Q / □至 750 Q / 0,50 0/ □至 200 Q / □、從 IOOQ / □ 至 500 0/ □、或者從 IOOQ / □至 250 0/ □、或者 IOQ / □至 200 0/ □、從 IOQ / □至 50 0/ □、或者從 IQ / □至 IOQ / 0。
[0038] 光學上，基于納米結構的透明導體在可見光區(qū)（400-700nm)中具有較高的光透射 率。典型地，當在可見光區(qū)中的光透射率超過85%時，則認為該透明導體是光學透明的。更 典型地，光透射率超過90 %、或者超過93 %或者超過95 %。
[0039] 霧度化aze)是光學透明度的另一指標。通常認為霧度是因體積和表面粗糖效果 而引起的光散射和反射/折射造成的。低霧度透明導體尤其期望用于光學透明度是關鍵性 能因子之一的應用中，例如觸摸屏和顯示器。
[0040] 對于其中的納米結構形成傳導媒介的透明導體來說，由納米結構產(chǎn)生的光散射是 不可避免的。然而，如本文所描述，可W通過控制納米結構的粒度分布圖和微粒形貌來獲得 低霧度的透明導體。
[0041] 通常，霧度可W被人眼檢測到的水平約為2%。因此，本公開的各個實施方案均針 對具有小于1. 5%的霧度的透明導體。
[0042] 一個實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有小于1. 5%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。
[0043] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有小于1. 5%的霧度和小于50歐姆/平方的薄層電阻。
[0044] 另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有小于0. 5%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。
[0045] 另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有小于0. 3%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。
[0046] 另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有約0. 3-0. 4%的霧度和約170-350歐姆/平方的薄層電阻。
[0047]另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有約0. 4-0. 5%的霧度和約120-170歐姆/平方的薄層電阻。
[0048]另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有約0. 5-0. 7%的霧度和約80-120歐姆/平方的薄層電阻。
[0049]另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有約0. 7-1. 0%的霧度和約50-80歐姆/平方的薄層電阻。
[0050] 另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具 有約1. 0-1. 5%的霧度和約30-50歐姆/平方的薄層電阻。 陽化1]納乂結構粒麼分巧圖
[0052]為了滿足W上包括透射率、薄層電阻W及霧度的薄膜規(guī)格，透明導體包括符合確 定粒度分布圖的納米結構。
[0053]如本文所使用的/M專導納米結構"或者"納米結構"通常是指導電的納米尺寸的結 構，該結構的至少一個維度（即寬度）小于500皿，更典型地，小于100皿或者50皿，更加典 型地，在20至40nm的范圍內(nèi)。在縱向上，納米結構的長度超過500nm，或超過1 Jim或者超 過10 Jim。更典型地，納米結構的長度在5至30 Jim的范圍內(nèi)。
[0054] 納米結構可W為任何形狀或幾何結構。用于定義給定的納米結構的幾何結構的一 種方法是通過其"長寬比"，"長寬比"指的是納米結構的長度和寬度（或直徑）的比率。在 某些實施方案中，納米結構為各向同性形狀（即，長寬比=1)。典型的各向同性或基本各向 同性的納米結構包括納米顆粒。在優(yōu)選的實施方案中，納米結構為各向異性形狀（即，長寬 比聲1)。各向異性的納米結構通常沿其長度具有縱軸。示例性各向異性的納米結構包括納 米線（具有至少為10 (更典型地至少為50)的長寬比的實屯、納米結構）、納米棒（具有小于 10的長寬比的實屯、納米結構）W及納米管（中空納米結構）。 陽化5] 除了納米結構的裝填密度之外，其尺寸和形狀均是確定膜規(guī)格的因素。更具體地， 納米結構的長度、寬度W及長寬比通常W不同的程度影響最終的薄層電阻（R)、透射率（T) W及霧度（H)。例如，納米結構的長度通?？刂萍{米結構的互連性的程度，運轉(zhuǎn)而影響透明 導體的薄層電阻。納米結構的寬度通常不影響納米結構的互連性；然而，其可顯著地影響透 明導體的霧度。
[0056] 現(xiàn)實地，納米結構的給定群組（例如，在合成和純化之后的產(chǎn)品）包括一定尺寸 (長度和寬度）范圍內(nèi)的納米結構，而不是具有均勻尺寸。因此，由運種納米結構群組形成 的薄膜的規(guī)格巧、T和H)依賴于在整個粒度分布圖上的納米結構的集體貢獻。
[0057]粒度分布圖包括運樣一組數(shù)值，其定義了根據(jù)納米結構各自尺寸（長度和寬度） 分類的相對量或納米結構出現(xiàn)的頻率。
[0058] 粒度分布圖可W由柱狀圖圖形表示，其通過將納米結構的給定群組根據(jù)某一粒度 范圍的不交疊的規(guī)律區(qū)間分類并通過繪制落入每個區(qū)間內(nèi)的納米結構的頻率而產(chǎn)生。粒度 范圍的規(guī)律區(qū)間也被稱為"元域化in range)"。
[0059]圖I是展示納米結構群組（例如，納米線）根據(jù)其長度的柱狀分布圖，其中X軸上 為元域巧ym區(qū)間）W及沿Y軸作為柱的頻率?？紤]到長度和對應的頻率數(shù)據(jù)，還可W基 于概率密度函數(shù)來構建光滑曲線。因此圖1量化地且在圖形上示出了在所述納米結構群組 中長度分布的形狀（對數(shù)正態(tài)分布）和延展（均值附近的變化）。 W60] 此外，圖I示出了長度范圍的最大和最小長度?？蒞觀察到，對光散射有貢獻而對 傳導性沒有貢獻的某些納米結構存在于粒度分布圖中非常低的頻率處（例如，小于10%， 或者更典型地，小于5% )。運些納米結構因其呈現(xiàn)在暗場顯微照片中而被視為"明亮對 象"。運些明亮對象包括例如太寬和/或太短（例如，納米顆粒、納米棒）而無法有效地參 與電滲透過程的納米結構。運些明亮對象中的一些或全部具有低長寬比（小于10)。
[0061] 因此，一個實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有 小于1. 5 %的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻，其中超過99 %的具有至少10的長寬 比的傳導納米結構的長度不超過55 y m。
[0062] 又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于 1. 5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過45 y m。
[0063] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約為5至50 y m。
[0064] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約為5至30 y m。 陽〇化]除了長度分布之外，納米結構的平均長度（<1>)和平均長度平方（<12>)也表示膜 規(guī)格。具體地，納米結構的平均長度平方（<12>)確定滲透闊值，因而直接設及薄層電阻。共 同擁有的且共同未決的第11/871，053號美國申請?zhí)峁┝藢诩{米線的透明導體中的運 兩個參數(shù)與薄層電阻之間的關聯(lián)性的更詳細分析，該申請的通過引用而全部并入本文。
[0066] 如本文所使用的，平均長度（<1>)為所有測量長度的總和除W納米結構的計數(shù)數(shù) 量，如本文所描述的。
[0067] 平均長度平方（<12>)可W通過W下公式表示：
[0069] 因此，又一實施方案提供了透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度約為10-22 ym。
[0070] 在另一些實施方案中，具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度約為 12-20 Ji m、14-18 Ji m 或 15-17 Ji m。
[0071] 另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度平方約為120-600 ym2。
[0072] 在另一些實施方案中，具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度平方約 為240-400 ym2或260-350 y m2。
[0073] 圖2是展示納米結構群組（例如，納米線）根據(jù)其直徑的分布圖的柱狀圖，其中X 軸上為元域巧nm區(qū)間）W及頻率作為沿Y軸的柱?？紤]到直徑和對應的頻率數(shù)據(jù)，還可W 基于概率密度函數(shù)來構建光滑曲線。因此圖2定量地且圖形地示出了在所述納米結構群組 中直徑分布的形狀（正態(tài)或高斯分布）和延展（均值附近的變化）。
[0074] 作為正態(tài)分布的結果，多個納米結構的分布圖可W通過直徑的均值和標準差來定 義。
[00巧]圖2示出了納米結構的直徑的窄分布（目P，相對小的標準差）。如本文所使用的， 當標準差小于均值的20%，或者更典型地小于均值的15%時，正態(tài)分布被認為是窄的?？?W相信，較窄的直徑分布減少膜的納米結構的成分異質(zhì)性，從而導致降低的霧度。
[0076]因此，一個實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于 1. 5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55皿。
[0077] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過45皿。
[0078] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中具超過95%的有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為15至50皿。
[0079] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為20至40皿。
[0080] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約26-32nm的平均直徑W及4-6nm的 范圍內(nèi)的標準差。
[0081] 又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于1. 5%的 霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約29nm的平均直徑W及4-5nm的范 圍內(nèi)的標準差。
[0082] 又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于 1. 5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過55 y m， 而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55nm。
[0083] 又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于 1. 5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過45 y m， 而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構