或結(jié)合這些指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或設(shè)備而使用的裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的示例(非窮盡性列表)包括以下:具有一個(gè)或多個(gè)布線的電連接部(電子裝置)，便攜式計(jì)算機(jī)盤盒(磁裝置)，隨機(jī)存取存儲器(RAM)，只讀存儲器(ROM)，可擦除可編輯只讀存儲器(EPR0M或閃速存儲器)，光纖裝置，以及便攜式光盤只讀存儲器(⑶ROM)。另外，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)甚至可以是可在其上打印所述程序的紙或其他合適的介質(zhì)，因?yàn)榭梢岳缤ㄟ^對紙或其他介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)掃描，接著進(jìn)行編輯、解譯或必要時(shí)以其他合適方式進(jìn)行處理來以電子方式獲得所述程序，然后將其存儲在計(jì)算機(jī)存儲器中。
[0075]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實(shí)現(xiàn)。在上述實(shí)施方式中，多個(gè)步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實(shí)現(xiàn)。例如，如果用硬件來實(shí)現(xiàn)，和在另一實(shí)施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項(xiàng)或他們的組合來實(shí)現(xiàn):具有用于對數(shù)據(jù)信號實(shí)現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。
[0076]本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，包括方法實(shí)施例的步驟之一或其組合。
[0077]此外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理模塊中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，也可以存儲在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。
[0078]上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0079]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0080]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于電機(jī)控制器的IGBT的過溫保護(hù)方法，其特征在于，包括以下步驟: 檢測所述電機(jī)控制器的當(dāng)前輸出電流信號和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號; 根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號和預(yù)先建立的IGBT溫升模型計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升，并根據(jù)所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度； 根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號計(jì)算下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號，并根據(jù)所述下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號和所述IGBT溫升模型計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升； 根據(jù)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升和所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度； 當(dāng)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度大于預(yù)設(shè)溫度時(shí)，輸出過溫保護(hù)信號以使IGBT過溫保護(hù)電路進(jìn)行工作。2.如權(quán)利要求1所述的IGBT的過溫保護(hù)方法，其特征在于，輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號包括油門踏板信號、制動(dòng)踏板信號和電機(jī)轉(zhuǎn)速信號。3.如權(quán)利要求1所述的IGBT的過溫保護(hù)方法，其特征在于，在計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度之前，還包括: 檢測IGBT散熱器的溫度，以通過將所述IGBT散熱器的溫度與所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升疊加計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度。4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的IGBT的過溫保護(hù)方法，其特征在于，所述IGBT溫升模型根據(jù)以下公式進(jìn)行表達(dá): ΔΤ = f(I) = Rj.[(r0.I2+u0.I) + (Eon+Eoff).f+EonD.f] 其中，ΛΤ為所述IGBT晶圓的溫升，Rj為所述IGBT的總熱阻，r0為所述IGBT的總內(nèi)阻，u0為所述IGBT的工作電壓，I為所述電機(jī)控制器的輸出電流，Eon,Eoff分別為所述IGBT的開通損耗、關(guān)斷損耗，f為開關(guān)損耗系數(shù)，EonD為所述IGBT的內(nèi)部二極管的開通損耗。5.一種用于電機(jī)控制器的IGBT的過溫保護(hù)裝置，其特征在于，包括: 電流檢測模塊，所述電流檢測模塊用于檢測所述電機(jī)控制器的當(dāng)前輸出電流信號； 采集模塊，所述采集模塊用于采集輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號； IGBT過溫保護(hù)電路； 控制芯片，所述控制芯片根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號和預(yù)先建立的IGBT溫升模型計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升，并根據(jù)所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度，同時(shí)所述控制芯片根據(jù)所述當(dāng)前輸出電流信號和輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號計(jì)算下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號，并根據(jù)所述下一時(shí)刻的所述電機(jī)控制器的輸出電流信號和所述IGBT溫升模型計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升，以及所述控制芯片根據(jù)所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升和所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度計(jì)算所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度，并在所述下一時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度大于預(yù)設(shè)溫度時(shí)，所述控制芯片輸出過溫保護(hù)信號至所述IGBT過溫保護(hù)電路，以使所述IGBT過溫保護(hù)電路進(jìn)行工作。6.如權(quán)利要求5所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置，其特征在于，輸入到所述電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號包括油門踏板信號、制動(dòng)踏板信號和電機(jī)轉(zhuǎn)速信號。7.如權(quán)利要求5所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置，其特征在于，還包括: 溫度檢測模塊，所述溫度檢測模塊用于檢測IGBT散熱器的溫度，其中，所述控制芯片通過將所述IGBT散熱器的溫度與所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫升進(jìn)行疊加以計(jì)算所述當(dāng)前時(shí)刻的IGBT晶圓的溫度。8.如權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置，其特征在于，所述IGBT溫升模型根據(jù)以下公式進(jìn)行表達(dá): ΔΤ = f(I) = Rj.[(r0.I2+u0.I) + (Eon+Eoff).f+EonD.f] 其中，ΛΤ為所述IGBT晶圓的溫升，Rj為所述IGBT的總熱阻，r0為所述IGBT的總內(nèi)阻，u0為所述IGBT的工作電壓，I為所述電機(jī)控制器的輸出電流，Eon,Eoff分別為所述IGBT的開通損耗、關(guān)斷損耗，f為開關(guān)損耗系數(shù)，EonD為所述IGBT的內(nèi)部二極管的開通損耗。9.一種電機(jī)控制器，其特征在于，包括如權(quán)利要求5-8中任一項(xiàng)所述的IGBT的過溫保護(hù)裝置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于電機(jī)控制器的IGBT的過溫保護(hù)方法、裝置及電機(jī)控制器，其中該方法包括：檢測電機(jī)控制器的當(dāng)前輸出電流信號和輸入到電機(jī)控制器的當(dāng)前整車輸入信號；根據(jù)當(dāng)前輸出電流信號和預(yù)建的IGBT溫升模型計(jì)算當(dāng)前時(shí)刻的IGBT的溫升，并根據(jù)該溫升計(jì)算對應(yīng)的溫度；根據(jù)當(dāng)前輸出電流信號和當(dāng)前整車信號計(jì)算下一時(shí)刻的電機(jī)控制器的輸出電流信號，并根據(jù)該信號和上述模型計(jì)算下一時(shí)刻的IGBT的溫升；根據(jù)下一時(shí)刻的溫升和當(dāng)前時(shí)刻的溫度計(jì)算下一時(shí)刻的IGBT的溫度；當(dāng)下一時(shí)刻的溫度大于預(yù)設(shè)溫度時(shí)，輸出過溫保護(hù)信號以使IGBT過溫保護(hù)電路進(jìn)行工作。本發(fā)明實(shí)施例的方法降低了IGBT過溫?fù)p壞的風(fēng)險(xiǎn)，提升了可靠性。
【IPC分類】B60L15/20, B60L3/00
【公開號】CN105329105
【申請?zhí)枴緾N201410371492
【發(fā)明人】楊廣明, 喻軼龍, 李輝
【申請人】比亞迪股份有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2014年7月30日