技術(shù)特征：

1.一種三價鈰離子的閃爍體材料，其特征在于，所述閃爍體材料的化學組成表示式為：Sr_3-2xCe_xM_xMgSi₂O₈；

其中，Ce³⁺為激活離子，M⁺為電荷補償離子，x為Ce³⁺相對堿土金屬離子Sr²⁺所占的摩爾百分比系數(shù)，x的選取范圍為0.001≤x≤0.10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃爍體材料，其特征在于，所述電荷補償離子為堿金屬離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃爍體材料，其特征在于，所述x的選取范圍為0.005≤x≤0.07。

4.權(quán)利要求1所述的閃爍體材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

按照所述閃爍體材料的化學組成表示式的化學計量比稱取原料，研磨、混合均勻，將所述混合后的原料置于還原性氣體的氣氛中焙燒，然后冷卻，研磨，即得到所述閃爍體材料；所述焙燒的條件為：焙燒溫度為650～1200 ℃，焙燒時間為4～12小時；

所述原料包括含鈰化合物、含鍶化合物、含鎂化合物、電荷補償劑、二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述含鈰化合物為鈰氧化物、鈰草酸鹽、鈰碳酸鹽、鈰硝酸鹽中的一種或多種的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述含鍶化合物為碳酸鍶、硝酸鍶、氟化鍶中的一種或多種的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述含鎂化合物為氧化鎂或堿式碳酸鎂。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述原料還包括助熔劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述助熔劑為氯化銨或硼酸。

10. Sr_3-2xCe_xM_xMgSi₂O₈在作為X射線探測用閃爍體材料中的應用，其特征在于，Ce³⁺為激活離子，M⁺為電荷補償離子，x為Ce³⁺相對堿土金屬離子Sr²⁺占的摩爾百分比系數(shù)，x的選取范圍為0.001≤x≤0.10。