導(dǎo)體晶圓中適當(dāng)選擇來使用。本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶圓可以適宜地使用硅 晶圓。
[0140](半導(dǎo)體裝置的制造方法）
[0141] 對于本實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，邊參照圖2邊在以下進行說明。圖2 為示出使用了前述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1時的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面 示意圖。
[0142] 前述半導(dǎo)體裝置的制造方法可以使用前述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1來 制造半導(dǎo)體裝置。具體而言，至少具備：在前述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜上貼附半導(dǎo) 體晶圓的工序、切割前述半導(dǎo)體晶圓的工序、拾取由切割而得到的半導(dǎo)體元件的工序、和將 前述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接到被粘物上的工序。
[0143] 需要說明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜2的情況下，通過按照使用了切割帶一體型半 導(dǎo)體背面用薄膜1時的半導(dǎo)體裝置的制造方法的方法，可以制造半導(dǎo)體裝置。例如，半導(dǎo)體 背面用薄膜2與切割帶貼合，制成與切割帶一體化的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜來使 用，可以制造半導(dǎo)體裝置。此時，使用半導(dǎo)體背面用薄膜2的半導(dǎo)體裝置的制造方法成為前 述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜的制造方法的工序中還具備以半導(dǎo)體背面用薄膜與切 割帶的粘合劑層接觸的形態(tài)使半導(dǎo)體背面用薄膜與切割帶貼合的工序的制造方法。
[0144] 此外，半導(dǎo)體背面用薄膜2也可以不與切割帶一體化，而在半導(dǎo)體晶圓上貼附來 使用。此時，使用半導(dǎo)體背面用薄膜2的半導(dǎo)體裝置的制造方法成為如下的制造方法：將前 述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜的制造方法中在切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜上貼 附半導(dǎo)體晶圓的工序設(shè)為：將半導(dǎo)體背面用薄膜貼附到半導(dǎo)體晶圓的工序、以半導(dǎo)體背面 用薄膜與切割帶的粘合劑層接觸的形態(tài)使切割帶貼合到貼附于半導(dǎo)體晶圓的半導(dǎo)體背面 用薄膜的工序。
[0145] 此外，半導(dǎo)體背面用薄膜2還可以在將半導(dǎo)體晶圓單片化而成的半導(dǎo)體芯片上貼 附來使用。此時，使用半導(dǎo)體背面用薄膜2的半導(dǎo)體裝置的制造方法例如可以為至少具備 以下工序的制造方法：將切割帶貼附到半導(dǎo)體晶圓的工序、切割前述半導(dǎo)體晶圓的工序、 拾取由切割而得到的半導(dǎo)體元件的工序、將前述半導(dǎo)體元件倒裝芯片連接到被粘物上的工 序、和在半導(dǎo)體元件上貼附半導(dǎo)體背面用薄膜的工序。
[0146][安裝工序]
[0147]首先，如圖2的（a)所示，適宜地剝離在切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的半導(dǎo) 體背面用薄膜2上任意地設(shè)置的隔離膜，在該半導(dǎo)體背面用薄膜2上貼附半導(dǎo)體晶圓4,使 其粘接保持進行固定（安裝工序）。此時，前述半導(dǎo)體背面用薄膜2為未固化狀態(tài)（包括 半固化狀態(tài)）。此外，切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1貼附于半導(dǎo)體晶圓4的背面。半 導(dǎo)體晶圓4的背面意味著與電路面相反的一側(cè)的面（也稱為非電路面、非電極形成面等）。 貼附方法沒有特別限定，優(yōu)選基于壓接的方法。壓接通常一邊利用壓接輥等壓制構(gòu)件進行 壓制一邊進行。
[0148][切割工序]
[0149] 接著，如圖2的（b)所示，進行半導(dǎo)體晶圓4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶圓4切斷 為規(guī)定的尺寸進行單片化（小片化），制造半導(dǎo)體芯片5。切割例如按照常規(guī)方法從半導(dǎo)體 晶圓4的電路面?zhèn)冗M行。此外，本工序中，例如，可以采用切入至切割帶一體型半導(dǎo)體背面 用薄膜1為止的被稱為完全切割的切斷方式等。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別 限定，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。此外，半導(dǎo)體晶圓4利用具有半導(dǎo)體背面用薄膜的切 割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1而以優(yōu)異的密合性粘接固定，因此，可以抑制芯片缺口、芯 片飛散，并且還可以抑制半導(dǎo)體晶圓4的破損。需要說明的是，半導(dǎo)體背面用薄膜2由包含 環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即便通過切割而被切斷，也可以抑制或防止半導(dǎo)體背面用 薄膜的粘接劑層的膠在其切斷面發(fā)生滲出。其結(jié)果，可以抑制或防止切斷面彼此發(fā)生再附 著（粘連），可以更好地進行后述的拾取。
[0150] 需要說明的是，進行切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的擴展時，該擴展可以使 用現(xiàn)有公知的擴展裝置來進行。擴展裝置具有可以介由切割環(huán)將切割帶一體型半導(dǎo)體背面 用薄膜1向下方按壓的環(huán)狀的外環(huán)、和直徑小于外環(huán)且支撐切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄 膜的內(nèi)環(huán)。通過該擴展工序，在后述的拾取工序中，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片彼此接觸而 破損。
[0151][拾取工序]
[0152] 為了回收粘接固定于切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的半導(dǎo)體芯片5,如圖2的 (c)所示，進行半導(dǎo)體芯片5的拾取，將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用薄膜2 -起從切割帶 3剝離。作為拾取的方法沒有特別限定，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉出 從切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1的基材31側(cè)利用針形件頂起各個半導(dǎo)體芯片5,利用 拾取裝置拾取被頂起的半導(dǎo)體芯片5的方法等。需要說明的是，所拾取的半導(dǎo)體芯片5的 背面被半導(dǎo)體背面用薄膜2保護。
[0153][倒裝芯片連接工序]
[0154] 對于拾取的半導(dǎo)體芯片5,如圖2的（d)所示，利用倒裝芯片焊接方式（倒裝芯片 安裝方式）而固定于基板等被粘物。具體而言，以半導(dǎo)體芯片5的電路面（也稱為表面、電 路圖案形成面、電極形成面等）與被粘物6相對的形態(tài)按照常規(guī)方法使半導(dǎo)體芯片5固定 于被粘物6。例如，使形成于半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)鹊耐箟K51與粘附在被粘物6的連接焊 盤的接合用導(dǎo)電材料（軟釬料等）61接觸，邊按壓邊使導(dǎo)電材料熔融，從而可以確保半導(dǎo)體 芯片5與被粘物6的電導(dǎo)通，并使半導(dǎo)體芯片5固定在被粘物6上（倒裝芯片焊接工序）。 此時，在半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間形成空隙，該空隙間距離通常為30ym~300ym左 右。需要說明的是，將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片焊接（倒裝芯片連接）到被粘物6上之后，清 洗半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的相對面、間隙，在該間隙填充封裝材料（封裝樹脂等）進行封 裝是重要的。
[0155] 作為被粘物6,可以使用引線框、電路基板（布線電路基板等）等各種基板。作為 這樣的基板的材質(zhì)，沒有特別限定，可以列舉出陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，例如， 可以列舉出環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板等。
[0156] 在倒裝芯片焊接工序中，作為凸塊、導(dǎo)電材料的材質(zhì)，沒有特別限定，例如，可以列 舉出錫_鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料、 錫-鋅-鉍系金屬材料等軟釬料類（合金）、金系金屬材料、銅系金屬材料等。
[0157] 需要說明的是，在倒裝芯片焊接工序中，使導(dǎo)電材料熔融，使半導(dǎo)體芯片5的電路 面?zhèn)鹊耐箟K與被粘物6的表面的導(dǎo)電材料連接，作為該導(dǎo)電材料的熔融時的溫度，通常為 260°C左右（例如，250°C~300°C)。對于本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜，通過 由環(huán)氧樹脂等形成半導(dǎo)體背面用薄膜，從而可以具有能夠耐受該倒裝芯片焊接工序中的高 溫的耐熱性。
[0158] 本工序中，優(yōu)選進行半導(dǎo)體芯片5與被粘物6的相對面（電極形成面）、間隙的清 洗。作為該清洗中使用的清洗液，沒有特別限制，例如，可以列舉出有機系的清洗液、水系的 清洗液。本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜中的半導(dǎo)體背面用薄膜具有針對清洗液 的耐溶劑性，在這些清洗液中實質(zhì)上沒有溶解性。因此，如前所述，作為清洗液，可以使用各 種清洗液，不需要特別的清洗液，可以按照以往的方法來清洗。
[0159] 接著，進行用于封裝被倒裝芯片焊接的半導(dǎo)體芯片5與被粘物6之間的間隙的封 裝工序。封裝工序使用封裝樹脂來進行。作為此時的封裝條件，沒有特別限定，通常，在 175°C下進行60秒鐘~90秒鐘的加熱，從而進行封裝樹脂的熱固化，但本發(fā)明并不限定于 此，例如，可以在165°C~185°C下進行幾分鐘熟化。在該工序的熱處理中，不僅封裝樹脂、 而且半導(dǎo)體背面用薄膜2的熱固化也可以同時進行。由此，封裝樹脂以及半導(dǎo)體背面用薄 膜2兩者伴隨熱固化的進行而發(fā)生固化收縮。其結(jié)果，起因于封裝樹脂的固化收縮而施加 于半導(dǎo)體芯片5的應(yīng)力可以通過半導(dǎo)體背面用薄膜2發(fā)生固化收縮而抵消和/或緩和。此 外，通過該工序，可以完全或幾乎完全地使半導(dǎo)體背面用薄膜2熱固化，從而能夠以優(yōu)異的 密合性貼附于半導(dǎo)體元件的背面。進而，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用薄膜2即便為未固化狀態(tài)， 在該封裝工序時也能與封裝材料一起熱固化，因此，不需要新追加用于使半導(dǎo)體背面用薄 膜2熱固化的工序。
[0160] 作為前述封裝樹脂，若為具有絕緣性的樹脂（絕緣樹脂）則沒有特別限制，可以 從公知的封裝樹脂等封裝材料中適當(dāng)選擇來使用，更優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。作為封裝 樹脂，例如，可以列舉出包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可以列舉出前述例 示的環(huán)氧樹脂等。此外，關(guān)于由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物制成的封裝樹脂，作為樹脂成 分，除環(huán)氧樹脂以外還可以含有環(huán)氧樹脂以外的熱固化性樹脂（酚醛樹脂等）、熱塑性樹脂 等。需要說明的是，作為酚醛樹脂，也可以作為環(huán)氧樹脂的固化劑來使用，作為這樣的酚醛 樹脂，可以列舉出前述例示的酚醛樹脂等。
[0161] 對于使用前述切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜1、半導(dǎo)體背面用薄膜2而制造的 半導(dǎo)體裝置（倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置），在半導(dǎo)體芯片的背面貼附有半導(dǎo)體背面用薄 膜，因此可以以優(yōu)異的可視性實施各種標記。尤其，標記方法即便為激光標記方法，也可以 以優(yōu)異的對比度來實施標記，可以良好地看到利用激光標記而實施的各種信息（文字信 息、圖形信息等）。需要說明的是，進行激光標記時，可以利用公知的激光標記裝置。此外， 作為激光，可以使用氣體激光、固體激光、液體激光等各種激光。具體而言，作為氣體激光沒 有特別限制，可以利用公知的氣體激光，二氧化碳激光（〇) 2激光）、準分子激光（ArF激光、 KrF激光、XeCl激光、XeF激光等）是適宜的。此外，作為固體激光沒有特別限制，可以利用 公知的固體激光，YAG激光（Nd:YAG激光等）、YV0#i光是適宜的。
[0162] 使用本發(fā)明的切割帶一體型半導(dǎo)體背面用薄膜、半導(dǎo)體背面用薄膜而制造的半導(dǎo) 體裝置為以倒裝芯片安裝方式安裝而成的半導(dǎo)體裝置，因此與以芯片焊接（diebonding) 安裝方式安裝而成的半導(dǎo)體裝置相比，可以成為薄型化、小型化的形狀。因此，可以適宜地 作為各種電子設(shè)備/電子部件或它們的材料/構(gòu)件來使用。具體而言，作為利用本發(fā)明的倒 裝芯片安裝的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，可以列舉出所謂"移動電話"、"PHS"、小型的計算機 (例如，所謂"PDA"（便攜式信息終端）、所謂"筆記本電腦"、所謂"NetBook(商標）"、所謂 "可穿戴計算機"等）、"移動電話"與計算機一體化而成的小型的電子設(shè)備、所謂"Digital Camera(商標）"、所謂"數(shù)字攝像機"、小型電視機、小型游戲機、小型數(shù)字音頻播放器、所謂 "電子記事薄"、所謂"電子辭典"、所謂"電子書籍"用電子設(shè)備終端、小型數(shù)字型的鐘表等移 動型的電子設(shè)備（便攜式電子設(shè)備）等，當(dāng)然，也可以是除移動型以外（固定型等）的電子 設(shè)備（例如，所謂"臺式電腦"、薄型電視機、錄像/播放用電子設(shè)備（硬盤錄像機、DVD播放 器等）、投影儀、微型機械等）等。此外，作為電子部件或、電子設(shè)備/電子部件的材料/構(gòu) 件，例如，可以列舉出所謂"CPU"的構(gòu)件、各種存儲裝置（所謂"存儲器"、硬盤等）的構(gòu)件 等。
[0163] 實施例
[0164] 以下，例示性地詳細說明該發(fā)明的適宜的實施例。其中，該實施例中所記載的材 料、配混量等只要沒有特別限定性的記載，則該發(fā)明的范圍并不限定于這些。此外，份意味 著重量份。
[0165](實施例1)
[0166]〈粘接片的制作〉
[0167] 相對于以丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯系聚合物（商品 名"PARACRONW-197CM"、根上工業(yè)株式會社制造）：100份，將環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT 1004"、JER株式會社制造）：21份、酚醛樹脂（商品名"MILEXXLC-4L、"三井化學(xué)株式 會社制造）：22份、平均粒徑為0. 05ym且最大粒徑0. 3ym以下的球狀二氧化娃填料 (AdmatechsCo. ,Ltd?制造）：69 份、染料 1(商品名"OILGREEN502"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd?制造）：5 份、以及染料 2(商品名"OILBLACKBS"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd.制造）：11份溶解在甲乙酮中，制備固體成分濃度為23. 6重量％的 粘接劑組合物溶液A。需要說明的是，在本實施例中，固體成分意味著樹脂的固體成分、球狀 二氧化硅和染料的總和。此外，固體成分濃度意味著以甲乙酮（溶劑）與上述固體成分的 總和為整體時的固體成分的重量％。
[0168] 將粘接劑組合物溶液A涂布到作為剝離襯墊（隔離膜）的由進行了有機硅脫模處 理的厚度為50ixm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上，然后，在130°C下 使其干燥2分鐘，從而制作厚度30ym的粘接片A。
[0169]〈切割帶一體型粘接片的制作〉
[0170] 使用手壓輥將粘接片A貼合到切割帶（商品名"V-8-T"、日東電工株式會社制造； 基材的平均厚度：65ym、粘合劑層的平均厚度：10ym)的粘合劑層上，制作切割帶一體型 粘接片A。
[0171](實施例2)
[0172]〈粘接片的制作〉
[0173] 相對于以丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯系聚合物（商品 名"PARACR0NW-197CM"、根上工業(yè)株式會社制造）：100份，將環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT 1004"、JER株式會社制造）：21份、酚醛樹脂（商品名"MILEXXLC-4L、"三井化學(xué)株式 會社制造）：22份、平均粒徑為0. 05ym且最大粒徑0. 3ym以下的球狀二氧化娃填料 (AdmatechsCo. ,Ltd?制造）：134 份、染料 1(商品名"OILGREEN502"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd?制造）：7 份、以及染料 2(商品名"OILBLACKBS"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd.制造）：14份溶解在甲乙酮中，制備固體成分濃度為23.6重量％的 粘接劑組合物溶液B。
[0174] 將粘接劑組合物溶液B涂布到作為剝離襯墊（隔離膜）的由進行了有機硅脫模處 理的厚度為50ixm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上，然后，在130°C下 使其干燥2分鐘，從而制作厚度30ym的粘接片B。
[0175]〈切割帶一體型粘接片的制作〉
[0176] 使用手壓輥將粘接片B貼合到切割帶（商品名"V-8-T"、日東電工株式會社制造； 基材的平均厚度：65ym、粘合劑層的平均厚度：10ym)的粘合劑層上，制作切割帶一體型 粘接片B。
[0177](實施例3)
[0178]〈粘接片的制作〉
[0179] 相對于以丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯系聚合物（商品 名"PARACRONW-197CM"、根上工業(yè)株式會社制造）：100份，將環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT 1004"、JER株式會社制造）：21份、酚醛樹脂（商品名"MILEXXLC-4L、"三井化學(xué)株式 會社制造）：22份、平均粒徑為0. 05ym且最大粒徑0. 3ym以下的球狀二氧化娃填料 (AdmatechsCo. ,Ltd?制造）：40 份、染料 1(商品名"OILGREEN502"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd?制造）：4 份、以及染料 2(商品名"OILBLACKBS"、OrientChemical IndustriesCo. ,Ltd.制造）：10份溶解在甲乙酮中，制備固體成分濃度為23. 6重量％的 粘接劑組合物溶液C。
[0180] 將粘接劑組合物溶液C涂布到作為剝離襯墊（隔離膜）的由進行了有機硅脫模處 理的厚度為50ixm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫模處理薄膜上，然后，在130°C下 使其2分鐘干燥，從而制作厚度30ym的粘接片C。
[0181]〈切割帶一體型粘接片的制作〉
[0182] 使用手壓輥將粘接片C貼合到切割帶（商品名"V-8-T"、日東電工株式會社制造； 基材的平均厚度：65ym、粘合劑層的平均厚度：10ym)的粘合劑層上，制作切割帶一體型 粘接片C。
[0183](實施例4)
[0184]〈粘接片的制作〉
[0185] 相對于以丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯系聚合物（商品 名"PARACR0NW-197CM"、根上工業(yè)株式會社制造）：100份，將環(huán)氧樹脂（商品名"EPIC0AT 1004"、JER株式會社制造）：70份、酚醛樹脂（商品名