本發(fā)明照明技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種水相量子點(diǎn)的制備方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體照明技術(shù)是一種基于高效白光發(fā)光二極管(whitelightemittingdiode，wled)的新型照明技術(shù)，被公認(rèn)為21世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一。國內(nèi)led產(chǎn)業(yè)方面，2016年我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值首次突破五千億元，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到5216億元，但大部分集中在下游組裝工藝，高新技術(shù)方面產(chǎn)能較低，主要競爭性技術(shù)仍掌握在國外專利。2016年九大國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃再提納米、量子概念，迫切需求量子點(diǎn)納米技術(shù)的發(fā)展，以掌握led顯示與照明產(chǎn)業(yè)核心競爭力。

現(xiàn)有的白光led技術(shù)主要為gan基藍(lán)光led芯片激發(fā)yag:ce³⁺黃色稀土熒光粉復(fù)合形成白光。雖然其光效較高，但發(fā)射峰半峰寬較寬(fwhm>80nm)，色域范圍較小(ntsc標(biāo)準(zhǔn)70％左右)，特別是對于彩色濾光片吸收損耗很大(>50％)。高光效、寬色域、高顯指白光led技術(shù)是led顯示與照明領(lǐng)域所面臨的共性關(guān)鍵技術(shù)，膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(colloidalquantumdots，qds)其半峰寬較窄(25-50nm)，色純度高，可大幅提高色域范圍(>110％ntsc)，易實(shí)現(xiàn)高顯指(ra>90，r9>90)，且量子產(chǎn)率高(>90％)。根據(jù)ihs預(yù)測，量子點(diǎn)顯示市場從2014年到2020年其年均增長率有望達(dá)110％。因此，新型量子點(diǎn)白光led(qd-wled)將是下一代半導(dǎo)體照明與顯示的重要發(fā)展趨勢，也是當(dāng)今研究熱點(diǎn)，市場前景廣闊。

從1983年bell實(shí)驗(yàn)室的brus首次報(bào)道了cds納米晶具有尺寸效應(yīng)開始，在量子點(diǎn)制備方面人們已經(jīng)開展了大量的研究工作。有機(jī)相體系制備高性能的膠體量子點(diǎn)材料的制備已有深入的研究，如厚殼層紅色發(fā)光cdse/cds核殼量子點(diǎn)、厚殼層綠色發(fā)光合金量子點(diǎn)等。

針對目前wled顯示領(lǐng)域?qū)捝?、高穩(wěn)定性等的迫切需求，波長可控、半峰寬小、高穩(wěn)定性量子點(diǎn)制備已迫在眉睫。目前開展工業(yè)應(yīng)用的量子點(diǎn)多采用油相合成，但油相大批量制備成本高，需要開展一種低成本高質(zhì)量的量子點(diǎn)制備方法。2002年德國的weller課題組在jpcb上報(bào)道了水相合成cdte量子點(diǎn)，首次實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)的低成本水相制備。而目前常規(guī)的水相量子點(diǎn)，特別是紅色量子點(diǎn)，發(fā)光性能較差，半峰寬大、量子產(chǎn)率較低；同時制備時間長、穩(wěn)定性差，無法直接用于高效led，尤其是顯示背光領(lǐng)域。

但是水相體系得到的量子點(diǎn)晶體質(zhì)量、發(fā)光強(qiáng)度、穩(wěn)定性等方面較差，同時較難可控的制備核殼結(jié)構(gòu)，對提高穩(wěn)定性比較困難?，F(xiàn)有的水相量子點(diǎn)的應(yīng)用主要還集中在生物熒光探針領(lǐng)域，同時傳統(tǒng)制備工藝得到的水相量子點(diǎn)晶體質(zhì)量較差，應(yīng)用于wled的研究工作相對較少，特別是關(guān)于寬色域(>110％ntsc)、高顯指(ra>90，r9>90)顯示照明領(lǐng)域仍是空白。

常規(guī)的水相量子點(diǎn)由于低溫制備(<100℃)，量子點(diǎn)穩(wěn)定性較差、半峰寬較大(>60nm)，特別是紅色、近紅外發(fā)光量子點(diǎn)。同時其母體原料利用率很低(<10％，cd:te＝10:1)，且制備高量子產(chǎn)率需要保持在很低濃度合成(ccd2+＝1.25mm)，無法實(shí)現(xiàn)大批量制備，成為制約水相量子點(diǎn)白光led背光推廣應(yīng)用的主要瓶頸。

一般制備多色水相量子點(diǎn)(特別是紅色、近紅外)，通過延長作用時間，利用ostwald熟化過程增大量子點(diǎn)粒徑，得到不同發(fā)射波長的量子點(diǎn)。該方法制備時間長(如：近紅外發(fā)光>18h)、耗能多、母體原料利用率低，制備得到的晶體質(zhì)量較差、粒徑均一性差，同時量子點(diǎn)半峰寬大、無法得到大濃度量子點(diǎn)，不適宜批量生產(chǎn)。

為了使量子點(diǎn)在下一代基于qd-wled的顯示與照明技術(shù)中得到廣泛應(yīng)用，首先需實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)的低成本、高效大批量生產(chǎn)，得到發(fā)光性能好的產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有高量子產(chǎn)率、制備成本低的水相量子點(diǎn)的制備方法。

本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種水相量子點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：

(1)在水相體系中制備納米簇中間體；

(2)在水相體系中，以所述納米簇中間體作為種子，利用種子生長法在所述納米簇中間體上包裹殼層材料，制備量子點(diǎn)。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述納米簇中間體為量子點(diǎn)的納米簇。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述納米簇中間體為cdte、cdse、cds、znse、inp、cuins、cuinse、pbs中任一種的納米簇。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述步驟(1)具體包括：取母體一和配體溶于水中，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，調(diào)整混合溶液溫度為0-50℃，攪拌，注入母體二水溶液，逐漸升溫至40-100℃，反應(yīng)10min-4h，得到納米簇中間體溶液。

在一些進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，所述步驟(2)具體包括：取殼層生長母體一、殼層生長母體二和配體溶于水中，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，注入所述納米簇中間體溶液，加熱，攪拌，反應(yīng)10min-4h，得到量子點(diǎn)溶液。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述殼層材料為cdte、cdse、cds、znse、inp、cuins、cuinse、pbs中任一種，殼層材料與納米簇材料可以是相同的，也可以是不同的。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述納米簇中間體的粒徑為0.5-3nm。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括以下步驟：用離子液體與制備得到的所述量子點(diǎn)進(jìn)行配體交換，得到修飾后量子點(diǎn)。

在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述離子液體為季銨類、季膦類、吡啶類、吡咯烷類、哌啶類或咪唑類離子液體，所述離子液體具有巰基、氨基、羧基、烯烴、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、芐基功能化、胍類中的至少一種官能團(tuán)。

在一些進(jìn)一步優(yōu)選的實(shí)施例中，還包括以下步驟：將所述修飾后量子點(diǎn)與無機(jī)鹽飽和溶液混合，得到量子點(diǎn)-無機(jī)鹽混晶，即固態(tài)量子點(diǎn)，所述無機(jī)鹽為氯化鈉、溴化鈉、氯化鉀、溴化鉀、氯化鋰、溴化鋰、四硼酸鈉、蔗糖中的一種或多種。

本發(fā)明的有益效果是：

如圖1所示，圖1為種子生長法和傳統(tǒng)方法制備水相量子點(diǎn)的示意圖，傳統(tǒng)的水相量子點(diǎn)制備一般是通過延長反應(yīng)時間，利用長時間的ostwald熟化過程增大量子點(diǎn)粒徑，得到不同粒徑的量子點(diǎn)，即得到不同反射波長的量子點(diǎn)，但是這種方法得到的量子點(diǎn)的濃度很低，而且產(chǎn)量低，原料利用率＜10％，尤其是紅光、近紅外量子點(diǎn)植被時間很長，超過20小時，而且產(chǎn)率更低，而且傳統(tǒng)的水相量子點(diǎn)存在半峰寬較寬的問題，如紅色量子點(diǎn)的半峰寬＞70nm。針對此情況，本發(fā)明提供了一種水相量子點(diǎn)的制備方法，以所述納米簇中間體作為種子，利用種子生長法在所述納米簇中間體上包裹殼層材料，制備量子點(diǎn)，可以有效地控制晶體生長過程，首次將種子生長法引入量子點(diǎn)制備，實(shí)現(xiàn)了大濃度的水相量子點(diǎn)的快速制備，大大提升了水相量子點(diǎn)的原料利用率，原料利用率＞50％，也提高了量子產(chǎn)率，量子產(chǎn)率可以達(dá)到40-60％；減少了ostwald熟化過程，減少了量子點(diǎn)制備時間，提高了生產(chǎn)效率；該方法制備得到的量子點(diǎn)的半峰寬窄，紅色量子點(diǎn)的半峰寬≤50nm；采用該方法制備量子點(diǎn)成本較低，1g量子點(diǎn)成本不足100元，適于批量生產(chǎn)。

附圖說明

圖1為種子生長法和傳統(tǒng)方法制備水相量子點(diǎn)的示意圖。

圖2為cdte納米簇的透射電鏡圖。

圖3為cdte紅色量子點(diǎn)的透射電鏡圖。

圖4為實(shí)施例1制備得到的紅色、綠色cdte量子點(diǎn)熒光及紫光光譜。

圖5為實(shí)施例1制備得到的cdte量子點(diǎn)與傳統(tǒng)方法制備得到cdte量子點(diǎn)的熒光及紫光光譜對比圖。

圖6為多層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜的制備流程示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供了一種水相量子點(diǎn)的制備方法，具體包括以下步驟：

(1)在水相體系中制備納米簇中間體：

取cd母體(cdcl2·2.5h2o)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1:0.5-1:5，優(yōu)選地，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1：1.6，所得量子點(diǎn)發(fā)光性能較好，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為8.5，ph小于8時，溶液為渾濁態(tài)，量子點(diǎn)反應(yīng)不均勻，所得粒徑分布較差；隨著ph的升高，量子點(diǎn)生長速率大大提高，使得可控性降低，故選擇溶液最佳ph為8.5。冰浴中攪拌，將新鮮制備的te母體(nahte)水溶液迅速注入，在冰浴中進(jìn)行反應(yīng)，即可以控制納米簇的生長速度，又可以保證均勻的反應(yīng)體系，使得到的納米簇粒徑均一，cdcl2·2.5h2o與nahte的摩爾比為1.5-10：1，優(yōu)選地為2.5：1，逐漸升溫至90℃，控制升溫速度為0.1-2℃/min，反應(yīng)10min-4h，溶液從無色逐漸變?yōu)榱咙S色，得到cdte納米簇溶液，對所得cdte納米簇進(jìn)行透射電鏡分析，得到結(jié)果如圖2所示，從圖中可以看到cdte納米簇粒徑均一、表面缺陷少、半峰寬窄，粒徑為1.8-2.2nm。反應(yīng)結(jié)束后，得到的納米簇量子點(diǎn)溶液，用異丙醇沉淀，而后重新溶解在ph為8.5的mpa分散的水溶液中，作為納米簇種子，用于下一步反應(yīng)。

(2)種子生長法在所述納米簇中間體上包裹殼層材料，制備量子點(diǎn)

取殼層生長母體一(cdcl2·2.5h2o)、殼層生長母體二(na2teo3)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，控制cd：te的物質(zhì)的量為0.5-10：1，優(yōu)選地為1：1，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為12，殼層生長過程ph越大，則生長速度越快，ph12時反應(yīng)速率較高，且同時可以較好的控制粒徑分布；ph14時，生長過快，所得核殼量子點(diǎn)半峰寬較大。混合液內(nèi)注入制備得到的cdte納米簇中間體溶液，加熱，迅速攪拌，反應(yīng)10min-4h，得到cdte量子點(diǎn)溶液。殼層生長母體二應(yīng)選用低活性的母體，可以有效防止殼層生長過程中母體自成核，能夠提高成殼效率，常用的低活性的母體為na2teo3。對制備得到的cdte紅色量子點(diǎn)進(jìn)行透射電鏡分析，得到cdte紅色量子點(diǎn)的透射電鏡圖如圖3所示。

在殼層均勻生長過程中，通過定量的控制殼層生長母體一、殼層生長母體二的反應(yīng)量，可控的得到特定波長的量子點(diǎn)，即各種顏色的量子點(diǎn)，綠色cdte量子點(diǎn)波長為510-530nm，黃色cdte量子點(diǎn)的波長為580nm，紅色cdte量子點(diǎn)的波長為630-650nm，近紅外cdte量子點(diǎn)的波長為680-780nm。母體計(jì)算量如公式1-5所示，根據(jù)公式1-5可以計(jì)算出量子點(diǎn)的粒徑、納米簇的濃度、殼層母體的濃度。

n單個顆粒所需cdte單體數(shù)量＝ρcdte·δv單個顆粒殼層體積·10^-27/mcdte(4)

n殼層母體物質(zhì)的量＝c核濃度·v核體積·n單個顆粒所需cdte單體數(shù)量(5)

式中：d粒徑代表量子點(diǎn)納米簇的直徑；

λ吸收波長代表量子點(diǎn)納米簇的第一激子吸收峰；

c核濃度代表量子點(diǎn)納米簇溶液的濃度；

a紫外吸收值代表量子點(diǎn)納米簇溶液的紫外吸收值；

ε摩爾吸光系數(shù)代表量子點(diǎn)納米簇溶液的溶劑的摩爾吸光系數(shù)；

l光程代表測定紫外吸收比色皿光程；

δv單個顆粒殼層體積代表單個核殼量子點(diǎn)殼層的體積；

r2代表核殼量子點(diǎn)的半徑；

r核代表量子點(diǎn)納米簇的半徑；

d2代表核殼量子點(diǎn)的直徑；

d核代表量子點(diǎn)納米簇的直徑；

n單個顆粒所需cdte單體數(shù)量代表單個核殼量子點(diǎn)生長殼層所需的cdte單體的摩爾量；

ρcdte代表cdte的塊體密度；

mcdte代表cdte的物質(zhì)的量；

n殼層母體的物質(zhì)的量代表制備一定濃度的核殼量子點(diǎn)所需的cdte殼層母體的物質(zhì)的量；

c核濃度代表量子點(diǎn)納米簇的濃度；

v核體積代表量子點(diǎn)納米簇的溶液體積；

通過控制定量的控制殼層生長母體一、殼層生長母體二的反應(yīng)量，制備得到綠色cdte量子點(diǎn)(粒徑為1.7-3.2nm)和紅色cdte量子點(diǎn)(粒徑為3.6-4.4nm)，進(jìn)行光譜分析得到圖4，可以看到綠色cdte量子點(diǎn)的半峰寬為37nm，紅色cdte量子點(diǎn)的半峰寬為50nm，半峰寬均較傳統(tǒng)水相量子點(diǎn)更窄，將得到的紅色cdte量子點(diǎn)與傳統(tǒng)ostwakd熟化得到的水相紅色cdte量子點(diǎn)進(jìn)行比較，得到圖5，可以看到傳統(tǒng)ostwakd熟化得到的水相紅色cdte量子點(diǎn)的半峰寬為70nm，而本發(fā)明采用種子生長法制備得到的量子點(diǎn)半峰寬為50nm，本發(fā)明得到的量子點(diǎn)半峰寬比傳統(tǒng)的水相量子點(diǎn)更窄，色純度更高。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供了一種水相量子點(diǎn)的制備方法，具體包括以下步驟：

(1)在水相體系中制備納米簇中間體：

取cd母體(cdcl2·2.5h2o)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1:0.5-1:5，優(yōu)選地，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1：1.6，所得量子點(diǎn)發(fā)光性能較好，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為8.5，ph小于8時，溶液為渾濁態(tài)，量子點(diǎn)反應(yīng)不均勻，所得粒徑分布較差；隨著ph的升高，量子點(diǎn)生長速率大大提高，使得可控性降低，故選擇溶液最佳ph為8.5。冰浴中攪拌，將新鮮制備的se母體(nahse)水溶液迅速注入，在冰浴中進(jìn)行反應(yīng)，即可以控制納米簇的生長速度，又可以保證均勻的反應(yīng)體系，使得到的納米簇粒徑均一，cdcl2·2.5h2o與nahse的摩爾比為1.5-10：1，優(yōu)選地為2.5：1，逐漸升溫至90℃，控制升溫速度為0.1-2℃/min，反應(yīng)10min-4h。反應(yīng)結(jié)束后，得到的納米簇量子點(diǎn)溶液，用異丙醇沉淀，而后重新溶解在ph為8.5的mpa分散的水溶液中，作為納米簇種子，用于下一步反應(yīng)。

(2)種子生長法在所述納米簇中間體上包裹殼層材料，制備量子點(diǎn)

取殼層生長母體一(cdcl2·2.5h2o)、殼層生長母體二(na2seo3)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，控制cd：se的物質(zhì)的量為0.5-10：1，優(yōu)選地為1：1，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為12，殼層生長過程ph越大，則生長速度越快，ph12時反應(yīng)速率較高，且同時可以較好的控制粒徑分布；ph14時，生長過快，所得核殼量子點(diǎn)半峰寬較大。混合液內(nèi)注入制備得到的cdse納米簇中間體溶液，加熱，迅速攪拌，反應(yīng)10min-4h，得到cdse量子點(diǎn)溶液。殼層生長母體二應(yīng)選用低活性的母體，可以有效防止殼層生長過程中母體自成核，能夠提高成殼效率，常用的低活性的母體為na2seo3。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供了一種水相量子點(diǎn)的制備方法，具體包括以下步驟：

(1)在水相體系中制備納米簇中間體：

取cd母體(cdcl2·2.5h2o)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1:0.5-1:5，優(yōu)選地，cdcl2·2.5h2o與巰基丙酸的摩爾比為1：1.6，所得量子點(diǎn)發(fā)光性能較好，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為8.5，ph小于8時，溶液為渾濁態(tài)，量子點(diǎn)反應(yīng)不均勻，所得粒徑分布較差；隨著ph的升高，量子點(diǎn)生長速率大大提高，使得可控性降低，故選擇溶液最佳ph為8.5。冰浴中攪拌，將新鮮制備的te母體(nahte)水溶液迅速注入，在冰浴中進(jìn)行反應(yīng)，即可以控制納米簇的生長速度，又可以保證均勻的反應(yīng)體系，使得到的納米簇粒徑均一，cdcl2·2.5h2o與nahte的摩爾比為1.5-10：1，優(yōu)選地為2.5：1，逐漸升溫至90℃，控制升溫速度為0.1-2℃/min，反應(yīng)10min-4h，溶液從無色逐漸變?yōu)榱咙S色，得到cdte納米簇溶液，對所得cdte納米簇進(jìn)行透射電鏡分析，得到結(jié)果如圖1所示，從圖中可以看到cdte納米簇粒徑均一、表面缺陷少、半峰寬窄，粒徑為1.8-2.2nm。反應(yīng)結(jié)束后，得到的納米簇量子點(diǎn)溶液，用異丙醇沉淀，而后重新溶解在ph為8.5的mpa分散的水溶液中，作為納米簇種子，用于下一步反應(yīng)。

(2)種子生長法在所述納米簇中間體上包裹殼層材料，制備量子點(diǎn)

取殼層生長母體一(cdcl2·2.5h2o)、殼層生長母體二(na2seo3)和配體(巰基丙酸，mpa)溶于水中，控制cd：se的物質(zhì)的量為0.5-10：1，優(yōu)選地為1：1，調(diào)節(jié)溶液ph至7-14，優(yōu)選ph為12，殼層生長過程ph越大，則生長速度越快，ph12時反應(yīng)速率較高，且同時可以較好的控制粒徑分布；ph14時，生長過快，所得核殼量子點(diǎn)半峰寬較大?；旌弦簝?nèi)注入制備得到的cdse納米簇中間體溶液，加熱，迅速攪拌，反應(yīng)10min-4h，得到cdse量子點(diǎn)溶液。殼層生長母體二應(yīng)選用低活性的母體，可以有效防止殼層生長過程中母體自成核，能夠提高成殼效率，常用的低活性的母體為na2seo3。

實(shí)施例4：

為了進(jìn)一步提高量子點(diǎn)的穩(wěn)定性，使其可以用于長壽命的led器件，取實(shí)施例1制備得到的cdte量子點(diǎn)與離子液體進(jìn)行配體交換，得到修飾后量子點(diǎn)。所述離子液體為季銨類、季膦類、吡啶類、吡咯烷類、哌啶類或咪唑類離子液體，所述離子液體具有巰基、氨基、羧基、烯烴、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、芐基功能化、胍類中的至少一種官能團(tuán)。離子液體沸點(diǎn)很高，一般都超過200℃，穩(wěn)定性要高于常規(guī)的水相量子點(diǎn)制備所用的小分子配體，如巰基乙酸、巰基丙酸、谷胱甘肽等；離子液體可以選用具有各種功能團(tuán)的離子液體，可以優(yōu)選結(jié)合力強(qiáng)的功能基團(tuán)，如巰基、氨基、羧基、烯烴、醚基、酯基、腈基、磷酸功能化、芐基功能化、胍類中的至少一種；離子液體為離子晶體，無機(jī)鹽晶體同樣為離子晶體，離子液體修飾后的量子點(diǎn)可以更好的匹配無機(jī)鹽晶體生長過程，得到量子點(diǎn)均勻分散的晶體。利用離子液體能夠提升制備得到的量子點(diǎn)的穩(wěn)定性，修飾后量子點(diǎn)能夠更好地滿足長壽命的qd-wled器件的使用要求。

實(shí)施例5：

為了更方便量子點(diǎn)的使用，可以將實(shí)施例4中得到的修飾后量子點(diǎn)與無機(jī)鹽飽和溶液混合，得到量子點(diǎn)-無機(jī)鹽混晶，即固態(tài)量子點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)由液態(tài)轉(zhuǎn)化為固態(tài)。所述無機(jī)鹽為氯化鈉、溴化鈉、氯化鉀、溴化鉀、氯化鋰、溴化鋰、四硼酸鈉、蔗糖中的一種或多種。水溶性量子點(diǎn)本身是分散在水溶液中的膠體，其存在形態(tài)為液態(tài)。led封裝器件所需用的為固態(tài)粉末或者薄膜的光轉(zhuǎn)換層，無法直接利用液態(tài)溶液中的量子點(diǎn)，故需得到量子點(diǎn)的固態(tài)形態(tài)。量子點(diǎn)與無機(jī)鹽晶體的混合水溶液，可以通過無機(jī)鹽晶體的生長，實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)均勻嵌入無機(jī)鹽晶體內(nèi)，得到固態(tài)的量子點(diǎn)-無機(jī)鹽混晶，從而實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)的液態(tài)向固態(tài)轉(zhuǎn)變。固態(tài)量子點(diǎn)粉末可以與硅膠混合后涂覆在led芯片上，用于led封裝器件。

還可參照圖6所示的多層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜的制備流程示意圖，制備多層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜。將量子點(diǎn)-無機(jī)鹽混晶分散于聚合物溶液(如pmma、ps、pc、硅樹脂等)中，通過自流涂覆、保形涂覆和遠(yuǎn)離涂覆三種涂覆工藝涂覆，固化，可以得到量子點(diǎn)復(fù)合材料薄膜，制成量子點(diǎn)復(fù)合薄膜，可以防止量子點(diǎn)團(tuán)聚，使得量子點(diǎn)具有高穩(wěn)定性。采用不同的量子點(diǎn)-無機(jī)鹽混晶即可得到不同的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜。將不同的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜復(fù)合，在外層包覆聚合物薄膜，即可得到多層結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)復(fù)合薄膜。