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      料整體例如 為20質量%以上且75質量%以下。作為鎳合金,例如可以舉出JIS H4551:2000中記載的合 金編號中的 %卩600、601、625、750、800、800!1、825、麗0276、4400、6002、6022等。
      [0032] 銅合金以銅為主成分,作為與主成分不同的金屬種類,例如含有選自鐵、鉛、鋅、以 及錫中的至少1種。銅合金中的與主成分不同的金屬種類的含量相對于合金材料整體例如 為3質量%以上且50質量%以下。作為銅合金,例如可以舉出JIS H3100:2006中記載的合金 編號中的 C2100、2200、2300、2400、2600、2680、2720、2801、3560、3561、3710、3713、4250、 4430、4621、4640、6140、6161、6280、6301、7060、7150、1401、2051、6711、6712等。
      [0033] 本發(fā)明人等發(fā)現,含有較多的與主成分不同的金屬種類的合金材料容易產生研磨 造成的劃痕。容易產生該劃痕的機理為,與主成分不同的金屬種類通常會選擇比主成分硬 度高的物質,在研磨中該不同的金屬種類脫落時,主成分的表面被劃傷,其以劃痕這一現象 的形式出現。因此,認為不同的金屬種類的存在比率越多,該劃痕的產生概率越高。對于這 點,根據本發(fā)明的研磨用組合物,即使在對含有較多的與主成分不同的金屬種類的合金材 料進行研磨時,也會令人吃驚地容易得到劃痕少的研磨面。需要說明的是,容易得到劃痕少 的研磨面的機理如下。即,本發(fā)明的研磨用組合物不與特定的金屬種類形成絡合物,而是吸 附在合金表面。因此,能夠表現出防腐蝕效果,并得到劃痕少的研磨面。此外,也不會使研磨 速度降低。
      [0034] 需要說明的是,對于不含有較多與主成分不同的金屬種類的合金材料的形態(tài),發(fā) 揮顯著地減少劃痕等的效果是不言而喻的。這是因為,含有不同的金屬種類的情況沒有改 變,且能夠減少由其引起的劃痕的產生。
      [0035] [磨粒]
      [0036 ]磨粒優(yōu)選為氧化硅(二氧化硅)、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化錳、碳化硅、 或氮化硅。其中,優(yōu)選氧化硅(二氧化硅),具體而言,例如可以舉出膠態(tài)二氧化硅、氣相二氧 化硅、溶膠凝膠法二氧化硅等。其中,從更有效地得到合金表面的平滑性的觀點出發(fā),優(yōu)選 氣相二氧化硅或膠態(tài)二氧化硅。
      [0037] 作為膠態(tài)二氧化硅的制造方法,可以舉出公知的方法。例如,可以舉出作花濟夫著 一歹少法⑥科學"(Agne承風社出版)的第154~156頁中記載的利用烷氧基硅烷的水 解的方法;日本特開平11-60232號公報中記載的、將硅酸甲酯或硅酸甲酯和甲醇的混合物 滴加至包含水、甲醇和氨、或氨和銨鹽的混合溶劑中,使硅酸甲酯與水反應的方法;日本特 開2001-48520號公報中記載的、用酸催化劑使烷基硅酸酯水解后,加入堿催化劑進行加熱, 進行硅酸的聚合而使顆粒生長的方法;日本特開2007-153732號公報中記載的、在烷氧基硅 烷水解時以特定的量使用特定種類的水解催化劑的方法等。此外,也可以舉出通過使硅酸 鈉進行離子交換來制造的方法。
      [0038] 作為氣相二氧化硅的制造方法,可以舉出使用氣相反應的公知的方法,所述氣相 反應將四氯化硅氣化,使其在氫氧焰中燃燒。進而,氣相二氧化硅可以用公知的方法制成水 分散液,作為制成水分散液的方法,例如,可以舉出日本特開2004-43298號公報、日本特開 2003-176123號公報、日本特開2002-309239號公報中記載的方法。
      [0039] 需要說明的是,研磨用組合物中的磨粒(特別是二氧化硅顆粒)的一次顆粒的平均 長徑比優(yōu)選為1.10以上。
      [0040] 對于作為本發(fā)明的研磨對象物的合金材料,相對于主成分,由于固溶有硬度不同 的金屬元素,因此在含有這些元素的部分和不含有這些元素的部分中,可觀察到研磨時的 研磨速度存在差異。因此,在研磨后的合金材料表面產生由研磨速度的差異引起的突起或 凹陷、由含有硬度高的元素的部分的研磨而產生的劃痕等各種缺陷,因此難以通過這些合 金材料的研磨得到表面的高光澤化(鏡面化)。
      [0041] 與此相對,若作為優(yōu)選的形態(tài)的一次顆粒的平均長徑比為1.10以上,則能夠充分 維持對合金材料的高研磨速度,并提高合金材料表面的平滑性,得到高光澤的表面。需要說 明的是,以往通常的見解是,若使用長徑比高的顆粒進行研磨,則與長徑比低的顆粒相比, 顆粒難以順利地與研磨對象物表面接觸,因此表面粗糙度惡化。但是認為,通過使用長徑比 高的二氧化硅顆粒,對合金材料的摩擦力、機械力變高,因此,結果對表面的原材料、硬度、 或狀態(tài)不均一的合金材料均一地進行研磨變得容易,因此表面粗糙度減少。需要說明的是, 該平均長徑比更優(yōu)選為1.12以上。此外,對該平均長徑比的上限值沒有特別限制,為3.0左 右。
      [0042]該平均長徑比為與通過掃描型電子顯微鏡得到的二氧化硅顆粒的圖像外接的最 小長方形的長邊長度除以同一長方形的短邊長度得到的值的平均值,可以使用通常的圖像 分析軟件來求出。
      [0043] 研磨用組合物中所含的磨粒的平均一次粒徑優(yōu)選為5nm以上,更優(yōu)選為10nm以上, 進一步優(yōu)選為15nm以上,特別優(yōu)選為40nm以上。磨粒的平均一次粒徑在上述范圍內的情況 下,合金材料的研磨速度提高。研磨用組合物中所含的磨粒的平均一次粒徑優(yōu)選為400nm以 下,更優(yōu)選為300nm以下,進一步優(yōu)選為200nm以下,特別優(yōu)選為lOOnm以下,最優(yōu)選為60nm以 下。磨粒的平均一次粒徑在上述范圍內的情況下,容易得到低缺陷且表面粗糙度小的表面。 當大粒徑的磨粒殘留在研磨后的合金材料中成為問題時,優(yōu)選使用不含大粒徑的小粒徑的 磨粒。需要說明的是,磨粒的平均粒徑可以由通過氮吸附法(BET法)得到的比表面積的測定 值算出。更具體而言,可以通過實施例中記載的方法求出。
      [0044] 研磨用組合物中的磨粒的含量優(yōu)選為1質量%以上,更優(yōu)選為2質量%以上,進一 步優(yōu)選為10質量%以上。磨粒的含量在上述范圍內的情況下,利用研磨用組合物的合金的 研磨速度提高。研磨用組合物中的磨粒的含量優(yōu)選為50質量%以下,更優(yōu)選為40質量%以 下,進一步優(yōu)選為30質量%以下。磨粒的含量在上述范圍內的情況下,研磨用組合物的制造 成本減少,而且容易得到劃痕少的研磨面。此外,在研磨后的合金表面上殘留的磨粒的量減 少,合金表面的清潔度提高。
      [0045] [添加劑]
      [0046] 本發(fā)明的添加劑的特征在于,其不與特定的金屬種類形成絡合物、且吸附在合金 表面發(fā)揮防腐蝕效果。
      [0047] 對于該不與特定的金屬種類形成絡合物、且吸附在合金表面發(fā)揮防腐蝕效果的添 加劑,關于不與特定的金屬種類形成絡合物這點,可以通過在根據分子結構和作為研磨對 象的金屬種類可判斷的范圍內選擇不形成絡合物的物質來實現,此外,關于吸附在合金表 面而表現出防腐蝕效果,顯示通過吸附在作為研磨對象的合金表面,可減少研磨用組合物 造成的金屬表面的腐蝕,例如可以通過進行浸漬試驗并確認實際上是否發(fā)揮防腐蝕效果來 確認添加劑是否發(fā)揮防腐蝕效果,具體而言,可以用實施例中記載的方法確認。
      [0048] 本發(fā)明的添加劑的具體例只要是不與特定的金屬種類形成絡合物、且吸附在合金 表面發(fā)揮防腐蝕效果的添加劑,就沒有特別限制。例如適宜為表面活性劑、醇類、高分子、樹 脂等。此外,本發(fā)明的添加劑優(yōu)選為溶解于水中的物質。
      [0049]只要是具有上述特性的物質,對表面活性劑的種類也沒有特別限制,從有效地發(fā) 揮本發(fā)明的期望的效果的觀點出發(fā),優(yōu)選非離子性表面活性劑。另外作為表面活性劑,只要 不與特定的金屬種類形成絡合物、且吸附在合金表面發(fā)揮防腐蝕效果,就沒有特別限制,例 如,具有連續(xù)3個以上烴基的非離子性表面活性劑是適合的。優(yōu)選的方式中,適宜為聚氧亞 烷基醚,更適宜為具有疏水部位的聚氧亞烷基醚,特別適宜為還具有特定的疏水部位(取代 或未取代的、碳原子數5以上且29以下的烷基或芳基)的聚氧亞烷基醚。
      [0050] 所述碳原子數5以上且29以下的技術上的意義為,若是這樣的范圍,則有溶解性、 抑制劃痕效果提高的優(yōu)點。需要說明的是,所述碳原子數優(yōu)選為6以上且25以下,更優(yōu)選為7 以上且24以下,進一步優(yōu)選為8以上且23以下,進一步更優(yōu)選為9以上且20以下,特別優(yōu)選為 10以上且15以下。隨著烷基的碳原子數落在優(yōu)選范圍,能夠通過向合金表面的吸附而減少 劃痕的產生。若進一步為更優(yōu)選的范圍、特別優(yōu)選的范圍,則能夠驚人地減少劃痕的數量。
      [0051] 作為碳原子數5以上且29以下的烷基,可以是直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀中的任意種,可 以舉出戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五 烷基、十八烷基(鮑錯基)、十七烷基、十八烷基(硬脂基)、十九烷基、^十烷基(icosyl)、_. 十烷基(eicosyl)、二十一烷基(henicosyl)、二十一烷基(heneicosyl)、二十二烷基、二十 二烷基、^十四烷
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