布在開(kāi)口部106a，在本實(shí)施方式中，采用噴墨法（液滴噴出 法）作為液相工藝。
[0066] 尤其是頂部發(fā)射方式的發(fā)光裝置100中，優(yōu)選構(gòu)成功能層136的各層的截面形狀 平坦。本實(shí)施方式的功能層形成用油墨成為以各層的截面形狀平坦的方式在開(kāi)口部l〇6a 涂布功能層形成用油墨并使其干燥時(shí)功能層形成用油墨不易沾染隔壁106的側(cè)壁的溶劑 的構(gòu)成。功能層形成用油墨的詳細(xì)構(gòu)成在后面敘述。
[0067] <發(fā)光元件的制造方法>
[0068] 接下來(lái)，參照?qǐng)D3對(duì)作為本實(shí)施方式的發(fā)光元件的有機(jī)EL元件的制造方法進(jìn)行具 體說(shuō)明。圖3(a)~（d)是表示有機(jī)EL元件的制造方法的簡(jiǎn)要截面圖。應(yīng)予說(shuō)明，如上所 述，由于驅(qū)動(dòng)控制有機(jī)EL元件130的像素電路、反射層102、像素電極104的形成方法可以 采用公知的方法，所以在此對(duì)隔壁形成工序以后的工序進(jìn)行說(shuō)明。
[0069] 本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件130的制造方法具有隔壁形成工序（步驟SI)、表面處 理工序（步驟S2)、功能層形成工序（步驟S3)和對(duì)置電極形成工序（步驟S4)。
[0070] 在步驟Sl的隔壁形成工序中，如圖3(a)所示，在形成有反射層102和像素電極 104的元件基板101上以1 μπι~2 μπι的厚度涂布含有對(duì)例如功能層形成用油墨顯示拒液 性的拒液材料的感光性樹(shù)脂材料并將其干燥而形成感光性樹(shù)脂層。作為涂布方法，可舉出 轉(zhuǎn)印法、狹縫式涂布法等。作為拒液材料，可舉出氟化合物、硅氧烷系化合物。作為感光性 樹(shù)脂材料，可舉出負(fù)性的多官能丙烯酸樹(shù)脂。使用與子像素 Iio的形狀對(duì)應(yīng)的曝光用掩模 對(duì)制成的感光性樹(shù)脂層進(jìn)行曝光?顯影，形成與像素電極104的外緣重合并且在像素電極 104上構(gòu)成開(kāi)口部106a的隔壁106。然后，進(jìn)入步驟S2。
[0071] 在步驟S2的表面處理工序中，對(duì)形成有隔壁106的元件基板101實(shí)施表面處理。 表面處理工序是為了除去像素電極104的表面的隔壁殘?jiān)葟U物而進(jìn)行的，目的是在下一 個(gè)工序中用噴墨法（液滴噴出法）形成構(gòu)成功能層136的空穴注入層131、空穴輸送層132、 發(fā)光層133時(shí)，含有功能層形成材料的功能層形成用油墨均勻地潤(rùn)濕擴(kuò)展在由隔壁106圍 起的開(kāi)口部l〇6a。作為表面處理方法，在本實(shí)施方式中實(shí)施準(zhǔn)分子UV(紫外線）處理。應(yīng) 予說(shuō)明，表面處理方法不限于準(zhǔn)分子UV處理，只要能夠清潔像素電極104的表面即可，例如 可以進(jìn)行利用溶劑的清洗?干燥工序。另外，只要像素電極104的表面為清潔的狀態(tài)，就可 以不實(shí)施表面處理工序。應(yīng)予說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，使用含有拒液材料的感光性樹(shù)脂材料 形成隔壁106,但不限定于此，也可以在使用不含拒液材料的感光性樹(shù)脂材料形成隔壁106 后，進(jìn)行如下的表面處理，即，在步驟S2中，實(shí)施使用氟系的處理氣體的例如等離子體處理 對(duì)隔壁106的表面賦予拒液性，其后，實(shí)施以氧為處理氣體的等離子體處理使像素電極104 的表面親液化。然后，進(jìn)入步驟S3。
[0072] 在步驟S3的功能層形成工序中，首先，如圖3(b)所示，在開(kāi)口部106a涂布含有空 穴注入材料（第1成分）的作為功能層形成用油墨的空穴注入層形成用油墨50。空穴注入 層形成用油墨50的涂布方法采用將空穴注入層形成用油墨50從油墨噴頭20的噴嘴21以 液滴D形式噴出的噴墨法（液滴噴出法）。從油墨噴頭20噴出的液滴D的噴出量可以單位 Pl控制，將規(guī)定量除以液滴D的噴出量而得的數(shù)量的液滴D噴出到開(kāi)口部106a。噴出的空 穴注入層形成用油墨50因與隔壁106的表面張力而在開(kāi)口部106a隆起，但不會(huì)溢出。換 言之，以成為不會(huì)從開(kāi)口部106a溢出的程度的規(guī)定量的方式，預(yù)先調(diào)整空穴注入層形成用 油墨50中的空穴注入材料（第1成分）的濃度。然后，進(jìn)入干燥工序。
[0073] 在干燥工序中，例如采用將涂布有空穴注入層形成用油墨50的元件基板101在減 壓下放置，使溶劑從空穴注入層形成用油墨50蒸發(fā)進(jìn)行干燥的減壓干燥（減壓干燥工序）。 其后，通過(guò)在大氣壓下實(shí)施加熱處理使其固化，如圖3(c)所示形成空穴注入層131?？昭ㄗ?入層131鑒于后面敘述的空穴注入材料的選擇、與功能層136中的其它層的關(guān)系不一定限 定于此，以大約20nm~150nm的膜厚形成。
[0074] 接下來(lái)，使用含有空穴輸送材料（第1成分）的作為功能層形成用油墨的空穴輸 送層形成用油墨60形成空穴輸送層132。空穴輸送層132的形成方法與空穴注入層131同 樣地也采用噴墨法（液滴噴出法）進(jìn)行。即，將規(guī)定量的空穴輸送層形成用油墨60從油墨 噴頭20的噴嘴21以液滴D形式向開(kāi)口部106a噴出。然后，對(duì)涂布在開(kāi)口部106a的空穴 輸送層形成用油墨60進(jìn)行減壓干燥。其后，通過(guò)在氮?dú)獾确腔钚詺怏w氣氛下實(shí)施加熱處理 而形成空穴輸送層132?？昭ㄝ斔蛯?32鑒于后面敘述的空穴輸送材料的選擇、與功能層 136中的其它層的關(guān)系不一定限定于此，以大約20nm的膜厚形成。
[0075] 接下來(lái)，使用含有發(fā)光層形成材料（第1成分）的作為功能層形成用油墨的發(fā)光 層形成用油墨70形成發(fā)光層133。發(fā)光層133的形成方法與空穴注入層131同樣地也采 用噴墨法（液滴噴出法）進(jìn)行。即，將規(guī)定量的發(fā)光層形成用油墨70從油墨噴頭20的噴 嘴21以液滴D形式向開(kāi)口部106a噴出。然后，對(duì)涂布于開(kāi)口部106a的發(fā)光層形成用油墨 70進(jìn)行減壓干燥。其后，通過(guò)在氮?dú)獾确腔钚詺怏w氣氛下實(shí)施加熱處理而形成發(fā)光層133。 發(fā)光層133鑒于后面敘述的發(fā)光層形成材料的選擇、與功能層136中的其它層的關(guān)系不一 定限定于此，以大約30nm~80nm的膜厚形成。
[0076] 接下來(lái)，覆蓋發(fā)光層133地形成電子輸送層134。作為構(gòu)成電子輸送層134的 電子輸送材料，沒(méi)有特別限定，為了能夠利用真空蒸鍍法等氣相工藝形成，例如，可舉出 BAlq、l，3, 5-三（5-(4-叔丁 基苯基）-1,3,4-P惡二唑）（OXD-I)、2, 9-二甲基-4, 7-二 苯基-1，10-菲啰啉（BCP)、2_ (4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基苯基）-1，2, 4-Pjf 二唑（PBD)、 3-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基苯基）-1，2,4_三唑（TAZ)、4, 4' -雙（1，1-雙-二苯基乙烯 基）聯(lián)苯（DPVBi)、2, 5-雙（1-萘基）-1,3,4-二唑（BND)、4, 4' -雙（1，1-雙（4-甲基 苯基）乙烯基）聯(lián)苯（DTVBi)、2, 5-雙（4-聯(lián)苯基）-1，3, 4- P惡二唑（BBD)等。
[0077] 另外，可舉出三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)、P§二唑衍生物、P惡唑衍生物、菲啰啉 衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生 物、芴衍生物、二苯基二氰基乙烯衍生物、聯(lián)苯醌衍生物、羥基喹啉衍生物等。可以使用它們 中的1種或者組合2種以上使用。
[0078] 電子輸送層134鑒于上述電子輸送材料的選擇、與功能層136中的其它層的關(guān)系 不一定限定于此，以大約20nm~40nm的膜厚形成。由此，能夠?qū)淖鳛殛帢O的對(duì)置電極 105注入的電子恰當(dāng)?shù)剌斔偷桨l(fā)光層133。
[0079] 接下來(lái)，覆蓋電子輸送層134地形成電子注入層135。作為構(gòu)成電子注入層135的 電子注入材料，沒(méi)有特別限定，為了能夠利用真空蒸鍍法等氣相工藝形成，例如，可舉出堿 金屬化合物、堿土金屬化合物。
[0080] 作為堿金屬化合物，例如，可舉出 LiF、Li2C03、LiCl、NaF、Na2C03、NaCl、CsF、Cs 2C03、 CsCl等堿金屬鹽。另外，作為堿土金屬化合物，例如，可舉出CaF2、CaC03、SrF 2、SrC03、BaF2、 BaCO3等堿土金屬鹽?？梢允褂眠@些堿金屬化合物、堿土金屬化合物中的1種或者組合2種 以上使用。
[0081] 電子注入層135的膜厚沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為0· Olnm~IOnm左右，更優(yōu)選為 0· Inm~5nm左右。由此，能夠從作為陰極的對(duì)置電極105向電子輸送層134高效地注入電 子。
[0082] 接下來(lái)，覆蓋電子注入層135地形成作為陰極的對(duì)置電極105。作為對(duì)置電極105 的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料，且為了能夠利用真空蒸鍍法等氣相工藝形成，例 如，使用 Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au 或者含有它們的合 金等，可以使用其中的I種或者組合2種以上（例如，多層的層疊體等）使用。
[0083] 尤其是像本實(shí)施方式這樣發(fā)光裝置100為頂部發(fā)射方式的情況，作為對(duì)置電極 105的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用Mg、Al、Ag、Au等金屬或者M(jìn)gAg、MgAl、MgAu、AlAg等合金。通過(guò) 使用這樣的金屬或者合金，能夠維持對(duì)置電極105的透光性，并且實(shí)現(xiàn)對(duì)置電極105的電子 注入效率和穩(wěn)定性的提高。
[0084] 頂部發(fā)射方式中的對(duì)置電極105的膜厚沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為Inm~50nm左右， 更優(yōu)選為5nm~20nm左右。
[0085] 應(yīng)予說(shuō)明，發(fā)光裝置100為底部發(fā)射方式時(shí)，對(duì)置電極105不要求透光性。因此， 例如，優(yōu)選使用Al、Ag、AlAg、AlNd等金屬或者合金。通過(guò)使用這樣的金屬或者合金作為對(duì) 置電極105的構(gòu)成材料，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)置電極105的電子注入效率和穩(wěn)定性的提高。
[0086] 底部發(fā)射方式中的對(duì)置電極105的膜厚沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為50nm~1000 nm左 右，更優(yōu)選為IOOnm~500nm左右。
[0087] 如圖3⑷所示，對(duì)于利用上述制造方法形成的有機(jī)EL元件130而言，例如，如果 水分、氧等從外部浸入，則功能層136的發(fā)光功能受阻，產(chǎn)生發(fā)光亮度部分降低、或不發(fā)光 而形成的暗點(diǎn)（暗斑）。另外，發(fā)光壽命可能變短。因此，為了保護(hù)有機(jī)EL元件130免受水 分、氧等的浸入，優(yōu)選用密封層（省略圖示）覆蓋。作為密封層，例如，可以使用水分、氧等 的透過(guò)性低的氮氧化硅（SiON)等無(wú)機(jī)絕緣材料。此外，例如可以將透明的玻璃等密封基板 介由粘接劑貼合在形成了有機(jī)EL元件130的元件基板101上，由此密封有機(jī)EL元件130。
[0088] 在上述有機(jī)EL元件130的制造方法中，用液相工藝（噴墨法）形成了功能層136 中的空穴注入層131、空穴輸送層132、發(fā)光層133,但只要用液相工藝（噴墨法）形成這些 層中的一個(gè)即可，其它層可以利用真空蒸鍍等氣相工藝形成。
[0089] <第1成分>
[0090] 關(guān)于空穴注入層131、空穴輸送層132、發(fā)光層133,對(duì)能夠在液相工藝或者氣相工 藝中使用的第1成分的構(gòu)成材料進(jìn)行說(shuō)明。
[0091] [空穴注入材料]
[0092] 作為適合形成上述空穴注入層131的空穴注入材料，例如，可舉出聚（3, 4-亞乙二 氧基噻吩/苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS)、PEDOT/PSS/Nafion (注冊(cè)商標(biāo)）、聚噻吩及其衍生物、 聚苯胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四苯基-對(duì)二氨基苯及其衍生物等高 分子的有機(jī)半導(dǎo)體材料，可以使用其中的1種或者組合2種以上使用。
[0093] 另外，作為空穴注入材料，例如，可舉出酞菁銅（CuPc)U, 1-雙[4_(二對(duì)甲苯 基）氨基苯基]環(huán)己烷（TAPC)、N，N' -二苯基-Ν，Ν' -雙-(3-甲基苯基-聯(lián)苯 基-4,4' -二胺（TPD)、N，N' -二苯基-Ν，Ν' -雙-(1-萘基-聯(lián)苯基 _4,4' -二 胺（a -NPD)、4, 4'，4" -三（Ν-3-甲基苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、4, 4'，4" -三 (N，N-(2-萘基）苯基氨基）三苯胺（2-TNATA)、4, 4'，4"-三（N-咔唑基）三苯胺（TCTA)、 1，3,5_三-(N，N-雙-(4-甲氧基苯基）氨基苯基）苯（TDAPB)、三（4-咔唑-9-基-苯基） 胺（spiro-TAD)、DPH)(DTP)、三對(duì)甲苯胺（HTMl)、1，1-雙[(二-4-甲苯基氨基）苯基]環(huán) 己烷（HTM2)、1，3, 5-三（4-吡啶基）-2, 4, 6-三嗪（TPTl)、三苯胺四聚物（TPTE)等。這些 空穴注入材料均是P型的低分子的有機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0094] [空穴輸送材料]
[0095] 作為適合形成上述空穴輸送層132的空穴輸送材料，例如，可以使用上述的空穴 注入材料。另外，除上述空穴注入材料以外，例如，可舉出TFB ;以聚（9, 9-二辛基-芴-共 聚-N-(4-丁基苯基）-二苯胺）為代表的三苯胺系聚合物、以聚[Ν，Ν' -雙（4-丁基苯 基）-Ν，Ν' -雙（苯基）-聯(lián)苯胺]為代表的丁苯胺系聚合物等具有芳基胺骨架的芳香族胺 系化合物，芴-聯(lián)噻吩共聚物這類具有芴骨架的聚芴衍生物（PF)、芴-芳基胺共聚物這類具 有芳基胺骨架和芴骨架兩者的聚芴衍生物（PF)，聚乙烯基咔唑（PVK)、聚乙烯基芘、聚乙烯 基蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己基噻吩、聚對(duì)苯撐乙炔、聚噻吩乙炔（步y(tǒng)于二U >匕、二U y )、芘甲醛樹(shù)脂、乙基咔唑甲醛樹(shù)脂或其衍生物等。它們是P型的高分子的有機(jī)半導(dǎo)體材 料。這樣的P型的高分子材料也可以作為與其它的化合物的混合物使用。作為一個(gè)例子， 作為含聚噻吩的混合物，可舉出聚（3, 4-亞乙二氧基噻吩/苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS)等。
[0096] 發(fā)光層133含有作為發(fā)光材料的摻雜劑（客體材料）和主體材料。主體材料具有 使空穴與電子再次結(jié)合而形成激子，同時(shí)將該激子的能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光材料（Forster轉(zhuǎn)移 或者Dexter轉(zhuǎn)移）的功能。由空穴與電子再次結(jié)合而得的能量導(dǎo)出的光根據(jù)發(fā)光材料成 為焚光和磷光中的一種。以下，舉出優(yōu)選的主體材料和摻雜劑（客體材料）的例子。
[0097] [主體材料]
[0098] 作為得到紅色、綠色、藍(lán)色各色發(fā)光的發(fā)光層133中共用的主體材料，可舉出 CBP (4, 4'-雙（9-二咔唑基）-2, 2'-聯(lián)苯）、BAlq (雙-(2-甲基-8-羥基喹啉）-4-(苯基苯 酚）鋁）、11^沉^二咔唑基-3,5-苯{8?衍生物）、0^(4,4'-雙（9-咔唑基）-2,2'-二 甲基-聯(lián)苯）、DCB (N，Ν' -二咔唑基-1，4-二亞甲基-苯）、P06 (2, 7-雙（二苯基氧化 膦）-9,9-二甲基芴）、SimCP(3,5-雙（9-咔唑基）四苯基硅烷）、UGH3(W-雙（三苯基甲硅 烷基）苯）、TDAPB(1，3, 5-三[4-(二苯基氨基）苯基]苯等。這些主體材料是低分子的有 機(jī)半導(dǎo)體材料。
[0099] [紅色發(fā)光材料（摻雜劑）]
[0100] 作為