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      r>[0152] 3)另外重復(fù)步驟1和2兩次
      [0153] 4)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 2,OOOsccmNJ0C 沖通過TMA管線和水前體管線二者,用于珠的攪動
      [0154] 5) 125sN2吹掃
      [0155] 6)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 2,000sccmNJ0C 沖通過TMA管線和水前體管線二者,用于珠的攪動
      [0156] 7)ls隊吹掃
      [0157] 8)另外重復(fù)步驟6和7兩次
      [0158] 9)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 2,000sccmNJ0C 沖通過TMA管線和水前體管線二者,用于珠的攪動
      [0159] 10)15〇8隊吹掃.
      [0160] 在開始每個前體劑量之后,2,OOOsccm隊增壓施加0. 3s。
      [0161] 含量子點丙烯酸酯珠并入到發(fā)光裝置中。在填充氮氣的手套箱中,將含QD的丙烯 酸酯珠與商購可得的聚硅氧烷樹脂(SCR1011,Shin_EtsuChemicalsCo.,Ltd.)在Pt催化 劑存在下組合。在充分混合后,將溶液轉(zhuǎn)移至LED盒并允許在環(huán)境溫度固化48小時。
      [0162] 該LED裝置的PL強(qiáng)度半衰期(T5。)為約3, 300h(圖14),相比于利用同一批次的 含QD的珠但沒有ALD包覆層制備的LED裝置,大約250倍的提高(圖15)。
      [0163] 實施例2
      [0164] 利用半脈沖ALD用A1203包覆含量子點丙烯酸酯珠。將含QD的丙烯酸酯珠加載到 具有50ym孔徑尺寸頂部玻璃料和150ym孔徑尺寸底部玻璃料的ALD反應(yīng)器中。ALD在半 脈沖條件下進(jìn)行,在TMA脈沖期間施加2,OOOsccmN2增壓。N2用作載氣和作為反應(yīng)物暴露 之間的吹掃。
      [0165] A1203包覆層利用總計500個ALD循環(huán)在80°C生長。循環(huán)的總數(shù)量由以下構(gòu)成:30 個循環(huán)底漆層,隨后機(jī)械解聚集,然后兩個另外的235個跟隨機(jī)械解聚的ALD循環(huán)步驟。每 個循環(huán)包括以下步驟:
      [0166] l)150sccmN2管線流,其通過1120管線和一個備用管線,和50sccm通過TMA管線 和一個備用管線,〇. 2sH20劑量
      [0167] 2)0.5sN2 吹掃
      [0168] 3)另外重復(fù)步驟1和2十八次
      [0169] 4)150sccmN2管線流,其通過1120和一個備用管線,和50sccm通過TMA管線和一 個備用管線,0.2sH20劑量
      [0170] 5)120s隊吹掃
      [0171] 6)0. 8sTMA劑量;50sccmN2吹掃氣體通過TMA管線和一個備用管線,和150sccm 通過H20管線和一個備用管線。施加2,000sCCm隊脈沖通過TMA管線和水前體管線二者, 用于珠的攪動
      [0172] 7)lsN2吹掃
      [0173] 8)另外重復(fù)步驟6和7兩次
      [0174] 9)0. 8sTMA劑量;50sccmN2吹掃氣體通過TMA管線和一個備用管線,和150sccm 通過H20管線和一個備用管線。施加2,000sCCm隊脈沖通過TMA管線和H20前體管線二者, 用于珠的攪動
      [0175] 10) 164. 7sN2吹掃?
      [0176] 將隊增壓施加0? 3s到每個TMA劑量中。
      [0177] 實施例3
      [0178] 經(jīng)由全脈沖ALD用氧化鋁阻擋層包覆含量子點丙烯酸酯珠。將含QD的丙烯酸酯 珠加載到具有50ym孔徑尺寸頂部玻璃料和150ym孔徑尺寸底部玻璃料的ALD反應(yīng)器中。 ALD在全脈沖條件下進(jìn)行,在前體脈沖期間施加25〇SCCmN2增壓。N2用作前體載氣和作為 反應(yīng)物暴露之間的吹掃氣體。
      [0179] 氧化鋁阻擋包覆層利用總計250個ALD循環(huán)在80°C生長。循環(huán)的總數(shù)量由以下組 成:30個循環(huán)底漆層,隨后過篩,然后220個循環(huán)至完成所述層。每個循環(huán)包括以下步驟:
      [0180] 1)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s250sccmN2 脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動
      [0181] 2)0.58隊吹掃
      [0182] 3)進(jìn)一步重復(fù)步驟1和2兩次
      [0183] 4)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s250sccmN2 脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動
      [0184] 5)120s隊吹掃
      [0185] 6)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s250sccmN2 脈沖通過水前體管線,用于珠的攪動
      [0186] 7)0.5sN2 吹掃
      [0187] 8)另外重復(fù)步驟6和7兩次
      [0188] 9)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s250sccmN2 脈沖通過水前體管線,用于珠的攪動
      [0189] 10)12〇8隊吹掃.
      [0190] 將隊增壓施加0. 0s到每個前體劑量中。
      [0191] 實施例4
      [0192] 經(jīng)由全脈沖ALD用醇化鋁合金聚合物間隔層包覆含量子點丙烯酸酯珠。將含QD 的丙烯酸酯珠加載到具有50ym孔徑尺寸頂部玻璃料和150ym孔徑尺寸底部玻璃料的ALD 反應(yīng)器中。ALD在全脈沖條件下進(jìn)行,在前體脈沖期間施加250sccmN2增壓。~2用作前體 載氣和作為反應(yīng)物暴露之間的吹掃氣體。在注入到反應(yīng)室之前,將乙二醇前體加熱至80°C。
      [0193] 醇化鋁合金聚合物包覆層利用總計125個ALD循環(huán)在80°C生長。循環(huán)的總數(shù)量由 以下組成:15個循環(huán)底漆層,隨后過篩,然后110個循環(huán)至完成所述層。每個循環(huán)包括以下 步驟:
      [0194] 1)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s,250sccmN2 脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動。
      [0195] 2)0.5sN2 吹掃
      [0196] 3)進(jìn)一步重復(fù)步驟1和2兩次
      [0197] 4)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s,250sccmN2 脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動
      [0198] 5)120s隊吹掃
      [0199] 6)0. 8s乙二醇劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s,250sccm 隊脈沖通過乙二醇管線,用于珠的攪動
      [0200] 7)0.58隊吹掃
      [0201] 8)另外重復(fù)步驟6和7兩次
      [0202] 9)0. 8s乙二醇劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s,250sccm 隊脈沖通過乙二醇管線,用于珠的攪動
      [0203] 10) 180sN2吹掃?
      [0204] 11)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s,250sccm 隊脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動
      [0205] 12)0.5sN2 吹掃
      [0206] 13)另外重復(fù)步驟11和12兩次
      [0207] 14)0. 8sTMA劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1.3s,250sccm 隊脈沖通過TMA管線,用于珠的攪動
      [0208] 15)120s隊吹掃
      [0209] 16)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s250sccmN2 脈沖通過水前體管線,用于珠的攪動
      [0210] 17)0.58隊吹掃
      [0211] 18)另外重復(fù)步驟16和17兩次
      [0212] 19)0. 8sH20劑量;lOOsccmN2吹掃氣體通過所有前體管線,除了 1. 3s,250sccmN2 脈沖通過水前體管線,用于珠的攪動
      [0213] 20)12〇8隊吹掃.
      [0214] 將隊增壓施加0?Os到每個前體劑量中。
      [0215] 實施例5
      [0216] 經(jīng)由全脈沖ALD用多層A1203/醇化鋁合金聚合物/A1203包覆層包覆含量子點丙烯 酸酯珠。
      [0217] 1) 250個總計循環(huán)的如實施例3中所述的氧化鋁層,其通過30個循環(huán)底漆層,接著 篩選,隨后220個循環(huán)形成。
      [0218] 2) 125個總計循環(huán)的如實施例4中所述的醇化鋁合金聚合物間隔層,其由15個循 環(huán)底漆層,接著過篩,隨后110個循環(huán)組成。
      [0219] 3) 250個總計循環(huán)的如實施例3中所述的氧化鋁層。在這種情況下,250個循環(huán)在 沒有底漆層下完成。
      [0220] 以這種方式形成的QD-珠的SEM圖像示于圖16。該包覆層看起來是基本上沒有缺 陷的。
      [0221] 實施例6
      [0222] 利用脈沖攪動床的ALD包覆工藝由以下非限制性實例例示:
      [0223] 在微米大小的粉末顆粒的ALD包覆中,使用三甲基鋁(TMA)和水(H20)作為ALD前 體,可以利用以下工藝參數(shù):
      [0224] 1)惰性吹掃氣體(例如N2或Ar)流速:400_600sccm
      [0225] 2)惰性氣體(例如隊或Ar)攪動脈沖流速:2, 000-6,OOOsccm
      [0226] 3)惰性氣體(例如隊或Ar)攪動脈沖時間:0?l_5s
      [0227] 4)ALD前體(TMA,H20)脈沖時間:0.l_4s
      [0228] 5)每個ALD循環(huán)的ALD前體(TMA,H20)脈沖的數(shù)量:1-100,例如1-10
      [0229] 6)ALD前體脈沖之間的惰性氣體(例如隊或Ar)吹掃時間:120-180S
      [0230] 前體劑量計時的一個實例示于圖17。圖18例示了在該實施例中使用的設(shè)備,其包 括:(1)鎖緊帽手工工具;(2)鎖緊帽;(3)頂部墊圈;(4)內(nèi)部/直的墊圈;(5)小的/內(nèi)部 墊圈;(6)過濾盤;(7)外部/直的墊圈;(8)和ALD反應(yīng)器載體;(9)排氣裝置(10)ALD反 應(yīng)器罐;和(11)承窩帽頭部螺桿。
      【主權(quán)項】
      1. 一種物質(zhì)的組合物,所述組合物包含: 包含多個珠的粉末,其中每個珠包含: 初級基質(zhì)材料, 并入到所述初級基質(zhì)材料中的大量量子點納米粒子;和 設(shè)置在所述初級粒子上的表面包覆層,所述表面包覆層包含至少一個表面包覆層層, 其中每個表面包覆層層基本上由包覆層材料的一個或多個單層組成。2. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述初級基質(zhì)材料是二氧化硅、樹脂、聚合物、整塊 料、玻璃、溶膠-凝膠、環(huán)氧樹脂、聚硅氧烷或(甲基)丙烯酸酯。3. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述包覆層材料是無機(jī)材料。4. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述包覆層材料是金屬氧化物。5. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述包覆層材料是氧化鋁或氧化硅。6. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述包覆層材料是聚合物的。7. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述包覆層材料是醇化物合金聚合物。8. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述量子點納米粒子包含銦和磷。9. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述量子點納米粒子基本上不含鎘。10. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述表面包覆層包括兩個以上包含不同材料的表 面包覆層層。11. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述初級粒子包括約1,〇〇〇個或至少大約10, 〇〇〇 個納米粒子。12. 權(quán)利要求1所述的組合物,其中所述初級粒子包括約10, 000個至約100, 000個量 子點納米粒子。13. -種用于制備包覆的量子點珠的方法,所述方法包括: 提供包含多個珠的粉末,其中每個珠包含:初級基質(zhì)材料,和并入到所述初級基質(zhì)材料 中的大量量子點納米粒子;和 在將所述粉末反復(fù)地暴露于原子層沉積(ALD)前體的同時攪動所述粉末。14. 權(quán)利要求13所述的方法,其中將所述粉末暴露于ALD前體包括將所述粉末暴露于 包含所述ALD前體的反應(yīng)物氣體的脈沖。15. 權(quán)利要求14所述的方法,其中攪動所述粉末包括將所述粉末暴露于惰性氣體的脈 沖。16. 權(quán)利要求15所述的方法,其中將所述粉末同時地暴露于反應(yīng)物氣體的脈沖和惰性 氣體的脈沖。17. 權(quán)利要求15所述的方法,其中將所述粉末交替地暴露于反應(yīng)物氣體的脈沖和惰性 氣體的脈沖。18. 權(quán)利要求17所述的方法,其中所述惰性氣體的脈沖具有300至6, OOOsccm之間的 流量。19. 權(quán)利要求17所述的方法,其中所述惰性氣體的脈沖具有0. 1至5秒之間的持續(xù)時 間。20. 權(quán)利要求15所述的方法,其中將所述粉末暴露于反應(yīng)物氣體的脈沖包括通過第一 組氣體管線將所述反應(yīng)物氣體遞送到ALD反應(yīng)室中并且其中將所述粉末暴露于惰性氣體 的脈沖包括通過不同組的氣體管線將惰性氣體遞送到所述ALD反應(yīng)室中。21. 權(quán)利要求15所述的方法,其中使用同一組的管線將所述反應(yīng)物氣體和所述惰性氣 體遞送到ALD反應(yīng)室中。22. 權(quán)利要求14所述的方法,其中將所述粉末暴露于反應(yīng)物氣體的脈沖包括將所述粉 末暴露于第一數(shù)量的所述反應(yīng)物氣體的脈沖,機(jī)械地使所述粉末解聚集,然后將所述粉末 暴露于第二數(shù)量的脈沖反應(yīng)物氣體。23. 權(quán)利要求22所述的方法,其中脈沖的所述第一數(shù)量為1至500之間。24. 權(quán)利要求22所述的方法,其中脈沖的第一數(shù)量為10至40之間。
      【專利摘要】本文公開了包覆珠,所述包覆珠由初級基質(zhì)材料制成并且含有大量量子點納米粒子。每個珠具有多層表面包覆層。所述層可以為兩種以上不同的表面包覆層材料。所述表面包覆層材料可以為無機(jī)材料和/或聚合物材料。還描述了一種制備這樣的粒子的方法。所述包覆珠對于用于諸如發(fā)光裝置的應(yīng)用的復(fù)合材料是有用的。
      【IPC分類】H01L33/50, C09K11/56, C09K11/02, C09K11/70
      【公開號】CN105051152
      【申請?zhí)枴緾N201480014975
      【發(fā)明人】馬修·沃納, 納瑟莉·格雷斯蒂, 奈杰爾·皮克特, 保羅·喬克, 詹姆斯·哈里斯, 伊馬德·納薩尼
      【申請人】納米技術(shù)有限公司
      【公開日】2015年11月11日
      【申請日】2014年3月13日
      【公告號】US20140264196, WO2014140936A2, WO2014140936A3
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