧化鎘的硬脂酸鈉溶液中加入三辛基氧化磷和十六烷基胺并加熱至220℃～240℃得到鎘的前驅(qū)體溶液；將硒粉溶于三辛基磷中得到硒的前驅(qū)體溶液；將所述硒的前驅(qū)體溶液注入所述鎘的前驅(qū)體溶液中，將所得溶液的溫度降至170℃～190℃并保持8min～12min，然后將所得溶液加入到氯仿中得到第一溶液；

步驟2，利用所述第一溶液制備得到含有包覆所述中間殼層的CdSe核的中間產(chǎn)物的第二溶液；

步驟3，將硬脂酸鋅和硫粉溶解在十八碳烯中得到第三溶液；

步驟4，將所述第三溶液加入到所述第二溶液中，將所得體系升溫至220℃～240℃并保持50min～70min，然后降溫至50℃～70℃即得到所述量子點。

進一步地，所述步驟2具體包括：

步驟21，向所述第一溶液中加入硬質(zhì)酸鋅的甲苯溶液，將所得體系在170℃～190℃下保持13min～17min后，降溫至60℃～70℃并保持50min～70min后得到CdSe/ZnSe沉淀；

步驟22，將所述CdSe/ZnSe沉淀分散于氯仿中，并將所得溶液加入到除水的十六烷基胺中，然后除去所述氯仿并升溫至190℃～210℃后得到所述第二溶液。

進一步地，所述步驟2具體包括：

步驟21，除去所述第一溶液中的氯仿，然后向所得溶液中加入硫粉的十八碳烯溶液，將所得體系在110℃～130℃下保持8min～12min后，降溫至50℃～60℃得到CdSe/CdS沉淀；

步驟22，將所述CdSe/CdS沉淀分散于氯仿中，向所得溶液中加入硬脂酸鋅的甲醇溶液，然后在170℃～190℃下保溫8min～12min后降溫至60℃～70℃保溫50min～70min，得到含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液；

步驟23，去除所述含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液中的氯仿后得到所述第二溶液。

進一步地，所述步驟2具體包括：

向所述第一溶液中加入硬脂酸鋅和硫粉的十八碳烯溶液，然后將所得溶液在110℃～130℃下保溫8min～12min后得到所述第二溶液。

進一步地，所述量子點的粒徑為2～10nm。

進一步地，所述基體的材料為選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、硅烷改性聚醚以環(huán)氧樹脂中的至少一種。

第二方面，本發(fā)明實施例提供一種背光模組，該背光模組包括光源、導光板、量子點膜以及棱鏡片，所述量子點膜夾設(shè)于所述導光板和所述棱鏡片之間，其特征在于，所述量子點膜為本發(fā)明實施例第一方面所述的量子點膜。

第三方面，本發(fā)明實施例一種液晶顯示設(shè)備，該液晶顯示設(shè)備包括本發(fā)明實施例第二方面所述的背光模組。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案的有益效果：

本發(fā)明實施例提供的量子點膜中，所用的量子點為以CdSe為核、以由Zn和/或Cd以及S或者Se形成的半導體材料為中間殼層、以ZnS為外層殼層的多殼層結(jié)構(gòu)的量子點。中間殼層的存在有效提升量子點的晶格匹配度，提升核殼結(jié)構(gòu)的完整性，使得量子點的結(jié)構(gòu)更加致密，使量子點不因水氧接觸而失效，從而降低量子點對水氧阻隔的要求。基于此，本發(fā)明實施例提供的量子點膜中不需要設(shè)置水氧阻隔層，大大降低了量子點膜的成本，有利于量子點膜在液晶顯示設(shè)備領(lǐng)域的應用，使液晶顯示設(shè)備具有更高的色域。

同時，多殼層結(jié)構(gòu)的量子點還具有較高的外量子效率和熒光效率，并且將量子點膜中的水氧阻隔層省去后，還能夠提高量子點膜的透光率，因此，本發(fā)明實施例提供的量子點膜還具有良好的光學性能，進一步提高液晶顯示設(shè)備的顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有的量子點膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的量子點膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的具有兩層殼層結(jié)構(gòu)的量子點的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的具有三層殼層結(jié)構(gòu)的量子點的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標記分別表示：

1-基體；

2-量子點；

21-CdSe核；

22-中間殼層；221-第一子中間殼層；222-第二子中間殼層；

23-ZnS殼層。

I-現(xiàn)有的量子點膜的量子點層；

II-現(xiàn)有的量子點膜的水氧阻隔層。

具體實施方式

為使本發(fā)明的技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。除非另有定義，本發(fā)明實施例所用的所有技術(shù)術(shù)語均具有與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的相同的含義。

第一方面，本發(fā)明實施例一種量子點膜，參見圖2，該量子點膜包括量子點層，量子點層包括基1以及分布在基體1中的量子點2，參見圖3，也可以參見圖4，量子2包括CdSe核21、包覆CdSe核21的中間殼層22以及包覆中間殼層22的ZnS殼層23。

其中，中間殼層23包括至少一層由第II副族元素和第VI主族元素形成的半導體材料，第1I副族元素為Zn和/或Cd，第VI主族元素為S或者Se。

由于現(xiàn)有的CdSe/ZnS量子點中，CdSe和ZnS的晶格失配度較高，使得CdSe/ZnS量子點缺陷較大，結(jié)構(gòu)致密性較差，與水蒸氣和氧氣接觸后容易失效，并且激發(fā)效率較低。基于此，本發(fā)明實施例提供的量子點膜中，所用的量子點為以CdSe為核、以由Zn和/或Cd以及S或者Se形成的半導體材料為中間殼層22、以ZnS為外層殼層的多殼層結(jié)構(gòu)的量子點2。中間殼層22的存在有效提升了量子點2的晶格匹配度，提升核殼結(jié)構(gòu)的完整性，使得量子點2的結(jié)構(gòu)更加致密，使量子點2不因水氧接觸而失效，從而降低量子點2對水氧阻隔的要求。因此，本發(fā)明實施例提供的量子點膜中不需要設(shè)置水氧阻隔層或者食品級的PET膜，大大降低了量子點膜的成本，有利于量子點膜在液晶顯示設(shè)備領(lǐng)域的應用，使液晶顯示設(shè)備具有更高的色域。

同時，多殼層結(jié)構(gòu)的量子點與現(xiàn)有的CdSe/ZnS單殼層結(jié)構(gòu)量子點相比，量子點的猝滅較慢，因此多殼層結(jié)構(gòu)的量子點具有較高的外量子效應(能夠達到0.8％～1％)；多殼層結(jié)構(gòu)的量子點中CdSe核與殼層之間的能級差較小，熒光效率較高；并且將量子點膜中的水氧阻隔層省去后，還能夠提高量子點膜的透光率。因此，本發(fā)明實施例提供的量子點膜還具有良好的光學性能，進一步提高液晶顯示設(shè)備的顯示效果。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明實施例中，中間殼層22的半導體材料可以為ZnSe、CdS、CdZnS(Cd、Zn、S的摩爾比為1∶1∶2)等。中間殼層22可以僅由一層半導體材料形成，也可以由多層半導體材料形成，例如兩層半導體材料，如圖4所示，中間殼層22包括第一子中間殼層221和第二子中間殼層222，其中第一子中間殼層221包覆CdSe核21上，第二子中間殼層222包覆在在第一子中間殼層221上，ZnS殼層23包覆在第二子中間殼層222上。當中間殼層22包括多層半導體材料時，優(yōu)選每層采用不同的半導體材料。

基于以上所述，本發(fā)明實施例提供的量子點膜中，量子點優(yōu)選CdSe/ZnSe/ZnS量子點、CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點或者CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點。其中，CdSe/ZnSe/ZnS量子點和CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點的中間殼層22為一層半導體材料，分別為ZnSe層以及CdS和ZnS復合形成的中間殼層(即CdZnS層，Cd、Zn、S的摩爾比為1∶1∶2)。CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點的中間殼層為兩層半導體材料形成的CdS/ZnSe層，即第一子中間殼層221為CdS，第二子中間殼層222為ZnSe。

上述三種量子點具有更高的晶格匹配度，水氧阻隔性能更好。采用上述三種量子點，不僅省去了量子點膜制備過程中水氧阻隔膜的成本，還能夠有效提升良率。

進一步地，量子點的制備方法對量子點性能具有一定的影響，適宜的制備方法能夠使得到的量子點具有更高的致密性，水氧阻隔性能更好，有利于提高量子點膜的穩(wěn)定性。

基于此，本發(fā)明實施例中采用一步溶膠-凝膠法制備上述多殼層結(jié)構(gòu)的量子點，有效減少原料的損耗，提高量子點制備效率并降低成本。并通過合理控制反應溫度和反應時間來控制量子點的粒徑。

具體來說，制備方法包括以下步驟：

步驟1，制備氧化鎘(CdO)的硬脂酸鈉溶液，向氧化鎘的硬脂酸鈉溶液中加入三辛基氧化磷(TOPO)和十六烷基胺(HAD)并加熱至220℃～240℃得到鎘的前驅(qū)體溶液；將硒(Se)粉溶于三辛基磷(TOP)中得到硒的前驅(qū)體溶液；將硒的前驅(qū)體溶液注入鎘的前驅(qū)體溶液中，將所得溶液的溫度降至170℃～190℃并保持8min～12min，然后將所得溶液加入到氯仿中得到第一溶液。

步驟2，利用第一溶液制備得到含有包覆中間殼層的CdSe核的中間產(chǎn)物的第二溶液。

步驟3，將硬脂酸鋅和硫粉溶解在十八碳烯(ODE)中得到第三溶液。

步驟4，將第三溶液加入到第二溶液中，將所得體系升溫至220℃～240℃并保持50min～70min，然后降溫至50℃～70℃即得到量子點。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，步驟1中，將硒的前驅(qū)體溶液注入到鎘的前驅(qū)體溶液中，反應后將得到含有CdSe的第一溶液中。同時，第一溶液中除了含有CdSe外，還含有未形成CdSe的游離的Cd²⁺以及Se^2-。當形成中間殼層22的半導體材料中含有鎘元素或者硒元素時，可以直接利用第一溶液中的游離的Cd²⁺以及Se^2-，以此來提高原料的利用率。

步驟1中，可以采用以下方法制備氧化鎘的硬脂酸鈉溶液：在惰性氣體(氬氣或者氮氣，下同)保護下，將氧化鎘和硬脂酸鈉加入反應容器(例如三頸瓶中)，加熱至130℃使硬脂酸鈉熔融后得到氧化鎘的硬脂酸鈉溶液。

配制硒的前驅(qū)體溶液時，也可以在惰性氣體保護下進行。

將硒的前驅(qū)體溶液注入鎘的前驅(qū)體溶液后，應當使所得溶液的溫度迅速降至170℃～190℃，以形成晶核。

步驟3中，可以通過加熱使硬質(zhì)酸鋅和硫粉充分溶于十八碳烯中得到第三溶液，再將第三溶液降溫至70℃左右后加入到第二溶液中。

步驟4中，可以以0.1ml/min～0.3ml/min的速度將第三溶液注入到第二溶液中，優(yōu)選以0.2ml/min的速度將第三溶液注入到第二溶液中。

步驟2的具體實現(xiàn)方式應當根據(jù)中間殼層22的具體組成確定。

對于制備CdSe/ZnSe/ZnS量子點來說，步驟22可以包括：

步驟21，向第一溶液中加入硬質(zhì)酸鋅的甲苯溶液，將所得體系在170℃～190℃下保持13min～17min后，降溫至60℃～70℃并保持50min～70min后得到CdSe/ZnSe沉淀；

步驟22，將CdSe/ZnSe沉淀分散于氯仿中，并將所得溶液加入到除水的十六烷基胺中，然后除去氯仿并升溫至190℃～210℃后得到第二溶液。

上述除水的十六烷基胺可以采用以下方法制備得到：將十六烷基胺加入三頸瓶中，在惰性氣體保護下、在120℃下加熱30min以上以除去水，然后再降溫至60℃，從而得到除水的十六烷基胺。

對于制備CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點來說，步驟2可以包括：

步驟21，除去第一溶液中的氯仿，然后向所得溶液中加入硫粉的十八碳烯溶液，將所得體系在110℃～130℃下保持8min～12min后，降溫至50℃～60℃得到CdSe/CdS沉淀；

步驟22，將CdSe/CdS沉淀分散于氯仿中，向所得溶液中加入硬脂酸鋅的甲醇溶液，然后在170℃～190℃下保溫8min～12min后降溫至60℃～70℃保溫50min～70min，得到含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液；

步驟23，去除含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液中的氯仿后得到第二溶液。

對于制備CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點來說，步驟2可以包括：

向第一溶液中加入硬脂酸鋅和硫粉的十八碳烯溶液，然后將所得溶液在110℃～130℃下保溫8min～12min后得到第二溶液。

需要說明的是，在制備CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點過程中，由于形成CdS、ZnS中間殼層和ZnS殼層所需的原料均為硬脂酸鋅和硫粉的十八碳烯溶液，因此，可以一次加入足量的硬脂酸鋅和硫粉的十八碳烯溶液，先在110℃～130℃下保溫8min～12min以形成CdS、ZnS中間殼層，然后繼續(xù)升溫至220℃～240℃保持50min～70min以形成ZnS殼層，從而提高制備效率。

通過上述制備方法，能夠使量子點的粒徑控制在2～10nm，例如3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm等，在這個粒徑范圍內(nèi)，量子點受到激發(fā)后的發(fā)射波長能夠在可見光范圍內(nèi)。

進一步地，本發(fā)明實施例提供的量子點膜中，用于負載量子點的基體材料的具體種類本發(fā)明實施例不作特殊限定，本領(lǐng)域常規(guī)的基體材料均可，例如可以為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、硅烷改性聚醚(MS)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)等透明性較好的材料?？梢詥为毷褂靡环N材料作為基體，也可以多種材料復配使用。

第二方面，基于本發(fā)明實施例第一方面提供的量子點膜，本發(fā)明實施例提供了一種背光模組，包括光源、導光板、量子點膜以及棱鏡片，量子點膜夾設(shè)于導光板和棱鏡片之間，其中，量子點膜為本發(fā)明實施例第一方面的量子點膜。

由于本發(fā)明實施例提供的量子點膜中采用了具有良好水氧阻隔性能的量子點，因此省去了量子點膜中水氧阻隔層的成本，使得量子點膜的成本大大降低，從而大大降低了背光模組的成本。同時，由于本發(fā)明實施例提供的量子點膜還具有較高的透光率、外量子效率以及熒光效率，因此，上述背光模組還具有良好的光學性能。

第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種液晶顯示設(shè)備，該液晶顯示設(shè)備中的背光模組為本發(fā)明實施例第二方面提供的背光模組。

由于本發(fā)明實施例提供的背光模組中的量子點膜不需要設(shè)置水氧阻隔層，從而顯著降低了本發(fā)明實施例提供的液晶顯示設(shè)備的成本，有利于高色域液晶顯示設(shè)備的推廣。并且由于本發(fā)明實施例提供的背光模組具有良好的光學性能，因此，應用該背光模組的液晶顯示設(shè)備具有良好的顯示效果。

本發(fā)明實施例中所述的液晶顯示設(shè)備具體可以為液晶電視、筆記本電腦屏幕、平板電腦、手機等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。特別是對于ULED(Ultra Light Emitting Diode)電視來說，應用本發(fā)明實施例提供的背光模組后，不僅具有較低的成本，還具有較高的色域。

下面通過具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細說明。

在以下實施例中，所用原料未注明生產(chǎn)廠商及規(guī)格者均為可以通過市購獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

實施例1

本實施例提供一種量子點膜，該量子點膜包括量子點層，量子點層包括基體以及分布在基體中的量子點。本實施例中，量子點為多殼層結(jié)構(gòu)，具體包括CdSe核、包覆在CdSe核上的ZnSe中間殼層以及包覆在ZnSe中間殼層上的ZnS殼層，即CdSe/ZnSe/ZnS量子點；基體為E51環(huán)氧樹脂。

本實施中的CdSe/ZnSe/ZnS量子點由以下方法制備得到：

步驟101，在氬氣保護下，將1mmol氧化鎘以及硬脂酸鈉加入三頸瓶中，加熱至130℃得到氧化鎘的硬脂酸鈉溶液；再向所得氧化鎘的硬脂酸鈉溶液中加入等摩爾量的TOPO和HAD，在攪拌下加熱至230℃后得到鎘的前驅(qū)體溶液。同時，將在氬氣保護下，將1mmol硒粉溶解于2mL TOP中，得到硒的前驅(qū)體溶液。

步驟102，將硒的前驅(qū)體溶液注入到鎘的前驅(qū)體溶液中，將所得溶液的溫度迅速降至180℃并保持10min，然后將所得溶液加入到氯仿中得到第一溶液。此時，第一溶液中除含有CdSe外，還含有游離的Cd²⁺和Se^2-。

步驟103，向第一溶液中逐滴加入4mL濃度為0.125mol/L的硬質(zhì)酸鋅的甲苯溶液，將所得體系在180℃下保持15min后，降溫至65℃并保持60min，再用甲醇沉化得到CdSe/ZnSe沉淀。

步驟104，將2g的HDA加入三頸瓶中，在氬氣體保護下、在120℃下加熱30min后再降溫至60℃得到除水的HDA。將CdSe/ZnSe沉淀分散于氯仿中，并將所得溶液加入到除水的HDA中，然后加熱到120℃保持30min以除去氯仿，再升溫至200℃后得到第二溶液。

步驟105，將0.1mmol的硬脂酸鋅和0.1mmol硫粉加入到ODE中，加熱使硬脂酸鋅和硫粉充分溶解后得到第三溶液。

步驟106，將第三溶液降溫至70℃后，以0.2ml/min的速度注入到第二溶液中，注入完成后，將所得溶升溫至230℃并保溫60min，然后降溫到60℃。反應結(jié)束后用甲醇沉化得到沉淀，將所得沉淀離心清洗三次后得到CdSe/ZnSe/ZnS量子點。

本實施例制備得到的CdSe/ZnSe/ZnS量子點的粒徑為2～10nm。

按照ISO15105-2的方法對本實施例的量子點膜的氧氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度23℃、相對濕度90％的條件下的氧氣透過率(OTR)在1×10^-3ml/(m²×day×Mpa)以下。

按照ISO151066-2的方法對本實施例的量子點膜的水蒸氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度40℃、相對濕度100％的條件下的水蒸氣透過率(WVTR)在5×10^-2g/(m²×day)以下。

將本實施例提供的量子點膜和光源、導光板、棱鏡片等部件組裝成背光模組，點亮背光后，測試背光的色度變化和亮度衰減情況。結(jié)果表明，本實施例中，背光色度變化在0.008以內(nèi)，亮度衰減在5％以內(nèi)。

從以上測試結(jié)果可以看出，本實施例提供的量子點膜具有良好的水氧阻隔性。因此，本實施例提供的量子點膜不需要設(shè)置水氧阻隔層，節(jié)約成本30％以上。

實施例2

本實施例提供一種量子點膜，該量子點膜包括量子點層，量子點層包括基體以及分布在基體中的量子點。本實施例中，量子點為多殼層結(jié)構(gòu)，具體包括CdSe核、包覆在CdSe核上的CdS/ZnSe中間殼層以及包覆在CdS/ZnSe中間殼層上的ZnS殼層，即CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點；基體為E51環(huán)氧樹脂。

本實施中的CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點由以下方法制備得到：

步驟201，制備鎘的前驅(qū)體溶液和硒的前驅(qū)體溶液，具體過程同實施例1的步驟101，在此不再贅述。

步驟202，制備含有CdSe的第一溶液，具體過程同實施例1的步驟102，在此不再贅述。

步驟203，蒸干第一溶液中的氯仿后，向所得溶液中加入硫粉的ODE溶液，將所得體系在120℃下保溫10min后降溫至55℃，再用乙醇沉化得到CdSe/CdS沉淀。

步驟204，將CdSe/CdS沉淀分散于氯仿中，然后向所得溶液中逐滴加入2～5ml濃度為0.125mol/L的硬脂酸鋅的甲醇溶液，然后在180℃下保溫10min后迅速降溫至65℃，在65℃下保溫60min后得到得到含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液。

步驟205，去除含有CdSe/CdS/ZnSe的溶液中的氯仿后得到第二溶液。

步驟206，將0.1mmol的硬脂酸鋅和0.1mmol硫粉加入到ODE中，加熱使硬脂酸鋅和硫粉充分溶解后得到第三溶液。

步驟207，將第三溶液注入到第二溶液中以形成ZnS殼層，得到CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點，具體過程同實施例1的步驟106，在此不再贅述。

本實施例制備得到的CdSe/CdS/ZnSe/ZnS量子點的粒徑為2～10nm。

按照ISO15105-2的方法對本實施例的量子點膜的氧氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度23℃、相對濕度90％的條件下的氧氣透過率(OTR)在0.8×10^-3ml/(m²×day×Mpa)以下。

按照ISO151066-2的方法對本實施例的量子點膜的水蒸氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度40℃、相對濕度100％的條件下的水蒸氣透過率(WVTR)在4.8×10^-2g/(m²×day)以下。

將本實施例提供的量子點膜和光源、導光板、棱鏡片等部件組裝成背光模組，點亮背光后，測試背光的色度變化和亮度衰減情況。結(jié)果表明，本實施例中，背光色度變化在0.006以內(nèi)，亮度衰減在4.5％以內(nèi)。

從以上測試結(jié)果可以看出，本實施例提供的量子點膜具有良好的水氧阻隔性。因此，本實施例提供的量子點膜不需要設(shè)置水氧阻隔層，節(jié)約成本30％以上。

實施例3

本實施例提供一種量子點膜，該量子點膜包括量子點層，量子點層包括基體以及分布在基體中的量子點。本實施例中的量子點為多殼層結(jié)構(gòu)，具體包括CdSe核、包覆在CdSe核上的CdS和ZnS復合的中間殼層以及包覆在CdS和ZnS復合的中間殼層上的ZnS殼層，即CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點。

本實施中的CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點由以下方法制備得到：

步驟301，制備鎘的前驅(qū)體溶液和硒的前驅(qū)體溶液，具體過程同實施例1的步驟101，在此不再贅述。

步驟302，制備含有CdSe的第一溶液，具體過程同實施例1的步驟102，在此不再贅述。

步驟303，將第一溶液加入到硬脂酸鋅和硫粉的ODE溶液中，所得溶液首先升溫至120℃并保溫10min，以形成CdS和ZnS復合的中間殼層，再繼續(xù)升溫至230℃并保溫60min，以形成ZnS殼層；反應結(jié)束后用甲醇沉化得到CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點。

本實施例制備得到的CdSe/CdS、ZnS/ZnS量子點的粒徑為2～10nm。

按照ISO15105-2的方法對本實施例的量子點膜的氧氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度23℃、相對濕度90％的條件下的氧氣透過率(OTR)在1×10^-3ml/(m²×day×Mpa)以下。

按照ISO151066-2的方法對本實施例的量子點膜的水蒸氣透過率進行測試，結(jié)果表明，本實施例的量子點膜的溫度40℃、相對濕度100％的條件下的水蒸氣透過率(WVTR)在5×10^-2g/(m²×day)以下。

將本實施例提供的量子點膜和光源、導光板、棱鏡片等部件組裝成背光模組，點亮背光后，測試背光的色度變化和亮度衰減情況。結(jié)果表明，本實施例中，背光色度變化在0.008以內(nèi)，亮度衰減在5％以內(nèi)。

從以上測試結(jié)果可以看出，本實施例提供的量子點膜具有良好的水氧阻隔性。因此，本實施例提供的量子點膜不需要設(shè)置水氧阻隔層，節(jié)約成本30％以上。

綜上，本發(fā)明實施例通過對量子點的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化改進，提高量子點的晶格匹配度和致密程度，提高量子點的水氧阻隔性能，使量子點不因接觸水蒸氣和氧氣而失效，從而得到了一種不需要設(shè)置水氧阻隔層的量子點膜，大大降低了量子點膜的成本，拓寬了量子點膜在液晶顯示設(shè)備中的應用。應用本發(fā)明實施例提供的量子點膜的液晶顯示設(shè)備，特別是ULED電視，在具有較高的色域的同時，還具有較低的成本，有利于高色域液晶顯示設(shè)備的發(fā)展。

以上所述僅是為了便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解本發(fā)明的技術(shù)方案，并不用以限制本發(fā)明。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。