芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜、半導(dǎo)體裝置、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜、半導(dǎo)體裝置、以及半導(dǎo)體裝 置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在半導(dǎo)體裝置的制造中，有時使用帶切割片的芯片接合薄膜。帶切割片的芯 片接合薄膜是在切割片上可剝離地設(shè)置芯片接合薄膜而得到的。在半導(dǎo)體裝置的制造中， 在帶切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上保持半導(dǎo)體晶圓，對半導(dǎo)體晶圓進行切割而 制成各個芯片。然后，將芯片與芯片接合薄膜一同從切割片剝離，借助芯片接合薄膜使其粘 接于引線框等被粘物。
[0003] 使用在切割片上層疊有芯片接合薄膜的帶切割片的芯片接合薄膜，并在芯片接合 薄膜的保持下切割半導(dǎo)體晶圓時，需要將該芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓同時切斷。然而，在 使用金剛石刀片的通常的切割方法中，會擔(dān)心切割時產(chǎn)生的熱的影響造成的芯片接合薄膜 與切割片的粘連、切削肩的產(chǎn)生造成的半導(dǎo)體芯片彼此的粘接、切削肩附著在半導(dǎo)體芯片 側(cè)面等，因此需要降低切斷速度，導(dǎo)致成本的上升。
[0004] 因此，近年提出了如下的方法：通過對半導(dǎo)體晶圓中的預(yù)分割線照射激光而形成 改性區(qū)域，從而使半導(dǎo)體晶圓可沿預(yù)分割線容易地分割，然后通過施加拉伸張力而使該半 導(dǎo)體晶圓斷裂，得到各個半導(dǎo)體芯片（例如參見專利文獻1、以及專利文獻2,以下也稱為 "隱形切割（Stealth Dicing，注冊商標(biāo)）"）。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本特開2002-192370號公報
[0008] 專利文獻2 :日本特開2003-338467號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明耍解決的問題
[0010] 另一方面，近年來，作為由半導(dǎo)體晶圓得到單個的半導(dǎo)體芯片的方法，考慮了如下 的方法：首先，從半導(dǎo)體晶圓的背面（非電路形成面）照射激光，在前述半導(dǎo)體晶圓的預(yù)分 割線上形成改性區(qū)域，然后，為了制成薄型而進行半導(dǎo)體晶圓的背面磨削，然后在半導(dǎo)體晶 圓的背面貼合帶切割片的芯片接合薄膜。然而，該方法中，存在有時會在半導(dǎo)體晶圓的背面 磨削的階段中產(chǎn)生裂紋、破損的問題。
[0011] 本發(fā)明是鑒于前述問題而作出的，其目的在于提供芯片接合薄膜和帶切割片的芯 片接合薄膜，所述芯片接合薄膜在通過對半導(dǎo)體晶圓中的預(yù)分割線照射激光而形成改性區(qū) 域，從而使半導(dǎo)體晶圓處于可沿預(yù)分割線容易地分割的狀態(tài)后，通過施加拉伸張力來分割 半導(dǎo)體晶圓而得到半導(dǎo)體芯片時，在預(yù)分割線以外的部位，可抑制半導(dǎo)體晶圓中產(chǎn)生裂紋、 破損。另外，提供使用該芯片接合薄膜、或該帶切割片的芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置。 另外，提供使用該帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0012] 用于解決問題的方案
[0013] 本申請發(fā)明人等為了解決前述以往的問題而對芯片接合薄膜進行了研宄。其結(jié)果 發(fā)現(xiàn)，通過采用下述構(gòu)成，即使在得到薄型的半導(dǎo)體芯片的情況下，也可抑制半導(dǎo)體晶圓產(chǎn) 生裂紋、破損，從而完成了本發(fā)明。
[0014] 即，本發(fā)明的芯片接合薄膜的特征在于，波長1065nm下的透光率為80%以上。
[0015] 根據(jù)前述構(gòu)成，由于芯片接合薄膜的波長l〇65nm下的透光率為80%以上，因此貼 附于半導(dǎo)體晶圓后，能夠從芯片接合薄膜側(cè)照射激光（例如，在波長l〇65nm附近具有峰的 激光）而在半導(dǎo)體晶圓的預(yù)分割線上形成改性區(qū)域。并且，在這之后，能夠使其沿前述預(yù)分 割線斷裂。
[0016] 由于能夠以被芯片接合薄膜保持的狀態(tài)在半導(dǎo)體晶圓上形成改性區(qū)域，并保持該 狀態(tài)使其斷裂，因此能夠抑制在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、破損。
[0017] 另外，對本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜而言，優(yōu)選的是，在切割片上設(shè)置有前 述記載的芯片接合薄膜，
[0018] 前述帶切割片的芯片接合薄膜在波長1065nm下的透光率為50%以上。
[0019] 根據(jù)前述構(gòu)成，由于帶切割片的芯片接合薄膜在波長1065nm下的透光率為50% 以上，因此，在半導(dǎo)體晶圓上貼附帶切割片的芯片接合薄膜后，從帶切割片的芯片接合薄膜 側(cè)照射激光（例如，在波長l〇65nm附近具有峰的激光），能夠在半導(dǎo)體晶圓的預(yù)分割線上形 成改性區(qū)域。并且，其后，能夠使其沿前述預(yù)分割線斷裂。
[0020] 由于能夠以被帶切割片的芯片接合薄膜保持的狀態(tài)在半導(dǎo)體晶圓上形成改性區(qū) 域，并保持該狀態(tài)使其斷裂，因此能夠抑制在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、破損。尤其，即 使在得到薄型的半導(dǎo)體芯片的情況下，也可抑制產(chǎn)生裂紋、破損。
[0021] 另外，由于切割片和芯片接合薄膜預(yù)先被層疊，因此無需設(shè)置在芯片接合薄膜上 貼合切割片的工序。
[0022] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述芯片接合薄膜在-15°C下的拉伸斷裂應(yīng)力為50N/ 臟2以下。
[0023] 前述芯片接合薄膜在_15°C下的拉伸斷裂應(yīng)力為50N/mm2以下時，在對帶切割片的 芯片接合薄膜施加拉伸張力時，能夠適宜地使其沿預(yù)分割線斷裂。需要說明的是，_15°C是 對帶切割片的芯片接合薄膜施加拉伸張力而使其沿預(yù)分割線斷裂時的溫度的代表值。
[0024] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述芯片接合薄膜在_15°C下的拉伸斷裂伸長率為 30%以下。
[0025] 前述芯片接合薄膜在_15°C下的拉伸斷裂伸長率為30%以下時，在對帶切割片的 芯片接合薄膜施加拉伸張力時，能夠更加適宜地使其沿預(yù)分割線斷裂。
[0026] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述芯片接合薄膜含有軟化點為_15°C以上的酚醛樹 脂。
[0027] 前述芯片接合薄膜含有軟化點_15°C以上的酚醛樹脂時，容易斷裂而無需大幅拉 伸。
[0028] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述芯片接合薄膜的損耗角正切tan δ的峰值溫度 為-15°C以上且低于50°C。
[0029] 前述芯片接合薄膜的損耗角正切tan δ的峰值溫度為-15°C以上時，會變得越發(fā) 容易斷裂而無需大幅拉伸。另外，前述芯片接合薄膜的損耗角正切tan δ的峰值溫度低于 50 °C時，能夠確保對晶圓的良好的密合性。
[0030] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述芯片接合薄膜含有將單體原料聚合而得到的丙烯 酸類共聚物，所述單體原料以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基 酯。
[0031] 前述芯片接合薄膜含有將以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙 烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到的丙烯酸類共聚物時，能夠提高芯片接合薄膜在波長 1065nm下的透光率。
[0032] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，前述切割片由基材和粘合劑層構(gòu)成，前述粘合劑層含有 將以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到 的丙烯酸類共聚物。
[0033] 前述粘合劑層含有將以50重量％以上的比率包含丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷 基酯的單體原料聚合而得到的丙烯酸類共聚物時，能夠提高前述粘合劑層在波長l〇65nm 下的透光率。
[0034] 另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，其是使用前述記載的芯片接合薄膜、或前 述記載的帶切割片的芯片接合薄膜而制造的。
[0035] 根據(jù)前述構(gòu)成，由抑制了在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、破損的半導(dǎo)體晶圓來 制造，因此可得到提高了成品率的半導(dǎo)體裝置。
[0036] 另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，
[0037] 其使用了前述記載的帶切割片的芯片接合薄膜，該方法包括如下工序：
[0038] 工序A，在半導(dǎo)體晶圓的背面貼合前述帶切割片的芯片接合薄膜；
[0039] 工序B，從前述帶切割片的芯片接合薄膜側(cè)對前述半導(dǎo)體晶圓照射激光，在前述半 導(dǎo)體晶圓的預(yù)分割線上形成改性區(qū)域；
[0040] 工序C，通過對前述帶切割片的芯片接合薄膜施加拉伸張力，使前述半導(dǎo)體晶圓 和構(gòu)成前述帶切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿所述預(yù)分割線斷裂，形成半導(dǎo)體芯 片。
[0041] 前述帶切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜在波長l〇65nm下的透光率為80% 以上，切割片在波長l〇65nm下的透光率為80%以上。根據(jù)前述構(gòu)成，由于能夠以被帶切割 片的芯片接合薄膜保持的狀態(tài)在半導(dǎo)體晶圓上形成改性區(qū)域（工序B)，并保持該狀態(tài)使前 述半導(dǎo)體晶圓與構(gòu)成前述帶切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿預(yù)分割線斷裂（工 序C)，因此能夠抑制在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、破損。
[0042] 另外，由于使用帶切割片的芯片接合薄膜，切割片與芯片接合薄膜預(yù)先被層疊，因 此無需設(shè)置在芯片接合薄膜上貼合切割片的工序。
[0043] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選具有如下工序：工序A-1，在半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼背面磨削 帶；工序A-2,在前述背面磨削帶的保持下進行前述半導(dǎo)體晶圓的背面磨削，在前述工序 A-I和前述工序A-2之后進行前述工序A~前述工序C。
[0044] 根據(jù)前述構(gòu)成，在半導(dǎo)體晶圓處于被背面磨削帶和帶切割片的芯片接合薄膜兩者 夾持的狀態(tài)下對半導(dǎo)體晶圓照射激光，在前述半導(dǎo)體晶圓的預(yù)分割線上形成改性區(qū)域。因 此，能夠更加抑制在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、破損。
[0045] 在前述構(gòu)成中，優(yōu)選的是，包括在前述工序B之后將前述背面磨削帶從前述半導(dǎo) 體晶圓剝離的工序B-1，在前述工序B-I之后進行前述工序C。
[0046] 根據(jù)前述構(gòu)成，成為背面磨削帶和帶切割片的芯片接合薄膜兩者將半導(dǎo)體晶圓夾 持的狀態(tài)直至即將進行工序C前。因此，能夠進一步抑制在預(yù)分割線以外的部位產(chǎn)生裂紋、 破損。
[0047] 發(fā)明的效果
[0048] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供芯片接合薄膜、以及帶切割片的芯片接合薄膜，所述芯片接 合薄膜即使在得到薄型的半導(dǎo)體芯片的情況下，也可抑制半導(dǎo)體晶圓中產(chǎn)生裂紋、破損。另 外，能夠提供使用該芯片接合薄膜、或該帶切割片的芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置。另 外，能夠提供使用該帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【附圖說明】
[0049] 圖1是示出本發(fā)明的一個實施方式的帶切割片的芯片接合薄膜的截面示意圖。 [0050] 圖2是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0051] 圖3是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0052] 圖4是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0053] 圖5是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0054] 圖6是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0055] 圖7的（a)、（b)是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意 圖。
[0056] 圖8是用于說明本實施方式的半導(dǎo)體裝置的一個制造方法的截面示意圖。
[0057] 附圖標(biāo)記說明
[0058] 10帶切割片的芯片接合薄膜
[0059] 11切割片
[0060] 12 基材
[0061] 14粘合劑層
[0062] 16芯片接合薄膜
[0063] 4半導(dǎo)體晶圓
[0064] 5半導(dǎo)體芯片
[0065] 6被粘物
[0066] 7鍵合引線
[0067] 8封裝樹脂
【具體實施方式】
[0068] (帶切割片的芯片接合薄膜）
[0069] 關(guān)于本發(fā)明的一個實施方式的芯片接合薄膜、以及帶切割片的芯片接合薄膜，在 以下進行說明。本實施方式的芯片接合薄膜可列舉出在以下說明的帶切割片的芯片接合薄 膜中未貼合于切割片的狀態(tài)的芯片接合薄膜。因此，以下對帶切割片的芯片接合薄膜進行 說明，關(guān)于芯片接合薄膜，在其中進行說明。圖1是示出本發(fā)明的一個實施方式的帶切割片 的芯片接合薄膜的截面示意圖。
[0070] 如圖1所示，帶切割片的芯片接合薄膜10具有在切割片11上層疊有芯片接合薄 膜16的構(gòu)成。切割片11是在基材12上層疊粘合劑層14而構(gòu)成的，芯片接合薄膜16設(shè)置 在粘合劑層14上。
[0071] 需要說明的是，在本實施方式中，對切割片11中存在未被芯片接合薄膜16覆蓋的 部分14b的情況進行說明，但本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜并不限定于此例，也可以 按照覆蓋切割片整體的方式在切割片上層疊芯片接合薄膜。
[0072] 芯片接合薄膜16在波長1065nm下的透光率為80 %以上、優(yōu)選為85%以上、更優(yōu) 選為90%以上。由于芯片接合薄膜16在波長1