相關(guān)申請的交叉引用

將2016年4月8日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的且名稱為“有機發(fā)光裝置”的韓國專利申請第10-2016-0043503號，通過引用以其整體并入本文。

本申請實施方式涉及有機發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光裝置為自發(fā)光裝置，具有寬視角、高對比度、短響應(yīng)時間和優(yōu)異的亮度、驅(qū)動電壓和響應(yīng)速度特性，并且產(chǎn)生全色圖像。

有機發(fā)光裝置可包括設(shè)置在基板上的第一電極，以及順序設(shè)置在第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)光層、電子傳輸區(qū)和第二電極。由第一電極提供的空穴可穿過空穴傳輸區(qū)向發(fā)光層移動，并且由第二電極提供的電子可穿過電子傳輸區(qū)向發(fā)光層移動。載流子(諸如空穴和電子)在發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，由此產(chǎn)生光。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請實施方式可通過以下實現(xiàn)：提供有機發(fā)光裝置，包括：第一電極；面向所述第一電極的第二電極；在所述第一電極和所述第二電極之間堆疊的以數(shù)量m包括的發(fā)光單元；以及以數(shù)量m-1包括的電荷產(chǎn)生層，所述發(fā)光單元各自包括至少一個發(fā)光層，所述電荷產(chǎn)生層在所述發(fā)光單元中的兩個相鄰的發(fā)光單元之間，所述電荷產(chǎn)生層各自包括n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層，其中m為等于或大于2的整數(shù)，由所述發(fā)光單元中的至少一個發(fā)射的光的最大發(fā)射波長不同于由至少一個其他發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長，n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，所述第一化合物由式1表示，所述含金屬的材料包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合，所述p型電荷產(chǎn)生層包括不含氨基的化合物，并且不包括含氨基的化合物，所述發(fā)光單元中的至少一個在其第一電極側(cè)還包括空穴傳輸(ht)-發(fā)光輔助層，并且所述ht-發(fā)光輔助層包括至少一種第二化合物，所述第二化合物由式2表示：

<式1>

<式2>

其中式1中的各b1獨立地選自由式1a表示的基團和由式1b表示的基團，

其中式1和1b中的環(huán)a1、環(huán)a11和環(huán)a12各自獨立地選自c5-c60碳環(huán)基和c1-c60雜環(huán)基，其中式1b中的環(huán)a11和環(huán)a12是分離的或者通過單鍵連接，其中式1b中的t1至t4各自獨立地為碳或氮，其中式1中的c1和c2各自獨立地為選自1至3的整數(shù)，其中式1a、1b和2中的l1至l3和l11至l13各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，其中式1a、1b和2中的a1至a3和a11至a13各自獨立地為選自0至4的整數(shù)，其中式1b中的l4為單鍵、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'或*-n(r5)-c(＝r6)-*'，其中r5和r6是分離的或者被連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，其中式1a中的ar1和ar2各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，其中式1和1b中的r1、r2和r4至r6各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q1)(q2)(q3)和-s(＝o)2(q1)，其中式1b中的r1和r2是分離的或者被連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，其中式1和1b中的b1、b2和b4各自獨立地為選自0至5的整數(shù)，其中，當b4為2、3、4或5時，式1中的兩個r4是分離的或者通過單鍵、*-c(r7)(r8)-*'、*-n(r7)-*'、*-o-*'或*-s-*'連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，其中r7和r8與r1的限定相同，其中式2中的r11至r13各自獨立地選自取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團和-si(q1)(q2)(q3)，其中式2中的b11至b13各自獨立地為選自1至5的整數(shù)，并且其中所述取代的c5-c60碳環(huán)基、所述取代的c1-c60雜環(huán)基、所述取代的c3-c10亞環(huán)烷基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10亞環(huán)烯基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60亞芳基、所述取代的c1-c60亞雜芳基、所述取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團、所述取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、所述取代的c1-c60烷基、所述取代的c2-c60烯基、所述取代的c2-c60炔基、所述取代的c1-c60烷氧基、所述取代的c3-c10環(huán)烷基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10環(huán)烯基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60芳基、所述取代的c6-c60芳氧基、所述取代的c6-c60芳硫基、所述取代的c1-c60雜芳基、所述取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和所述取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團中的至少一個取代基選自：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；各自被選自以下中的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q11)(q12)(q13)和-s(＝o)2(q11)；c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基和三聯(lián)苯基；各自被選自以下中的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團和單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q21)(q22)(q23)和-s(＝o)2(q21)；以及-si(q31)(q32)(q33)和-s(＝o)2(q31)，其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、被c1-c60烷基取代的c6-c60芳基、被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、被c1-c60烷基取代的c1-c60雜芳基、被c6-c60芳基取代的c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團和單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是清楚的，在所述附圖中：

圖1圖示說明根據(jù)一個實施方式的有機發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖2圖示說明根據(jù)一個實施方式的有機發(fā)光裝置的示意性截面圖；

圖3圖示說明根據(jù)一個實施方式的有機發(fā)光裝置的示意性截面圖；以及

圖4圖示說明根據(jù)一個實施方式的有機發(fā)光裝置的示意性截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將在下文中參考附圖更充分地描述示例性實施方式；然而它們可以不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)當被解釋為限于本文列舉的實施方式。而是，提供這些實施方式，從而本公開將是透徹和完全的，并且將充分地傳達示例性實施方案給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在附圖中，為了清楚說明可放大層和區(qū)的尺寸。還將理解，當層或元件被稱為在另一個層或元件“上”時，其可直接在另一個層或元件上，或者還可存在中間層。另外，將理解，當層被稱為在另一個層“下面”時，其可直接在下面，也可存在一個或多個中間層。此外，還將理解，當層被稱為在兩個層“之間”時，其可為兩個層之間唯一的層，或者也可存在一個或多個中間層。通篇相同的參考編號指代相同的元件。

根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置可包括：例如，第一電極；面向第一電極的第二電極；在第一電極和第二電極之間堆疊的數(shù)量為m的發(fā)光單元；以及在數(shù)量為m的發(fā)光單元中的兩個相鄰的發(fā)光單元之間的數(shù)量為m-1的電荷產(chǎn)生層，所述發(fā)光單元各自包括至少一個發(fā)光層，所述電荷產(chǎn)生層各自包括n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層。

m為等于或大于2的整數(shù)。例如，m可為2或3。例如，在包括數(shù)量為m的發(fā)光單元和數(shù)量為m-1的電荷產(chǎn)生層，且m為2的裝置中，意為裝置包括兩個發(fā)光單元和一個電荷產(chǎn)生層。在包括數(shù)量為m的發(fā)光單元和數(shù)量為m-1的電荷產(chǎn)生層，且m為3的裝置中，意為裝置包括三個發(fā)光單元和兩個電荷產(chǎn)生層。

由發(fā)光單元中的至少一個發(fā)射的光的最大發(fā)射波長可不同于由至少一個其他發(fā)光單元發(fā)射的光的最大發(fā)射波長。

在一個或多個實施方式中，m可為2，并且發(fā)光單元可包括發(fā)射第一顏色光的第一發(fā)光單元和發(fā)射第二顏色光的第二發(fā)光單元。第一顏色光的最大發(fā)射波長可不同于第二顏色光的最大發(fā)射波長。例如，第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元可以該陳述的順序從第一電極依次堆疊。

例如第一顏色光可為藍色光并且第二顏色光可為黃色光；或者第一顏色光可為藍色光并且第二顏色光可為紅色光和綠色光的混合光。在一個或多個實施方式中，第一顏色光和第二顏色光的混合光可為白光。

第一顏色光和第二顏色光可各自獨立地為磷光或熒光。在一個或多個實施方式中，第一顏色光可為熒光，并且第二顏色光可為磷光。

在一個或多個實施方式中，m可為3，發(fā)光單元可包括發(fā)射第一顏色光的第一發(fā)光單元、發(fā)射第二顏色光的第二發(fā)光單元和發(fā)射第三顏色光的第三發(fā)光單元。例如，第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元可以該陳述的順序從第一電極依次堆疊。

例如，

i)第一顏色光的最大發(fā)射波長≠第二顏色光的最大發(fā)射波長≠第三顏色光的最大發(fā)射波長；

ii)第一顏色光的最大發(fā)射波長＝第二顏色光的最大發(fā)射波長≠第三顏色光的最大發(fā)射波長；

iii)第一顏色光的最大發(fā)射波長＝第三顏色光的最大發(fā)射波長≠第二顏色光的最大發(fā)射波長；或者

iv)第二顏色光的最大發(fā)射波長＝第三顏色光的最大發(fā)射波長≠第一顏色光的最大發(fā)射波長。

在一個或多個實施方式中，第一顏色光可為黃色光，第二顏色光可為藍色光，并且第三顏色光可為藍色光。在一個或多個實施方式中，第一顏色光、第二顏色光和第三顏色光的混合光可為白光。

第一顏色光、第二顏色光和第三顏色光可各自獨立地為磷光或熒光。在一個或多個實施方式中，第一顏色光可為磷光，并且第二顏色光和第三顏色光可為熒光。

n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，第一化合物可由式1表示，并且含金屬的材料可包括金屬、金屬絡(luò)合物或其組合。下文將詳細描述至少一種第一化合物和含金屬的材料。

在一個或多個實施方式中，數(shù)量為m-1的n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料或者由其組成。

數(shù)量為m-1的p型電荷產(chǎn)生層可包括不含氨基的化合物，并且可不包括含氨基的化合物。如本文中使用的，在術(shù)語“不含氨基的化合物”和“含氨基的化合物”中的“氨基”指*-n(r')(r")(其中r'和r"為任何取代基，并且*表示與任何化學(xué)種類的結(jié)合位點)。例如，p型電荷產(chǎn)生層可不包括如上文所述的由*-n(r')(r")表示的基團。在實施方案中，在不含氨基的化合物中的氨基可不意指雜環(huán)中的氮，例如，作為環(huán)的一部分的-n＝，或氰基-cn。

在一個或多個實施方式中，數(shù)量為m-1的p型電荷產(chǎn)生層可由不含氨基的化合物組成。下文將詳細描述不含氨基的化合物的實例。

發(fā)光單元中的至少一個還可包括設(shè)置在其第一電極側(cè)的ht-發(fā)光輔助層。ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物，并且所述第二化合物可由式2表示。

如本文中使用的術(shù)語“至少一種第一化合物”和“至少一種第二化合物”可意為“第一化合物”和“第二化合物”可各自包括一種或多種選自屬于式1和2的范疇的化合物。

例如，包括至少一種第一化合物的n型電荷產(chǎn)生層可僅包括化合物1-1或者可包括化合物1-1和1-2的混合物，作為至少一種第一化合物。而且，包括至少一種第二化合物的ht-發(fā)光輔助層可僅包括化合物2-2或可包括化合物2-2和2-3的混合物，作為至少一種第二化合物。

在一個或多個實施方式中，發(fā)光單元中的至少一個還可包括設(shè)置在第一電極側(cè)的ht-發(fā)光輔助層，并且ht-發(fā)光輔助層可由至少一種第二化合物組成。下文將詳細描述至少一種第二化合物。

在實施方案中，第一化合物可由式1表示。在實施方案中，第二化合物可由式2表示。

<式1>

<式2>

式1中的各b1可獨立地為由式1a和式1b中的一個表示的基團。

式1和1b中的環(huán)a1、環(huán)a11和環(huán)a12可各自獨立地選自c5-c60碳環(huán)基和c1-c60雜環(huán)基。

例如，式1和1b中的環(huán)a1、環(huán)a11和環(huán)a12可各自獨立地選自苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基。

在一個或多個實施方式中，式1b中的環(huán)a11和a12可為分離的或者可任選地通過單鍵連接(例如，參見下文式1b(11))。

式1b中的t1至t4可各自獨立地為碳或氮。根據(jù)環(huán)a11和環(huán)a12，t1和t2可通過單鍵、雙鍵或有機連接基團連接，并且根據(jù)環(huán)a11和環(huán)a12，t3和t4可通過單鍵、雙鍵或有機連接基團連接。

例如，在式1b中，

t1至t4可為碳；或者

t1和t2可為碳，并且t3和t4可為氮，并且

環(huán)a11和環(huán)a12可各自獨立地選自苯基、萘基、吡啶基、吲哚并咔唑基、吲哚基、異吲哚基和吲哚并吡咯基。

式1中的c1和c2可各自獨立地為選自1至3的整數(shù)。c1表示環(huán)a1的數(shù)量，其中c1大于或等于2，兩個或更多個環(huán)a1可彼此相同或不同，并且可通過單鍵連接。c2表示b1的數(shù)量，其中c2大于或等于2，兩個或更多個b1可彼此相同或不同。

在一個或多個實施方式中，式1中的c1可為1、2或3，并且c2可為1或2。

式1a、1b和2中的l1至l3和l11至l13可各自獨立地選自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團。

例如，式1a和1b中的l1至l3可各自獨立地選自：

亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞螺-苯并芴-芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環(huán)戊二烯基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞吲唑基、亞嘌呤基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞苯并異喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并噻唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞噁二唑基、亞三嗪基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并咔唑基、亞萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞二苯并咔唑基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基、亞二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、亞噻二唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基、亞噁唑并吡啶基、亞噻唑并吡啶基、亞苯并萘啶基、亞氮雜芴基、亞氮雜螺-二芴基、亞氮雜咔唑基、亞氮雜二苯并呋喃基、亞氮雜二苯并噻吩基、亞氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞茚并吡咯基、亞吲哚并吡咯基、亞茚并咔唑基和亞吲哚并咔唑基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞螺-苯并芴-芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環(huán)戊二烯基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞吲唑基、亞嘌呤基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞苯并異喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并噻唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞噁二唑基、亞三嗪基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并咔唑基、亞萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞二苯并咔唑基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基、亞二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、亞噻二唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基、亞噁唑并吡啶基、亞噻唑并吡啶基、亞苯并萘啶基、亞氮雜芴基、亞氮雜螺-二芴基、亞氮雜咔唑基、亞氮雜二苯并呋喃基、亞氮雜二苯并噻吩基、亞氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞茚并吡咯基、亞吲哚并吡咯基、亞茚并咔唑基和亞吲哚并咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c20芳基、c1-c20雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、甲苯基、聯(lián)苯基和-si(q31)(q32)(q33)(例如，氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33))，

其中q31至q33可各自獨立地選自：

c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及

各自被選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。

式2中的l11至l13可各自獨立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并咔唑基、亞萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞二苯并咔唑基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基、亞二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、亞茚并吡咯基、亞吲哚并吡咯基、亞茚并咔唑基和亞吲哚并咔唑基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞苯并咔唑基、亞萘并苯并呋喃基、亞萘并苯并噻吩基、亞萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞二苯并咔唑基、亞二萘并呋喃基、亞二萘并噻吩基、亞二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、亞茚并吡咯基、亞吲哚并吡咯基、亞茚并咔唑基和亞吲哚并咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q31至q33各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，

式1a和1b中的環(huán)a1可為由式3-1至3-59和3-61至3-113中的一個表示的基團，

式1a和1b中的l1至l3可各自獨立地為由式3-1至3-59和3-61至3-104和3-113中的一個表示的基團，并且

式2中的l11至l13可各自獨立地為由式3-1至3-24和3-101至3-104中的一個表示的基團：

其中，在式3-1至3-113中，

y1可為o、s、c(z3)(z4)、n(z5)或si(z6)(z7)，z3和z4可為分離的或者可任選地被連接以形成五元環(huán)或六元環(huán)，并且z6和z7可為分離的或者可任選地被連接以形成五元環(huán)或六元環(huán)，

z1至z9可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、甲苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和聯(lián)苯基，

r7與上文描述的相同，

d2可為選自0至2的整數(shù)，

d3可為選自0至3的整數(shù)，

d4可為選自0至4的整數(shù)，

d5可為選自0至5的整數(shù)，

d6可為選自0至6的整數(shù)，

d8可為選自0至8的整數(shù)，并且

*和*'各自表示與鄰近原子的結(jié)合位點。

式1a、1b和2中的a1至a3和a11至a13可各自獨立地為0、1、2、3或4。a1表示l1的數(shù)量、其中a1為0，*-(l1)a1-*'可為單鍵，并且當a1大于或等于2時，兩個或更多個l1可彼此相同或不同。a2、a3和a11至a13可通過參考關(guān)于a1提供的描述以及式1a和1b的結(jié)構(gòu)來理解。

在一個或多個實施方式中，a1至a3和a11至a13可各自獨立地為0、1、2或3。

式1b中的l4可為單鍵、*-c(r5)(r6)-*'、*-c(r5)＝c(r6)-*'或*-n(r5)-c(＝r6)-*'，并且r5和r6可為分離的或者可任選地被連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基(例如，參見式1b-3或1b-4中的環(huán)a13)。r5和r6與下文描述的相同。

式1a中的ar1和ar2可各自獨立地選自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團。

例如，式1a中的ar1和ar2可各自獨立地選自：

環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c20芳基、c1-c20雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、甲苯基、聯(lián)苯基和-si(q31)(q32)(q33)(例如，氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33))；

其中q31至q33可各自獨立地選自：

c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及

各自被選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。

式1和1b中的r1、r2和r4至r6可各自獨立地選自或包括，例如，氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q1)(q2)(q3)和-s(＝o)2(q1)。

式1b中的r1和r2可為分離的或者可任選地被連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基。

在式1中，選自數(shù)量為b4的r4中的兩個可為分離的或者可任選地通過單鍵、*-c(r7)(r8)-*'、*-n(r7)-*'、*-o-*'或*-s-*'連接以形成取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基(例如，參見以下式3-105等)。r7和r8與上文結(jié)合r1所描述的相同。

例如，r1、r2和r4至r8可各自獨立地選自：

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；

各自被選自以下中的至少一個取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基和聯(lián)苯基；

環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；

各自被選自以下中的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c20芳基、c1-c20雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、甲苯基、聯(lián)苯基和-si(q31)(q32)(q33)(例如，氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33))；以及

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1至q3和q31至q33可各自獨立地選自：

c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基；以及

各自被選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基和苯基中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基和喹唑啉基。

式1和1b中的b1、b2和b4可各自獨立地為選自0至5的整數(shù)。b1表示r1的數(shù)量，其中b1大于或等于2，兩個或更多個r1可彼此相同或不同。b2和b4可通過參考關(guān)于b1提供的描述以及式1和1b的結(jié)構(gòu)來理解。

在一個或多個實施方式中，b1、b2和b4可各自獨立地為0、1、2或3。

式2中的r11至r13可各自獨立地選自或包括，例如，取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團和-si(q1)(q2)(q3)。q1至q3與上文描述的相同。

例如，式2中的r11至r13可各自獨立地選自：

環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基；

各自被選自以下中的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基和吲哚并咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、甲苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33)；以及

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1至q3和q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

式2中的b11至b13可各自獨立地為選自1至5的整數(shù)。b11表示r11的數(shù)量，其中當b11大于或等于2時，兩個或更多個r11可彼此相同或不同。b12和b13可通過參考關(guān)于b11提供的描述以及式2的結(jié)構(gòu)來理解。

例如，b11至b13可為1。

在一個或多個實施方式中，

式1a中的ar1和ar2可各自獨立地選自由式5-1至5-55和6-1至6-125表示的基團，

式1b中的r1、r2和r4至r8可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、由式5-1至5-55表示的基團、由式6-1至6-125表示的基團和-si(q1)(q2)(q3)，

式2中的r11至r13可各自獨立地為由式5-1至5-55中的一個表示的基團：

在式5-1至5-55和6-1至6-125中，

y31可為o、s、c(z33)(z34)、n(z35)或si(z36)(z37)，z33和z34可為分離的或者可任選地被連接以形成五元環(huán)或六元環(huán)，并且z36和z37可為分離的或者可任選地被連接以形成五元環(huán)或六元環(huán)，

y41可為n或c(z41)，y42可為n或c(z42)，y43可為n或c(z43)，y44可為n或c(z44)，y51可為n或c(z51)，y52可為n或c(z52)，y53可為n或c(z53)，y54可為n或c(z54)，在式6-118至6-121中，選自y41至y43和y51至y54的至少一個可為n，并且在式6-122中選自y41至y44和y51至y54的至少一個可為n，

z31至z38、z41至z44和z51至z54可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環(huán)戊二烯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并硅雜環(huán)戊二烯基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并硅雜環(huán)戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、噁唑并吡啶基、噻唑并吡啶基、苯并萘啶基、氮雜芴基、氮雜螺-二芴基、氮雜咔唑基、氮雜二苯并呋喃基、氮雜二苯并噻吩基、氮雜二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、茚并吡咯基、吲哚并吡咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q1至q3和q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和聯(lián)苯基，

e2可為選自0至2的整數(shù)，

e3可為選自0至3的整數(shù)，

e4可為選自0至4的整數(shù)，

e5可為選自0至5的整數(shù)，

e6可為選自0至6的整數(shù)，

e7可為選自0至7的整數(shù)，

e9可為選自0至9的整數(shù)，并且

*表示與鄰近原子的結(jié)合位點。

在一個或多個實施方式中，在式2中，選自r11至r13的至少一個可為由式5-13至5-36和5-47至5-49中的一個表示的基團；

在實施方案中，式2中的r11可為由式5-13至5-36和5-47和5-49中的一個表示的基團，條件是式5-13至5-36中的y31為n(z35)。

在實施方案中，式2中的r11可為由式5-13至5-36和5-47至5-49中的一個表示的基團，條件是式5-13至5-36中的y31為n(z35)，并且式2中的r12可為由式5-13至5-42中的一個表示的基團，條件是式5-13至5-36中的y31為c(z33)(z34)。

在實施方案中，在式2中，選自r11至r13的至少一個可為由式5-13至5-36中的一個表示的基團，條件是式5-13至5-36中的y31為o或s。

在實施方案中，在式2中，選自r11至r13的至少一個可為由式5-13至5-42中的一個表示的基團，條件是式5-13至5-36中的y31可為o、s或c(z33)(z34)，并且式2可不包括咔唑環(huán)。

在一個或多個實施方式中，式1中的b1可為由以下式1a或式1b-1至1b-4中的一個表示的基團。

在式1b-1至1b-4中，

環(huán)a11、環(huán)a12、t1至t4、l3、a3、r1、r2、b1和b2與上文描述的相同，

t5和t6可各自獨立地為碳或氮，

環(huán)a13與上文關(guān)于環(huán)a11描述的相同，

r3、r9和r10與上文關(guān)于r1描述的相同，

b3與上文關(guān)于b1描述的相同，并且

*表示與鄰近原子的結(jié)合位點。

在一個或多個實施方式中，式1中的b1可為由以下式1a或式1b(1)至1b(12)中的一個表示的基團。

在式1b(1)至1b(12)中，

l3、a3、r1、r2、b1和b2與上文描述的相同，

r3、r9和r10與上文關(guān)于r1描述的相同，

b3與上文關(guān)于b1描述的相同，

r2a至r2c與上文關(guān)于r2描述的相同，

r3a和r3b與上文關(guān)于r3描述的相同，并且

*表示與鄰近原子的結(jié)合位點。

在一個或多個實施方式中，第一化合物可選自化合物1-1至1-62。

在一個或多個實施方式中，第二化合物可選自化合物2-1至2-101。

含金屬的材料可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或其任意組合。

例如，含金屬的材料可包括選自li、na、k、rb、cs、mg、ca、ce、nd、sm、eu、tb、th、yb、lu和y的至少一個。

在實施方案中，n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，條件是含金屬的材料與至少一種第一化合物的重量比在約0.01:100至約15:100的范圍內(nèi)。當含金屬的材料與至少一種第一化合物的重量比在這些范圍內(nèi)時，可實現(xiàn)具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和長壽命的有機發(fā)光裝置。

p型電荷產(chǎn)生層中包括的不含氨基的化合物可包括，例如，hat-cn、f4-tcnq或由式221表示的化合物。

<式221>

在式221中，

r221至r223可各自獨立地選自或包括，例如，取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，條件是選自r221至r223中的至少一個可具有選自以下的至少一個取代基：氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基。

例如，r221至r223可各自獨立地選自被選自氰基和-f的至少一個取代的c6-c20芳基(例如，苯基或萘基)。

在實施方案中，p型電荷產(chǎn)生層可由不含氨基的化合物組成。

發(fā)光單元中的至少一個在其第二電極側(cè)還可包括電子傳輸(et)-發(fā)光輔助層。et-發(fā)光輔助層可加速由電荷產(chǎn)生層供應(yīng)的電子朝發(fā)光層的移動。下文將結(jié)合電子傳輸區(qū)的材料描述在et-發(fā)光輔助層中可包括的材料。

n型電荷產(chǎn)生層、p型電荷產(chǎn)生層、ht-發(fā)光輔助層和et-發(fā)光輔助層的厚度可各自獨立地在約0.1nm至約100nm，例如，約1nm至約50nm的范圍內(nèi)。當n型電荷產(chǎn)生層、p型電荷產(chǎn)生層、ht-發(fā)光輔助層和et-發(fā)光輔助層的厚度在這些范圍內(nèi)時，可在驅(qū)動電壓無顯著增加下實現(xiàn)具有優(yōu)異特性的有機發(fā)光裝置。

有機發(fā)光裝置中的m可為2或3。其中m為2的有機發(fā)光裝置的實施方式將結(jié)合圖1至3描述，并且其中m為3的有機發(fā)光裝置的實施方式將結(jié)合圖4描述。

在一個或多個實施方式中，有機發(fā)光裝置中的m可為2，并且發(fā)光單元可包括第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元。

在實施方案中，電荷產(chǎn)生層可包括第一電荷產(chǎn)生層。

第一電荷產(chǎn)生層可設(shè)置在第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間，

第一發(fā)光單元可設(shè)置在第一電極和第一電荷產(chǎn)生層之間，

第二發(fā)光單元可設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層和第二電極之間，

第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，

第二發(fā)光單元還可包括在第二發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且

第二發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物。

在一個或多個實施方式中，在其中m為2的有機發(fā)光裝置中，第一發(fā)光單元還可包括在第一發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第一發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物。第一發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物與第二發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物可彼此相同或不同。

在一個或多個實施方式中，有機發(fā)光裝置中的m可為3，并且發(fā)光單元可包括第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元。

在實施方案中，電荷產(chǎn)生層可包括第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層。

第一電荷產(chǎn)生層可設(shè)置在第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間，并且第二電荷產(chǎn)生層可設(shè)置在第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元之間，

第一發(fā)光單元可設(shè)置在第一電極和第一電荷產(chǎn)生層之間，

第二發(fā)光單元可設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層之間，

第三發(fā)光單元可設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層和第二電極之間，

選自第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層的至少一個可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，

選自第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元的至少一個還可包括ht-發(fā)光輔助層，并且

選自第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元的至少一個中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物。

在一個或多個實施方式中，在其中m為3的有機發(fā)光裝置中，i)第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層可各自包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，ii)第二發(fā)光單元還可包括在第二發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第二發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物，并且iii)第三發(fā)光單元還可包括在第三發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第三發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物。第一電荷產(chǎn)生層中包括的至少一種第一化合物與第二電荷產(chǎn)生層中包括的至少一種第一化合物可彼此相同或不同。第二發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物與第三發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物可彼此相同或不同。

在一個或多個實施方式中，在其中m為3的有機發(fā)光裝置中，i)第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層可各自包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，ii)第一發(fā)光單元還可包括在第一發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第一發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物，iii)第二發(fā)光單元還可包括在第二發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第二發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物，并且iv)第三發(fā)光單元還可包括在第三發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第三發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物。第一電荷產(chǎn)生層中包括的至少一種第一化合物與第二電荷產(chǎn)生層中包括的至少一種第一化合物可彼此相同或不同，并且第一發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物、第二發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物以及第三發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物可彼此相同或不同。

有機發(fā)光裝置還可包括在數(shù)量為m的發(fā)光單元中的與第一電極相鄰的發(fā)光單元和第一電極之間的空穴傳輸區(qū)，并且

空穴傳輸區(qū)可包括具有-3.5ev或更低的最低未占有分子軌道(lumo)能級的p-摻雜劑。下文將詳細描述空穴傳輸區(qū)。

在一個或多個實施方式中，空穴傳輸區(qū)可包括至少一種第二化合物，并且ht-發(fā)光輔助層中包括的至少一種第二化合物與空穴傳輸區(qū)中包括的至少一種第二化合物可彼此相同或不同。

在一個或多個實施方式中，有機發(fā)光裝置還可包括在數(shù)量為m的發(fā)光單元中的與第二電極相鄰的發(fā)光單元和第二電極之間的電子傳輸區(qū)。下文將詳細描述電子傳輸區(qū)。

在有機發(fā)光裝置中，i)m大于或等于2，ii)數(shù)量為m-1的n型電荷產(chǎn)生層中的至少一個可包括至少一種第一化合物和含金屬的材料，并且第一化合物可由式1表示，iii)數(shù)量為m-1的p型電荷產(chǎn)生層可包括不含氨基的化合物，并且可不包括含氨基的化合物，并且iv)數(shù)量為m的發(fā)光單元中的至少一個還可包括設(shè)置在第一電極側(cè)的ht-發(fā)光輔助層，ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物，并且第二化合物可由式2表示，如上文所述。因此，有機發(fā)光裝置可具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和長壽命。

在一個或多個實施方式中，在數(shù)量為m-1的電荷產(chǎn)生層中，第n個電荷產(chǎn)生層(其中n為選自1至m的整數(shù))中包括的n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層可彼此直接接觸。n型電荷產(chǎn)生層可包括如上文所述的由式1表示的膦氧化物類化合物(第一化合物)和含金屬的材料，并且p型電荷產(chǎn)生層可不包括如上文所述的由*-n(r')(r")表示的氨基(其中r'和r"為任何取代基，并且*表示與化學(xué)種類的結(jié)合位點)，(例如，p型電荷產(chǎn)生層由f4-tcnq、hat-cn或由式221表示的化合物組成)。因此，通過n型電荷產(chǎn)生層中包括的由式1表示的膦氧化物類化合物(第一化合物)與n型電荷產(chǎn)生層中包括的含金屬的材料之間的相互作用，可改善裝置穩(wěn)定性。即使n型電荷產(chǎn)生層與不包括氨基的p型電荷產(chǎn)生層進行接觸，可防止n型電荷產(chǎn)生層中包括的材料與p型電荷產(chǎn)生層中包括的材料彼此混合，由此實現(xiàn)具有高效率和長壽命的有機發(fā)光裝置。

在一個或多個實施方式中，

在數(shù)量為m的發(fā)光單元中的第n個發(fā)光單元可包括在第n個發(fā)光單元的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，

第n個發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層可包括至少一種第二化合物(由式2表示的單胺類化合物)，并且

第n個發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層與在數(shù)量為m-1的電荷產(chǎn)生層中的第n-1個電荷產(chǎn)生層的p型電荷產(chǎn)生層可彼此直接接觸，其中n可為選自1至m的整數(shù)。

同樣地，由于第n個發(fā)光單元中包括的ht-發(fā)光輔助層包括至少一種第二化合物(由式2表示的單胺類化合物)，ht-發(fā)光輔助層可具有寬的能帶隙和深的最高占有分子軌道(homo)能級(相對大的homo能級絕對值)。因此，可促進到p型電荷產(chǎn)生層中的電荷注入，由此實現(xiàn)具有高效率和長壽命的有機發(fā)光裝置。

在一個或多個實施方式中，在數(shù)量為m的發(fā)光單元中的第n個發(fā)光單元可包括在第n個發(fā)光單元中包括的發(fā)光層和第一電極之間的ht-發(fā)光輔助層，并且第n個發(fā)光層中包括的發(fā)光層可直接接觸第n個發(fā)光層中包括的ht-發(fā)光輔助層，其中n可為選自1至m的整數(shù)。

[圖1至4的描述]

圖1至3圖示說明根據(jù)實施方式的其中m為2的有機發(fā)光裝置11、12和13的示意性截面圖，并且圖4圖示說明其中m為3的有機發(fā)光裝置21的示意性截面圖。

圖1的有機發(fā)光裝置11可具有包括以下的結(jié)構(gòu)：以該陳述的順序依次堆疊的第一電極110、空穴傳輸區(qū)151、第一發(fā)光單元153-1、第一電荷產(chǎn)生層155-1、第二發(fā)光單元153-2、電子傳輸區(qū)159和第二電極190。

空穴傳輸區(qū)151可包括空穴注入層151-1和空穴傳輸層151-2，第一發(fā)光單元153-1可包括發(fā)光層153-1-em和et-發(fā)光輔助層153-1-et，第一電荷產(chǎn)生層155-1可包括n型電荷產(chǎn)生層155-1-n和p型電荷產(chǎn)生層155-1-p，第二發(fā)光單元153-2可包括ht-發(fā)光輔助層153-2-ht、發(fā)光層153-2-em和et-發(fā)光輔助層153-2-et，并且電子傳輸區(qū)159可包括電子傳輸層159-1和電子注入層159-2。

圖2的有機發(fā)光裝置12具有與圖1的有機發(fā)光裝置11基本上相同的結(jié)構(gòu)，只是第二發(fā)光單元153-2包括第一發(fā)光層153-2-em1和第二發(fā)光層153-2-em2，而不是發(fā)光層153-2-em。

圖3的有機發(fā)光裝置13具有與圖1的有機發(fā)光裝置11基本上相同的結(jié)構(gòu)，只是第一發(fā)光單元153-1還包括在發(fā)光層153-1-em和第一電極110之間(即，設(shè)置在第一電極110側(cè))的ht-發(fā)光輔助層153-1-ht。

圖4的有機發(fā)光裝置21為其中m為3的有機發(fā)光裝置。

有機發(fā)光裝置21可具有包括以下的結(jié)構(gòu)：以該陳述的順序依次堆疊的第一電極110、空穴傳輸區(qū)151、第一發(fā)光單元153-1、第一電荷產(chǎn)生層155-1、第二發(fā)光單元153-2、第二電荷產(chǎn)生層155-2、第三發(fā)光單元153-3、電子傳輸區(qū)159和第二電極190。

空穴傳輸區(qū)151可包括空穴注入層151-1和空穴傳輸層151-2，第一發(fā)光單元153-1可包括ht-發(fā)光輔助層153-1-ht、發(fā)光層153-1-em和et-發(fā)光輔助層153-1-et，第一電荷產(chǎn)生層155-1可包括n型電荷產(chǎn)生層155-1-n和p型電荷產(chǎn)生層155-1-p，第二發(fā)光單元153-2可包括ht-發(fā)光輔助層153-2-ht、發(fā)光層153-2-em和et-發(fā)光輔助層153-2-et，第二電荷產(chǎn)生層155-2可包括n型電荷產(chǎn)生層155-2-n和p型電荷產(chǎn)生層155-2-p，并且第三發(fā)光單元153-3可包括ht-發(fā)光輔助層153-3-ht、發(fā)光層153-3-em和et-發(fā)光輔助層153-3-et。

下文中，將參考圖1至4描述根據(jù)一個或多個實施方式的有機發(fā)光裝置11、12、13和21的結(jié)構(gòu)及其制造方法。

[第一電極110]

在實施方案中，可在第一電極110之下或在第二電極190之上額外地設(shè)置基板?；蹇蔀椴ＡЩ寤蛩芰匣?，各自具有優(yōu)異的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、易操作性和防水性。

第一電極110可通過在基板上沉積或濺射用于形成第一電極110的材料而形成。當?shù)谝浑姌O110為陽極時，用于形成第一電極110的材料可選自具有高功函的材料以便于空穴注入。

第一電極110可為反射電極、半透射電極或透射電極。當?shù)谝浑姌O110為透射電極時，用于形成第一電極110的材料可選自氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)及其任意組合。當?shù)谝浑姌O110為半透射電極或反射電極時，用于形成第一電極110的材料可選自鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)或其任意組合。

第一電極110可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個或更多個的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極110可具有ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu)。

[空穴傳輸區(qū)151]

空穴傳輸區(qū)151可具有i)由單個層(包括單種材料)組成的單層結(jié)構(gòu)、ii)由單個層(包括多種不同的材料)組成的單層結(jié)構(gòu)或者iii)具有包括多種不同材料的多個層的多層結(jié)構(gòu)。

空穴傳輸區(qū)151可包括選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)光輔助層和電子阻擋層(ebl)中的至少一個層。

例如，空穴傳輸區(qū)151可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)包括單個層(包括多種不同的材料)，所述多層結(jié)構(gòu)具有空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光輔助層、空穴注入層/發(fā)光輔助層、空穴傳輸層/發(fā)光輔助層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，其中對于每種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成層以該陳述的順序從第一電極110依次堆疊。

空穴傳輸區(qū)151可包括選自m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、pedot/pss(聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)和由式202表示的化合物中的至少一種：

<式202>

在式202中，

l201至l204可各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，

l205可選自*-o-*'、*-s-*'、*-n(q201)-*'、取代或未取代的c1-c20亞烷基、取代或未取代的c2-c20亞烯基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，

xa1至xa4可各自獨立地為選自0至3的整數(shù)，

xa5可為選自1至10的整數(shù)，并且

r201至r204和q201可各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團。

例如，在式202中，r201和r202可任選地通過單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基連接，并且r203和r204可任選地通過單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基連接。

在一個或多個實施方式中，在202中，

l201至l205可各自獨立地選自：

亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，xa1至xa4可各自獨立地為0、1或2。

在一個或多個實施方式中，xa5可為1、2、3或4。

在一個或多個實施方式中，r201至r204和q201可各自獨立地選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、-si(q31)(q32)(q33)和-n(q31)(q32)，

其中q31至q33與上文描述的相同。

在一個或多個實施方式中，在式202中，i)r201和r202可通過單鍵連接和/或ii)r203和r204可通過單鍵連接。

在一個或多個實施方式中，在式202中，選自r201至r204中的至少一個可選自：

咔唑基；以及

被選自以下的至少一個取代的咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一個或多個實施方式中，由式202表示的化合物可由式202a表示：

<式202a>

在一個或多個實施方式中，由式202表示的化合物可由式202a-1表示：

<式202a-1>

在式202a和202a-1中，

l201至l203、xa1至xa3、xa5和r202至r204與上文描述的相同，并且

r211和r212與關(guān)于r203描述的相同，

r213至r216可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基。

空穴傳輸區(qū)151可包括選自化合物ht28至ht36中的至少一個化合物：

在一個或多個實施方式中，空穴注入層151可包括至少一種由式2表示的化合物，但是也可替代地包括其他材料。

空穴傳輸區(qū)151的厚度可在約10nm至約1,000nm，或者約10nm至約100nm的范圍內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)151包括選自空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個時，空穴注入層的厚度可在約至約以及在一些實施方式中，約至約的范圍內(nèi)；空穴傳輸層的厚度可在約至約以及在一些實施方式中，約至約的范圍內(nèi)。當空穴傳輸區(qū)151、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在這些范圍內(nèi)時，在驅(qū)動電壓沒有顯著增加下可獲得令人滿意的空穴傳輸特性。

發(fā)光輔助層可通過根據(jù)由發(fā)光層發(fā)射的光的波長補償光學(xué)共振距離來增加發(fā)光效率，并且電子阻擋層可阻擋來自電子傳輸區(qū)的電子的流動。發(fā)光輔助層和電子阻擋層可包括上文描述的材料。

[p-摻雜劑]

除了上文描述的材料之外，空穴傳輸區(qū)151還可包括電荷產(chǎn)生材料以改善導(dǎo)電性。電荷產(chǎn)生材料可均勻地或非均勻地分散于空穴傳輸區(qū)中。

電荷產(chǎn)生材料可為例如p-摻雜劑。

在一個或多個實施方式中，p-摻雜劑的最低未占有分子軌道(lumo)能級可為-3.5ev或更低。

p-摻雜劑可包括選自醌衍生物、金屬氧化物和含氰基的化合物中的至少一種。

例如，p-摻雜劑可包括選自以下的至少一種：

醌衍生物，比如四氰醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(f4-tcnq)；

金屬氧化物，比如鎢氧化物和鉬氧化物；

1,4,5,8,9,11-六氮雜苯并菲-六腈(hat-cn)；以及

由式221表示的化合物。

[第一發(fā)光單元153-1、第二發(fā)光單元153-2和第三發(fā)光單元153-3]

第一發(fā)光單元153-1、第二發(fā)光單元153-2和第三發(fā)光單元153-3中的每個包括發(fā)光層。發(fā)光層可具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩個或更多個發(fā)射不同顏色的光的層的多層結(jié)構(gòu)。

在一個或多個實施方式中，發(fā)光層可包括主體和摻雜劑。

下文將詳細描述主體和摻雜劑。

摻雜劑可包括選自磷光摻雜劑和熒光摻雜劑中的至少一種。

基于100重量份的主體，發(fā)光層中的摻雜劑的量一般可在約0.01至約15重量份的范圍內(nèi)。

發(fā)光層的厚度可在約10nm至約100nm，以及在一些實施方式中，約20nm至約60nm的范圍內(nèi)。當發(fā)光層的厚度在這些范圍內(nèi)時，在驅(qū)動電壓無顯著增加下可獲得優(yōu)異的發(fā)光特性。

圖1和2中圖示說明的空穴傳輸-發(fā)光輔助層153-2-ht；圖3中圖示說明的，選自第一發(fā)光單元153-1的ht-發(fā)光輔助層153-1-ht和第二發(fā)光單元153-2的ht-發(fā)光輔助層153-2-ht中的至少一個；以及圖4中圖示說明的選自第一發(fā)光單元153-1的ht-發(fā)光輔助層153-1-ht、第二發(fā)光單元153-2的ht-發(fā)光輔助層153-2-ht和第三發(fā)光單元153-3的ht-發(fā)光輔助層153-3-ht中的至少一個，可包括至少一種第二化合物。

圖1至4中圖示說明的，用于形成第一發(fā)光單元153-1的et-發(fā)光輔助層153-1-et、第二發(fā)光單元153-2的et-發(fā)光輔助層153-2-et和第三發(fā)光單元153-3的et-發(fā)光輔助層153-3-et的材料，可與關(guān)于電子傳輸區(qū)描述的相同。

[主體]

在一個或多個實施方式中，主體可包括由式301表示的化合物：

<式301>

[ar301]xb11-[(l301)xb1-r301]xb21。

在式301中，

ar301可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

xb11可為1、2或3，

l301可選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，

xb1可為選自0至5的整數(shù)，

r301可選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q301)(q302)(q303)、-n(q301)(q302)、-b(q301)(q302)、-c(＝o)(q301)、-s(＝o)2(q301)和-p(＝o)(q301)(q302)，并且

xb21可為選自1至5的整數(shù)，

其中q301至q303可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，在式301中，ar301可選自：

萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在式301中，當xb11大于或等于2時，兩個或更多個ar301可通過單鍵連接。

在一個或多個實施方式中，由式301表示的化合物可由式301-1或301-2表示：

<式301-1>

<式301-2>

在式301-1和301-2中，

a301至a304可各自獨立地選自苯基、萘基、菲基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，

x301可為o、s或n-[(l304)xb4-r304]，

r311至r314可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

xb22和xb23可各自獨立地為0、1或2，并且

l301、xb1、r301和q31至q33與上文描述的相同，

l302至l304各自獨立地與關(guān)于l301描述的相同，

xb2至xb4各自獨立地與關(guān)于xb1描述的相同，并且

r302至r304各自獨立地與關(guān)于r301描述的相同。

例如，在式301、301-1和301-2中，l301至l304可各自獨立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33與上文描述的相同。

在一個或多個實施方式中，在式301、301-1和301-2中，r301至r304可各自獨立地選自：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮雜咔唑基、-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33與上文描述的相同。

在一個或多個實施方式中，主體可包括堿土金屬絡(luò)合物。例如，主體可選自be絡(luò)合物(例如，化合物h55)、mg絡(luò)合物和zn絡(luò)合物。

主體可包括選自9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4′-雙(n-咔唑基)-1,1′-聯(lián)苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)和化合物h1至h55中的至少一個：

[磷光摻雜劑]。

磷光摻雜劑可包括由式401表示的有機金屬絡(luò)合物：

<式401>

m(l401)xc1(l402)xc2

<式402>

在式401和402中，

m可選自銥(ir)、鉑(pt)、鈀(pd)、鋨(os)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉿(hf)、銪(eu)、鋱(tb)、銠(rh)和銩(tm)，

l401可選自由式402表示的配位體，并且xc1可為1、2或3，其中當xc1大于或等于2時，兩個或更多個l401可彼此相同或不同，

l402可為有機配位體，并且xc2可為選自0至4的整數(shù)，其中當xc2大于或等于2時，兩個或更多個l402可彼此相同或不同，

x401至x404可各自獨立地為氮或碳，

x401和x403可通過單鍵或雙鍵連接，并且x402和x404可通過單鍵或雙鍵連接，

a401和a402可各自獨立地選自c5-c60碳環(huán)基或c1-c60雜環(huán)基，

x405可為單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)＝c(q412)-*'、*-c(q411)＝*'或*＝c＝*'，其中q411和q412可為氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，

x406可為單鍵、o或s，

r401和r402可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)、其中q401至q403可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基和c1-c20雜芳基，

xc11和xc12可各自獨立地為選自0至10的整數(shù)，并且

式402中的*和*'各自表示與式401中的m的結(jié)合位點。

在一個或多個實施方式中，式402中的a401和a402可各自獨立地選自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。

在一個或多個實施方式中，在式402中，i)x401可為氮，并且x402可為碳，或者ii)x401和x402可各自同時為氮。

在一個或多個實施方式中，式402中的r402和r401可各自獨立地選自：

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基和c1-c20烷氧基；

各自被選自以下中的至少一個取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基和降冰片烯基；

環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；

各自被選自以下中的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及

-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(＝o)(q401)、-s(＝o)2(q401)和-p(＝o)(q401)(q402)，

其中q401至q403可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，當在式401中的xc1大于或等于2時，兩個或更多個l401中的兩個a401可為分離的或者可任選地通過作為連接基團的x407連接，或者兩個或更多個l401中的兩個a402可為分離的或者可任選地通過作為連接基團的x408連接(參見化合物pd1至pd4和pd7)。x407和x408可各自獨立地為單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)＝c(q414)-*'(其中q413和q414可各自獨立地為氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基)。

式401中的l402可為單價、二價或三價有機配位體。例如，l402可選自鹵素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸鹽)、-c(＝o)、異腈、-cn和磷(例如，磷化氫或亞磷酸鹽)。

在一個或多個實施方式中，磷光摻雜劑可選自，例如，化合物pd1至pd25(例如，化合物pd9＝prd/化合物pd13＝pgd/化合物pd20＝pyd)：

[熒光摻雜劑]

熒光摻雜劑可包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。

在一個或多個實施方式中，熒光摻雜劑可包括由式501表示的化合物。

<式501>

在式501中，

ar501可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

l501至l503可各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，

xd1至xd3可各自獨立地為選自0至3的整數(shù)；

r501和r502可各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團，并且

xd4可為選自1至6的整數(shù)。

在一個或多個實施方式中，式501中的ar501可選自：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，式501中的l501至l503可各自獨立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和亞吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基。

在一個或多個實施方式中，式502中的r501和r502可各自獨立地選自：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基；以及

各自被選自以下中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，式501中的xd4可為2。

例如，熒光摻雜劑可選自化合物fd1至fd22：

在一個或多個實施方式中，熒光摻雜劑可選自以下化合物。

[第一電荷產(chǎn)生層155-1和第二電荷產(chǎn)生層155-2]

在一個或多個實施方式中，在圖1至4中，每個第一電荷產(chǎn)生層155-1的n型電荷產(chǎn)生層155-1-n和每個第二電荷產(chǎn)生層155-2的n型電荷產(chǎn)生層155-2-n可由至少一種第一化合物和含金屬的材料組成。

在一個或多個實施方式中，在圖1至4中，每個第一電荷產(chǎn)生層155-1的p型電荷產(chǎn)生層155-1-p和每個第二電荷產(chǎn)生層155-2的p型電荷產(chǎn)生層155-2-p，可由如上文所述的不含氨基的化合物組成。

在一個或多個實施方式中，在圖1至4中，每個第一電荷產(chǎn)生層155-1的p型電荷產(chǎn)生層155-1-p和每個第二電荷產(chǎn)生層155-2的p型電荷產(chǎn)生層155-2-p可由hat-cn、f4-tcnq或由式221表示的化合物組成。

[電子傳輸區(qū)159]

電子傳輸區(qū)159可具有i)由單個層(所述單個層包括單種材料)組成的單層結(jié)構(gòu)、ii)由單個層(所述單個層包括多種不同的材料)組成的單層結(jié)構(gòu)或iii)具有包括多種不同材料的多個層的多層結(jié)構(gòu)。

電子傳輸區(qū)159可包括選自緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個層。

例如，電子傳輸區(qū)159可具有電子傳輸層/電子注入層、空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層、電子控制層/電子傳輸層/電子注入層或緩沖層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，其中對于每種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成層從發(fā)光層依次堆疊。

電子傳輸區(qū)159(例如，電子傳輸區(qū)159中的緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層或電子傳輸層)可包括無金屬化合物，該無金屬化合物包括至少一個π電子耗盡的含氮環(huán)。

術(shù)語“π電子耗盡的含氮環(huán)”指具有至少一個*-n＝*'部分作為成環(huán)部分的c1-c60雜環(huán)基。

例如，“π電子耗盡的含氮環(huán)”可為i)具有至少一個*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團；ii)雜多環(huán)基團，其中兩個或更多個各自具有至少一個*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團彼此稠合；或者iii)雜多環(huán)基團，其中至少一個具有至少一個*-n＝*'部分的五元至七元雜單環(huán)基團與至少一個c5-c60碳環(huán)基稠合。

π電子耗盡的含氮環(huán)的實例包括咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、異苯并噻唑、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮雜咔唑。

例如，電子傳輸區(qū)159可包括由式601表示的化合物：

<式601>

[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。

在式601中，

ar601可為取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基或取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基，

xe11可為1、2或3，

l601可選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代或未取代的二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團；

xe1可為選自0至5的整數(shù)，

r601可選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團、取代或未取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q601)(q602)(q603)、-c(＝o)(q601)、-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，

其中q601至q603可各自獨立地為c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基，并且

xe21可為選自1至5的整數(shù)。

在一個或多個實施方式中，選自數(shù)量為xe11的ar601中的至少一個和/或選自數(shù)量為xe21的r601中的至少一個可包括π電子耗盡的含氮環(huán)。

在一個或多個實施方式中，式601中的環(huán)ar601可選自：

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q31至q33可各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

當式601中的xe11大于或等于2時，兩個或更多個ar601可通過單鍵連接。

在一個或多個實施方式中，式601中的ar601可為蒽基。

在一個或多個實施方式中，由式601表示的化合物可由式601-1表示：

<式601-1>

在式601-1中，

x614可為n或c(r614)、x615可為n或c(r615)、x616可為n或c(r616)，并且選自x614至x616中的至少一個可為n，

l611至l613可各自獨立地與關(guān)于l601的描述基本上相同，

xe611至xe613可各自獨立地與關(guān)于xe1的描述基本上相同，

r611至r613可各自獨立地與關(guān)于r601的描述基本上相同，

r614至r616可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基。

在一個或多個實施方式中，在式601和601-1中，l601和l611至l613可各自獨立地選自：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基；以及

各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺-二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞咔唑基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞苯并咔唑基、亞二苯并咔唑基、亞二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、亞吡啶基、亞咪唑基、亞吡唑基、亞噻唑基、亞異噻唑基、亞噁唑基、亞異噁唑基、亞噻二唑基、亞噁二唑基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞苯并喹啉基、亞酞嗪基、亞萘啶基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞噌啉基、亞菲啶基、亞吖啶基、亞菲咯啉基、亞吩嗪基、亞苯并咪唑基、亞異苯并噻唑基、亞苯并噁唑基、亞異苯并噁唑基、亞三唑基、亞四唑基、亞咪唑并吡啶基、亞咪唑并嘧啶基和亞氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異惡唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基。

在一個或多個實施方式中，在式601和601-1中，xe1和xe611至xe613可各自獨立地為0、1或2。

在一個或多個實施方式中，在式601和601-1中，r601和r611至r613可各自獨立地選自：

苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異惡唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環(huán)戊二烯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮雜咔唑基；以及

-s(＝o)2(q601)和-p(＝o)(q601)(q602)，

其中q601和q602與上文描述的基本上相同。

電子傳輸區(qū)159可包括選自化合物et1至et36中的至少一個化合物：

在一個或多個實施方式中，電子傳輸區(qū)159可包括選自以下中的至少一個化合物：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)和ntaz。

在一個或多個實施方式中，電子傳輸區(qū)159可包括由式1表示的第一化合物。

緩沖層、空穴阻擋層和電子控制層的厚度可各自獨立地在約2nm至約100nm的范圍內(nèi)，以及在一個或多個實施方式中，約3nm至約30nm的范圍內(nèi)。當緩沖層、空穴阻擋層和電子控制層的厚度在這些范圍內(nèi)時，在驅(qū)動電壓無顯著增加下可獲得優(yōu)異的空穴阻擋特性或電子控制特性。

電子傳輸層的厚度可在約10nm至約100nm，以及在一些實施方式中，約15nm至約50nm的范圍內(nèi)。當電子傳輸層的厚度在該范圍內(nèi)時，在驅(qū)動電壓無顯著增加下可獲得令人滿意的電子傳輸特性。

除了上文描述的材料，電子傳輸區(qū)159(例如，電子傳輸區(qū)中的電子傳輸層)還可包括含金屬的材料。

含金屬的材料可包括選自堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物中的至少一種。堿金屬絡(luò)合物可包括選自以下的金屬離子：li離子、na離子、k離子、rb離子和cs離子，并且堿土金屬絡(luò)合物可包括選自以下中的金屬離子：be離子、mg離子、ca離子、sr離子和ba離子。與堿金屬絡(luò)合物或堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配位體可選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。

例如，含金屬的材料可包括li絡(luò)合物。例如，li絡(luò)合物可包括，例如，化合物et-d1(8-羥基喹啉鋰，liq)或化合物et-d2。

電子傳輸區(qū)159可包括促進來自第二電極190的電子的注入的電子注入層。所述電子注入層可直接接觸第二電極190。

電子注入層可具有i)包括單個層(所述單個層包括單種材料)的單層結(jié)構(gòu)、ii)包括單個層(所述單個層包括多種不同的材料)的單層結(jié)構(gòu)或iii)具有包括多種不同材料的多個層的多層結(jié)構(gòu)。

電子注入層可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任意組合。

在一個或多個實施方式中，電子注入層可包括li、na、k、rb、cs、mg、ca、er、tm、yb或其任意組合。

堿金屬可選自li、na、k、rb和cs。在一個或多個實施方式中，堿金屬可為li、na或cs。在一個或多個實施方式中，堿金屬可為li或cs。

堿土金屬可選自mg、ca、sr和ba。

稀土金屬可選自sc、y、ce、yb、gd和tb。

堿金屬化合物、堿土金屬化合物和稀土金屬化合物可選自堿金屬、堿土金屬和稀土金屬的氧化物和鹵化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。

堿金屬化合物可選自堿金屬氧化物(比如li2o、cs2o或k2o)和堿金屬鹵化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)。在一個或多個實施方式中，堿金屬化合物可選自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki。

堿土金屬化合物可選自堿土金屬氧化物(比如bao、sro、cao、baxsr1-xo(0<x<1)或baxca1-xo(0<x<1))。在一個或多個實施方式中，堿土金屬化合物可選自bao、sro和cao。

稀土金屬化合物可選自ybf3、scf3、sco3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一個或多個實施方式中，稀土金屬化合物可選自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3。

堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物可包括如上文描述的堿金屬離子、堿土金屬離子和稀土金屬離子，并且與堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配位體可各自獨立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥苯基噁唑、羥苯基噻唑、羥基二苯基噁二唑、羥基二苯基噻二唑、羥苯基吡啶、羥苯基苯并咪唑、羥苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉和環(huán)戊二烯。

電子注入層可由以下組成：如上面描述的堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任意組合。在一個或多個實施方式中，電子注入層可進一步包括有機材料。當電子注入層進一步包括有機材料時，堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任意組合可均勻地或不均勻地分散在包括有機材料的基質(zhì)中。

電子注入層的厚度可在約0.1nm至約10nm，以及在一些實施方式中，約0.3nm至約9nm的范圍內(nèi)。當電子注入層的厚度在上文描述的范圍內(nèi)時，電子注入層在驅(qū)動電壓無顯著增加下可具有令人滿意的電子注入特性。

在一個或多個實施方式中，每個有機發(fā)光裝置11、12、13和21的電子傳輸區(qū)159可包括電子傳輸層和電子注入層。

選自電子傳輸層和電子注入層中的至少一個層可包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任意組合。

[第二電極190]

第二電極190可設(shè)置在具有這樣的結(jié)構(gòu)的電子傳輸層159上。第二電極190可為陰極，其為電子注入電極，并且在這方面，用于形成第二電極190的材料可為具有低功函的材料，并且這樣的材料可為金屬、合金、導(dǎo)電性化合物或其混合物。

第二電極190可包括選自以下中的至少一種：鋰(li)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)、ito和izo。第二電極190可為透射電極、半透射電極或反射電極。

第二電極190可具有單層結(jié)構(gòu)或包括兩個或更多個層的多層結(jié)構(gòu)。

在上文中，已經(jīng)關(guān)于圖1-4描述了根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置。

構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、每個發(fā)光層、每個電荷產(chǎn)生層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層可通過使用一種或多種適當?shù)姆椒ㄔ谀硡^(qū)域中形成，所述方法選自真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、朗繆爾-布羅基特(lb)沉積、噴墨打印、激光打印和激光誘導(dǎo)的熱成像。

當構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、每個發(fā)光層、每個電荷產(chǎn)生層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層通過沉積形成時，取決于用于形成層的化合物和要形成的每個層的結(jié)構(gòu)，沉積可在約100℃至約500℃的沉積溫度、約10^-8托至約10^-3托的真空度和約0.001nm/sec至約10nm/sec的沉積速率下進行。

當構(gòu)成空穴傳輸區(qū)的層、每個發(fā)光層、每個電荷產(chǎn)生層和構(gòu)成電子傳輸區(qū)的層通過旋轉(zhuǎn)涂布形成時，取決于要包括在層中的化合物和要形成的每個層的結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)涂布可在約2,000rpm至約5,000rpm的涂布速度和約80℃至200℃的熱處理溫度下進行。

[取代基的一般定義]

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷基”指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈飽和脂肪族烴單價基團，并且非限制性實例包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c60亞烷基”指與c1-c60烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60烯基”指通過在c2-c60烷基的中間或末端代入至少一個碳碳雙鍵而形成的烴基，并且其非限制性實例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞烯基”指與c2-c60烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60炔基”指通過在c2-c60烷基的中間或末端代入至少一個碳碳三鍵而形成的烴基，并且非限制性實例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞炔基”指與c2-c60炔基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷氧基”指由-oa101(其中a101為c1-c60烷基)表示的單價基團，并且其非限制性實例包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烷基”指具有3至10個碳原子的單價飽和烴單環(huán)基團，并且其非限制性實例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基和環(huán)庚基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烷基”指與c3-c10環(huán)烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烷基”指具有至少一個選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子和1至10個碳原子的單價飽和單環(huán)基團，并且其非限制性實例包括1,2,3,4-噁三唑啶基、四氫呋喃基和四氫噻吩基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烷基”指與c1-c10雜環(huán)烷基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烯基”指在其環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個碳碳雙鍵并且不具有芳香性的單價單環(huán)基團，并且其非限制性實例包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基和環(huán)庚烯基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烯基”指與c3-c10環(huán)烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烯基”指在其環(huán)中具有至少一個選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子、1至10個碳原子和至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團。c1-c10雜環(huán)烯基的非限制性實例為4,5-二氫-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烯基”指與c1-c10雜環(huán)烯基具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳基”指包括具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的單價基團，并且如本文中使用的術(shù)語“c6-c60亞芳基”指包括具有6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的二價基團。c6-c60芳基的非限制性實例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和基。當c6-c60芳基和c6-c60亞芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，這些環(huán)可彼此稠接。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60雜芳基”指具有雜環(huán)芳族體系(除了1至60個碳原子以外，具有至少一個選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子)的單價基團。如本文中使用的術(shù)語“c1-c60亞雜芳基”指具有雜環(huán)芳族體系(除了1至60個碳原子以外，具有至少一個選自n、o、si、p和s的雜原子作為成環(huán)原子)的二價基團。c1-c60雜芳基的非限制性實例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當c1-c60雜芳基和c1-c60亞雜芳基各自包括兩個或更多個環(huán)時，這些環(huán)可彼此稠接。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳氧基”指-o-a102(其中a102為c6-c60芳基)，并且本文中使用的c6-c60芳硫基表示-s-a103(其中a103為c6-c60芳基)。

如本文中使用的術(shù)語“單價的非芳族稠合多環(huán)基團”指這樣的單價基團(例如，具有8至60個碳原子)，其具有彼此稠合的兩個或更多個環(huán)，僅具有碳原子作為成環(huán)原子，以及分子結(jié)構(gòu)整體的非芳香性。單價的非芳族稠合多環(huán)基團的具體實例為芴基。本文中使用的術(shù)語“二價的非芳族稠合多環(huán)基團”指與單價的非芳族稠合多環(huán)基團具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團”指這樣的單價基團(例如，具有1至60個碳原子)，其具有彼此稠合的兩個或更多個環(huán)，除了碳原子以外，還具有選自n、o、si、p和s中的至少一個雜原子作為成環(huán)原子，并且具有分子結(jié)構(gòu)整體的非芳香性。單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團的實例為咔唑基。本文中使用的術(shù)語“二價的非芳族稠合雜多環(huán)基團”指與單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團具有相同的結(jié)構(gòu)的二價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基”指其中成環(huán)原子僅為碳原子的具有5至60個碳原子的單環(huán)或多環(huán)基團。c5-c60碳環(huán)基可為芳族碳環(huán)基或非芳族碳環(huán)基。c5-c60碳環(huán)基可為環(huán)(比如苯)、單價基團(比如苯基)或二價基團(比如亞苯基)。在一個或多個實施方式中，取決于連接到c5-c60碳環(huán)基的取代基的數(shù)量，c5-c60碳環(huán)基可為三價基團或四價基團。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60雜環(huán)基”指與c1-c60碳環(huán)基具有相同結(jié)構(gòu)的基團，只是除了碳(碳原子的數(shù)量可在1至60范圍內(nèi))以外，使用選自n、o、si、p和s中的至少一個雜原子作為成環(huán)原子。

如本文中使用的，選自取代的c5-c60碳環(huán)基、取代的c1-c60雜環(huán)基、取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c60亞芳基、取代的c1-c60亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環(huán)基團、取代的二價非芳族稠合雜多環(huán)基團、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價的非芳族稠合多環(huán)基團和取代的單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團的取代基中的至少一個取代基可選自：

氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基；

各自被選自以下的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(＝o)(q11)、-s(＝o)2(q11)和-p(＝o)(q11)(q12)；

c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團和單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團；

各自被選自以下的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團和單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團、單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(＝o)(q21)、-s(＝o)2(q21)和-p(＝o)(q21)(q22)；以及

-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(＝o)(q31)、-s(＝o)2(q31)和-p(＝o)(q31)(q32)，

其中q1至q3、q11至q13、q21至q23和q31至q33可各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、被c1-c60烷基取代的c6-c60芳基、被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基、三聯(lián)苯基、c1-c60雜芳基、被c1-c60烷基取代的c1-c60雜芳基、被c6-c60芳基取代的c1-c60雜芳基、單價的非芳族稠合多環(huán)基團和單價的非芳族稠合雜多環(huán)基團。

如本文中使用的術(shù)語“ph”可指苯基；如本文中使用的術(shù)語“me”可指甲基；如本文中使用的術(shù)語“et”可指乙基；如本文中使用的術(shù)語“ter-bu”或“bu^t”可指叔丁基；并且如本文中使用的術(shù)語“ome”可指甲氧基。

如本文中使用的術(shù)語“聯(lián)苯基”指“被苯基取代的苯基”。換言之，“聯(lián)苯基”為具有c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。

如本文中使用的術(shù)語“三聯(lián)苯基”指“被聯(lián)苯基取代的苯基”。換言之，“三聯(lián)苯基”為具有被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。

除非另有定義，本文中使用的*和*'，各自指在相應(yīng)的式中與相鄰原子的結(jié)合位點。

在下文中，將參考合成例和實施例詳細地描述根據(jù)實施方式的化合物和根據(jù)實施方式的有機發(fā)光裝置。在描述合成例中使用的用語“使用b代替a”指使用相同摩爾當量的b代替a。

為了強調(diào)一個或多個實施方式的特性，提供以下實施例和對比例，但是可以理解的是，這些實施例和對比例不應(yīng)被解釋為限制實施方式的范圍，這些對比例也不應(yīng)被解釋為在實施方式的范圍之外。而且，可以理解的是，實施方式不限于實施例和對比例中描述的特定細節(jié)。

[實施例]

實施例1

空穴傳輸區(qū)的合成

通過將其上沉積有厚度為120nm(15ω/cm²)的ito層的ito玻璃基板(康寧制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小來制備陽極，使用丙酮、異丙醇和純水超聲清洗ito玻璃基板(陽極)各15分鐘，然后使ito玻璃基板(陽極)暴露于紫外線照射30分鐘，并暴露于臭氧，以進行清潔。然后將ito玻璃基板(陽極)安裝在真空沉積設(shè)備上。

將m-tdata(97wt％)和f4-tcnq(3wt％)共沉積在ito(陽極)玻璃基板上以形成具有20nm厚度的空穴注入層，并且將npb沉積在空穴注入層上以形成具有150nm厚度的空穴傳輸層，由此形成空穴傳輸區(qū)。

第一發(fā)光單元的形成

將and(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉積在空穴傳輸區(qū)上以形成具有20nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有30nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第一發(fā)光單元。

第一電荷產(chǎn)生層的形成

將化合物1-1(95wt％)和li(5wt％)共沉積在第一發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

第二發(fā)光單元的形成

將化合物2-2沉積在第一電荷產(chǎn)生層上以形成具有30nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將cbp(85wt％)和pyd(15wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有30nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有10nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第二發(fā)光單元。

電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

將bphen和liq以1:1的重量比(例如，各50wt％)共沉積在第二發(fā)光單元上以形成具有30nm厚度的電子傳輸層，并且將liq沉積在電子傳輸層上以形成具有1nm厚度的電子注入層。然后，將al沉積在電子注入層上以形成具有200nm厚度的第二電極(陰極)，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

實施例2至7

以與實施例1中相同的方式制造實施例2至7的有機發(fā)光裝置，只是各自如表1所示改變第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層的材料和第一發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層的材料。

實施例8

空穴傳輸區(qū)、第一發(fā)光單元和第一電荷產(chǎn)生層的形成

空穴傳輸區(qū)、第一發(fā)光單元和第一電荷產(chǎn)生層以與實施例1中相同的方式在ito(陽極)玻璃基板上依次形成。

第二發(fā)光單元的形成

將化合物2-2沉積在第一電荷產(chǎn)生層上以形成具有30nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將cbp(99wt％)和pyd(1wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有10nm厚度的第一發(fā)光層，并且將cbp(90wt％)和pgd(10wt％)共沉積在第一發(fā)光層上以形成具有20nm厚度的第二發(fā)光層。然后，將bphen沉積在第二發(fā)光層上以形成具有10nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第二發(fā)光單元。

電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

電子傳輸區(qū)和第二電極以與實施例1中相同的方式形成在第二發(fā)光單元上，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

實施例9和10

以與實施例8中相同的方式制造實施例9和10的有機發(fā)光裝置，只是各自如表1所示改變第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層的材料和第一發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層的材料。

實施例11

空穴傳輸區(qū)的形成

通過將其上沉積有厚度為120nm(15ω/cm²)的ito層的ito玻璃基板(康寧制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小來制備陽極，使用丙酮、異丙醇和純水超聲清洗ito玻璃基板(陽極)各15分鐘，然后使ito玻璃基板(陽極)暴露于紫外線照射30分鐘并暴露于臭氧以進行清潔。然后，將ito玻璃基板(陽極)安裝在真空沉積設(shè)備上。

將化合物2-2(97wt％)和pd(3wt％)共沉積在ito(陽極)玻璃基板上以形成具有20nm厚度的空穴注入層，并且將npb沉積在空穴注入層上以形成具有130nm厚度的空穴傳輸層，由此形成空穴傳輸區(qū)。

第一發(fā)光單元的形成

將化合物2-22沉積在空穴傳輸區(qū)上以形成具有20nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將and(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有20nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有30nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第一發(fā)光單元。

第一電荷產(chǎn)生層的形成

將化合物1-31(95wt％)和yb(5wt％)共沉積在第一發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

第二發(fā)光單元、電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

第二發(fā)光單元、電子傳輸區(qū)和第二電極以與實施例1中相同的方式在第一電荷產(chǎn)生層上依次形成，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

實施例12

空穴傳輸區(qū)的形成

通過將其上沉積有厚度為120nm(15ω/cm²)的ito層的ito玻璃基板(康寧制造)切割成50mm×50mm×0.5mm的大小來制備陽極，使用丙酮、異丙醇和純水超聲清洗ito玻璃基板(陽極)各15分鐘，然后使ito玻璃基板(陽極)暴露于紫外線照射30分鐘并暴露于臭氧以進行清潔。然后，將ito玻璃基板(陽極)安裝在真空沉積設(shè)備上。

將m-tdata(97wt％)和f4-tcnq(3wt％)共沉積在陽極上以形成具有20nm厚度的空穴注入層，并且將npb沉積在空穴注入層上以形成具有130nm厚度的空穴傳輸層，由此形成空穴傳輸區(qū)。

第一發(fā)光單元的形成

將化合物2-39沉積在空穴傳輸區(qū)上以形成具有20nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將cbp(85wt％)和pyd(15wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有30nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有30nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第一發(fā)光單元。

第一電荷產(chǎn)生層的形成

將化合物1-1(95wt％)和yb(5wt％)共沉積在第一發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

第二發(fā)光單元的形成

將化合物2-93沉積在第一電荷產(chǎn)生層上以形成具有30nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將adn(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有20nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有30nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第二發(fā)光單元。

第二電荷產(chǎn)生層的形成

將化合物1-7(95wt％)和yb(5wt％)共沉積在第二發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將hat-cn沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第二電荷產(chǎn)生層。

第三發(fā)光單元的形成

將化合物2-93沉積在第二電荷產(chǎn)生層上以形成具有30nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將adn(95wt％)和dpavbi(5wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有20nm厚度的發(fā)光層，并且將bphen沉積在發(fā)光層上以形成具有10nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第三發(fā)光單元。

電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

電子傳輸區(qū)和第二電極以與實施例1中相同的方式形成在第三發(fā)光單元上，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

對比例1

以與實施例1中相同的方式制造對比例1的有機發(fā)光裝置，只是第一電荷產(chǎn)生層的n型電荷產(chǎn)生層的材料和第一發(fā)光單元的ht-發(fā)光輔助層的材料各自如表1所示改變。

對比例2

空穴傳輸區(qū)和第一發(fā)光單元的形成

空穴傳輸區(qū)和第一發(fā)光單元以與實施例1中相同的方式在陽極上依次形成。

第一電荷產(chǎn)生層的形成

將bcp(95wt％)和li(5wt％)共沉積在第一發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將化合物2-2和化合物pd共沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

第二發(fā)光單元的形成

將化合物2-2沉積在第一電荷產(chǎn)生層上以形成具有30nm厚度的ht-發(fā)光輔助層，將cbp(99wt％)和prd(1wt％)共沉積在ht-發(fā)光輔助層上以形成具有10nm厚度的第一發(fā)光層，并且將cbp(90wt％)和pgd(10wt％)共沉積在第一發(fā)光層上以形成具有20nm厚度的第二發(fā)光層。然后將bphen沉積在第二發(fā)光層上以形成具有10nm厚度的et-發(fā)光輔助層，由此形成第二發(fā)光單元。

電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

電子傳輸區(qū)和第二電極以與實施例1中相同的方式在第二發(fā)光單元上依次形成，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

對比例3

空穴傳輸區(qū)和第一發(fā)光單元的形成

空穴傳輸區(qū)和第一發(fā)光單元以與實施例1中相同的方式在陽極上依次形成。

第一電荷產(chǎn)生層的形成

將化合物1-1(95wt％)和yb(5wt％)共沉積在第一發(fā)光單元上以形成具有10nm厚度的n型電荷產(chǎn)生層，并且將化合物2-2和化合物pd共沉積在n型電荷產(chǎn)生層上以形成具有15nm厚度的p型電荷產(chǎn)生層，由此形成第一電荷產(chǎn)生層。

第二發(fā)光單元、電子傳輸區(qū)和第二電極的形成

第二發(fā)光單元、電子傳輸區(qū)和第二電極以與實施例1中相同的方式在第一電荷產(chǎn)生層上依次形成，由此完成有機發(fā)光裝置的制造。

對比例4

以與對比例1中相同的方式制造對比例4的有機發(fā)光裝置，只是n型電荷產(chǎn)生層的材料如表1所示改變。

實施例1至12和對比例1至4的有機發(fā)光裝置具有如表1所示的結(jié)構(gòu)：

[表1]

評價例1

通過使用keithleysmu236和pr650亮度測量計在5ma/cm²下測定實施例1至12和對比例1至4的有機發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓、發(fā)光效率(cd/a)和壽命(t97)。其結(jié)果示于表2中。通過評價有機發(fā)光裝置的亮度達到相對于100％的初始亮度的97％時流逝的時間期間來測量壽命(t97)。

[表2]

參考表2，可以看出相對于對比例1至4的那些有機發(fā)光裝置，實施例1至12的有機發(fā)光裝置具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和長壽命。

根據(jù)一個或多個實施方式的有機發(fā)光裝置可同時具有高效率和長壽命。

本申請實施方式可提供具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和長壽命的有機發(fā)光裝置。

本文中已經(jīng)公開了示例性實施方式，并且盡管采用了具體的術(shù)語，但是它們僅以一般性的和描述性的意義使用和理解，而不是為了限制的目的。在一些例子中，如在本申請遞交之時本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所清楚的，除非另有具體說明，關(guān)于特定實施方式描述的特征、特性和/或要素可以單獨使用或者與關(guān)于其他實施方式描述的特征、特性和/或要素組合使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離如權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可作出各種形式上和細節(jié)上的改變。