技術特征：

1.一種拋光液用磨粒，其特征在于，所述拋光液用磨粒包括二氧化硅包覆的葡萄糖納米顆粒；

2.一種如權利要求1所述拋光液用磨粒的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

3.如權利要求2所述制備方法，其特征在于，所述硅溶膠為將硅劑、第一表面活性劑和第一溶劑混合得到；

4.如權利要求2-4任一項所述制備方法，其特征在于，所述混合中進行超聲或攪拌；

5.一種拋光液，其特征在于，所述拋光液包括：如權利要求1所述拋光液用磨粒、氧化劑、第二表面活性劑、增稠劑、ph值調節(jié)劑和第二溶劑。

6.如權利要求5所述拋光液，其特征在于，所述拋光液以質量百分含量計包括：

7.如權利要求5或6所述拋光液，其特征在于，所述氧化劑包括過氧化氫；

8.一種襯底拋光方法，其特征在于，所述襯底拋光方法包括：

9.如權利要求8所述襯底拋光方法，其特征在于，所述機械化學研磨中輔以紫外光照射；

10.如權利要求8或9所述襯底拋光方法，其特征在于，所述機械化學研磨中施加的壓力為3-10psi；

技術總結
本發(fā)明涉及一種拋光液用磨粒及其制備方法、拋光液、襯底拋光方法，具體涉及襯底表面處理領域，所述拋光液用磨粒包括二氧化硅包覆的葡萄糖納米顆粒；所述拋光液用磨粒的粒徑為30?100nm。本發(fā)明提供的拋光液用磨粒在紫外光輔助作用下，使葡萄糖納米顆粒失去一個氫原子形成羥基自由基。隨后形成的羥基自由基·OH和SiC襯底發(fā)生氧化反應生成較軟的表面改性層，從而降低表面硬度，提升拋光速率。同時包覆的二氧化硅莫氏硬度高于葡萄糖納米顆粒和SiC生成的可溶性SiO32?，可以很容易的通過磨料的機械摩擦作用去除此改性層，且氧化硅磨粒硬度低于SiC襯底本身的硬度，拋光過程中對SiC表面不會造成刮傷。

技術研發(fā)人員：王丹,母鳳文,譚向虎,劉福超,郭超
受保護的技術使用者：青禾晶元（天津）半導體材料有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/10