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      一種改善光學零件邊緣面形的加工方法及復合磨粒拋光液的制作方法_2

      文檔序號:8392106閱讀:來源:國知局
      2?5r/min,游星輪公轉轉速2?5r/min,拋光液流量10?50mL/min,壓強范圍3?5KPa,拋光時間3?5min,低轉速低壓下讓拋光液能夠充分填充進聚氨酯拋光墊和光學零件之間的間隙,充分潤滑,避免干摩擦產生劃傷;
      [0044]在拋光中間階段,工藝參數(shù):下拋光盤轉速6?30r/min,上拋光盤轉速_2?_6r/min,游星輪自傳轉速2?llr/min,游星輪公轉轉速2?llr/min,拋光液流量10?50mL/min,壓強范圍3?20KPa,拋光時間I?1h,復合磨粒嵌入聚氨酯拋光墊,在拋光盤的帶動下,對光學表面進行機械化學作用的材料去除,該階段是拋光的主要階段;
      [0045]在拋光末尾階段,工藝參數(shù):下拋光盤轉速4?10r/min,上拋光盤轉速_1?_3r/min,游星輪自傳轉速2?5r/min,游星輪公轉轉速2?5r/min,去離子水流量10?50mL/min,壓強范圍3?5KPa,拋光時間3?5min,目的是采用清水洗凈光學零件,同時緩慢減壓,釋放光學零件因拋光產生的殘余應力。
      [0046]第六步:拋光后光學零件的清洗,將拋光后的光學零件放入超聲波清洗機中進行清洗,去除表面殘留的拋光粉。
      [0047]第七步:拋光后光學零件的檢測,使用Zygo激光平面干涉儀和白光干涉儀對光學零件表面進行檢測,驗證是否達到工件設計要求。必要時可以重復步驟五進一步拋光,直至面形等各項指標滿足工件設計要求。
      [0048]實例:
      [0049]以直徑為30mm,厚度為6mm的基片為加工對象,要求拋光后基片表面粗糙度Ra〈lnm,面形 λ/20。
      [0050]第一步:取粒徑為20um的PS微球10.2g,PS微球表面經電荷修飾呈正電勢;粒徑為Ium的Ce02拋光粉10.2g ;去離子水100g,混合后攪拌均勻,超聲30min。
      [0051]第二步;用PH=1的KOH溶液對制備的復合磨粒拋光液進行PH值調節(jié),使用PH試紙測量復合磨粒拋光液的PH值,調節(jié)至PH=8。
      [0052]第三步:用激光共聚焦顯微鏡觀察拋光液中PS微球和CeO2磨粒的吸附情況,放大倍數(shù)為3000倍數(shù),PS微球和CeO2磨粒的質量濃度比為1:1時,PS微球表面已經完全被CeO2磨粒包裹,并且吸附有CeO2磨粒的PS微球之間能夠很好的分散開,沒有出現(xiàn)明顯的團聚。
      [0053]第四步:用W7研磨粉基片進行精研,表面粗糙度Ra〈6um。光學零件清洗干凈;對貼有聚氨酯拋光墊的拋光盤使用金剛石盤和不銹鋼盤進行修整;制備的復合磨粒拋光液經超聲處理0.5h?Ih ;
      [0054]第五步:在SPEEDFAM雙面拋光機床進行拋光試驗。拋光墊聚氨酯材料,游星輪為Teflon材料。初始階段的拋光參數(shù):下拋光盤轉速5r/min,上拋光盤轉速-2r/min,游星輪自傳轉速3r/min,游星輪公轉轉速3r/min,拋光液流量30mL/min,壓強4KPa,拋光時間3min ;中間階段的拋光參數(shù):下拋光盤轉速12r/min,上拋光盤轉速_4r/min,游星輪自傳轉速6r/min,游星輪公轉轉速5r/min,拋光液流量20mL/min,壓強1KPa,拋光時間6h ;末尾階段的拋光參數(shù):下拋光盤轉速5r/min,上拋光盤轉速_2r/min,游星輪自傳轉速3r/min,游星輪公轉轉速3r/min,去離子水流量50mL/min,壓強3KPa,拋光時間3min ;
      [0055]第六步:將拋光后的零件經過超聲清洗,去除表面殘留拋光粉。
      [0056]第七步:從中抽3件零件,使用Zygo激光平面干涉儀測量光學零件的面形,結果如圖2所示,面形PV達到了 20nm (即λ/20)的要求,邊緣無塌邊。同時表面粗糙度Ra實際達到0.8nm,能夠滿足產品工藝要求。
      【主權項】
      1.一種復合磨粒拋光液,其特征在于,由粒徑范圍為Ium?60um,彈性模量在I?1GPa的有機聚合物微粒、粒徑范圍為0.3um?3um的拋光粉和水配制而成,其中,分散有機聚合物微粒的質量分數(shù)范圍為0.1%?5%,拋光粉的質量分數(shù)范圍為0.1%?5%。
      2.根據(jù)權利要求1所述的復合磨粒拋光液,其特征在于,單分散有機聚合物微粒呈球狀。
      3.根據(jù)權利要求1所述的復合磨粒拋光液,其特征在于,分散有機聚合物微粒為聚苯乙烯。
      4.根據(jù)權利要求1所述的復合磨粒拋光液,其特征在于,復合磨粒拋光液的分散有機聚合物微粒與磨粒形成靜電吸附。
      5.根據(jù)權利要求1所述的復合磨粒拋光液,其特征在于,復合磨粒拋光液的經PH值調節(jié)后帶弱堿性。
      6.一種改善光學零件邊緣面形的加工方法,其特征在于,采用權利要求1至5任一項所述的復合磨粒拋光液在雙面拋光機上對光學零件進行拋光試驗,從而在不降低光學零件表面粗糙度的情況下,減小光學零件邊緣塌邊,改善光學零件邊緣局部面形。
      7.根據(jù)權利要求6所述的改善光學零件邊緣面形的加工方法,其特征在于,具體過程如下: 第一步:配制復合磨粒拋光液 選用單分散大粒徑PS微球,粒徑范圍為Ium?60um,PS微球呈球狀;Ce02拋光粉,CeO2磨粒呈不規(guī)則多面體,粒徑范圍為0.3um?3um ;去離子水,取PS微球和CeO2拋光粉,加入超純水混合搖勻,配成具有特定質量濃度比的復合磨粒拋光液,PS微球質量分數(shù)范圍為0.1%?5%,CeO2磨粒的質量分數(shù)范圍為0.1%?5% ; 第二步:復合磨粒拋光液PH值的調定 PS微球表面經過電荷修飾,以與CeO2形成靜電吸附,采用PH=1的KOH溶液對復合磨粒拋光液的PH進行調節(jié),調節(jié)后的拋光液PH范圍為8?11,使得PS微球能夠實現(xiàn)對CeO2穩(wěn)定吸附; 第三步:復合磨粒拋光液的測定 取復合磨粒拋光液滴于玻璃基片上,將均勻涂滿拋光液的玻璃基片置于百級超凈室內,干燥后放置在激光共聚焦顯微鏡下,觀察PS微球和CeO2在靜電力作用下的吸附情況,以CeO2磨粒能夠完全包裹PS微球為最佳,并且形成的復合磨粒分散均勻,無明顯團聚現(xiàn)象為最佳; 第四步:拋光前的預處理 工作環(huán)境溫度25°C,濕度70%,選用W7?W14的研磨粉精磨后的光學零件,表面粗糙度范圍3?1um,尺寸一致性2um以內,光學零件清洗干凈;貼有聚氨酯拋光墊的拋光盤使用金剛石盤和不銹鋼盤進行修整,保證拋光盤的面形;制備的復合磨粒拋光液經超聲處理0.5h ?Ih ; 第五步:拋光 將游星輪均勻放置于下拋光盤中,預處理后的光學零件均勻放入游星輪中,先滴加復合磨粒拋光液使上下拋光墊潤濕,再將上拋光盤降下, 在拋光初始階段,工藝參數(shù):下拋光盤轉速4?10r/min,上拋光盤轉速-1?_3r/min,游星輪自傳轉速2?5r/min,游星輪公轉轉速2?5r/min,拋光液流量10?50mL/min,壓強范圍3?5KPa,拋光時間3?5min,低轉速低壓下讓拋光液能夠充分填充進聚氨酯拋光墊和光學零件之間的間隙,充分潤滑,避免干摩擦產生劃傷; 在拋光中間階段,工藝參數(shù):下拋光盤轉速6?30r/min,上拋光盤轉速_2?_6r/min,游星輪自傳轉速2?llr/min,游星輪公轉轉速2?llr/min,拋光液流量10?50mL/min,壓強范圍3?20KPa,拋光時間I?1h,復合磨粒嵌入聚氨酯拋光墊,在拋光盤的帶動下,對光學表面進行機械化學作用的材料去除; 在拋光末尾階段,工藝參數(shù):下拋光盤轉速4?10r/min,上拋光盤轉速_1?-3r/min,游星輪自傳轉速2?5r/min,游星輪公轉轉速2?5r/min,去離子水流量10?50mL/min,壓強范圍3?5KPa,拋光時間3?5min,采用清水洗凈光學零件,同時緩慢減壓,釋放光學零件因拋光產生的殘余應力; 第六步:拋光后光學零件的清洗,將拋光后的光學零件放入超聲波清洗機中進行清洗,去除表面殘留的拋光粉; 第七步:拋光后光學零件的檢測,如不符合要求,則重復步驟五進一步拋光,直至面形等各項指標滿足工件設計要求。
      【專利摘要】本發(fā)明屬于超精密加工技術,涉及一種改善光學零件邊緣面形的加工方法及復合磨粒拋光液。所述復合磨粒拋光液由粒徑范圍為1um~30um,彈性模量在1~10GPa的有機聚合物微粒、粒徑范圍為0.3um~3um的拋光粉和水配制而成,其中,分散有機聚合物微粒的質量分數(shù)范圍為0.1%~5%,拋光粉的質量分數(shù)范圍為0.1%~5%。本發(fā)明采用由聚苯乙烯(PS)微球表面吸附CeO2磨粒形成的復合磨粒拋光液替代單一CeO2磨粒拋光液,在雙面拋光機床上采用推薦的工藝參數(shù)對光學零件表面進行拋光,達到改善光學零件邊緣面形的目的,同時不影響表面粗糙度。該方法簡便、實用,直徑為30mm、厚度為6mm。
      【IPC分類】B24B13-00, C09G1-02
      【公開號】CN104710939
      【申請?zhí)枴緾N201310675688
      【發(fā)明人】白滿社, 張晉寬, 陳靜, 朱良健, 李順增, 向勇
      【申請人】中國航空工業(yè)第六一八研究所
      【公開日】2015年6月17日
      【申請日】2013年12月11日
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