本發(fā)明涉及量子點(diǎn)膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)固態(tài)膜及其制備方法與QLED器件。
背景技術(shù)：
量子點(diǎn)技術(shù)從發(fā)展至今，已經(jīng)有很多成熟的技術(shù)來(lái)制備各種量子點(diǎn)薄膜，具體有關(guān)量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備與修飾有很多手段，其處理的目的各有不同，有些是改變量子點(diǎn)固態(tài)膜與上下層界面之間的能級(jí)匹配，有些是改變量子點(diǎn)固態(tài)膜中量子點(diǎn)與量子點(diǎn)之間的電荷傳輸以及相互作用；實(shí)現(xiàn)這些目的得一個(gè)重要手段就是交聯(lián)技術(shù)。
然而針對(duì)現(xiàn)有量子點(diǎn)交聯(lián)技術(shù)，很多交聯(lián)方法都是用于量子點(diǎn)固態(tài)膜與量子點(diǎn)器件上下層之間的交聯(lián)，其屬于界面交聯(lián)，采用的交聯(lián)分子一般具有兩種不同官能團(tuán)的有機(jī)小分子，以有效的實(shí)現(xiàn)兩種不同物質(zhì)的連接。對(duì)于量子點(diǎn)固態(tài)膜的量子點(diǎn)與量子點(diǎn)之間的交聯(lián)是采用上述類(lèi)似的方法，利用帶有兩個(gè)相同官能團(tuán)的有機(jī)小分子進(jìn)行交聯(lián)，然而這種交聯(lián)方式得到的量子點(diǎn)固態(tài)膜不能去除量子點(diǎn)表面原有的有機(jī)配體，從而影響量子點(diǎn)膜的電荷傳導(dǎo)以及后續(xù)的器件性能，且這種量子點(diǎn)之間的交聯(lián)對(duì)量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)也有影響。
因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)固態(tài)膜及其制備方法與QLED器件，旨在解決現(xiàn)有交聯(lián)方法到的量子點(diǎn)固態(tài)膜不能去除量子點(diǎn)表面原有的有機(jī)配體，從而影響量子點(diǎn)膜的電荷傳導(dǎo)以及后續(xù)的器件性能，且對(duì)量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)也有影響的問(wèn)題。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
一種量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，包括：
步驟A、首先將含有配體的量子點(diǎn)制成量子點(diǎn)固態(tài)膜；
步驟B、然后將量子點(diǎn)固態(tài)膜置于無(wú)機(jī)鹽溶液中1s~10min后取出；
步驟C、隨后用與無(wú)機(jī)鹽溶液相同的溶劑清洗量子點(diǎn)固態(tài)膜，得到不含配體的量子點(diǎn)固態(tài)膜。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述步驟B中，所述無(wú)機(jī)鹽溶液是無(wú)機(jī)鹽溶解在溶劑中配制而成的，所述無(wú)機(jī)鹽為硫化胺、硒化胺、硫化鈉、硫化鎂、硫化銅、硫化鐵中的一種。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述溶劑為去離子水、甲醇、乙醇中的一種。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述量子點(diǎn)為油溶性量子點(diǎn)。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述油溶性量子點(diǎn)包含量子點(diǎn)和量子點(diǎn)表面的油溶性配體，所述量子點(diǎn)為二元相量子點(diǎn)、三元相量子點(diǎn)、四元相量子點(diǎn)中的一種，所述油溶性配體為油酸、油胺、三辛基磷、三辛基氧磷中的一種。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述二元相量子點(diǎn)為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一種。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述三元相量子點(diǎn)為ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X中的一種。
所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法，其中，所述四元相量子點(diǎn)為ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS中的一種。
一種量子點(diǎn)固態(tài)膜，其中，所述量子點(diǎn)固態(tài)膜采用如上任一所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法制備而成。
一種QLED器件，其中，所述QLED器件的量子點(diǎn)發(fā)光層包括如上所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜。
有益效果：本發(fā)明利用無(wú)機(jī)鹽對(duì)量子點(diǎn)固態(tài)膜進(jìn)行交聯(lián)，不僅能有效去除量子點(diǎn)表面的原有有機(jī)配體，而且不影響量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一種量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)固態(tài)膜及其制備方法與QLED器件，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
圖1為本發(fā)明的一種量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其中，包括：
步驟S100、首先將含有配體的量子點(diǎn)制成量子點(diǎn)固態(tài)膜；
上述步驟S100具體為，將含有配體的量子點(diǎn)溶解在有機(jī)溶劑中，得到量子點(diǎn)溶液。然后將量子點(diǎn)溶液通過(guò)溶液法制成量子點(diǎn)固態(tài)膜，例如通過(guò)旋涂法甩膜形成一定厚度的量子點(diǎn)固態(tài)膜。
具體地，本發(fā)明所述量子點(diǎn)為油溶性量子點(diǎn)，所述油溶性量子點(diǎn)包含量子點(diǎn)和量子點(diǎn)表面的油溶性配體，所述量子點(diǎn)可以為二元相量子點(diǎn)、三元相量子點(diǎn)、四元相量子點(diǎn)中的一種。例如，所述二元相量子點(diǎn)可以為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等中的一種，所述三元相量子點(diǎn)可以為ZnXCd1-XS、CuXIn1-XS、ZnXCd1-XSe、ZnXSe1-XS、ZnXCd1-XTe、PbSeXS1-X等中的一種，所述四元相量子點(diǎn)可以為ZnXCd1-XS/ZnSe、CuXIn1-XS/ZnS、ZnXCd1-XSe/ZnS、CuInSeS、ZnXCd1-XTe/ZnS、PbSeXS1-X/ZnS等中的一種。所述油溶性配體可以為油酸（OA）、油胺（OAm）、三辛基磷（TOP）、三辛基氧磷（TOPO）等中的一種。
步驟S200、然后將量子點(diǎn)固態(tài)膜置于無(wú)機(jī)鹽溶液中1s~10min后取出；
上述步驟S200具體為，將量子點(diǎn)固態(tài)膜浸泡在無(wú)機(jī)鹽溶液中數(shù)分鐘，例如浸泡1s~10min后取出。本發(fā)明所述無(wú)機(jī)鹽溶液是無(wú)機(jī)鹽溶解在溶劑中配制而成的，所述無(wú)機(jī)鹽可以為硫化胺{（NH4）2S}、硒化胺{（NH4）2Se}、硫化鈉（Na2S）、硫化鎂(MgS)、硫化銅(CuS)、硫化鐵（Fe2S3）等中的一種，所述溶劑可以為去離子水（H2O）、甲醇（Methanol）、乙醇（Ethanol）等中的一種。優(yōu)選的無(wú)機(jī)鹽溶液為硫化胺水溶液。
步驟S300、隨后用與無(wú)機(jī)鹽溶液相同的溶劑清洗量子點(diǎn)固態(tài)膜，得到不含配體的量子點(diǎn)固態(tài)膜。
上述步驟S300具體為，隨后用與無(wú)機(jī)鹽溶液相同的溶劑清洗量子點(diǎn)固態(tài)膜，例如無(wú)機(jī)鹽溶液為硫化胺水溶液時(shí)，利用去離子水對(duì)量子點(diǎn)固態(tài)膜進(jìn)行甩膜清洗，清除量子點(diǎn)表面被除掉的有機(jī)鹽類(lèi)分子，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)配體量子點(diǎn)固態(tài)膜之間的交聯(lián)。
利用本發(fā)明方法對(duì)量子點(diǎn)固態(tài)膜進(jìn)行交聯(lián)，不僅能有效去除量子點(diǎn)表面的原有有機(jī)配體，而且能有效的使量子點(diǎn)表面的金屬（如：Cd）與非金屬（如:S）通過(guò)化學(xué)鍵的形式組裝在一起，實(shí)現(xiàn)固態(tài)膜中量子點(diǎn)之間的交聯(lián)。本發(fā)明交聯(lián)方法實(shí)現(xiàn)了無(wú)配體量子點(diǎn)固態(tài)膜之間的交聯(lián)，而且不影響量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)。
本發(fā)明還提供一種量子點(diǎn)固態(tài)膜，其中，所述量子點(diǎn)固態(tài)膜采用如上任一所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備方法制備而成。本發(fā)明利用無(wú)機(jī)鹽對(duì)量子點(diǎn)固態(tài)膜進(jìn)行交聯(lián)，不僅能有效去除量子點(diǎn)表面的原有有機(jī)配體，實(shí)現(xiàn)無(wú)配體量子點(diǎn)固態(tài)膜之間的交聯(lián)，而且不影響量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)。
本發(fā)明還提供一種QLED器件（量子點(diǎn)發(fā)光二極管），其中，所述QLED器件的量子點(diǎn)發(fā)光層包括如上所述的量子點(diǎn)固態(tài)膜。本發(fā)明制備的量子點(diǎn)固態(tài)膜更有利于QLED器件中電子與空穴的復(fù)合發(fā)光，從而進(jìn)一步提高QLED器件的發(fā)光效率。
下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
1、油溶性紅色量子點(diǎn)CdSe/ZnS的制備:
1）、油酸鎘{Cd(OA)2}與油酸鋅{Zn(OA) 2}前軀體的制備：
取0.8mmol的氧化鎘（CdO）、6mmol的醋酸鋅{Zn(Ac)2}、8ml的油酸（OA）、15ml的十八烯（ODE）加入到三口燒瓶中，先常溫排氣10min后，加熱到170℃排氣60min，然后維持在170℃。
2）、硒（Se）前軀體的制備：
稱(chēng)取4mmol的Se粉加入到4ml的三辛基氧磷（TOP）中，加熱到170℃維持30min，然后降溫到140℃。
3）、硫（S）前軀體的制備：
稱(chēng)取4mmol的S粉加入到6ml的三辛基氧磷（TOP）中，加熱到170℃維持30min，然后降溫到140℃。
4）、將1）中燒瓶?jī)?nèi)的混合液溫度升高到300℃后，取2ml的硒（Se）前軀體快速注入到燒瓶?jī)?nèi)反應(yīng)10min，然后再次在3）中抽取2ml的硫（S）前軀體注入到反應(yīng)混合液中反應(yīng)30min，待混合液溫度冷卻至室溫后，通過(guò)離心分離、清洗、并做干燥處理，得到油溶性紅色量子點(diǎn)CdSe/ZnS，其表面的配體是油酸（OA）。
2、紅色量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備：
1）、一定濃度的量子點(diǎn)溶液的制備：
稱(chēng)取上述90mg油溶性紅色量子點(diǎn)CdSe/ZnS 溶解在6ml的甲苯溶液中，得到15mg/ml的紅色量子點(diǎn)溶液。
2）、紅色量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備：
取一片干凈的玻璃片放置在旋涂機(jī)上，然后再利用移液槍抽取100微升的上述1）中量子點(diǎn)溶液，采用1000rpm /30s的轉(zhuǎn)速旋涂在干凈的玻璃片上，得到紅色量子點(diǎn)固態(tài)膜。
3）、無(wú)配體交聯(lián)的紅色量子點(diǎn)固態(tài)膜的制備如下：
硫化銨水溶液的制備：
稱(chēng)取100mg的硫化銨{（NH4）2S }，常溫溶解在5ml的去離子水中，備用。
將上述2）中紅色量子點(diǎn)固態(tài)膜浸泡在硫化銨水溶液中，1min后取出量子點(diǎn)固態(tài)膜，再將量子點(diǎn)固態(tài)膜浸泡在去離子水中30s后，取出量子點(diǎn)固態(tài)膜，同樣的步驟重復(fù)兩次；最終得到量子點(diǎn)表面無(wú)配體的量子點(diǎn)固態(tài)膜，量子點(diǎn)與量子點(diǎn)之間的交聯(lián)是依靠硫原子(S)與量子點(diǎn)表面的金屬原子鋅（Zn）以離子鍵的形式結(jié)合組裝在一起的。
綜上所述，本發(fā)明提供的一種量子點(diǎn)固態(tài)膜及其制備方法與QLED器件。本發(fā)明利用無(wú)機(jī)鹽對(duì)量子點(diǎn)固態(tài)膜進(jìn)行交聯(lián)，不僅能有效去除量子點(diǎn)表面的原有有機(jī)配體，而且能有效的使量子點(diǎn)表面的金屬（如：Cd）與非金屬（如:S）通過(guò)化學(xué)鍵的形式組裝在一起，實(shí)現(xiàn)固態(tài)膜中量子點(diǎn)之間的交聯(lián)。本發(fā)明交聯(lián)方法實(shí)現(xiàn)了無(wú)配體量子點(diǎn)固態(tài)膜之間的交聯(lián)，而且不影響量子點(diǎn)的量子限域效應(yīng)。另外，本發(fā)明方法操作簡(jiǎn)單，易于重復(fù)，實(shí)現(xiàn)成本較低。
應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。