本發(fā)明屬于有機(jī)電致材料，具體涉及一種含咔唑類化合物的組合物和有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)具體為：陽(yáng)極、陰極以及介于兩者之間的有機(jī)層。為了提高有機(jī)電致發(fā)光元件的效率和穩(wěn)定性，有機(jī)材料層包括具有不同材料的多層，例如空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。當(dāng)前，有機(jī)電致發(fā)光已經(jīng)成為主流的顯示技術(shù)，相應(yīng)的，各種新型的oled材料也被開發(fā)。

2、為了滿足人們對(duì)于oled器件的更高要求，本領(lǐng)域亟待開發(fā)更多種類的材料，以使提高oled器件在電流效率、壽命等方面的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種含咔唑類化合物的組合物和有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明中通過對(duì)含咔唑類化合物的組合物進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其適用作有機(jī)電致發(fā)光器件磷光發(fā)光層的主體材料，使有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的電流效率和較長(zhǎng)的壽命。

2、為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明提供一種含咔唑類化合物的組合物，所述含咔唑類化合物的組合物包括第一組分和第二組分；

4、所述第一組分為咔唑類化合物，所述咔唑類化合物具有如下式i所示結(jié)構(gòu)：

5、???????式i；

6、其中，ar1、ar2各自獨(dú)立地選自h、c6-c40芳基或c6-c30雜芳基中的任意一種，并且ar1、ar2中至少一個(gè)不選自h；ar1、ar2各自獨(dú)立地選自c6-c40芳基或c6-c30雜芳基時(shí)，ar1、ar2各自獨(dú)立地可以和相鄰的苯環(huán)通過單鍵、-o-、-s-、-nr1-連接成環(huán)；r1選自c6-c20芳基或c1-c12烷基中的任意一種；

7、ar3、ar4各自獨(dú)立地選自c6-c40芳基或c6-c30雜芳基中的任意一種；

8、a1、a2、a3各自獨(dú)立地選自n或cr，且至少一個(gè)選自n；r選自h、-cn、c6-c20芳基或c1-c12烷基中的任意一種；

9、式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d（氘原子）、-f、-cn、c6-c20芳基、三苯基甲基、三苯基硅基、c1-c12烷基或c1-c12烷氧基中的至少一種取代。

10、在材料應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，材料會(huì)有處于激發(fā)態(tài)的情況。因此，材料處于激發(fā)態(tài)和處于基態(tài)的穩(wěn)定性都很重要。本發(fā)明式i化合物，三嗪環(huán)上的ar1和ar2不同時(shí)為h，和三嗪環(huán)上ar1和ar2同時(shí)為h的情況相比，本發(fā)明式i化合物使得三嗪環(huán)上的缺電子程度降低，使得材料基態(tài)穩(wěn)定。另外，式i結(jié)構(gòu)的lumo（未占有電子的能級(jí)最低的軌道）主要分布在三嗪環(huán)上，激發(fā)態(tài)時(shí)，?三嗪環(huán)上的ar1和ar2不同時(shí)為h時(shí)，可以更好的分散三嗪環(huán)上的電子，改善了材料激發(fā)態(tài)的穩(wěn)定性。使用本發(fā)明化合物制備有機(jī)電致發(fā)光器件，降低了驅(qū)動(dòng)電壓，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。

11、同時(shí)，本發(fā)明提供的咔唑類化合物中的三嗪環(huán)和咔唑環(huán)在苯環(huán)上處于鄰位的取代，三嗪環(huán)和咔唑環(huán)處于一個(gè)近似平行的位置，改善了材料的電荷傳輸性能，改善了器件的效率。

12、本發(fā)明中，c6-c40可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等。

13、c6-c30可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28或c30等。

14、c6-c20可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等。

15、c1-c12可以是c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9、c10、c11或c12。

16、需要說明的是，本發(fā)明中，“d”表示氘原子，下同。

17、以下作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，但不作為對(duì)本發(fā)明提供的技術(shù)方案的限制，通過以下優(yōu)選的技術(shù)方案，可以更好的達(dá)到和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的和有益效果。

18、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c40芳基選自苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、萘并芴基、芘基、苝基、螺芴基、三亞苯基、熒蒽基、氫化苯并蒽基、茚并芴基、苯并茚并芴基、二苯并茚并芴基、萘并芴基、四苯基甲烷基或苯并萘并芴基中的任意一種或至少兩種的組合。

19、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述c6-c30雜芳基選自咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基中的任意一種或至少兩種的組合。

20、優(yōu)選地，所述c6-c20芳基選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、菲基、芴基、三亞苯基或熒蒽基中的任意一種。

21、優(yōu)選地，所述c1-c12烷基選自甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、辛基、金剛烷基中的任意一種。

22、優(yōu)選地，所述c1-c12烷氧基選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基中的任意一種。

23、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar1、ar2各自獨(dú)立地選自h、苯基、咔唑基、萘基、9,9-二甲基芴基、二苯并噻吩基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、三亞苯基或熒蒽基中的至少一種，進(jìn)一步優(yōu)選為苯基、萘基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、咔唑基中的至少一種；

24、所述ar1、ar2中至少一個(gè)不選自h；且所述ar1、ar2不選自h時(shí)，ar1、ar2各自獨(dú)立地可以和相鄰的苯環(huán)通過單鍵、-o-、-s-、-nr1-連接成環(huán)；

25、所述r1具有與上述相同的定義。

26、優(yōu)選地，所述ar1選自苯基、萘基或聯(lián)苯基中的任意一種，所述ar1選自可以和相鄰的苯環(huán)通過-o-、-s-、-nr1-連接成環(huán)；

27、所述r1選自苯基或萘基。

28、優(yōu)選地，所述ar2選自h、苯基或聯(lián)苯基中的任意一種，進(jìn)一步優(yōu)選為苯基或聯(lián)苯基。

29、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar3、ar4各自獨(dú)立地選自苯基、咔唑基、萘基、9,9-二甲基芴基、二苯并噻吩基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、三亞苯基或熒蒽基中的至少一種，進(jìn)一步優(yōu)選為苯基、萘基、聯(lián)苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、咔唑基中的至少一種。

30、優(yōu)選地，所述ar3、ar4各自獨(dú)立地選自苯基、萘基或聯(lián)苯基中的任意一種。

31、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，a1、a2、a3其中一個(gè)選自n，另外兩個(gè)選自cr，所述r選自h。

32、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，a1、a2、a3其中兩個(gè)選自n，另外一個(gè)選自cr，所述r選自h。

33、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，a1、a2、a3均選自n。

34、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-f、-cn、苯基、萘基、聯(lián)苯基、三苯基甲基、三苯基硅基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基中的至少一種取代。

35、優(yōu)選地，所述式i化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-d、-f、-cn、苯基、萘基、甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基中的至少一種取代。

36、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述咔唑類化合物選自如下取代或未取代的化合物中的任意一種：

37、

38、

39、

40、

41、

42、

43、

44、

45、

46、

47、

48、

49、

50、；

51、所述取代是指上述咔唑類化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被氘原子取代。

52、優(yōu)選地，所述咔唑類化合物選自如下化合物中的任意一種：

53、、、、、、、、、、、、、、。

54、需要說明的是，本發(fā)明對(duì)于上述咔唑類化合物的制備方法沒有任何特殊的限制，本領(lǐng)域常用的制備方法均適用。

55、所述第二組分包括具有如下式iii所示結(jié)構(gòu)的化合物：

56、??????式iii；

57、其中，ar21、ar22各自獨(dú)立地選自c6-c30芳基或c6-c20雜芳基；

58、ar23選自單鍵、亞苯基或亞聯(lián)苯基中的任意一種；

59、式iii化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被-f、-cn、c6-c20芳基、c1-c6烷基或c1-c6烷氧基中的至少一種取代。

60、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述ar21、ar22各自獨(dú)立地選自苯基、三聯(lián)苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9-二甲基芴基、三亞苯基、咔唑基中的任意一種。

61、優(yōu)選地，所述式iii化合物中的氫原子可以被-f、-cn、苯基、聯(lián)苯基、萘基、三亞苯基、甲基、乙基中的至少一種取代。

62、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述式iii化合物選自如下取代或未取代的化合物中的任意一種：

63、

64、

65、

66、

67、

68、；

69、所述取代是指上述化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被氘原子取代。

70、優(yōu)選地，式iii所示化合物選自下述取代或未取代的化合物中的任意一種：

71、

72、

73、

74、

75、

76、

77、

78、

79、

80、；

81、所述取代是指上述化合物中的氫原子各自獨(dú)立地可以被氘原子取代。

82、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二組分選自、、中的至少一種，優(yōu)選為。

83、需要說明的是，本發(fā)明中對(duì)于上述化合物的制備方法沒有任何特殊的限制，本領(lǐng)域常用的制備方法均適用。

84、第二方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極、陰極以及設(shè)置于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)薄膜層；

85、所述有機(jī)薄膜層材料包括如第一方面所述的組合物。

86、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機(jī)薄膜層包括發(fā)光層，所述發(fā)光層的主體材料包括如第一方面所述的組合物。

87、優(yōu)選地，所述發(fā)光層為磷光發(fā)光層。

88、作為本發(fā)明的優(yōu)選技術(shù)方案，所述有機(jī)電致發(fā)光器件為綠光有機(jī)電致發(fā)光器件。

89、本發(fā)明中發(fā)光層包括發(fā)光層主體材料和摻雜材料，其中摻雜材料又叫染料或者磷光發(fā)光材料。發(fā)光層主體材料可以為單一化合物，也可以是由兩種或兩種以上化合物形成的混合物。

90、所述發(fā)光層包括磷光發(fā)光層，所述磷光發(fā)光層包括綠色磷光發(fā)光層、紅色磷光發(fā)光層、黃色磷光發(fā)光層、藍(lán)色磷光發(fā)光層。

91、磷光發(fā)光層中主體材料的體積百分含量為60%~99.9%（例如可以是60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、98%或99.9%等），優(yōu)選為70%~99.5%，進(jìn)一步優(yōu)選為85%~95%。

92、本發(fā)明中，發(fā)光層的摻雜材料可選用磷光發(fā)光材料，所述磷光發(fā)光材料又稱三重態(tài)發(fā)光材料，指物質(zhì)從三重激發(fā)態(tài)發(fā)出的光。本發(fā)明中歸于磷光材料的具體選擇不做特殊限定，本領(lǐng)域常用的發(fā)光層的摻雜材料均適用，示例性地包括但不限于：具有如下式pd所示結(jié)構(gòu)的化合物：

93、??????式pd；

94、其中，m選自ir、pt、pd、os、ti、zr、hf、eu、tb、tm、cu或au中的任意一種；

95、y1-y4各自獨(dú)立地選自碳或氮；

96、y1和y2之間可以通過單鍵或雙鍵連接，y3和y4之間可以通過單鍵或雙鍵連接；

97、cy1和cy2各自獨(dú)立地選自苯基、萘基、芴基、螺芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并咪唑唑基、苯并唑基、三唑基、四唑基、二唑基、三嗪基、二苯并噻吩基、n雜咔唑基中的任意一種，其中cy1和cy2可任選地經(jīng)由單鍵或有機(jī)連接基團(tuán)彼此連接；

98、m的任意兩個(gè)配體之間、兩個(gè)以上配體之間可以通過單鍵、雙鍵連接，或者可以通過o、s橋接，或者可以通過任意化學(xué)基團(tuán)或者化學(xué)結(jié)構(gòu)連接以形成符合化學(xué)原理的結(jié)構(gòu)形式；

99、r91和r92各自獨(dú)立地選自-h、-d、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)、羧酸鹽基團(tuán)、磺酸基團(tuán)、磺酸鹽基團(tuán)、磷酸基團(tuán)、磷酸鹽基團(tuán)、-sf5、取代或未取代c1-c60（例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等）烷基、取代或未取代c2-c60（例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等）烯基、取代或未取代c2-c60（例如可以是c2、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等）炔基、取代或未取代c1-c60（例如可以是c1、c5、c10、c15、c20、c25、c30、c35、c40、c45、c50、c55或c60等）烷氧基、取代或未取代c2-c10（例如可以是c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9或c10）雜環(huán)烷基、取代或未取代c6-c60（例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等）芳基、取代或未取代c6-c60（例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等）芳氧基、取代或未取代c6-c60（例如可以是c6、c12、c15、c18、c24、c30、c32、c36、c40、c42、c54或c60等）芳硫基、取代或未取代單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)中的任意一種。

100、a1和a2各自獨(dú)立地為選自1-5的整數(shù)，例如可以是1、2、3、4或5；

101、b選自0-4的整數(shù)，例如可以是0、1、2、3或4；

102、a選自1、2或3；

103、l1為單價(jià)有機(jī)配體、二價(jià)有機(jī)配體或三價(jià)有機(jī)配體。

104、優(yōu)選地，所述式pd化合物選自如下化合物中的任意一種：

105、

106、

107、

108、

109、

110、

111、???

112、??

113、

114、

115、

116、

117、

118、

119、

120、

121、

122、

123、

124、

125、

126、

127、

128、

129、

130、。

131、本發(fā)明中，所述有機(jī)薄膜層包括空穴層，所述空穴層包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層。

132、所述空穴注入層材料包括p型摻雜劑。p型摻雜劑是指和空穴注入層材料共存于oled器件中，能夠氧化空穴注入層材料，從而作為電子受體，可以促進(jìn)空穴注入層的空穴向陽(yáng)極移動(dòng)。本發(fā)明中，p型摻雜劑的lumo的絕對(duì)值和空穴層材料的homo的絕對(duì)值的差大于-0.2v，優(yōu)選為大于-0.1ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0.1ev，進(jìn)一步優(yōu)選為大于0.2ev。

133、p型摻雜劑以體積百分含量為1%~10%（例如可以是1%、2%、4%、6%、8%或10%等）的體積比例存在于空穴注入層中。本發(fā)明中，對(duì)于p型摻雜劑的種類不做任何特殊的限定，示例性地可以選用cn113728453a公開的d-1~d-13所示化合物或者為如下所述hi-1到hi-9所示化合物：

134、。

135、本發(fā)明中，空穴層材料（包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層）具有如下式ht-gh4所示結(jié)構(gòu)：

136、；

137、其中，l41選自單鍵、c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳基、c6-c20（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等）雜芳基；

138、ar41、ar42各自獨(dú)立地選自c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳基、c6-c20（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等）雜芳基；

139、x選自cr41r42或者nr43，其中r41、r42、r43各自獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基（所述取代的取代基選自c1-c6（例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6）烷基、c1-c6（例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6）烷氧基、萘基、三亞苯基、熒蒽基、9,9-二甲基芴基、聯(lián)苯基、取代或未取代的基（所述取代的取代基為苯基）、取代或未取代的二苯并噻吩基（所述取代的取代基為苯基）、取代的噻吩基、c1-c6（例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6）烷基中的任意一種，r41、r42可以通過單鍵連接成環(huán)。

140、式ht-gh4化合物選自如下化合物中的任意一種：

141、

142、

143、

144、

145、

146、。

147、本發(fā)明中，空穴層材料（包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層）還包括具有如下式ⅰa所示結(jié)構(gòu)的化合物或者如式ib所示結(jié)構(gòu)的化合物：

148、??????式ⅰa；

149、??????式ib；

150、其中，l選自含有c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）亞芳基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

151、m選自0~4之間的整數(shù)（例如可以是0、1、2、3或4），n選自0或者1；

152、ar選自亞三亞苯基、亞熒蒽基、亞二苯并呋喃基或亞二苯并噻吩基中的任意一種；

153、ar1和ar2各自獨(dú)立地選自含有c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳基、二苯并呋喃或二苯并噻吩基中的任意一種；

154、ar1和ar之間、ar2和ar之間以及ar1、ar2之間各自獨(dú)立地可以通過單鍵、o、s、cr1r2、nr連接或者橋接。

155、r、r1、r2各自獨(dú)立地選自c1-c20（例如可以是c1、c2、c4、c6、c8、c10、c12、c14、c16、c18或c20等）烷基、c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的任意一種；

156、式ⅰb化合物和式ia化合物中的h各自獨(dú)立地可以被-f、-cn、-d（氘原子）、c1-c6烷基、c1-c6烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種替代。

157、優(yōu)選地，所述ar為亞熒蒽基，m+n＞1。

158、優(yōu)選地，所述式ib化合物和式ia化合物中的h可被-f、-cn、-d、c1-c3烷基（例如可以是甲基、乙基或丙基）、c1-c3烷氧基（例如可以是甲氧基、乙氧基或丙氧基）、苯基、聯(lián)苯基、三亞苯基、熒蒽基中的至少一種替代。

159、優(yōu)選地，所述l、ar1、ar2各自獨(dú)立地選自苯基、聯(lián)苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亞苯基、熒蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基或氫化的苯并蒽基中的至少一種。

160、優(yōu)選地，所述式ⅰb化合物選自如下化合物1-40中的任意一種：

161、

162、

163、

164、

165、。

166、本發(fā)明提供的oled器件中，空穴層材料除包括式ht-gh4所述化合物、式ib化合物、式ia化合物外，可以同時(shí)包括本領(lǐng)域常規(guī)的空穴材料，不受特別限制。示例性地包括但不限于：三芳胺類化合物或者咔唑類化合物。優(yōu)選含有3個(gè)以上n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物，因?yàn)?個(gè)以上n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物的homo較高（絕對(duì)值較?。m合用作空穴注入層材料。含有2個(gè)或者1個(gè)n原子的三芳胺類化合物或者咔唑類化合物，可以用作空穴傳輸層材料。部分含有1個(gè)n原子的化合物或者咔唑類化合物，若其具有較高的lumo，也可用作電子阻擋層材料。

167、所述三芳胺類化合物或者咔唑類化合物作為空穴層材料，所述空穴層材料包括如下結(jié)構(gòu)：

168、；

169、其中，ar601~ar609各自獨(dú)立地選自取代或者未取代的c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳基、取代或者未取代的二苯并噻吩基、取代或者未取代的萘并苯并呋喃基、取代或者未取代的萘并苯并噻吩基、取代或者未取代的二萘并呋喃基、取代或者未取代的二萘并噻吩基中的任意一種；

170、并且ar601~ar609中相鄰或者連接在同一個(gè)n原子上的ar601~ar609，可以通過單鍵連接或者通過o、s、cr701r702、nr703橋接；

171、r701、r702、r703選自c6-c40（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16、c20、c24、c28、c30、c32、c36或c40等）芳香基、c6-c20（例如可以是c6、c8、c10、c12、c16或c20等）雜芳基、c1-c6（例如可以是c1、c2、c3、c4、c5或c6）烷基，且r701、r702可以通過單鍵連接。

172、空穴阻擋層（hbl）可以限制空穴和/或激子在發(fā)光層范圍內(nèi)，以改善器件的電流效率和壽命。與最接近hbl界面的發(fā)光層材料相比，hbl材料具有較低homo(絕對(duì)值較大)和/或較高三重態(tài)能量。

173、電子傳輸層（etl）可以包括能夠傳輸電子的材料。電子傳輸層可以是固有的(未經(jīng)摻雜的)或經(jīng)摻雜的，可以使用摻雜來(lái)增強(qiáng)導(dǎo)電性。本發(fā)明中，對(duì)于etl材料不做特殊限制，可以使用任何金屬絡(luò)合物或有機(jī)化合物，只要其可以傳輸電子即可。一般電子傳輸層材料中含有以下結(jié)構(gòu)片段：吡啶結(jié)構(gòu)、嘧啶結(jié)構(gòu)、三嗪結(jié)構(gòu)、苯并咪唑結(jié)構(gòu)、苯并噁唑結(jié)構(gòu)、苯并噻唑結(jié)構(gòu)、n雜萘結(jié)構(gòu)、n雜啡結(jié)構(gòu)、n雜咔唑結(jié)構(gòu)、n雜二苯并噻吩結(jié)構(gòu)中的至少一種。

174、本發(fā)明中，對(duì)于電子傳輸層材料不做任何特殊限制，示例性地包括但不限于：

175、

176、

177、。

178、本發(fā)明中，所述陰極的材料是具有低逸出功的金屬（例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如ca、ba、mg、al、in、mg、yb、sm等)）、由多種金屬構(gòu)成的金屬合金（由堿金屬或堿土金屬與銀構(gòu)成的合金，例如由鎂和銀構(gòu)成的合金）或多層結(jié)構(gòu)。若陰極材料為多層結(jié)構(gòu)，除了上述所提及的金屬之外，還可以使用具有相對(duì)高逸出功的其它金屬，例如ag或al，在這種情況下通常使用所述金屬的組合，例如ca/ag、mg/ag或ba/ag。

179、也可選用在金屬陰極和有機(jī)半導(dǎo)體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層，形成多層結(jié)構(gòu)；所述具有高介電常數(shù)的材料也可以稱作電子注入材料，可選用堿金屬或堿土金屬的氟化物、以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如lif、li2o、baf2、mgo、naf、csf、cs2co3等)或喹啉鋰(liq)。

180、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

181、本發(fā)明中通過對(duì)組合物的具體組成進(jìn)行設(shè)計(jì)，進(jìn)一步通過對(duì)咔唑類化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其適用作有機(jī)電致發(fā)光器件磷光發(fā)光層的主體材料，使有機(jī)電致發(fā)光器件具有較高的電流效率和較長(zhǎng)的壽命。