系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、 錫-鋅-鉍系金屬材料等焊錫類（合金）、金系金屬材料、銅系金屬材料等。
[0166] 另外，在倒裝芯片連接工序中，使導(dǎo)電材料熔融來使半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)鹊?凸塊與被粘物6的表面的導(dǎo)電材料連接，作為該導(dǎo)電材料的熔融時(shí)的溫度，通常為260°C左 右（例如250°C~300°C)。本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜通過由環(huán)氧樹脂等形 成半導(dǎo)體背面用薄膜，可以制成具有連該倒裝芯片連接工序中的高溫也能夠耐受的耐熱性 的薄膜。
[0167] 本工序優(yōu)選進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的相對(duì)面（電極形成面）、間隙的洗滌。 作為該洗滌中使用的洗液，沒有特別限制，例如可列舉出有機(jī)類的洗液、水系的洗液。本發(fā) 明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中的半導(dǎo)體背面用薄膜具有對(duì)洗液的耐溶劑性，對(duì)于 這些洗液實(shí)質(zhì)上不具有溶解性。因此，如前所述，作為洗液，可以使用各種洗液，不需要特別 的洗液，可以通過現(xiàn)有的方法進(jìn)行洗滌。
[0168] 接著，進(jìn)行將倒裝芯片連接的半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間的間隙封裝的封裝工 序。封裝工序使用封裝樹脂進(jìn)行。作為此時(shí)的封裝條件，沒有特別限定，通常通過在175°C 下進(jìn)行60秒~90秒的加熱進(jìn)行封裝樹脂的熱固化（回流焊），但本發(fā)明不限于此，例如可 以在165°C~185°C下固化數(shù)分鐘。在該工序中的熱處理中，不僅僅是封裝樹脂，也可以同 時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體背面用薄膜40的半導(dǎo)體背面用薄膜40的熱固化。該情況下，不需要新追加 使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化的工序。不過，在本發(fā)明中不限于此例，也可以在封裝樹脂 的熱固化之前另行進(jìn)行使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化的工序。
[0169] 作為前述封裝樹脂，如果是具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂）則沒有特別限制，可以 從公知的封裝樹脂等封裝材料中適當(dāng)選擇并使用，更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。作為封裝 樹脂，例如可列舉出含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可列舉出前述例示的環(huán) 氧樹脂等。此外，作為基于含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物的封裝樹脂，作為樹脂成分，除了環(huán) 氧樹脂之外，可以含有環(huán)氧樹脂以外的熱固性樹脂（酚醛樹脂等）、熱塑性樹脂等。其中，作 為酚醛樹脂，還可以作為環(huán)氧樹脂的固化劑進(jìn)行利用，作為這種酚醛樹脂，可列舉出前述例 示的酚醛樹脂等。
[0170] 此外，在上述實(shí)施方式中對(duì)用液態(tài)的封裝材料（封裝樹脂等）填充半導(dǎo)體芯片5 與被粘物6之間的空隙進(jìn)行封裝的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此例，也可以使用片 狀樹脂組合物。對(duì)于使用片狀樹脂組合物對(duì)半導(dǎo)體芯片與被粘物之間的空隙進(jìn)行封裝的方 法，例如可以采用日本特開2001-332520號(hào)公報(bào)等現(xiàn)有公知的方法。因此在此省略詳細(xì)說 明。
[0171] 在上述實(shí)施方式中，對(duì)在切割后使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化的情況進(jìn)行了說 明。但本發(fā)明不限于此例，也可以在切割工序前使半導(dǎo)體背面用薄膜40熱固化。該情況下， 即使通過該熱固化的工序中的熱對(duì)切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜進(jìn)行了加熱，也可抑制 切割帶與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜之間的剝離力的上升。因此，可抑制拾取工序中的 剝離不良。
[0172] 另外，前述封裝工序之后，可以根據(jù)需要而進(jìn)行熱處理（回流焊工序）。作為該熱 處理?xiàng)l件，沒有特別限定，可以按照基于半導(dǎo)體技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。例如可以在 溫度（上限）為210~270°C的范圍內(nèi)以其時(shí)間5~50秒進(jìn)行。通過該工序，可以將半導(dǎo) 體封裝安裝于基板（母板等）。
[0173] 使用本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜所制造的半導(dǎo)體裝置由于是用倒 裝芯片安裝方式安裝的半導(dǎo)體裝置，由此為比用芯片焊接安裝方式安裝的半導(dǎo)體裝置薄型 化、小型化的形狀。因此，可以適宜地用作各種電子設(shè)備?電子部件或它們的材料?構(gòu)件。 具體而言，作為本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置所利用的電子設(shè)備，可列舉出：所謂的 "手機(jī)"、"PHS"、小型電腦（例如所謂的"PDA"（便攜信息終端）、所謂的"筆記本電腦"、所謂 的"上網(wǎng)本（NETB00K，商標(biāo)）"、所謂的"可穿戴式電腦"等）、"手機(jī)"與電腦一體化的小型電 子設(shè)備、所謂的"數(shù)碼相機(jī)（DIGITALCAMERA，商標(biāo)）"、所謂的"數(shù)碼攝像機(jī)"、小型電視機(jī)、 小型游戲機(jī)、小型數(shù)字音頻播放器、所謂的"電子記事本"、所謂的"電子辭典"、所謂的"電 子書"用電子設(shè)備終端、小型數(shù)碼型鐘表等便攜型電子設(shè)備（可攜帶的電子設(shè)備）等，當(dāng)然 也可以是便攜型以外（設(shè)置型等）的電子設(shè)備（例如所謂的"臺(tái)式電腦"、薄型電視機(jī)、錄 像?重播用電子設(shè)備（硬盤錄像機(jī)、DVD播放器等）、投影儀、微型機(jī)械等）等。此外，作為 電子部件或電子設(shè)備電子部件的材料和構(gòu)件，例如可列舉出所謂的"CPU"的構(gòu)件、各種存儲(chǔ) 裝置（所謂的"內(nèi)存"、硬盤等）的構(gòu)件等。
[0174] 實(shí)施例
[0175] 以下例示出該發(fā)明的適宜的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。其中，該實(shí)施例中記載的材料、 配混量等在沒有特別限定性記載的情況下，并不表示將本發(fā)明的要旨限定于此。另外，以下 記載為份的情況表示重量份。
[0176] (實(shí)施例1)
[0177]〈半導(dǎo)體背面用薄膜的制作〉
[0178] 在甲乙酮中，相對(duì)于以丙烯酸乙酯作為主要單體的丙烯酸酯類聚合物（根上工業(yè) 株式會(huì)社制造，ParacronW-197CM、SP值12) 100份，溶解環(huán)氧樹脂（JER株式會(huì)社制造、 EPIK0TE1004) 113份、酚醛樹脂（明和化成株式會(huì)社制造MEH-7851H、）121份、球狀二氧 化硅（AdmatechsCo. ,Ltd.制造、S0-25R) 246 份、染料（OILBLACKS0M-L-0543,Orient ChemicalIndustriesCo.，Ltd?制造）5 份，調(diào)整至濃度 23. 6 重量％。
[0179] 將該粘接劑組合物的溶液涂布在作為剝離襯墊的經(jīng)有機(jī)硅脫模處理的厚度為 50ym的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上之后，在130°C下干燥2分 鐘，由此制得厚度20ym的半導(dǎo)體背面用薄膜A。
[0180] 其中，"OIL BLACK S0M-L-0543"是具有蒽醌骨架的染料。
[0181] 〈切割帶〉
[0182] 作為實(shí)施例1的切割帶A，準(zhǔn)備日東電工株式會(huì)社制造的TRM-6250L。TRM-6250L 為層疊有聚酰亞胺的基材和單層的有機(jī)硅類粘合劑層的構(gòu)成。另外，TRM-6250L例如用于 在對(duì)引線框進(jìn)行樹脂封裝時(shí)為了防止樹脂泄露而作為掩蔽用粘貼在引線框的背面，作為產(chǎn) 品，并非是切割用途的膠帶。
[0183] 〈切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜〉
[0184] 使用手壓輥將半導(dǎo)體背面用薄膜A貼合在切割帶A的粘合劑層上，制得實(shí)施例1 的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜。
[0185](實(shí)施例2)
[0186] 作為切割帶，使用日東電工株式會(huì)社制造的TRM-3650S，除此之外與實(shí)施例1同樣 進(jìn)行，制得實(shí)施例2的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜。TRM-3650S為層疊有聚酰亞胺的基 材和單層的有機(jī)硅類粘合劑層的構(gòu)成。另外，TRM-3650S例如用于在對(duì)引線框進(jìn)行樹脂封 裝時(shí)為了防止樹脂泄露作為掩蔽用而粘貼在引線框的背面，作為產(chǎn)品，并非是切割用途的 膠帶。
[0187](比較例1)
[0188] 作為切割帶，使用日東電工株式會(huì)社制造的DU-300,除此之外與實(shí)施例1同樣進(jìn) 行，制得比較例1的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜。DU-300為層疊有聚烯烴的基材和紫 外線固化型的丙烯酸類粘合劑層的構(gòu)成。
[0189](比較例2)
[0190] 作為切割帶，使用日東電工株式會(huì)社制造的BT-3100P，除此之外與實(shí)施例1同樣 進(jìn)行，制得比較例2的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜。BT-3100P為層疊有聚烯烴的基材 和丙烯酸類粘合劑層（非紫外線固化型的丙烯酸類粘合劑層）的構(gòu)成。
[0191] (表面自由能的測(cè)定）
[0192] 將所制作的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜的粘合劑層和半導(dǎo)體背面用薄膜在 界面剝離。然后，算出粘合劑層的表面自由能Yl和半導(dǎo)體背面用薄膜的表面自由能Y2。 即，使用接觸角儀測(cè)定水和碘甲烷的接觸角，根據(jù)它們的接觸角通過幾何平均法算出表面 自由能值。結(jié)果示于表1。此外，差（Y2-yl)也一并示于表1。
[0193](自在130°C下加熱1小時(shí)后的粘合劑層剝離半導(dǎo)體背面用薄膜時(shí)的剝離力的測(cè) 定）
[0194] 將所制作的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜在130°C下加熱1小時(shí)。然后，使用拉 伸試驗(yàn)機(jī)（株式會(huì)社島津制作所制造、商品名"AGS-J")，在測(cè)定溫度23°C、拉伸速度300_/ 分鐘、T型剝離試驗(yàn)的條件下剝離粘合劑層半導(dǎo)體背面用薄膜，測(cè)定此時(shí)的剝離力。剝離力 為0. 2N/mm以下的情況評(píng)價(jià)為〇，大于0. 2N/mm的情況評(píng)價(jià)為X。結(jié)果示于表1。
[0195][表1]
[0197](結(jié)果）
[0198] 表面自由能之差（y2-y1)為lOmJ/m2以上的實(shí)施例即使在130°C下加熱1小時(shí) 后也具有良好的剝離性。而表面自由能之差（Y2-Y1)小于lOmJ/m2的比較例在130°C下 加熱1小時(shí)后的剝離力顯示比實(shí)施例高的值。另外，認(rèn)為比較例1由于加熱導(dǎo)致了紫外線 固化型的丙烯酸類粘合劑層劣化、剝離力增大。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，其特征在于，具備： 具有基材和形成在所述基材上的粘合劑層的切割帶、以及 形成在所述切割帶的所述粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜， 將所述粘合劑層與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜在界面處剝離之后，在所述粘合 劑層上使用接觸角儀測(cè)定水和碘甲烷的接觸角，設(shè)根據(jù)測(cè)得的接觸角通過幾何平均法算出 的表面自由能為Y 1，在所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上使用接觸角儀測(cè)定水和碘甲 烷的接觸角，設(shè)根據(jù)測(cè)得的接觸角通過幾何平均法算出的表面自由能為Y 2時(shí)，所述表面 自由能T 2與所述表面自由能y 1之差（y 2-y 1)為lOmJ/m2以上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，其特征在于，所述表面自 由能y 1為15mJ/m2以下。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，其特征在于，所述粘合劑 層在與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的界面具有含有有機(jī)硅類粘合劑的有機(jī)硅粘合 劑層。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，其特征在于，所述粘合劑 層為由含有有機(jī)硅類粘合劑的有機(jī)硅粘合劑層的單層形成的層。5. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其是使用權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述 的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括如下工序： 工序A，在所述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜上 粘貼半導(dǎo)體晶圓； 工序B，在所述工序A之后，從切割帶側(cè)對(duì)所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜進(jìn)行激光 標(biāo)記； 工序C，對(duì)所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行切割從而形成半導(dǎo)體元件； 工序D，將所述半導(dǎo)體元件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜一起自所述粘合劑層 剝離；以及， 工序E，將所述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接到被粘物上。
【專利摘要】本發(fā)明提供切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜可以抑制由加熱導(dǎo)致的切割帶與倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜之間的剝離力上升。一種切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，其特征在于，具備：具有基材和形成在基材上的粘合劑層的切割帶、以及形成在切割帶的粘合劑層上的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜，設(shè)粘合劑層的表面自由能為γ1，設(shè)倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用薄膜的表面自由能為γ2時(shí)，表面自由能γ2與表面自由能γ1之差(γ2-γ1)為10mJ/m2以上。
【IPC分類】H01L21/683, C09J183/04, C09J7/02
【公開號(hào)】CN105086865
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510251344
【發(fā)明人】高本尚英, 花園博行, 福井章洋
【申請(qǐng)人】日東電工株式會(huì)社
【公開日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年5月15日
【公告號(hào)】US20150364357