[0050]
[0051] 來自范例和比較性范例的數(shù)據(jù)清晰地示出了將釩添加到（Ya395Tb。. 595) 3A15012: CeaM混合氧化物材料顯著減少了殘光，而不過度地影響光產(chǎn)出。此外，比較性范例示出了 這似乎是對于釩的非常特定的作用，這是因為諸如鈦、鉻或錳的有關(guān)的d族金屬不示出這 樣的作用。
[0052] 在圖1中，用附圖標(biāo)記10指代CT掃描器整體。CT掃描器10包括旋轉(zhuǎn)機(jī)架12,在 所述旋轉(zhuǎn)機(jī)架12上，X射線源14和探測器陣列16被布置在對側(cè)上。探測器陣列16包括 多個個體X射線探測器，出于示范性目的，這里用附圖標(biāo)記18指代所述多個個體X射線探 測器中的一個。旋轉(zhuǎn)機(jī)架12被布置為使得X射線源14和探測器陣列16在檢查區(qū)20的 對側(cè)，患者22被插入所述檢查區(qū)20。在使用中，X射線源發(fā)射指向檢查區(qū)20的、在此刻的 情況下在患者22的方向上的楔形、錐形或其他形狀的X射線射束?；颊?2能夠在z方向 (垂直于繪制平面）上線性移動，而X射線源14和對應(yīng)地，探測器陣列16圍繞z軸旋轉(zhuǎn)。 一般，旋轉(zhuǎn)機(jī)架12與患者22的線性前進(jìn)同時旋轉(zhuǎn)，一般引起X射線源14和對應(yīng)地，圍繞檢 查區(qū)20的探測器陣列16的螺旋軌跡。然而，也能夠采用其他成像模式，例如，單切片成像 模式或多切片成像模式，其中，當(dāng)對象支撐物保持固定時，機(jī)架旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生X射線源14和對 應(yīng)地，探測器陣列16的一般為圓形的方向，在所述探測器陣列16上采集軸向圖像。
[0053]如在圖中能夠看到的，探測器陣列16被布置在機(jī)架12上在X射線源14的對側(cè)， 使得在使用中由X射線源14發(fā)射的X射線穿過例如患者22,并且然后由探測器陣列16來 探測。探測器陣列16-般包括大量探測器18,其中，探測器陣列16能夠是探測器18的單 線或探測器18的二維陣列。關(guān)于在圖2至4中示出的探測器的各個實施例，下面給出了在 探測器陣列16之內(nèi)的探測器18的功能的更加詳細(xì)的解釋。
[0054] 在圖2中，用附圖標(biāo)記30整體指代用于電離輻射的探測器的第一實施例。探測器 30包括兩個子單元，S卩，閃爍體32和光探測器34。光探測器34包括光電二極管36,所述光 電二極管36被布置為使得光電二極管36的有源區(qū)面向閃爍體32。
[0055]在使用中，探測器被布置為使得閃爍體32指向要被探測的輻射的勢源的來源。從 而閃爍體32例如包括根據(jù)范例1的上述材料。如果諸如X射線的電離輻射現(xiàn)在撞擊閃爍 體32上，則閃爍體32與那些X射線相互作用，并且作出響應(yīng)而釋放一個或多個光子，所述 光子從閃爍體32發(fā)射并且能夠由光電二極管34來探測，生成指示X射線存在的電信號。為 了提高由二極管34探測的光子的產(chǎn)出，閃爍體32能夠被覆蓋在不面向光子探測器、具有反 射被發(fā)射的光子的材料的一個或若干側(cè)面上。
[0056] 在圖3中，用附圖標(biāo)記40整體指代用于電離輻射的探測器的第二實施例。再一次 地，該探測器40包括兩個子單元，S卩，閃爍體42和光探測器44。與圖1的實施例相比，在 這種情況下，閃爍體42包括兩種不同的閃爍體材料，第一閃爍體材料46和第二閃爍體材料 48。在此刻的情況下，第一閃爍體材料46是上述范例2的材料，并且第二閃爍體材料48從 而是比第一閃爍體材料46具有更高密度的閃爍體材料。在此刻的情況下，第二閃爍體材料 48是摻雜有Pr的Gd202S。
[0057]對應(yīng)于第一閃爍體材料46和第二閃爍體材料48,光探測器42包括兩個光電二極 管，第一光電二極管50和第二光電二極管52。在使用中，具有不同能量的X射線從頂部， 即，從第一閃爍體材料46的方向撞擊在探測器40上。歸因于其更低的密度，第一閃爍體材 料46吸收更低能量的X射線，并且對其作出響應(yīng)而發(fā)射第一頻率的光子。在穿過第一閃爍 體材料46之后，X射線碰撞第二閃爍體材料48,其中，通過與第二閃爍體材料48的相互作 用，發(fā)射第二波長的光子。
[0058]第一光電二極管50現(xiàn)在配備有第一濾波器54,所述第一濾波器54濾除掉第二波 長的光子，確保僅僅第一波長的光子，即，由第一閃爍體材料46生成的光子被第一光電二 極管探測。
[0059]對應(yīng)地，第二光電二極管52配備有第二濾波器56,所述第二濾波器56阻止第一波 長的光子，確保僅僅第二波長的光子，即，由第二閃爍體材料48生成的光子到達(dá)第二光電 二極管52,并且從而被探測。
[0060] 通過上述設(shè)置，能夠利用探測器40來探測和區(qū)別兩種不同能量水平的X射線，并 且創(chuàng)建對應(yīng)的信號，這增加了可用在CT掃描中的信息的量。
[0061] 在圖4中，用附圖標(biāo)記60整體指代用于電離輻射的探測器的第三實施例。用于電 離輻射的探測器60在功能上類似于圖3的探測器40,但是示出了不同的設(shè)計。
[0062] 再一次地，探測器60包括閃爍體62和光子探測器64。再一次地，在這種情況下， 閃爍體62包括第一閃爍體材料66和第二閃爍體材料68。第一閃爍體材料66從而例如是 范例3的材料，其中，第二閃爍體材料68再一次是摻雜有Pr的Gd202S，S卩，比第一閃爍體材 料66更高密度的材料。與圖3的實施例相比，在圖4中光子探測器64不被布置在閃爍體 62的下面，而是在其側(cè)面上，其中，如用箭頭74所指示的，當(dāng)在進(jìn)入要被探測的電離輻射的 方向看時，第一光電二極管70被布置在第一閃爍體材料66的側(cè)面上，并且第二光電二極管 72被布置在第二閃爍體材料68的側(cè)面上。
[0063]閃爍體材料66和68兩者分別被覆蓋在不面向第一光電二極管70和第二光電二 極管72的那些側(cè)面上，具有分別反射在由第一閃爍體材料66和第二閃爍體材料68發(fā)射的 波長范圍的光子而對電離輻射是透明的涂層。
[0064] 在使用中，電離輻射在由箭頭74指示的方向上朝向第一閃爍體材料66行進(jìn)，其 中，歸因于更低的密度，電離輻射的更低能量部分與第一閃爍體材料66相互作用并且激勵 一個或若干光子的發(fā)射。歸因于反射涂層，在第一閃爍體材料66的外面，光子僅僅能夠離 開第一閃爍體材料66朝向第一光電二極管70,并且從而被探測。在行進(jìn)通過第一閃爍體 材料66之后，電離輻射行進(jìn)到第二閃爍體材料68,其中，歸因于第二閃爍體材料68的密度 高于第一閃爍體材料66的事實，吸收更高能量的輻射，并且作為結(jié)果，生成光子的第二集 合。再一次地，歸因于在不面向第二光電二極管的那些側(cè)面上由反射材料覆蓋第二閃爍體 68材料的事實，光子僅僅能夠離開第二閃爍體材料68朝向第二光電二極管72,并且從而被 探測。
[0065]再一次地，歸因于每個閃爍體材料與特定能量水平的輻射相互作用以及作出響應(yīng) 而發(fā)射指向特定光電二極管的光子并且從而所述光子被探測的事實，不同的X射線能夠利 用用于電離輻射的探測器來探測以創(chuàng)建例如關(guān)于在CT掃描器中調(diào)查的身體的更多信息。
[0066]盡管已經(jīng)在附圖和前面的描述中詳細(xì)圖示和描述了本發(fā)明，但是這樣的圖示和描 述應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是圖示性或示范性的，而非限制性的；本發(fā)明不限于所公開的實施例。本領(lǐng)域 技術(shù)人員通過研究附圖、公開內(nèi)容以及權(quán)利要求，在實踐請求保護(hù)的發(fā)明時能夠理解并實 現(xiàn)對所公開的實施例的其他變型。
[0067]在權(quán)利要求書中，"包括" 一詞不排除其他元件或步驟，并且詞語"一"或"一個"不 排除多個。單個處理器或其他單元可以實現(xiàn)在權(quán)利要求中記載的若干項的功能。盡管在互 不相同的從屬權(quán)利要求中記載了某些措施，但是這并不指示不能有利地使用這些措施的組 合。
【主權(quán)項】
1. 一種具有分子式為（Y wTbx)3Al5 yGay012:Ce 2的混合氧化物材料，其中， 0? Ol 彡 w 彡 0? 99,0? Ol 彡 X 彡 0? 99,0 彡 y 彡 3. 5 并且 0? OOl 彡 z 彡 0? 10,并且其中，w+x+3*z =1，其中，所述混合氧化物材料摻雜有至少IOppm的V。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，所述材料摻雜有10至250ppm的V。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，0.1 < w < 0. 9。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，0.1 < X < 0. 9。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，I < y < 3. 5。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，0. 005 < z < 0. 05。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料，其中，所述材料是單晶體材料或多晶體材 料。8. -種用于產(chǎn)生根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料的方法，包括以下步驟： a) 以適合于獲得期望的混合氧化物的比例提供Y203、Ce02、Tb 407、Al2O3以及Ga 203， b) 用期望的量的V的源浸漬步驟a)的固體中的一個或若干， c) 在存在合適的分散劑的情況下組合并且研磨步驟a)和步驟b)的所述固體，以獲得 勻漿， d) 使步驟c)的所述勻漿干燥以獲得混合粉末，以及 e) 在至少1400°C的溫度下燒結(jié)步驟d)的所述混合粉末至少lh。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在步驟c)中，當(dāng)組合步驟a)和步驟b)的所述固 體時，添加熔劑。10. -種閃爍體，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料。11. 一種用于電離輻射的探測器，包括與至少一個光子探測器（34、44、64)組合的根據(jù) 權(quán)利要求1所述的混合氧化物材料或根據(jù)權(quán)利要求10所述的閃爍體（32、42、62)。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的探測器，還包括第二混合氧化物材料或第二閃爍體，其中， 所述第二混合氧化物材料或所述第二閃爍體具有比根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合氧化物材 料或根據(jù)權(quán)利要求10所述的閃爍體更高的密度。13. -種CT掃描器，包括根據(jù)權(quán)利要求11所述的至少一個探測器（18、30、40、60)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及混合氧化物材料、用于所述混合氧化物材料的制備的方法、用于電離輻射的探測器以及CT掃描器。具體地，提出了一種具有分子式為(YwTbx)3Al5-yGayO12：Cez的混合氧化物材料，其中，0.01≤w≤0.99，0.01≤x≤0.99，0≤y≤3.5并且0.001≤z≤0.10，并且其中，w+x+3*z＝1，其中，所述混合氧化物材料摻雜有至少10ppm的V。
【IPC分類】G21K4/00, C09K11/77
【公開號】CN105073949
【申請?zhí)枴緾N201480017873
【發(fā)明人】C·R·龍達(dá), J·G·博爾里坎普, D·比特納, A-M·A·范東恩, H·K·維喬雷克, S·J·M·P·斯普爾, S·佐漢, W·C·科爾
【申請人】皇家飛利浦有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2014年3月21日
【公告號】EP2898043A1, WO2014155256A1