本發(fā)明關(guān)于接著劑層形成用組合物、層疊體、層疊體的制造方法及層疊體的處理方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，隨著數(shù)碼機(jī)器等的高功能化而正在發(fā)展所搭載的可撓性顯示器及半導(dǎo)體芯片(chip)等的薄型化。但因薄型化而使強(qiáng)度降低的可撓性顯示器及半導(dǎo)體芯片等難以使用以往的自動搬運(yùn)而搬運(yùn)。

2、因此，正在檢討用以安全且容易地搬運(yùn)經(jīng)薄型化的可撓性顯示器及半導(dǎo)體芯片等的方法。例如正在探討以下方法：制作于玻璃基板等光穿透性支撐體上經(jīng)由接著劑層而固定有可撓性顯示器及半導(dǎo)體芯片等被接著體的層疊體，連同該層疊體一起搬運(yùn)上述可撓性顯示器及半導(dǎo)體芯片等。此時，有時使用若照射光則會變質(zhì)或分解而使接著力降低的接著劑層作為上述接著劑層。若使用上述接著劑層，則可于搬運(yùn)后由支撐體側(cè)向接著劑層照射光，據(jù)此使被接著體由支撐體分離(剝離)并例如轉(zhuǎn)印至其它基板(激光剝離制程(laserlift-off?process)，以下也簡稱為“l(fā)lo制程”)。

3、就可進(jìn)行l(wèi)lo制程的接著劑用組合物而言，在專利文獻(xiàn)1中記載將具有苯并三唑結(jié)構(gòu)的樹脂溶解于溶劑而成的組合物。專利文獻(xiàn)1中記載將該組合物涂布于玻璃支撐體上并加熱而形成的接著層可通過照射具有355nm的波長的激光而由被接著體容易地剝離玻璃支撐體。

4、[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

5、[專利文獻(xiàn)]

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-106486號公報。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、[發(fā)明所欲解決的課題]

2、以往，llo制程所使用的接著劑的開發(fā)以可通過能量高且加工性優(yōu)異的短波長激光(波長248nm及266nm等)而剝離被接著體的組成為中心進(jìn)行探討。但為了能以這些波長的激光來分離被接著體，需要使用短波長區(qū)域的穿透性高的石英玻璃或藍(lán)寶石基板等高價材料所構(gòu)成的支撐體。因此，以往的llo制程有運(yùn)行成本變高的問題。因此，為了可使用較便宜的透明玻璃，而要求開發(fā)可通過更長波長的激光(例如355nm等)來剝離被接著體的接著劑層。

3、但以往已知的接著劑組合物是通過i線(365nm)來進(jìn)行光硬化，雖然圖案形成時的顯影性良好，但硬化后的355nm的穿透率高，難以通過照射355nm的激光來剝離被接著體。

4、專利文獻(xiàn)1中記載一種組合物，其中使用重復(fù)單元中含有如苯并三唑結(jié)構(gòu)般的具有光吸收性的結(jié)構(gòu)的聚合物，據(jù)此可通過照射355nm的激光來剝離被接著體。但根據(jù)本發(fā)明人等的見解，該組合物的i線(365nm)的吸收大，故難以光硬化，有使用i線時的顯影性較差的問題。

5、本發(fā)明是有鑒于此點(diǎn)而研究，目的在于提供具有以下兩項性質(zhì)的接著劑層形成用組合物、使用該接著劑層形成用組合物接著支撐體與被接著體而成的層疊體、以及該層疊體的制造方法及處理方法。

6、(i)在通過加熱處理而形成為硬化膜后，容易通過照射355nm的激光來剝離被接著體。

7、(ii)就加熱處理前的涂膜而言，i線(365nm)的吸收小，而在不阻礙引發(fā)劑的i線(365nm)吸收下良好地進(jìn)行光硬化反應(yīng)。

8、[用以解決課題的手段]

9、上述課題可通過以下構(gòu)成來解決。

10、[1]一種接著劑層形成用組合物，用以形成接著劑層，前述接著劑層接著支撐體與被接著體，且可通過照射光來使前述支撐體與前述被接著體分離，

11、前述接著劑層形成用組合物含有：

12、(a)下述通式(1)或(2)所示化合物；

13、(b)含有不飽和基的聚合性化合物；

14、(d)溶劑；及

15、(e)引發(fā)劑。

16、

17、(式(1)中，ar1獨(dú)立地為碳數(shù)6至14的芳香族烴基，構(gòu)成ar1的氫原子的一部分可經(jīng)選自由碳數(shù)1至10的烷基、碳數(shù)6至10的芳基或芳基烷基、碳數(shù)3至10的環(huán)烷基或環(huán)烷基烷基、碳數(shù)1至5的烷氧基、及鹵素基所成組的取代基取代。ar2為具有會與о、n、r2所鍵結(jié)的碳原子及r3所鍵結(jié)的碳原子一起構(gòu)成3-苯并噁嗪結(jié)構(gòu)的芳香環(huán)的二價基。r1表示單鍵、-o-、-s-、-c(＝o)-、-s(＝o)-、-so2-或碳數(shù)1至20的2價烴基，前述烴基也可含有芳香環(huán)。r2及r3分別獨(dú)立地表示氫原子或碳數(shù)1至20的烴基)

18、

19、(式(2)中，ar3為具有會與о、n、r5所鍵結(jié)的碳原子及r7所鍵結(jié)的碳原子一起構(gòu)成3-苯并噁嗪結(jié)構(gòu)的芳香環(huán)的三價基。r4表示單鍵、-o-、-s-、-c(＝o)-、-s(＝o)-、-so2-或碳數(shù)1至20的2價烴基，前述烴基也可含有芳香環(huán)。r5及r7分別獨(dú)立地表示氫原子或碳數(shù)1至20的烴基。r6獨(dú)立地表示碳數(shù)1至3的烴基，構(gòu)成r6的氫原子的一部分可經(jīng)選自由硫醇基、羥基、胺基、sih3基及乙烯基所成組的取代基取代)

20、[2]如[1]所述的接著劑層形成用組合物，其中，前述(b)含有不飽和基的聚合性化合物含有：

21、(b1)含有不飽和基的堿可溶性樹脂；及

22、(b2)不具有堿可溶性基且具有2個以上乙烯性不飽和鍵的含有不飽和基的聚合性化合物。

23、[3]如[2]所述的接著劑層形成用組合物，其中，前述(b1)含有不飽和基的堿可溶性樹脂的重均分子量為1000至40000。

24、[4]如[2]至[3]所述的接著劑層形成用組合物，其中，前述(b1)含有不飽和基的堿可溶性樹脂為下述通式(3)所示樹脂。

25、

26、(式(3)中，ar獨(dú)立地為碳數(shù)6至14的芳香族烴基，構(gòu)成ar的氫原子的一部分可經(jīng)選自由碳數(shù)1至10的烷基、碳數(shù)6至10的芳基或芳基烷基、碳數(shù)3至10的環(huán)烷基或環(huán)烷基烷基、碳數(shù)1至5的烷氧基、及鹵素基所成組的取代基取代。r8獨(dú)立地為碳數(shù)2至4的亞烷基。l獨(dú)立地為0至3的數(shù)。g獨(dú)立地為(甲基)丙烯?；蚴窍率鐾ㄊ?4)或下述通式(5)所示取代基。y為4價羧酸殘基。z獨(dú)立地為氫原子或下述通式(6)所示取代基，至少一個z為下述通式(6)所示取代基。n是平均值為1至20的數(shù))

27、

28、(式(4)及(5)中，r9獨(dú)立地為氫原子或甲基，r10獨(dú)立地為碳數(shù)2至10的亞烷基或烷基亞芳基，r11獨(dú)立地為碳數(shù)2至20的飽和或不飽和的烴基，p為0至10的數(shù)。*表示鍵結(jié)部位)

29、

30、(式(6)中，w為2價或3價羧酸殘基，m為1或2的數(shù)。*表示鍵結(jié)部位)

31、[5]如[2]至[4]所述的接著劑層形成用組合物，其中，前述(b2)具有2個以上乙烯性不飽和鍵的含有不飽和基的聚合性化合物為經(jīng)環(huán)氧烷(alkylene?oxide)改質(zhì)或內(nèi)酯改質(zhì)的具有(甲基)丙烯酰基的化合物。

32、[6]如[1]至[5]所述的接著劑層形成用組合物，其中，相對于固形分的總質(zhì)量，前述(a)通式(1)或(2)所示化合物的含量為5質(zhì)量％至30質(zhì)量％。

33、[7]如[1]至[6]所述的接著劑層形成用組合物，其中，溶劑量以總質(zhì)量比計為10質(zhì)量％至80質(zhì)量％。

34、[8]一種接著劑層形成用組合物，其以于90℃加熱處理3分鐘后于230℃加熱處理30分鐘所得的硬化膜的膜厚會成為5.0μm的方式賦予至基板上，并于90℃加熱處理3分鐘所得涂膜的355nm的穿透率為55％以上，

35、并且，將前述涂膜于230℃加熱處理30分鐘所得硬化膜的355nm的穿透率相對于前述涂膜的穿透率降低25％以上。

36、[9]一種層疊體，具有：

37、支撐體；

38、被接著體；及

39、接著劑層，配置于前述支撐體與前述被接著體之間，且含有如[1]至[8]中任一項所述的接著劑層形成用組合物的硬化物。

40、[10]如[9]所述的層疊體，其中，前述支撐體為350nm至450nm的波長的光的穿透率為70％以上的支撐體。

41、[11]一種層疊體的制造方法，包括下列步驟：

42、于支撐體及被接著體的至少一表面賦予如[1]至[8]中任一項所述的接著劑層形成用組合物，而形成接著劑層的步驟；及

43、經(jīng)由前述所形成的接著劑層而接著前述支撐體與前述被接著體的步驟。

44、[12]一種層疊體的處理方法，包括下列步驟：

45、準(zhǔn)備如[9]至[10]所述的層疊體的步驟；及

46、對前述接著劑層照射光，使前述支撐體與前述被接著體分離的步驟。

47、[發(fā)明的功效]

48、根據(jù)本發(fā)明，可提供具有以下兩項性質(zhì)的接著劑層形成用組合物、使用該接著劑層形成用組合物接著支撐體與被接著體而成的層疊體、以及該層疊體的制造方法及處理方法。

49、(i)在通過加熱處理而形成為硬化膜后，容易通過照射355nm的激光來剝離被接著體。

50、(ii)就加熱處理前的涂膜而言，i線(365nm)的吸收小，而在不阻礙引發(fā)劑的i線(365nm)吸收下良好地進(jìn)行光硬化反應(yīng)。