br>[0050]請參閱圖3，圖3為實(shí)施例1制得的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的XRD曲線，測試對照標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片。從圖3中可以看出X射線衍射峰對應(yīng)的是銻硅酸鹽的特征峰，沒有出現(xiàn)摻雜元素及雜質(zhì)相關(guān)的峰，說明銪鉍摻雜離子進(jìn)入了銻硅酸鹽的晶格，樣品具有良好的結(jié)晶性質(zhì)。
[0051]請參閱圖4，圖4為本實(shí)施例1制備的電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮度關(guān)系圖，在圖4中曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出電致發(fā)光器件從5.0V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為170cd/m2，表明本實(shí)施例1制備的電致發(fā)光器件具有良好的發(fā)光特性。
[0052]實(shí)施例2
[0053](一)本實(shí)施例2銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0054](a)靶材的制備
[0055]選用Ga2O3, Sb2O5, Al2O3, Eu2O3 和 Bi2O3 粉體，并按照摩爾比為 I:1:2:0.005:0.005均勻混合，然后在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm、厚度為2mm的祀材；
[0056](b)鍍膜的預(yù)處理
[0057]將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO玻璃的襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。最后用機(jī)械泵和分子泵把所述真空腔體的真空度抽到1.0X KT3Pa ；
[0058](c)設(shè)置磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)
[0059]把祀材和襯底的距離設(shè)定為45mm !把気氣工作氣體流量設(shè)定為1sccm,壓強(qiáng)設(shè)定為0.2Pa ;把襯底溫度設(shè)定為250°C ;接著進(jìn)行制膜，得到所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的初成品；
[0060](d)退火處理
[0061]將步驟(C)制得的所述初成品在0.0lPa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到GaSbAl2O7:0.005Eu3+，0.005Bi3+，即本發(fā)明所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜。
[0062](二)應(yīng)用所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下:
[0063]在步驟(d)制得的發(fā)光薄膜上面蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，得到所述電致發(fā)光器件。
[0064]實(shí)施例3
[0065](一)本實(shí)施例3銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0066](a)靶材的制備
[0067]選用Ga2O3, Sb2O5, Al2O3, Eu2O3 和 Bi2O3 粉體，并按照摩爾比為 I:1:2:0.05:0.03 均勻混合，然后在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm、厚度為2mm的祀材；
[0068](b)鍍膜的預(yù)處理
[0069]將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO玻璃的襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。最后用機(jī)械泵和分子泵把所述真空腔體的真空度抽到1.0X 1-5Pa ；
[0070](c)設(shè)置磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)
[0071]把祀材和襯底的距離設(shè)定為95_ ;把気氣工作氣體流量設(shè)定為35sccm,壓強(qiáng)設(shè)定為4.0Pa ;把襯底溫度設(shè)定為750°C ;接著進(jìn)行制膜，得到所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的初成品；
[0072](d)退火處理
[0073]將步驟(C)制得的所述初成品在0.0lPa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到GaSbAl2O7:0.05Eu3+，0.03Bi3+，即本發(fā)明所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜。
[0074](二)應(yīng)用所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下:
[0075]在步驟(d)制得的發(fā)光薄膜上面蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，得到所述電致發(fā)光器件。
[0076]實(shí)施例4
[0077](一)本實(shí)施例4銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0078](a)靶材的制備
[0079]選用In2O3, Sb2O5, Al2O3, Eu2O3 和 Bi2O3 粉體，并按照摩爾比為 I:1:2:0.03:0.01 均勻混合，然后在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm、厚度為2mm的祀材；
[0080](b)鍍膜的預(yù)處理
[0081]將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO玻璃的襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。最后用機(jī)械泵和分子泵把所述真空腔體的真空度抽到5.0X 1-4Pa ；
[0082](c)設(shè)置磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)
[0083]把祀材和襯底的距離設(shè)定為60mm ;把||氣工作氣體流量設(shè)定為25sccm,壓強(qiáng)設(shè)定為2.0Pa ;把襯底溫度設(shè)定為500°C ;接著進(jìn)行制膜，得到所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的初成品；
[0084](d)退火處理
[0085]將步驟(C)制得的所述初成品在0.0lPa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C。得到InSbAl2O7:0.03Eu3+，0.0lBi3+,即本發(fā)明所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜。
[0086](二)應(yīng)用所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下:
[0087]在步驟(d)制得的發(fā)光薄膜上面蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，得到所述電致發(fā)光器件。
[0088]實(shí)施例5
[0089](一)本實(shí)施例5銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0090](a)靶材的制備
[0091]選用In2O3, Sb2O5, Al2O3, Eu2O3 和 Bi2O3 粉體，并按照摩爾比為 I:1:2:0.005:0.005均勻混合，然后在900°C下燒結(jié)成直徑為50mm、厚度為2mm的祀材；
[0092](b)鍍膜的預(yù)處理
[0093]將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO玻璃的襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。最后用機(jī)械泵和分子泵把所述真空腔體的真空度抽到1.0X 1-3Pa ；
[0094](c)設(shè)置磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)
[0095]把祀材和襯底的距離設(shè)定為45mm !把気氣工作氣體流量設(shè)定為1sccm,壓強(qiáng)設(shè)定為0.2Pa ;把襯底溫度設(shè)定為250°C ;接著進(jìn)行制膜，得到所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的初成品；
[0096](d)退火處理
[0097]將步驟(C)制得的所述初成品在0.0lPa真空爐中退火lh，退火溫度為500°C。得到InSbAl2O7:0.005Eu3+，0.005Bi3+，即本發(fā)明所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜。
[0098](二)應(yīng)用所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下:
[0099]在步驟(d)制得的發(fā)光薄膜上面蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，得到所述電致發(fā)光器件。
[0100]實(shí)施例6
[0101](一)本實(shí)施例6銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0102](a)靶材的制備
[0103]選用In2O3, Sb2O5, Al2O3, Eu2O3 和 Bi2O3 粉體，并按照摩爾比為 I:1:2:0.05:0.03 均勻混合，然后在1300°C下燒結(jié)成直徑為50mm、厚度為2mm的祀材；
[0104](b)鍍膜的預(yù)處理
[0105]將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO玻璃的襯底，并用對其進(jìn)行氧等離子處理，放入真空腔體。最后用機(jī)械泵和分子泵把所述真空腔體的真空度抽到1.0X 1-5Pa ；
[0106](c)設(shè)置磁控濺射設(shè)備的工藝參數(shù)
[0107]把祀材和襯底的距離設(shè)定為95mm !把気氣工作氣體流量設(shè)定為35sccm,壓強(qiáng)設(shè)定為4Pa ;把襯底溫度設(shè)定為750°C ;接著進(jìn)行制膜，得到所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的初成品；
[0108](d)退火處理
[0109]將步驟(C)制得的所述初成品在0.0lPa真空爐中退火3h，退火溫度為800°C。得到InSbAl2O7:0.05Eu3+，0.03Bi3+，即本發(fā)明所述的銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜。
[0110](二)應(yīng)用所述銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件的制備方法，其步驟如下:
[0111]在步驟(d)制得的發(fā)光薄膜上面蒸鍍一銀層，所述銀層形成陰極層，得到所述電致發(fā)光器件。
[0112]實(shí)施例7
[0113](一)本實(shí)施例7銪鉍共摻雜三族銻硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0114](a)靶材的制備
[0115]選用Tl2O3, Sb2O5,