的溫度下不能得到足夠的熔化潛熱。
[0096] 〈正十五烷（C15)的含量⑶與正十四烷（C14)的含量㈧的比率（B/A)>
[0097] 在作為根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的混合 物中，正十五烷（C15)的含量（B)與正十四烷（C14)的含量（A)的比率（B/A)不受特別限 制并且可以視需要選擇，只要其為0. 3或更大和10或更小即可。然而，該比率優(yōu)選地是0. 5 或更大，更優(yōu)選地是〇. 8或更大，并且甚至更優(yōu)選地是I. 0或更大。另外，該比率優(yōu)選地是 8或更小，并且更優(yōu)選地是6或更小。
[0098] 如果前文所提及的含量比率小于0. 3,則熔化潛熱往往較小且熔點(diǎn)和凝固點(diǎn)之間 的差值往往較大。如果含量比率大于10,則不能得到足夠的熔化潛熱。相比之下，如上文所 鑒別的在優(yōu)選、更優(yōu)選或甚至更優(yōu)選范圍內(nèi)的含量比率是有利的，因?yàn)槿埸c(diǎn)接近10 °c，可以 得到大熔化潛熱，且熔點(diǎn)和凝固點(diǎn)之間的差值較小。
[0099] 〈第三優(yōu)選實(shí)施方式〉
[0100] 作為根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的混合物 含有大于80質(zhì)量％的正十六烷和小于20質(zhì)量％的正十五烷，其中正十六烷和正十五烷的 總含量是100質(zhì)量％。
[0101] 〈正十六烷（C16)>
[0102] 在作為根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的混合 物中，正十六烷（C16)的含量不受特別限制并且可以視需要選擇，只要其大于80質(zhì)量％即 可。然而，其含量優(yōu)選地是85質(zhì)量％或更多，并且更優(yōu)選地是87質(zhì)量％或更多。
[0103] 如果正十六烷的含量不大于80質(zhì)量％，則形成較大的副峰，其熔點(diǎn)在KTC至16°C 范圍外。在這種情況下，在所需溫度范圍內(nèi)不能得到足夠的熔化潛熱。相比之下，如上文所 鑒別的在優(yōu)選或更優(yōu)選范圍內(nèi)的正十六烷的含量是有利的，因?yàn)槠錅p小了熔點(diǎn)和凝固點(diǎn)之 間的差值并提供在較窄操作溫度范圍內(nèi)能夠得到的大量熱。
[0104] 另外，在作為根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的 混合物中，正十六烷的含量的上限優(yōu)選地是99質(zhì)量％，更優(yōu)選地是98質(zhì)量％，并且甚至更 優(yōu)選地是95質(zhì)量％，但其不受特別限制并且可以視需要選擇。
[0105] 如果正十六烷的含量大于99質(zhì)量％，則熔點(diǎn)可過高而不適合用于在10°C至16°C 范圍內(nèi)的溫度下使用的熱儲(chǔ)存材料，且容易發(fā)生顯著過冷卻（其中ΔΤ(熔點(diǎn)減去凝固點(diǎn)） 大），這需要高性能冷凍器。相比之下，如果正十六烷的含量是98質(zhì)量％或更少或95質(zhì)量％ 或更少，則幾乎不會(huì)引起或決不會(huì)引起過冷卻，這是有利的。
[0106] 〈正十五烷（C15)>
[0107] 在作為根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的混合 物中，正十五烷（C15)的含量不受特別限制并且可以視需要選擇，只要其小于20質(zhì)量％即 可。然而，其含量優(yōu)選地是15質(zhì)量％或更少，并且更優(yōu)選地是10質(zhì)量％或更少。
[0108] 如果正十六烷的含量不小于20質(zhì)量％，則形成副峰，其熔點(diǎn)在KTC至16°C范圍 夕卜。在這種情況下，在所需溫度范圍內(nèi)不能得到足夠的熔化潛熱。相比之下，如上文所鑒別 的在優(yōu)選或更優(yōu)選范圍內(nèi)的正十五烷的含量是有利的，因?yàn)槠錅p小了熔點(diǎn)和凝固點(diǎn)之間的 差值并產(chǎn)生在較窄操作溫度范圍內(nèi)能夠得到的大量熱。
[0109] 另外，在作為根據(jù)第三優(yōu)選實(shí)施方式的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的主要組分的 混合物中，正十五烷的含量的下限優(yōu)選地是1質(zhì)量％，更優(yōu)選地是2質(zhì)量％，并且甚至更優(yōu) 選地是5質(zhì)量％，但其不受特別限制并且可以視需要選擇。
[0110] 如果正十五烷的含量小于1質(zhì)量％，則熔點(diǎn)可過高而不適合用于在10°c至16°C 范圍內(nèi)的溫度下使用的熱儲(chǔ)存材料，且容易發(fā)生顯著過冷卻（其中ΔΤ(熔點(diǎn)減去凝固點(diǎn)） 大），這需要高性能冷凍器。相比之下，如果正十五烷的含量是2質(zhì)量％或更多或5質(zhì)量％ 或更多，則幾乎不會(huì)引起或決不會(huì)引起過冷卻，這是有利的。
[0111] 圖1是示意地說明本發(fā)明的組合物范圍的三角形圖，其中陰影區(qū)域指示正十六烷 (C16)、正十五烷（C15)和正十四烷（C14)的混合體系。圖2是其主要部分的放大圖。在圖 2中，指向黑色圓點(diǎn)的數(shù)字對(duì)應(yīng)于如下文所述的實(shí)施例編號(hào)，且指向白色圓點(diǎn)的數(shù)字對(duì)應(yīng)于 下文所陳述的比較例編號(hào)。雖然在這一區(qū)域中獲得的優(yōu)良性質(zhì)的原因并不清楚，但本發(fā)明 的發(fā)明人相信這一現(xiàn)象是由具有偶數(shù)個(gè)碳原子的正鏈烷烴、具有奇數(shù)個(gè)碳原子的正鏈烷烴 和具有偶數(shù)個(gè)碳原子的正鏈烷烴在熔化和凝固的相變期間的相互作用引起，其中偶數(shù)和奇 數(shù)彼此接近。
[0112] 〈其它組分〉
[0113] 烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物中所含的其它組分包括（而不損害本發(fā)明的目的）： (i)具有除14至16以外的碳原子數(shù)目的正鏈烷烴；（ii)碳?xì)浠衔铮绠愅闊N、烯烴、 環(huán)烷和芳香族化合物，其具有除前文所提及的正十六烷（C16)、正十五烷（C15)和正十四烷 (C14)的結(jié)構(gòu)以外的結(jié)構(gòu)；和（iii)制備正鏈烷烴時(shí)摻入的醇。
[0114] 另外，可以添加（外部添加）以下材料以通過使用根據(jù)本發(fā)明的烷烴基潛熱儲(chǔ)存 材料組合物生產(chǎn)產(chǎn)物：（i)包括樹脂單體、聚合劑和表面活性劑的物質(zhì)，其用于生產(chǎn)經(jīng)涂覆 的產(chǎn)物，例如微膠囊；（ii)常用添加劑，包括抗氧化劑和紫外線吸收劑；（iii)添加劑，包括 比重控制劑、著色劑（例如顏料和染料）、芳香劑和膠凝劑；等等。
[0115] 〈長鏈烷烴的添加〉
[0116] 根據(jù)本發(fā)明的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物是如下烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物，其 含有具有最長鏈長的正十六烷（C16)和基本上限于正十五烷（C15)和正十四烷（C14)的其 它正鏈烷烴。
[0117] 研宄后，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在熔化等情況的相變期間與C17或更長的長鏈烷烴的相互作 用大大減少了在本發(fā)明中能夠得到的熔化潛熱。
[0118] 本文中，C17或更長的長鏈烷烴的實(shí)例包括具有長鏈烷烴結(jié)構(gòu)的部分，例如結(jié)晶聚 乙烯的聚合部分中的結(jié)晶部分。當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的組合物作為潛熱儲(chǔ)存材料時(shí)，應(yīng)盡可 能避免與C17或更長的長鏈烷烴的所述相互作用。
[0119] 〈熔化潛熱（熔化熱）>
[0120] 前文所提及的熔化潛熱（熔化熱）意指從固相到液相的相變過程中所涉及的潛熱 量。如本文中所使用，熔化潛熱意指在DSC熱譜圖中所觀察到的熔化（吸熱）峰處的熱量， 且對(duì)于示出了多個(gè)峰的DSC熱譜圖而言，其是指在具有0°C或更高熔點(diǎn)和大量熱的峰（主 峰）處的熱的量。
[0121] 前文所提及的烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的熔化潛熱可以通過例如使用差示掃 描量熱計(jì)（由Seiko Instruments Inc.制造的DSC7020)以10°C/分鐘的加熱速率測量的 DSC熱譜圖上的熔化峰來測定。
[0122] 烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的熔化潛熱不受特別限制并且可以視需要選擇，只要 其為200J/g或更大即可。然而，熔化潛熱優(yōu)選地是210J/g或更大，更優(yōu)選地是220J/g或 更大，并且最優(yōu)選地是230J/g或更大。
[0123] 如果熔化潛熱小于200J/g，則有效潛熱量（熱儲(chǔ)存能力）如此小以至于會(huì)阻礙組 合物在用于冷卻空氣的空氣調(diào)節(jié)器、冷凍和冷藏容器、冷能量輸送介質(zhì)、防凍劑等中時(shí)具有 足夠的作用。
[0124] 〈熔點(diǎn)〉
[0125] 如本文中所使用，熔點(diǎn)是指在熱譜圖中熔化（吸熱）峰的最大斜率的切線與基線 相交的點(diǎn)處的溫度，該熱譜圖是使用差示掃描量熱計(jì)（例如由Seiko Instruments Inc.制 造的DSC7020)在以10°C /分鐘的加熱速率進(jìn)行加熱時(shí)獲得的。烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合 物（正鏈烷烴組合物）的熔點(diǎn)通?？梢杂蓡蝹€(gè)點(diǎn)表示，即使當(dāng)組合物含有許多組分時(shí)。然 而，在觀察到兩個(gè)或更多峰的情況下，熔點(diǎn)是指在高于〇°C的溫度側(cè)下觀察到的且具有大量 熱的一個(gè)峰（主峰）的最大斜率的切線與基線相交處的溫度（參見圖5)。
[0126] 烷烴基潛熱儲(chǔ)存材料組合物的熔點(diǎn)優(yōu)選地是5°C至16°C，更優(yōu)選地是5°C至15°C， 并且最優(yōu)選地是TC至13°C，但其不受特別限制并且可以視需要而選擇，只要其低于正 十六烷的熔點(diǎn)（18°C )即可。
[0127] 如果熔點(diǎn)不低于正十六烷的熔點(diǎn)（18°C )，則熔點(diǎn)可過高而不適合用于冷卻用的 熱儲(chǔ)存材料。另外，如果熔點(diǎn)低于5°C，則組合物會(huì)在其被使用的低于接近KTC溫度的溫度 下熔化，而高于16°C的熔點(diǎn)過高而不適合用于冷卻