本發(fā)明涉及單晶硅拋光，尤其涉及一種適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑及其使用方法。

背景技術(shù)：

1、太陽能光伏發(fā)電是未來能源結(jié)構(gòu)中的重要組成部分，在眾多太陽能電池路線中，topcon電池因其發(fā)電效率高，成本低，衰減少，工藝流程簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有perc電池產(chǎn)線兼容性好，易于升級(jí)，被認(rèn)為是未來最有前景的太陽能高效電池技術(shù)之一。在topcon電池的制備過程中，topcon堿拋為主流技術(shù)路線，對(duì)比酸拋成本低，效率高，但目前基板背面堿拋塔基尺寸較大，反射率較高，效率提升較為緩慢。

2、為了改善上述堿拋問題，在堿拋處理過程中通常需要添加堿拋添加劑，然而，采用現(xiàn)有的堿拋光添加劑及利用其制備的拋光液進(jìn)行堿拋光后，單晶硅片的背面結(jié)構(gòu)過于平整，容易導(dǎo)致漿料與硅片接觸時(shí)的摩擦力不夠，不利于背面氧化層的鈍化接觸，印刷時(shí)出現(xiàn)斷柵的現(xiàn)象，最終導(dǎo)致電池失效。除此之外，市面上的堿拋添加劑用于單晶硅堿拋還或多或少存在穩(wěn)定性較差，平整度不好，低減重下的拋光效果有待進(jìn)一步改善，電池片的光電轉(zhuǎn)換效率有待進(jìn)一步提高，金字塔塔基尺寸大會(huì)導(dǎo)致絲網(wǎng)印刷過程中漿料對(duì)硅片的附著力下降，漿料與硅片的接觸不良，外觀不佳，效率降低等技術(shù)缺陷。

3、為了克服上述缺陷，授權(quán)公告號(hào)為cn114032035b的中國(guó)發(fā)明專利公開了一種硅片堿拋光用添加劑，其各組分的含量為：0.5～2質(zhì)量份明膠、1～2質(zhì)量份丙烯酰胺、0.5～2質(zhì)量份季銨鹽、1～3質(zhì)量份對(duì)氨基水楊酸鈉、4～5質(zhì)量份硫氰酸銨、3～4質(zhì)量份烷基糖苷、0.1～0.3質(zhì)量份苯甲酸鈉、81.7～89.9質(zhì)量份水。在硅片堿拋光的拋光液中添加該發(fā)明的添加劑，能改變硅片背面平整度，能使堿拋光后硅片背面形成相對(duì)粗糙的小尺寸塔基狀結(jié)構(gòu)，小幅度降低硅片背面反射率，這有利于背面漿料接觸，提升漿料拉力，還能使ff得以提升，提高電池片電性能。然而，利用該堿拋光添加劑對(duì)topcon電池單晶硅堿拋仍然存在低減重下的拋光效果有待進(jìn)一步改善，電池效率有待進(jìn)一步提高等技術(shù)缺陷。

4、可見，開發(fā)一種低減重下的拋光效果好、能使堿拋光后硅片背面形成相對(duì)粗糙的小尺寸塔基，對(duì)電池轉(zhuǎn)換效率有增益的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑及其使用方法符合市場(chǎng)需求，具有廣泛的市場(chǎng)價(jià)值和應(yīng)用前景，對(duì)促進(jìn)topcon電池領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展具有非常重要的意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種低減重下的拋光效果好、能使堿拋光后硅片背面形成相對(duì)粗糙的小尺寸塔基，對(duì)電池轉(zhuǎn)換效率有增益的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑及其使用方法。

2、為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供一種適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑，包括按質(zhì)量百分比計(jì)算的以下組分：0.2wt%-0.4wt%的腐蝕催化劑、0.08wt%-0.15wt%的多羧基聚合物、0.5wt%-0.8wt%的高潤(rùn)濕脫泡劑、0.5wt%-1.5wt%的表面活性劑、0.1wt%-0.3wt%的螯合劑、0.03wt%-0.1wt%的保護(hù)劑、0.03wt%-0.06wt%的超支化聚賴氨酸、0.01wt%-0.1wt%的單寧酸、0.03wt%-0.08wt%的喹啉黃、0.01wt%-0.04wt%的咖啡因、0.1wt%-0.25wt%的3-(n-嗎啉基)-2-羥基丙磺酸鈉，余量為去離子水。

3、優(yōu)選的，所述腐蝕催化劑為過硫酸鈉、間氯過氧苯甲酸、過氧單磺酸鉀中的一種或兩種以上的組合。

4、優(yōu)選的，所述多羧基聚合物為聚丙烯酸、聚乙醇酸中的一種或兩種以上的組合。

5、優(yōu)選的，所述多羧基聚合物的數(shù)均分子質(zhì)量為15000。

6、優(yōu)選的，所述高潤(rùn)濕脫泡劑為甘油、葡聚糖、水溶性淀粉中的一種或兩種以上的組合。

7、優(yōu)選的，所述表面活性劑為司盤80、吐溫20、十二烷基苯磺酸鈉、月桂酰胺基丙基甜菜堿中的一種或兩種以上的組合。

8、優(yōu)選的，所述螯合劑為丁二酸、蘋果酸、edta、葡萄糖酸鈉中的一種或兩種以上的組合。

9、優(yōu)選的，所述保護(hù)劑為氯化鈣、乙酸鈣、磷酸鈣中的一種或兩種以上的組合。

10、優(yōu)選的，所述超支化聚賴氨酸的來源無特殊要求，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述超支化聚賴氨酸是按申請(qǐng)公布號(hào)為cn117205361a的中國(guó)發(fā)明專利實(shí)施例1的方法制成。

11、本發(fā)明的另一個(gè)目的，在于提供一種所述適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑的使用方法，包括如下步驟：

12、步驟s1、將所述適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑各組分混合均勻后，得到適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑；

13、步驟s2、將經(jīng)過步驟s1配制而成的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑添加至堿液中并攪勻，得到拋光液；

14、步驟s3、采用經(jīng)過步驟s2制成的拋光液對(duì)單晶硅進(jìn)行拋光處理。

15、優(yōu)選的，步驟s2中所述拋光液中適應(yīng)topcon薄片化的低減重的單晶硅堿拋添加劑的質(zhì)量含量為0.5％～2.5％。

16、優(yōu)選的，步驟s2中所述堿液為氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液；所述堿液的質(zhì)量百分濃度為1.5％～2％。

17、優(yōu)選的，步驟s3中所述拋光處理的溫度為60～65℃，時(shí)間為170～240s。

18、由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本發(fā)明具有以下有益效果：

19、（1）本發(fā)明公開的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑的使用方法，工藝操作簡(jiǎn)單、易于實(shí)施，對(duì)設(shè)備依賴性低，堿拋過程無污染，塔基狀結(jié)構(gòu)尺寸可控，適合于規(guī)?；a(chǎn)。

20、（2）本發(fā)明公開的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑，包括按質(zhì)量百分比計(jì)算的以下組分：0.2wt%-0.4wt%的腐蝕催化劑、0.08wt%-0.15wt%的多羧基聚合物、0.5wt%-0.8wt%的高潤(rùn)濕脫泡劑、0.5wt%-1.5wt%的表面活性劑、0.1wt%-0.3wt%的螯合劑、0.03wt%-0.1wt%的保護(hù)劑、0.03wt%-0.06wt%的超支化聚賴氨酸、0.01wt%-0.1wt%的單寧酸、0.03wt%-0.08wt%的喹啉黃、0.01wt%-0.04wt%的咖啡因、0.1wt%-0.25wt%的3-(n-嗎啉基)-2-羥基丙磺酸鈉，余量為去離子水；通過各組分之間的相互配合作用，使得制成的堿拋添加劑低減重下的拋光效果好、能使堿拋光后硅片背面形成相對(duì)粗糙的小尺寸塔基，對(duì)電池轉(zhuǎn)換效率有增益。

21、（3）本發(fā)明公開的適用topcon電池的高背面接觸的小塔基堿拋添加劑，通過組分配方的合理選取，多種組分的組合作用，在topcon電池堿拋過程中，減緩塔基的擴(kuò)張速度，增大塔基的縱向腐蝕，從而增加背面的接觸面積，達(dá)到與漿料的更好接觸的目的，進(jìn)而提高背面接觸和填充因子；同時(shí)也能改善低減重下的拋光效果；各組分之間的相容性好，使得制成的產(chǎn)品不僅穩(wěn)定性好，拋光效果顯著，而且重復(fù)性更優(yōu)異。