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      一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料及其制備方法與流程

      文檔序號:39863585發(fā)布日期:2024-11-05 16:14閱讀:16來源:國知局
      一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料及其制備方法與流程

      本發(fā)明涉及無機發(fā)光材料,尤其涉及一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料及其制備方法。


      背景技術(shù):

      1、近紅外光是指波長在700-1700nm之間的電磁波,介于可見光和遠紅外之間。近年來,近紅外光在生物醫(yī)學(xué)、夜視系統(tǒng)、植物生長照明、無損檢測等領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用前景。傳統(tǒng)的近紅外光源如鹵素?zé)?、紅外發(fā)光二極管和激光器,特別是大功率激光器,它們都存在固有的缺陷。鹵鎢燈存在壽命短,響應(yīng)慢、體積大、能耗高、效率低等缺點;紅外激光器發(fā)射峰半峰寬較窄且成本較高,而且往往需要大型的冷卻系統(tǒng)和安全裝置,使得整體設(shè)備體積大;而紅外發(fā)光二極管的發(fā)射峰半峰寬較窄,發(fā)射峰會發(fā)生藍移或者紅移,并且高溫下發(fā)光強度嚴重下降,不能廣泛應(yīng)用于近紅外技術(shù)上。相反,近年來,由于藍光芯片ingan的發(fā)明,近紅外磷光轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(pc-leds)的研究得到快速發(fā)展,采用藍光led芯片與性能優(yōu)異的近紅外熒光粉結(jié)合的方式,具有成本低廉、光譜可調(diào)、熱穩(wěn)定性高、小型化、響應(yīng)迅速等優(yōu)勢,成為研究熱點。

      2、在pc-leds技術(shù)中,近紅外發(fā)光熒光粉作為關(guān)鍵部件,在決定整體光學(xué)性能方面起著至關(guān)重要的作用。因此,探索能被ingan藍色芯片有效激發(fā),并能產(chǎn)生高效、熱穩(wěn)定性好的寬帶近紅外發(fā)射的發(fā)光材料具有重要的研究價值。目前,已將各種稀土或過渡金屬離子如eu2+、yb3+、ni2+、mn2+或cr3+等引入合適的基體中作為發(fā)光中心,實現(xiàn)近紅外發(fā)射。其中,cr3+被認為是最理想的活化劑,因為其獨特的3d3電子構(gòu)型可以在弱共價環(huán)境下產(chǎn)生600-1400nm范圍內(nèi)的寬近紅外發(fā)射帶。雖然cr3+摻雜y3ga5o12石榴石結(jié)構(gòu)中的發(fā)光性能,能夠被藍光有效激發(fā),可作為近紅外光材料。但是這類熒光粉普遍存在發(fā)射峰窄、量子效率低等缺點,使得近紅外pc-leds綜合性能大大降低,進而導(dǎo)致其商業(yè)應(yīng)用受限。而通過替代石榴石結(jié)構(gòu)中的部分或全部原子能產(chǎn)生較寬的發(fā)射峰和較高的量子效率,其中l(wèi).p.jiang等通過硅和鎂元素部分替代鎵元素,改善了其發(fā)光性能(inorg.chem.,2023,doi:10.1021/acs.inorgchem.2c04319.)。


      技術(shù)實現(xiàn)思路

      1、本發(fā)明針對上述不足,提出了一種新型cr3+摻雜石榴石結(jié)構(gòu)寬帶近紅外熒光粉,其具有發(fā)射峰波長較寬,解決了cr3+摻雜氧化物發(fā)射峰窄、量子效率低等缺點,響應(yīng)迅速、寬帶近紅外光源的一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料。

      2、為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料,所述熒光粉材料的化學(xué)表達式為y3ga(3-x)znge(1-y)siyo12:xcr3+,其中x=0.01-0.09,y=0-1。

      3、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明公開了一種新型cr3+摻雜石榴石結(jié)構(gòu)寬帶近紅外熒光粉,改善了其發(fā)光性能,從而產(chǎn)生較寬的發(fā)射峰和較高的量子效率,突破了小型化、響應(yīng)迅速、寬帶近紅外光源的技術(shù)瓶頸,其中通過不同含量的si和ge陽離子替換可以有規(guī)律的調(diào)整熒光粉的發(fā)光性能和實驗光學(xué)帶隙,實現(xiàn)了cr3+發(fā)射光譜的精準調(diào)控。

      4、本發(fā)明所述的寬帶近紅外熒光粉具有組成選擇和調(diào)整的余地,制備更加簡便,可以采用多種常規(guī)制備方法制備,可采用傳統(tǒng)高溫固相法,但不限于此,且便于規(guī)?;a(chǎn)。

      5、本發(fā)明所述的寬帶近紅外熒光粉在藍光芯片ingan激發(fā)下產(chǎn)生良好的寬帶近紅外光,具有物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,發(fā)光性質(zhì)穩(wěn)定的特點,在生物醫(yī)學(xué)、夜視系統(tǒng)、植物生長照明、無損檢測等領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用潛力。

      6、作為一種改進,該熒光粉材料包含:y2o3,ga2o3,zno,sio2,geo2,摻雜的過渡族金屬離子原料為cr2o3。

      7、作為一種改進,所述y2o3的質(zhì)量百分比為42-44.5%,所述ga2o3的質(zhì)量百分比為34.4-36.4%,所述zno的質(zhì)量百分比為10.1-10.7%,所述sio2的質(zhì)量百分比為0-7.9%,所述geo2的質(zhì)量百分比為0-13%,所述過渡族氧化物cr2o3的質(zhì)量百分比為0.5%,其化學(xué)表達式為y3ga3znge(1-y)siyo12:0.05cr3+,其中x=0.05,y=0-1,通過不同質(zhì)量的陽離子替換,改善了近紅外熒光粉的發(fā)光性能,考慮到原料成本問題,通過陽離子si替換ge,可以大大節(jié)約生產(chǎn)成本。

      8、作為一種改進,所述y2o3的質(zhì)量百分比為42%,所述ga2o3的質(zhì)量百分比為34-34.8%,所述zno的質(zhì)量百分比為10.1%,所述geo2的質(zhì)量百分比為13%,所述過渡族氧化物cr2o3的質(zhì)量百分比為0.5%-0.9%,其化學(xué)表達式為y3ga(3-x)znge(1-y)siyo12:xcr3+,其中x=0.01-0.09,y=0。當(dāng)x=0.05時,近紅外熒光粉的光學(xué)性質(zhì)良好,物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,是制造優(yōu)異性能近紅外pc-leds的優(yōu)良部件。

      9、作為一種改進,所述y2o3的質(zhì)量百分比為44.5%,所述ga2o3的質(zhì)量百分比為36-36.8%,所述zno的質(zhì)量百分比為10.7%,所述sio2的質(zhì)量百分比為7.9%,所述過渡族氧化物cr2o3的質(zhì)量百分比為0.1-0.9%,其化學(xué)表達式為y3ga(3-x)znge(1-y)siyo12:xcr3+,其中x=0.01-0.09,y=1,當(dāng)x=0.05時,近紅外熒光粉的光學(xué)性質(zhì)良好,物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,是制造優(yōu)異性能近紅外pc-leds的優(yōu)良部件。

      10、作為一種改進,石榴石結(jié)構(gòu)近紅外熒光粉材料被400-480nm的紫外光或者藍光激發(fā)后,近紅外發(fā)光的光波長為650-900nm,半峰寬為100-150nm,熒光粉的激發(fā)范圍比較寬,在450nm左右有最強的激發(fā)峰,因此非常適合ingan藍光led激發(fā),可廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、夜視系統(tǒng)、植物生長照明、無損檢測等領(lǐng)域。

      11、作為一種改進的一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料的制備方法,包括以下步驟:

      12、s1:根據(jù)化學(xué)通式y(tǒng)3ga(3-x)znge(1-y)siyo12:xcr3+中的摩爾比重原料y2o3,ga2o3,zno,sio2,geo2,過渡族氧化物cr2o3后,將適量的無水乙醇加入上述原料中進行研磨以將其混合均勻;

      13、s2:待步驟s1中的無水乙醇完全揮發(fā)后,將干燥粉體放入坩堝中,然后放置在馬弗爐中通過加熱氣氛進行升溫,升溫至設(shè)定燒結(jié)溫度后繼續(xù)保溫;

      14、s3:待步驟s2中得到的燒結(jié)產(chǎn)物自然冷卻至室溫后,對燒結(jié)產(chǎn)物經(jīng)過充分研磨,即可得到新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉。

      15、本發(fā)明的一種新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉材料的制備方法,僅需將所需原料按照規(guī)定摩爾比重進行研磨混合,加熱冷卻后再次進行研磨即可獲得新型近紅外發(fā)光石榴石熒光粉,生產(chǎn)流程簡單,便于規(guī)?;a(chǎn)。

      16、作為一種改進,步驟s2中在馬弗爐中升溫速率為5-10℃/min,加熱氣氛為空氣氣氛。

      17、作為一種改進,步驟s2中燒結(jié)溫度為1400-1500℃,保溫時間為5-6h。

      18、作為一種改進,步驟s3中室溫溫度為20±5℃。

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