相關(guān)申請的交叉引用本申請要求在2015年4月29日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0060690號的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過全文引用并入本文。本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物、用于半導(dǎo)體的粘合膜和切割管芯粘結(jié)膜，并且更特別地，涉及具有低粘度并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物、用于半導(dǎo)體的粘合膜和切割管芯粘結(jié)膜。
背景技術(shù)：
：：近來，隨著電子裝置日益趨向小型化、高性能和大容量，對高密度且高度集成的半導(dǎo)體封裝的需求快速增加，因此半導(dǎo)體芯片的尺寸正在逐漸變大，并且為了提高集成度，越來越多地使用多級堆疊芯片的堆疊封裝方法。在這種多級堆疊結(jié)構(gòu)中，為了固定其中設(shè)置有電連接下部芯片與基板的下部接合線的空間，在下部芯片與上部芯片之間的界面處引入間隔件。在引入這種用于固定空間的間隔件的情況下，封裝的總厚度變厚并且增加了附接間隔件的單獨(dú)過程。為了克服該問題，近來使用在高溫下具有低粘度的粘合劑代替間隔件來填充例如來自導(dǎo)線等的不平坦的方法。然而，存在這樣的限制：具有低粘度的粘合劑可能無法確保高彈性并且具有高斷裂伸長率。此外，如果粘合劑自身的彈性減小，則由于切割晶片時(shí)產(chǎn)生的熱，粘合劑可軟化以致部分產(chǎn)生毛刺，并因此其可污染晶片，或者可通過與下部支撐膜的粘合劑混合來使用，從而降低后續(xù)的拾取效率。此外，近來，由于半導(dǎo)體芯片變得更薄，所以存在在現(xiàn)有的刀片切割工藝中芯片受損從而降低產(chǎn)率的問題，為了克服這一問題，提出了首先用刀片切割半導(dǎo)體芯片然后拋光的制備工藝。粘合劑應(yīng)該能夠在低溫下通過擴(kuò)展工藝切割以應(yīng)用于這樣的制備工藝。然而，具有低延展性的粘合劑在室溫下不易切割，并且在切割之后將其在室溫下靜置時(shí)，由于低延展性而發(fā)生再粘合，從而降低了半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)問題本發(fā)明的一個(gè)目的是提供用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物，其具有低粘度，并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供用于半導(dǎo)體的粘合膜，其具有低粘度，并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度。本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供切割管芯粘結(jié)膜，其具有低粘度，并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度，并因此可防止毛刺產(chǎn)生并實(shí)現(xiàn)高拾取效率。本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供使用切割管芯粘結(jié)膜切割半導(dǎo)體晶片的方法。技術(shù)解決方案本文中提供了用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物，其包含：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂；含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑；固體環(huán)氧樹脂；和液體環(huán)氧樹脂，其中固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比為1.6至2.6。在用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中，固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.7至2.5。在用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或0.300至0.600。液體環(huán)氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。液體環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量重量可為100至1,000。酚樹脂的羥基當(dāng)量重量可為80g/eq至400g/eq并且軟化點(diǎn)可為70℃至160℃。酚樹脂的羥基當(dāng)量重量可為100g/eq至178g/eq。酚樹脂的軟化點(diǎn)可為高于100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。液體環(huán)氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。固體環(huán)氧樹脂可包括選自以下的一種或更多種樹脂：聯(lián)苯類環(huán)氧樹脂、雙酚A環(huán)氧樹脂、雙酚F環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂、四官能環(huán)氧樹脂、三酚甲烷型環(huán)氧樹脂、經(jīng)烷基改性的三酚甲烷型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂和經(jīng)二環(huán)戊二烯改性的酚型環(huán)氧樹脂。固體環(huán)氧樹脂的平均環(huán)氧重量當(dāng)量可為100至1,000。固體環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可為50℃至120℃。熱塑性樹脂可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酯酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應(yīng)性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、和(甲基)丙烯酸酯類樹脂。(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環(huán)氧類官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯類重復(fù)單元并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。(甲基)丙烯酸酯類樹脂可包含0.1wt％至10wt％的含有環(huán)氧類官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯類重復(fù)單元。固化劑還可包括選自胺類固化劑和酸酐類固化劑的一種或更多種化合物。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含離子清除劑，所述離子清除劑包括含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物；多孔硅酸鹽；多孔鋁硅酸鹽；或沸石。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含選自磷化合物、磷-硼化合物和咪唑類化合物的一種或更多種固化催化劑。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含選自偶聯(lián)劑和無機(jī)填料的一種或更多種添加劑。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含10wt％至90wt％的有機(jī)溶劑。此外，本文中提供了用于半導(dǎo)體的粘合膜，其包含上述的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物。粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。用于半導(dǎo)體的粘合膜可包含：連續(xù)相基體，包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環(huán)氧樹脂；以及分散在所述連續(xù)相基體中的固體環(huán)氧樹脂。固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4或1.8至2.3。在連續(xù)相基體中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、或0.300至0.600。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜可以是管芯粘結(jié)膜。因此，用于半導(dǎo)體的粘合膜可包含：粘合劑層，其包含連續(xù)相基體，所述連續(xù)相基體包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環(huán)氧樹脂；和分散在所述連續(xù)相基體中的固體環(huán)氧樹脂；以及形成在所述粘合劑層的一側(cè)上的離型膜。用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可為50MPa或更高。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜的在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度可為1,000Pa·s至4,000Pa·s。管芯粘結(jié)膜還可包含分散在連續(xù)相基體中的無機(jī)填料。本文中還提供了切割管芯粘結(jié)膜，其包含基底層；形成在所述基底膜上的粘性層；和形成在所述粘性層上的粘合劑層，所述粘合劑層包含用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物。粘合劑層在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可為50MPa或更高。此外，粘合劑層在室溫下的伸長率可為500％或更低。基底膜的厚度為10μm至200μm，粘性層的厚度為1μm至600μm、3μm至500μm或5μm至300μm，并且粘合膜的厚度為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。本文中還提供了用于切割半導(dǎo)體晶片的方法，包括以下步驟：對包含切割管芯粘結(jié)膜的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行部分預(yù)處理；將晶片層壓在切割管芯粘結(jié)膜的至少一側(cè)上以使得被完全切割或可切割；以及將UV照射至經(jīng)預(yù)處理的半導(dǎo)體晶片的基底膜，并且拾取通過切割半導(dǎo)體所分離的單獨(dú)芯片。有益效果根據(jù)本發(fā)明，提供了具有低粘度并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物和用于半導(dǎo)體的粘合膜；具有低粘度并且還具有高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度，并且可防止毛刺產(chǎn)生并實(shí)現(xiàn)高拾取效率的切割管芯粘結(jié)膜；以及使用所述切割管芯粘結(jié)膜切割半導(dǎo)體晶片的方法。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物和用于半導(dǎo)體的粘合膜具有低粘度并且還具有高斷裂強(qiáng)度和低斷裂伸長率，并因此可以應(yīng)用于非接觸型粘合劑切割，例如DBG(研磨前切割)以及使用刀片的晶片切割，并且即使在低溫下也具有優(yōu)異的可切割性，并且因此即使將其在室溫下靜置，再粘合的可能性也變低，從而提高了半導(dǎo)體制造工藝中的可靠性和效率。此外，用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物或者由其制備的粘合劑或粘合膜可以確保提高的彈性和高機(jī)械特性，從而防止包含其的切割管芯粘結(jié)膜和使用所述切割管芯粘結(jié)膜切割半導(dǎo)體晶片的方法中的毛刺產(chǎn)生，進(jìn)而提高切割工藝中的拾取效率，并且確保低溫和高溫下的高可切割性。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物、管芯粘結(jié)膜、切割管芯粘結(jié)膜和用于切割半導(dǎo)體晶片的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，提供了用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物，其包含：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂；含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑；固體環(huán)氧樹脂；和液體環(huán)氧樹脂，其中固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比為1.6至2.6。本發(fā)明人對可以用于半導(dǎo)體裝置粘合或封裝的組分進(jìn)行了研究，通過實(shí)驗(yàn)確定：使用上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合劑或粘合膜可應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的多級堆疊結(jié)構(gòu)封裝，以實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的機(jī)械特性(例如，耐熱性、抗沖擊性等)并防止回流裂紋等，并且特別地，即使長時(shí)間暴露于在半導(dǎo)體制造工藝中施加的高溫條件，也基本上不會產(chǎn)生空隙，并且完成了本發(fā)明。通過實(shí)驗(yàn)還確定，由上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜具有低粘度并且還具有高斷裂強(qiáng)度和低斷裂伸長率，并因此可以應(yīng)用于非接觸型粘合劑切割，例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割，并且即使在低溫下也具有優(yōu)異的可切割性，并且因此即使將其在室溫下靜置，再粘合的可能性也變低，從而提高了半導(dǎo)體制造方法的可靠性和效率，并且完成了本發(fā)明。在用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中，固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、1.7至2.5、1.75至2.4、或1.8至2.3。由于用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物包含上述范圍的相對于熱塑性樹脂的固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂，所以由用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜可在高溫下具有低粘度，并且還可實(shí)現(xiàn)高彈性、優(yōu)異的機(jī)械特性和高粘合強(qiáng)度。如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比低于上述范圍，則由用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜可在高溫下表現(xiàn)出高粘度，或這表現(xiàn)出低斷裂強(qiáng)度和高斷裂伸長率，并且還可能減小高溫剪切力，因此不能充分確?？汕懈钚?。此外，如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大于2.6，則由用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可變得顯著較高，或者粘合膜在室溫下的伸長率可顯著降低，從而極大地抑制可加工性。此外，如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大于2.6，則在使用由其制備的粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，固化過程中的粘度增加速率可顯著增加，并因此可能難以除去所述膜內(nèi)的空隙，這可能妨礙半導(dǎo)體封裝的可靠性。同時(shí)，環(huán)氧樹脂可與玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂和含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質(zhì))，并且其使得用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物或由其制備的粘合劑或粘合膜具有低粘度，并且還具有高斷裂強(qiáng)度和低斷裂伸長率。酚樹脂可與液體環(huán)氧樹脂和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質(zhì))，其中所述酚樹脂優(yōu)選地以高于一定水平的含量包含在所述粘合劑組分的基體中。特別地，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、0.300或更大、或者0.300至0.600。如果在用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比小于0.280，則不能向用于半導(dǎo)體的粘合膜提供足夠的固化程度，從而降低耐熱性，由所述用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可顯著降低，并且所述粘合膜在室溫下的伸長率可顯著增加。此外，在使用所述粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，通過切割工藝可過度產(chǎn)生毛刺，并且高溫剪切力也可能減小，并因此不能充分確?？汕懈钚?。液體環(huán)氧樹脂可與玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂和含有酚樹脂的固化劑一起形成粘合劑組分的基體(或基質(zhì))，并使粘合膜具有相對低的粘度，并且還具有優(yōu)異的粘合強(qiáng)度和對于半導(dǎo)體最佳化的流動特性，并因此可有利于初始階段固化中的界面處和芯片連接過程中的空隙去除。液體環(huán)氧樹脂的具體種類和性質(zhì)沒有顯著限制，但是例如，液體環(huán)氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。此外，液體環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量重量可為100至1,000。在上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中，液體環(huán)氧樹脂相對酚樹脂的重量比可為0.5至1.5。如果液體環(huán)氧樹脂相對酚樹脂的重量比太高，則用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物或者由其制備的粘合劑或粘合膜的斷裂強(qiáng)度可顯著增加，在室溫下的拉伸模量可降低，并且在低溫切割過程中的可切割性或效率可能降低。此外，如果液體環(huán)氧樹脂相對酚樹脂的重量比太低，則在室溫下在伸長下產(chǎn)生的模量可能變得太高，或者在室溫下的伸長率可能顯著降低，從而顯著降低最終產(chǎn)品的產(chǎn)率，并且用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物或者由其制備的粘合劑或粘合膜不能與晶片充分粘合，從而在制造過程中產(chǎn)生晶片與粘合膜之間的剝離。液體環(huán)氧樹脂的具體種類和性質(zhì)沒有顯著限制，但是例如，液體環(huán)氧樹脂在25℃下的粘度可為500mPa·s至20,000mPa·s。此外，液體環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量重量可為100至1,000。同時(shí)，包含在用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中的固化劑可包含軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂。所述酚樹脂的軟化點(diǎn)可為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃、高于100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃。上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物可包含軟化點(diǎn)相對高的酚樹脂，并且軟化點(diǎn)為70℃或更高、80℃或更高、70℃至160℃或高于100℃且160℃或更低、或者105℃至150℃的酚樹脂可與液體環(huán)氧樹脂和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂一起形成粘合劑組分的基體(或基質(zhì))，并且向由上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜提供在室溫下較高的拉伸模量和優(yōu)異的粘合強(qiáng)度，以及對于半導(dǎo)體最佳化的流動特性。反之，如果酚樹脂的軟化點(diǎn)低于上述范圍，則由上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜在室溫下的拉伸模量可降低，或者室溫下的伸長率可顯著增加，并且所述粘合膜的熔體粘度或模量可降低，并因此可由在切割過程中產(chǎn)生的熱產(chǎn)生更多毛刺，或者可切割性或拾取效率可降低。此外，如果接合粘合膜的過程或粘合膜長時(shí)間暴露于高溫條件，則可能發(fā)生大量滲出。此外，酚樹脂的羥基當(dāng)量重量可為80g/eq至400g/eq、90g/eq至250g/eq、100g/eq至178g/eq、或210至240g/eq。由于酚樹脂具有上述的羥基當(dāng)量重量范圍，所以固化程度即使在短固化時(shí)間下也可增加，從而向由上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜提供在室溫下更高的拉伸模量和優(yōu)異的粘合強(qiáng)度。為了控制用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的固化程度或提高粘合性能等，粘合劑組合物可包含固體環(huán)氧樹脂。固體環(huán)氧樹脂的具體實(shí)例可包括選自以下的一種或更多種聚合物樹脂：聯(lián)苯類環(huán)氧樹脂、雙酚A環(huán)氧樹脂、雙酚F環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂、四官能環(huán)氧樹脂、三酚甲烷型環(huán)氧樹脂、經(jīng)烷基改性的三酚甲烷型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、二環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂和經(jīng)二環(huán)戊二烯改性的酚型環(huán)氧樹脂。固體環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可為50℃至120℃。如果固體環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)太低，則用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的粘合強(qiáng)度可增加，從而減少切割后芯片的拾?。欢绻腆w環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)太高，則用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的流動性可降低，并且由所述用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物制備的粘合膜的粘合強(qiáng)度可降低。固體環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量重量可為100至1,000。如上所述，用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物可包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的實(shí)例沒有特別限制，但是例如可包括：聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酯酰亞胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基樹脂、反應(yīng)性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、(甲基)丙烯酸酯類樹脂、其中兩種或更多種的混合物、或者其中兩種或更多種的共聚物。特別地，(甲基)丙烯酸酯類樹脂可為包含含有環(huán)氧類官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯類重復(fù)單元并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。通過使用包含含有環(huán)氧類官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯類重復(fù)單元并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，該實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合膜可用于半導(dǎo)體的粘合或包含在半導(dǎo)體中的組分的粘合，或者用于半導(dǎo)體封裝，并且在用于超薄晶片的多級堆疊的情況下，可以提供在半導(dǎo)體制造后可確保高抗沖擊性并改善電特性的用于半導(dǎo)體的粘合膜或用于半導(dǎo)體封裝的粘合膜。環(huán)氧類官能團(tuán)可在構(gòu)成(甲基)丙烯酸酯類樹脂主鏈的重復(fù)單元處被取代一次或更多次。環(huán)氧類官能團(tuán)可包含環(huán)氧基或縮水甘油基。包含含量為0.1wt％至10wt％的含有環(huán)氧類官能團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯類重復(fù)單元的(甲基)丙烯酸酯類樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度可為-10℃至20℃或-5℃至15℃。通過使用具有上述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物可具有足夠的流動性并且最終制備的粘合膜可確保高粘合強(qiáng)度，并且易于制備薄膜等形式的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物?；?00重量份的酚樹脂，上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物可包含10重量份至1,000重量份的熱塑性樹脂和10重量份至1,000重量份的固體環(huán)氧樹脂。如果熱塑性樹脂的含量太低，則樹脂組合物在固化之后的模量可快速增加，并因此難以預(yù)期基板與晶片之間的應(yīng)力松弛效應(yīng)。此外，如果熱塑性樹脂的含量太高，則在B階段的組合物的粘度可增加，并因此在管芯連接工藝中與基板的粘合力可降低，并且在固化工藝期間的空隙去除可變得困難，從而降低所述工藝和最終產(chǎn)品的可靠性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太低，則難以確保足夠的耐熱性。如果含有酚樹脂的固化劑的含量太高，則即使固化完全，未反應(yīng)的酚基仍可存在，從而增加吸濕性，并因此在半導(dǎo)體封裝過程中水分吸收后的回流過程中，可引起基板和粘合劑之間的分層。固化劑還可包含選自胺類固化劑和酸酐類固化劑的一種或更多種化合物?？紤]到最終所制備的粘合膜的特性等，可適當(dāng)選擇所使用的固化劑的量，并且例如，基于100重量份的環(huán)氧樹脂，其可以以10重量份至700重量份或30重量份至300重量份的量使用。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含固化催化劑。固化催化劑的功能是促進(jìn)固化劑的作用或者促進(jìn)用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的固化，并且可沒有顯著限制地使用已知用于制造用于半導(dǎo)體等的粘合膜的任何固化催化劑。例如，作為固化催化劑，可使用選自以下的一種或更多種：磷化合物、硼化合物、磷-硼化合物和咪唑類化合物?？紤]到粘合膜的特性等，可適當(dāng)選擇所使用的固化催化劑的量，并且例如，基于100重量份的液體環(huán)氧樹脂和固體環(huán)氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯類樹脂和酚樹脂，固化催化劑可以以0.5重量份至10重量份的量使用。用于半導(dǎo)體的粘合膜還可包含離子清除劑，所述離子清除劑包括含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物；多孔硅酸鹽；多孔鋁硅酸鹽；或沸石。含有選自鋯、銻、鉍、鎂和鋁的一種或更多種金屬的金屬氧化物的實(shí)例可包括氧化鋯、氧化銻、氧化鉍、氧化鎂、氧化鋁、基于銻鉍的氧化物、基于鋯鉍的氧化物、基于鋯鎂的氧化物、基于鎂鋁的氧化物、基于銻鎂的氧化物、基于銻鋁的氧化物、基于銻鋯的氧化物、基于鋯鋁的氧化物、基于鉍鎂的氧化物、基于鉍鋁的氧化物、或者其中兩者或更多者的混合物。離子清除劑可用于吸附存在于用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物或由其制備的粘合膜內(nèi)的金屬離子或鹵素離子等，并因此可改善與粘合膜接觸的導(dǎo)線的電可靠性。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物中的離子清除劑的含量沒有顯著限制，但時(shí)考慮到與過渡金屬離子的反應(yīng)性、可加工性和由樹脂組合物制造的粘合膜的特性，基于用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的總固體重量，離子清除劑可以以0.01wt％至20wt％，優(yōu)選0.01wt％至10wt％的含量包含在內(nèi)。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物還可包含0.1wt％至50wt％或0.1wt％至10wt％的有機(jī)溶劑。有機(jī)溶劑的含量可根據(jù)用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的特性或最終制備的粘合膜的特性或其制備工藝來確定。用于半導(dǎo)體的粘合膜還可包含選自偶聯(lián)劑和無機(jī)填料的一種或更多種添加劑。偶聯(lián)劑和無機(jī)填料的實(shí)例沒有特別限制，并且可沒有顯著限制地使用已知可在用于半導(dǎo)體封裝的粘合劑中使用的組分。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，提供了用于半導(dǎo)體的粘合膜，其包含上述的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物。粘合膜的厚度可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。用于半導(dǎo)體的粘合膜可應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片的多級堆疊結(jié)構(gòu)的封裝，以實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的機(jī)械特性(例如，耐熱性、抗沖擊性等)并防止回流裂紋等，并且特別地，即使長時(shí)間暴露于在半導(dǎo)體制造過程中施加的高溫條件，也基本上不會產(chǎn)生空隙。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜具有高斷裂強(qiáng)度和低斷裂伸長率，并因此可應(yīng)用于非接觸型粘合劑切割，例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割，并且即使在低溫下也具有優(yōu)異的可切割性，并因此即使將其在室溫下靜置，再粘合的可能性也變低，從而提高了半導(dǎo)體制造方法的可靠性和效率。用于半導(dǎo)體的粘合膜可包含：連續(xù)相基體，其包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環(huán)氧樹脂；以及分散在所述連續(xù)相基體中的固體環(huán)氧樹脂。固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比可為1.6至2.6、或1.7至2.5、1.75至2.4或1.8至2.3。在用于半導(dǎo)體的粘合膜中，如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比低于上述范圍，則其可在高溫下表現(xiàn)出高粘度，或者表現(xiàn)出低斷裂強(qiáng)度和高斷裂伸長率，并且高溫剪切力也可減小，并因此不能充分確?？汕懈钚浴４送?，在用于半導(dǎo)體的粘合膜中，如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量與熱塑性樹脂的重量比大于2.6，則所述粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可變得顯著較高，或者所述粘合膜在室溫下的伸長率可顯著降低，從而極大地抑制可加工性。此外，如果固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量與熱塑性樹脂的重量比大于2.6，則在使用用于半導(dǎo)體的粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，固化過程中的粘度增加速率可顯著增加，并因此可能難以除去所述膜內(nèi)的空隙，這可能妨礙半導(dǎo)體封裝的可靠性。在包含在用于半導(dǎo)體的粘合膜中的連續(xù)相基體中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比可為0.280或更大、0.300或更大、或者0.300至0.600。如果在用于半導(dǎo)體的粘合膜中，酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比小于0.280，則粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可顯著降低，而粘合膜在室溫下的伸長率可顯著增加。此外，在使用所述粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，通過切割方法可過度產(chǎn)生毛刺，并且高溫剪切力也可能減小，并因此不能充分確?？汕懈钚浴Ｓ糜诎雽?dǎo)體的粘合膜可以是管芯粘結(jié)膜。因此，用于半導(dǎo)體的粘合膜可包含：粘合劑層，其包含連續(xù)相基體，所述連續(xù)相基體包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為-10℃至20℃的熱塑性樹脂、含有軟化點(diǎn)為70℃或更高的酚樹脂的固化劑、和液體環(huán)氧樹脂；和分散在所述連續(xù)相基體中的固體環(huán)氧樹脂；以及在所述粘合劑層的一側(cè)上形成的離型膜。用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可為50MPa或更高。由于用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量為50MPa或更高或者50MPa至300MPa，因此上述實(shí)施方案的粘合膜可以容易地應(yīng)用于非接觸型粘合劑切割，例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法，并因此即使在低溫下也具有優(yōu)異的可切割性。如果用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量低于50MPa，則即使在低溫下進(jìn)行擴(kuò)展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發(fā)生再粘合；并且由于在切割粘合膜所接合的晶片時(shí)產(chǎn)生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產(chǎn)生毛刺，從而污染半導(dǎo)體芯片的電路側(cè)。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低、50％至500％、或者100％至400％。由于用于半導(dǎo)體的粘合膜具有相對高的彈性，并且還表現(xiàn)出低伸長率和低斷裂伸長率，因此其即使在低溫下也可具有優(yōu)異的可切割性，并且即使在施用非接觸型切割方法例如DBG(研磨前切割)和使用刀片的晶片切割方法時(shí)也可確保優(yōu)異的可切割性。同時(shí)，如果用于半導(dǎo)體的粘合膜表現(xiàn)出高于500％的伸長率，則即使在低溫下進(jìn)行擴(kuò)展，可切割性也可能不足；如果將其在室溫下靜置，則可發(fā)生再粘合；并且由于在切割接合有粘合膜的晶片時(shí)所產(chǎn)生的熱，粘合劑可軟化以致在粘合膜中產(chǎn)生毛刺，從而污染半導(dǎo)體芯片的電路側(cè)。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s。由于粘合膜在約110℃的溫度下具有相對較低的粘度，所以其可具有優(yōu)異的粘合強(qiáng)度和對于半導(dǎo)體最佳化的流動性，這可有利于初始階段固化的界面處和管芯連接過程中的空隙去除，并且在管芯連接之后，可以順利得實(shí)現(xiàn)接合線向周圍空間的滲入，而不明顯影響所述粘合膜的形狀和特性。此外，由于用于半導(dǎo)體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，因此即使長時(shí)間暴露于在半導(dǎo)體制造過程中施加的高溫條件，也基本上不會產(chǎn)生空隙，并且當(dāng)應(yīng)用于切割管芯粘結(jié)膜等時(shí)，可以確保足夠的高溫剪切力，從而確保優(yōu)異的可切割性。粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用于連接導(dǎo)線框或基板與芯片或者連接管芯與管芯。因此，粘合膜可加工成管芯粘結(jié)膜、切割管芯粘結(jié)膜等形式。管芯粘結(jié)膜還可包含分散在連續(xù)相基體中的無機(jī)填料。該實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的詳情包括上述細(xì)節(jié)。同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方案，提供了切割管芯粘結(jié)膜，其包含基底膜；在所述基底膜上形成的粘性層；以及在所述粘性層上形成的粘合劑層，所述粘合劑層包含上述的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物。由于粘合劑層包含上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物，因此切割管芯粘結(jié)膜可具有優(yōu)異的機(jī)械特性(例如，耐熱性、抗沖擊性等)、高粘合強(qiáng)度和低吸濕性，從而防止水分蒸發(fā)、基板和管芯粘結(jié)膜之間的分層或者由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的回流裂紋等。用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的詳情如上所述。用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量可為50MPa或更高。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜在室溫下的伸長率可為500％或更低。此外，用于半導(dǎo)體的粘合膜在110℃的溫度和5rad/s的剪切速率下的熔體粘度可為1,000Pa·s至4,000Pa·s。包含在切割管芯粘結(jié)膜中的基底膜的種類沒有特別限制，并且例如，可使用本領(lǐng)域中已知的塑料膜或金屬箔等。例如，基底膜可包括低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的無規(guī)共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-離聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物、或者其中兩者或更多者的混合物。包含兩種或更多種聚合物的混合物的基底膜包括多層膜和單層膜二者，所述多層膜的每個(gè)膜層包含上述聚合物，所述單層膜包含兩種或更多種上述聚合物?；啄さ暮穸葲]有特別限制，并且通常，其形成的厚度為10μm至200μm，并且優(yōu)選50μm至180μm。如果厚度小于10μm，則存在切割工藝中切割深度的控制可能不穩(wěn)定的問題；而如果厚度大于200μm，則在切割過程中可能產(chǎn)生大量毛刺或伸長率可能降低，并因此不能準(zhǔn)確地完成擴(kuò)展工藝。如有必要，基底膜可經(jīng)歷一般的物理或化學(xué)處理，例如啞光處理、電暈放電處理、底漆處理、交聯(lián)等。同時(shí)，粘性層可包含可UV固化的粘合劑或可熱固化的粘合劑。在使用可UV固化的粘合劑的情況下，從基底膜側(cè)照射UV以提高粘合劑的粘結(jié)性和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，從而降低粘合強(qiáng)度；而在使用可熱固化的粘合劑的情況下，提高溫度以降低粘合強(qiáng)度。此外，可UV固化的粘合劑可包含(甲募)丙烯酸酯類樹脂、可UV固化的化合物、光引發(fā)劑和交聯(lián)劑。(甲基)丙烯酸酯類樹脂的重均分子量可為100,000至1,500,000，且優(yōu)選200,000至1,000,000。如果重均分子量小于100,000，則可涂覆性或粘結(jié)性可能降低，并因此在分層時(shí)殘余物可能保留在粘合物中，或者可能出現(xiàn)粘合劑破裂。此外，如果重均分子量大于1,500,000，則基體樹脂可能阻礙可UV固化的化合物的反應(yīng)，并因此存在不能有效地實(shí)現(xiàn)剝離強(qiáng)度降低的問題。(甲基)丙烯酸酯類樹脂的實(shí)例可包括(甲基)丙烯酸酯類單體和含可交聯(lián)官能團(tuán)單體的共聚物。其中，(甲募)丙烯酸酯類單體的實(shí)例可包括(甲基)丙烯酸烷基酯，特別是具有碳原子數(shù)為1至12的烷基的單體，例如(甲募)丙烯酸戊酯、(甲募)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸癸酯或其混合物。隨著單體的烷基的碳數(shù)變高，最終共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度變低，因此可以根據(jù)期望的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度選擇合適的單體。含可交聯(lián)官能團(tuán)單體的實(shí)例可包括含羥基單體、含羧基單體、含氮單體或其混合物。含羥基化合物的實(shí)例可包括(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等；含羧基化合物的實(shí)例可包括(甲基)丙烯酸酯等；含氮單體的實(shí)例可包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己內(nèi)酰胺等，但不限于此。在(甲基)丙烯酸酯類樹脂中，可額外地包括含碳-碳雙鍵的低分子量化合物，例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等，以改善其他功能性如相容性等?？蒛V固化的化合物的種類沒有特別限制，并且例如，可使用重均分子量為約500至約300,000的多官能化合物(例如，多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯單體或低聚物等)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可根據(jù)期望用途容易地選擇合適的化合物?；?00重量份的上述基體樹脂，可UV固化的化合物的含量可為5重量份至400重量份，優(yōu)選10重量份至200重量份。如果可UV固化的化合物的含量小于5重量份，則固化后的粘合降低可能不足，并因此存在降低拾取的問題；而如果可UV固化的化合物的含量大于400重量份，則在UV照射之前粘合劑的粘結(jié)性可能不足，或者可能不易實(shí)現(xiàn)與離型膜等的分層。光引發(fā)劑的種類沒有特別限制，并且可使用本領(lǐng)域公知的那些，其中基于100重量份的可UV固化的化合物，其含量可為0.05重量份至20重量份。如果光引發(fā)劑的含量小于0.05重量份，則通過UV照射的固化反應(yīng)可能變得不足以降低拾取性；而如果其含量大于20重量份，則在固化過程中可能與短單元發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，可產(chǎn)生未反應(yīng)的可UV固化的化合物而在粘合表面上產(chǎn)生殘余物，或者固化后的剝離強(qiáng)度可能過度降低而降低拾取。此外，包含在粘合劑部分中以提供粘合力和粘結(jié)性的交聯(lián)劑的種類也沒有特別限制，并且可使用常用的那些，例如異氰酸酯類化合物、氮丙啶類化合物、環(huán)氧類化合物、金屬螯合物類化合物等?；?00重量份的基體樹脂，交聯(lián)劑可以以2重量份至40重量份，優(yōu)選2重量份至20重量份的含量包含在內(nèi)。如果其含量小于2重量份，則粘合劑的粘結(jié)性可能不足；而如果其含量大于20重量份，則UV照射前的粘合力可能不足，并因此存在芯片分散等問題。此外，在粘性層中還可包含增粘劑，例如松香樹脂、萜烯樹脂、酚樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、脂肪族芳香族共聚物石油樹脂等。用于在基底膜上形成包含上述組分的粘性層的方法沒有特別限制，并且例如可使用將粘合劑組合物直接涂覆在基底膜上以形成粘性層的方法；或者先將粘合劑組合物涂覆在可剝離基底上以制備粘性層，然后使用可剝離基底將粘性層轉(zhuǎn)移至基底膜的方法，等等。其中，涂覆和干燥粘合劑組合物的方法沒有特別限制，并且例如可使用以下方法：按原樣涂覆含有上述組分的組合物，或者在合適的溶劑中將其稀釋并通過已知工具(例如，缺角輪涂布機(jī)(commacoater)、凹版涂布機(jī)、模壓涂布機(jī)、反向涂布機(jī)等)涂覆，然后在60℃至200℃的溫度下干燥溶劑10秒至30分鐘。此外，在上述工藝中，還可進(jìn)行老化過程以進(jìn)行粘合劑的充分交聯(lián)。雖然粘性層的厚度沒有特別限制，但是例如，其可為1μm至600μm、3μm至500μm、或5μm至300μm。如上所述，粘合劑層在粘性層上形成，并且可包含上述實(shí)施方案的用于半導(dǎo)體的粘合膜。用于半導(dǎo)體的粘合膜的詳情包括上述那些。雖然粘合劑層的厚度沒有特別限制，但是例如，其可為1μm至300μm。此外，粘合膜的厚度可為1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、或者10μm或更大。此外，粘合膜的厚度可為300μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、或者70μm或更小。切割管芯粘結(jié)膜還可包含形成在粘合劑層上的離型膜?？梢允褂玫碾x型膜的實(shí)例可包括一種或更多種塑料膜，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚酰亞胺膜等。離型膜的表面可用醇酸樹脂類、硅類、氟類、不飽和酯類、聚烯烴類或蠟類離型劑中的一種或更多種進(jìn)行處理，其中可優(yōu)選耐熱性的醇酸樹脂類、硅類或氟類離型劑。離型膜可通常形成10μm至500μm，優(yōu)選約20μm至200μm的厚度，但不限于此。用于制造上述切割管芯粘結(jié)膜的方法沒有特別限制，并且例如可使用在基底膜上順序形成粘性部分、粘合劑部分和離型膜的方法；或者單獨(dú)制備切割膜(基底膜+粘性部分)和在其上形成有管芯粘結(jié)膜或粘合劑部分的離型膜然后將其層壓的方法等。層壓方法沒有特別限制，并且可使用熱軋層壓法或?qū)訅簤褐疲渲芯瓦B續(xù)過程的可能性和效率而言，優(yōu)選熱軋層壓法。熱軋層壓法可在10℃至100℃的溫度和0.1kgf/cm2至10kgf/cm2的壓力下進(jìn)行，但不限于此。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案，提供了用于切割半導(dǎo)體晶片的方法，其包括以下步驟：對包含切割管芯粘結(jié)膜的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行部分預(yù)處理；將晶片層壓在切割管芯粘結(jié)膜的至少一側(cè)上以使得完全切割或可切割；以及將UV照射至經(jīng)預(yù)處理的半導(dǎo)體晶片的基底膜，并且拾取通過切割半導(dǎo)體所分離的單獨(dú)芯片。切割管芯粘結(jié)膜的詳情包括上述那些。除有關(guān)切割方法的步驟的細(xì)節(jié)以外，可沒有特定限制地使用用于半導(dǎo)體晶片等的切割方法的公知設(shè)備和方法。用于切割半導(dǎo)體晶片的方法還可包括在預(yù)處理之后擴(kuò)展半導(dǎo)體晶片的步驟。在這種情況下，接著進(jìn)行如下過程：將UV照射至經(jīng)擴(kuò)展的半導(dǎo)體晶片的基底膜并且拾取通過切割半導(dǎo)體晶片所分離的單獨(dú)芯片。通過使用包含切割膜的切割管芯粘結(jié)膜，可使在半導(dǎo)體晶片的切割過程中產(chǎn)生的毛刺最小化，從而防止半導(dǎo)體芯片的污染并且改善半導(dǎo)體芯片的可靠性和壽命。本發(fā)明的具體實(shí)施方案將在以下實(shí)施例中進(jìn)行詳細(xì)說明。然而，這些實(shí)施例僅用于舉例說明本發(fā)明的具體實(shí)施方案，并且本發(fā)明的范圍不限于此。[實(shí)施例1至實(shí)施例5和比較例1至比較例3：用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物和用于半導(dǎo)體的粘合膜的制備]實(shí)施例1(1)用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物溶液的制備將40g酚樹脂KH-6021(由DIC公司生產(chǎn)，雙酚A酚醛清漆樹脂，羥基當(dāng)量重量121g/eq，軟化點(diǎn)：125℃)(其為環(huán)氧樹脂的固化劑)、38g環(huán)氧樹脂EOCN-104S(由日本化藥有限公司生產(chǎn)，甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂，環(huán)氧當(dāng)量重量214g/eq，軟化點(diǎn)：83℃)、50g液體環(huán)氧樹脂RE-310S(由日本化藥有限公司生產(chǎn)，雙酚A環(huán)氧樹脂，環(huán)氧當(dāng)量重量為180g/eq)、40g熱塑性丙烯酸酯樹脂KG-3015(Mw：900,000，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：10℃)、5g硅烷偶聯(lián)劑A-187(GEToshibaSilicone，γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)、0.1g固化促進(jìn)劑2PZ(ShikokuChemicals公司，2-苯基咪唑)和100g填料SC-2050(Admatec公司，球形二氧化硅，平均粒徑約400nm)在甲基乙基酮溶劑中混合以獲得用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的溶液(固體含量20wt％)。(2)管芯粘結(jié)膜的制備將以上制備的用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的溶液涂覆在經(jīng)離型處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度38μm)上，然后在110℃下干燥3分鐘以獲得厚度為約60μm的用于半導(dǎo)體的粘合膜(管芯粘結(jié)膜)。實(shí)施例2至5通過與實(shí)施例1相同的方法獲得用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的溶液(固體含量20wt％)和用于半導(dǎo)體的粘合膜(管芯粘結(jié)膜)，不同之處在于使用下表1中所述的組分和量。比較例1和2通過與實(shí)施例1相同的方法獲得用于半導(dǎo)體的粘合膜(管芯粘結(jié)膜)，不同之處在于使用下表1中的組分和含量制備用于半導(dǎo)體的粘合劑組合物的溶液(在甲基乙基酮中的濃度為20wt％)。[表1]實(shí)施例和比較例的樹脂組合物的組成[單位：g]-KH-6021：雙酚A酚醛清漆樹脂(DIC公司，軟化點(diǎn)：125℃)-GPH-103：聯(lián)苯酚醛清漆樹脂(日本化藥有限公司，軟化點(diǎn)：103℃)-HE200C-17：聯(lián)苯酚醛清漆樹脂(AirWater有限公司，軟化點(diǎn)：75℃)-KPH-3065：xylocA酚醛清漆苯酚樹脂(KolonChemical有限公司，羥基當(dāng)量重量：180g/eq，軟化點(diǎn)67℃)-KG-3015P：丙烯酸酯類樹脂(包含3wt％的縮水甘油基甲基丙烯酸酯類重復(fù)單元，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：10℃，重均分子量900,000)-EOCN-104S：甲酚酚醛清漆環(huán)氧樹脂(日本化藥有限公司，環(huán)氧當(dāng)量重量：180g/eq，軟化點(diǎn)：90℃)-RE-310S：雙酚A環(huán)氧液體樹脂(日本化藥，環(huán)氧當(dāng)量重量：約180g/eq，在25℃下的粘度：約13,000mPa·s至17,000mPa·s)[實(shí)驗(yàn)例：用于半導(dǎo)體的粘合膜的特性評估]實(shí)驗(yàn)例1：熔體粘度的測量將實(shí)施例和比較例中分別獲得的粘合膜堆疊到650μm的厚度，然后使用輥式層壓機(jī)在60℃下層壓。其后，使每個(gè)試樣形成直徑為10mm的圓形，然后使用TA公司的先進(jìn)流變擴(kuò)展系統(tǒng)(advancedrheometricexpansionsystem，ARES)在40℃至160℃的溫度范圍內(nèi)、1Hz且5rads的剪切速率和20℃/分鐘的溫度上升速率下測量根據(jù)溫度而變的熔體粘度。實(shí)驗(yàn)例2：室溫拉伸特性的評估為了測量實(shí)施例和比較例中分別獲得的粘合膜的拉伸特性，使用質(zhì)構(gòu)儀(TextureAnalyzer，StableMicroSystem，Ltd.)。具體地，將實(shí)施例和比較例中分別獲得的粘合膜切割成寬度為15mm且長度為100mm的尺寸以制備樣品，并且兩端均貼上膠帶而留下50mm的樣品中心部分。此外，將貼上膠帶的樣品的兩端固定至該設(shè)備，并且在以0.3mm/秒的速率伸長時(shí)，繪制拉伸曲線。由拉伸曲線測量5％伸長率下的斜率值以確定模量，并且測量樣品被完全切割時(shí)的時(shí)間以確定伸長率。實(shí)驗(yàn)例3：毛刺產(chǎn)生的觀察(1)切割膜的制造使75g丙烯酸2-乙基己酯、10g甲基丙烯酸2-乙基己酯和15g丙烯酸2-羥基乙酯在300g丙烯酸乙酯溶劑中共聚，以獲得重均分子量為850,000的共聚物(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：10℃)，然后向其中添加10g可光固化材料丙烯酸異氰酸酯化合物，從而獲得反應(yīng)物。其后，將10g多官能異氰酸酯低聚物和1g作為光引發(fā)劑的DarocurTPO混合以制備可UV固化的粘合劑組合物。將可UV固化的粘合劑組合物涂覆在厚度為38μm的經(jīng)離型處理的聚酯膜上，使得干燥后的厚度變成10μm，并在110℃下干燥3分鐘。將經(jīng)干燥的粘性層層壓在厚度為100μm的聚烯烴膜上以制造切割膜。(2)切割管芯粘結(jié)膜的制造將在上述過程中獲得的粘性層以及實(shí)施例和比較例中獲得的各粘合膜(寬度：18mm，長度：10cm)層壓以制造用于切割管芯接合的多層粘合膜。(3)毛刺產(chǎn)生率的測量使用100μm晶片和晶片環(huán)安裝器在50℃下層壓以上制備的各切割管芯粘結(jié)膜，并且使用切割設(shè)備以40Krpm和20mm/秒的速率將其切割成10mm＊10mm的芯片尺寸，然后確定管芯上產(chǎn)生的毛刺數(shù)量以測量毛刺產(chǎn)生率。實(shí)驗(yàn)例4：高溫剪切力的評估在60℃的條件下，在厚度為約600μm至700μm的晶片的鏡面?zhèn)壬蠈訅簩?shí)施例和比較例中分別獲得的粘合膜，并將晶片分段為5mm＊5mm的尺寸以制備具有該管芯尺寸的粘合膜。此外，將10mm＊10mm大小的70μm晶片鏡面置于130℃的熱板上，然后在2kg且2秒的晶片管芯的條件下連接管芯粘結(jié)膜，在125℃下進(jìn)行固化1小時(shí)，并在175℃下再進(jìn)行固化2小時(shí)。此外，在于250℃下以0.05mm/秒的速率按壓晶片芯片的同時(shí)，使用管芯剪切測試儀DAGE4000測量力，以測量高溫剪切力。實(shí)驗(yàn)例5：可切割性的評估將實(shí)施例1至4和比較例1和2中獲得的粘合劑層壓至切割膜，由此制造切割管芯粘結(jié)膜。使用預(yù)切成5mm＊5mm尺寸的厚度為50μm的8英寸晶片和晶片環(huán)安裝器，在60℃下層壓以上制備的各切割管芯粘結(jié)膜，然后使其在室溫下靜置30分鐘。其后，在低溫室中安裝層壓有切割管芯粘結(jié)膜的晶片，并在-10℃下以100mm/秒的速率進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)展至5mm的高度。此外，將晶片轉(zhuǎn)移至熱收縮裝置，并以1mm/秒擴(kuò)展至4mm，然后加熱以使切割膜熱收縮。其后，確定晶片在室溫下的切割比。[表2]實(shí)驗(yàn)例的結(jié)果如表2中所示，制備實(shí)施例1至5的粘合膜使得固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比為1.6至2.6，并且這些粘合膜具有以下物理特性：在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量為50MPa至150MPa，在110℃的溫度和5rad/秒的剪切速率下的熔體粘度為1,000Pa·s至4,000Pa·s，并且在室溫下的伸長率為500％或更低。確定由于實(shí)施例的粘合膜具有上述物理特性，所以即使在低溫下進(jìn)行擴(kuò)展過程，也可確保100％的可切割性。還可確定，在使用實(shí)施例1至5的粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，通過切割過程基本上不產(chǎn)生毛刺，并且實(shí)施例1至5的粘合膜具有高的高溫剪切力，并因此具有改善的耐熱性和粘合強(qiáng)度。制備比較例1的粘合膜使得固體環(huán)氧樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總含量相對熱塑性樹脂的重量比大于2.6，并且酚樹脂相對熱塑性樹脂、酚樹脂和液體環(huán)氧樹脂的總重量的重量比小于0.280。如表2中所示，可確定在比較例1的粘合膜的情況下，在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量小于40MPa，并且在室溫下的伸長率大于550％。還可確定，在其中使用具有低軟化點(diǎn)的酚樹脂的比較例2的情況下，在室溫下在5％至10％伸長率下產(chǎn)生的模量小于30Mpa，并且在室溫下的伸長率達(dá)到750％?？纱_定由于比較例1和2的粘合膜在室溫下具有高伸長率，并且其在低溫?cái)U(kuò)展過程中具有低可切割性，并因此難以確保充分的可切割性，如表2中所示。此外，可確定在使用比較例1和2的粘合膜制造的切割管芯粘結(jié)膜中，通過切割過程產(chǎn)生20％或更多的毛刺，并且比較例1和2的粘合膜不具有足夠的高溫剪切力，并因此難以確保足夠的粘合強(qiáng)度。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3