本發(fā)明涉及容納有半導(dǎo)體的制造原料等中使用的多晶硅的粉碎物的多晶硅包裝體。

背景技術(shù)：

高純度的多晶硅主要通過(guò)西門(mén)子法來(lái)制造，其作為用于制造用作半導(dǎo)體器件等的原材料的硅單晶的原料使用。所述西門(mén)子法為如下的方法：對(duì)高純度硅的晶種(芯線(xiàn))進(jìn)行通電加熱，在該晶種表面使硅烷系氣體和氫氣反應(yīng)，由此使高純度的多晶硅氣相沉積為棒狀。

對(duì)于通過(guò)上述西門(mén)子法制造的多晶硅棒，有時(shí)將其粉碎、以塊片的多晶硅粉碎物(以下也稱(chēng)為Si粉碎物)的形態(tài)進(jìn)行包裝·捆包來(lái)運(yùn)輸?shù)絾尉Ф嗑Ч璧闹圃旃S(chǎng)等。

上述Si粉碎物在根據(jù)需要進(jìn)行了用于去除表面的雜質(zhì)的蝕刻處理后，為了防止污染，被填充到聚乙烯系樹(shù)脂薄膜制的袋中，對(duì)于填充有Si粉碎物的袋即多晶硅包裝體，通常將其捆包在如瓦楞紙箱那樣的運(yùn)輸用盒內(nèi)來(lái)進(jìn)行運(yùn)輸。

然而，對(duì)于如上所述的填充有多晶硅粉碎物的袋，被指出了如下問(wèn)題：在其運(yùn)輸時(shí)，內(nèi)容物Si粉碎物銳利的角部刺破包裝袋、多晶硅與外部氣體接觸從而被污染。

針對(duì)上述問(wèn)題，還提出了幾個(gè)對(duì)策。

例如已知有如下包裝方式：通過(guò)將容納有塊狀的多晶硅的包裝體制成內(nèi)袋和外袋這種雙重結(jié)構(gòu)，從而即使內(nèi)袋破損，也能通過(guò)外袋來(lái)防止污染(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。上述雙重包裝為有效的手段，在工業(yè)上被廣泛采用。

但是，即使如上所述地制成雙重包裝，也需要防止內(nèi)袋的破損。是因?yàn)榇嬖趦?nèi)袋的破損會(huì)導(dǎo)致外袋破損的擔(dān)心。

作為防止填充有多晶硅粉碎物的袋的破損的手段，考慮到將構(gòu)成該袋的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的厚度增厚，但由厚度帶來(lái)的袋的破損防止是有限度的。即是因?yàn)?，若過(guò)度增厚薄膜厚度，則在填充多晶硅粉碎物后，利用熱封封閉填充用的開(kāi)口時(shí)，基于熱封的熱熔接容易變得不充分，袋的密封性會(huì)降低。特別是，對(duì)于如角撐袋(gusset bag)那樣的在拼接處形成有折入的袋，在折入部的熱封變得不充分，密封性的降低大。另外，若形成袋的薄膜的厚度過(guò)厚，則還會(huì)產(chǎn)生如下問(wèn)題：將填充有多晶硅粉碎物的袋裝入到運(yùn)輸用盒中時(shí)，袋體積大，無(wú)法高效地捆包。

這樣，僅僅通過(guò)袋的厚度調(diào)整會(huì)產(chǎn)生密封性降低、捆包性等其它問(wèn)題，因此無(wú)法有效地防止由多晶硅粉碎物的熔點(diǎn)導(dǎo)致的袋的破損。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本實(shí)用新型授權(quán)第2561015號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種在由厚度薄、具體而言300μm以下的厚度的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜形成的袋中填充有Si粉碎物、有效地防止由該粉碎物導(dǎo)致的袋的破損的包裝體。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明人等為了解決上述問(wèn)題而反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下見(jiàn)解：將袋保持為以其填充用開(kāi)口為上方而正立的狀態(tài)、將Si粉碎物從該填充用開(kāi)口填充到該袋內(nèi)時(shí)，之后填充的Si粉碎物因強(qiáng)的壓力例如由人手壓入的力、若為機(jī)械填充時(shí)則為使Si粉碎物從上部落下時(shí)的基于重力加速度的力，而像楔子那樣壓入到之前填充的Si粉碎物間，從而構(gòu)成袋的薄膜在該部分大幅伸長(zhǎng)，在因該伸長(zhǎng)而變得更薄的部分容易發(fā)生由Si粉碎物導(dǎo)致的袋的破損。然后，基于該見(jiàn)解，為了限制該伸長(zhǎng)，通過(guò)調(diào)整Si粉碎物向袋內(nèi)的填充手段等，能夠防止袋的破損，完成了本發(fā)明。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種多晶硅包裝體，其在由平均厚度為300μm以下聚乙烯系樹(shù)脂薄膜形成的袋中填充有多晶硅粉碎物，所述多晶硅包裝體的特征在于，

前述袋在底部具有熱封接合部，按照在以該底部為接地面的正立的狀態(tài)下袋的最大伸長(zhǎng)率為5％以下的方式填充有前述多晶硅粉碎物。

在本發(fā)明的多晶硅包裝體中，適當(dāng)?shù)氖牵?/p>

(1)填充至該袋內(nèi)的多晶硅粉碎物的堆疊高度h與填充多晶硅粉碎物之前的前述袋的內(nèi)周長(zhǎng)L₁的比(h/L₁)為0.1以上，

(2)前述多晶硅粉碎物的平均最大片長(zhǎng)為5～150mm，

(3)形成前述袋的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜具有5N以上的刺穿強(qiáng)度(JIS-Z1707)。

另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種多晶硅雙重包裝體，其中，上述多晶硅包裝體被封入到由聚乙烯系樹(shù)脂薄膜形成的外袋中。

根據(jù)本發(fā)明，進(jìn)而提供一種多晶硅包裝體的制造方法，將多晶硅粉碎物填充至由平均厚度為300μm以下的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜形成的袋時(shí)，保持在以該底部為接地面、以其填充用開(kāi)口為上方而正立的狀態(tài)，按照袋的最大伸長(zhǎng)率不達(dá)到5％以上的方式從該填充用開(kāi)口填充多晶硅的粉碎物。

在所述制造方法中，理想的是，將前述袋插入至模具框架內(nèi)來(lái)填充多晶硅粉碎物，由此抑制在填充多晶硅粉碎物時(shí)的袋的伸長(zhǎng)。

發(fā)明的效果

本發(fā)明的多晶硅包裝體由于形成袋的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的厚度薄為300μm以下，因此有效地避免了由熱封不足導(dǎo)致的密封性的降低。

另外，盡管上述薄膜的厚度薄，但由多晶硅(Si)粉碎物的填充引起的袋的局部伸長(zhǎng)也被限制了，因此有效地避免了由袋的伸長(zhǎng)導(dǎo)致的薄膜的刺穿強(qiáng)度的降低，能夠有效防止袋在局部過(guò)度伸長(zhǎng)部分的破損、避免由袋的破損導(dǎo)致的Si粉碎物的污染、高度地保持其純度。

對(duì)于所述本發(fā)明的多晶硅包裝體，使用由刺穿強(qiáng)度高、耐針孔性?xún)?yōu)異的直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、特別是茂金屬催化劑系的LLDPE形成的袋時(shí)，帶來(lái)了最大的效果。是因?yàn)椋哼@種由LLDPE形成的薄膜雖然具有伸長(zhǎng)大的特性，但在本發(fā)明中，由于限制了由Si粉碎物的填充引起的袋的伸長(zhǎng)，因此能夠有效地利用其耐針孔性。

附圖說(shuō)明

圖1為示出本發(fā)明的多晶硅包裝體中使用的袋的代表性形態(tài)(平袋)的側(cè)面(圖1的(A))及A-A’截面(圖1的(B))的概略圖。

圖2為在袋內(nèi)填充有Si粉碎物的本發(fā)明的多晶硅包裝體的概略圖，其中，圖2的(A)為概略側(cè)面圖，圖2的(B)為圖2的(A)的B-B’截面的概略圖。

圖3為示出用于獲得本發(fā)明的多晶硅包裝體的多晶硅粉碎物向袋內(nèi)的填充方法的概略圖。

具體實(shí)施方式

參照示出本發(fā)明的多晶硅包裝體中使用的袋的圖1，對(duì)于由1表示整體的的袋，通過(guò)對(duì)聚乙烯系樹(shù)脂的薄膜進(jìn)行熱封，從而在下端部具有熱封接合部2，在其上端形成用于將Si粉碎物填充至袋1內(nèi)的填充用開(kāi)口3。

圖1所示的袋1具有所謂平袋的形態(tài)，例如通過(guò)對(duì)由擠出成形而形成的管狀的薄膜的一側(cè)端部(下端部)進(jìn)行熱封來(lái)制作。

當(dāng)然，所述袋1可以具有形成有拼接、并在該拼接的部分形成有折入的角撐袋那樣的形態(tài)，進(jìn)而，也可以通過(guò)不僅在上述的下端部(2)、還在兩側(cè)端部形成了熱封接合部的這種三邊密封形成。

但是，從填充大量的Si粉碎物的方面來(lái)看，適當(dāng)?shù)氖谴?具有平袋或角撐袋的形態(tài)。

如圖1的(B)所示，該袋1的空洞部的內(nèi)周長(zhǎng)用L₁表示。需要說(shuō)明的是，圖1的(B)中，雖然在圖的制作上以L(fǎng)₁為外周長(zhǎng)的方式進(jìn)行了記載，但該L₁表示內(nèi)周長(zhǎng)。

在本發(fā)明中，形成袋1的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的厚度必須為300μm以下，優(yōu)選為250μm以下。即，該薄膜的厚度過(guò)厚時(shí)，通過(guò)熱封封閉上述袋1的填充用開(kāi)口2時(shí)，有熱熔接變得不充分、袋1的密封性降低的擔(dān)心。另外，還會(huì)產(chǎn)生如下問(wèn)題：將填充Si粉碎物至袋1中、對(duì)上述開(kāi)口2熱封而得到的包裝體裝入瓦楞紙等運(yùn)輸用盒時(shí)，體積會(huì)大，會(huì)損害該包裝體的捆包性。

另外，若這樣的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的厚度過(guò)薄，則會(huì)產(chǎn)生難以將后述的伸長(zhǎng)率調(diào)整至規(guī)定的范圍、或者袋1的強(qiáng)度大幅降低等問(wèn)題，因此，通常為100μm以上，特別理想的是120μm。

在本發(fā)明中，作為形成上述薄膜的聚乙烯系樹(shù)脂，只要能夠成形為如上所述的厚度的薄膜，就沒(méi)有特別限制，例如可以為密度小于0.930g/cm³的低密度聚乙烯(LDPE)、密度為0.930g/cm³以上的高密度聚乙烯(HDPE)、密度處于0.910～0.925g/cm³的范圍的直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)等，它們也可以適當(dāng)混合來(lái)使用。另外，這些聚乙烯通常使用具有擠出級(jí)別的MFR、例如5g/10分鐘(190℃)以下的MFR的聚乙烯。

進(jìn)而，對(duì)于上述聚乙烯系樹(shù)脂的薄膜，在前述厚度的范圍內(nèi)，優(yōu)選的是根據(jù)JIS-Z1707測(cè)定的刺穿強(qiáng)度為5N以上、特別是在7N以上的范圍，由此，能夠確保優(yōu)異的耐針孔性。

另外，從以如上所述的薄的厚度獲得刺穿強(qiáng)度顯示出上述那樣高的值的薄膜的方面出發(fā)，最適的是所述薄膜由直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、特別是通過(guò)使用茂金屬系催化劑的聚合而得到的茂金屬直鏈低密度聚乙烯(茂金屬LLDPE)來(lái)制作。

即，低密度聚乙烯(LDPE)是以自由基引發(fā)劑為催化劑、在高壓(1000～4000個(gè)氣壓左右)、高溫(100～350℃左右)的環(huán)境下將乙烯聚合而得到的，也被稱(chēng)為高壓法聚乙烯。對(duì)于通過(guò)這樣的方法得到的LDPE，乙烯鏈含有長(zhǎng)鏈的支鏈，通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，會(huì)帶來(lái)密度的降低、柔軟性。與此相對(duì)，LLDPE是使重復(fù)單元的乙烯與若干量的多種α-烯烴(例如1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯等)共聚而得到的，隨機(jī)導(dǎo)入了短的支鏈，由此帶有密度的降低，但與LDPE相比，具有支鏈短、分子的直線(xiàn)性高的性質(zhì)。這樣的LLDPE的耐沖擊性、耐針孔性及密封性?xún)?yōu)異，特別是使用茂金屬催化劑而得到的LLDPE的分子量分布窄，顯示出更優(yōu)異的耐沖擊性、耐針孔性、密封性，對(duì)具有高的刺穿強(qiáng)度的薄膜的制作、為了通過(guò)熱封形成袋而使用的薄膜的制作也是有利的。

然而，如上所述的LLDPE制的薄膜、特別是茂金屬LLDPE制的薄膜雖然如上所述的特性?xún)?yōu)異，但具有非常容易伸長(zhǎng)的性質(zhì)，因此，存在如下問(wèn)題：由該薄膜制作袋1、填充Si粉碎物時(shí)的伸長(zhǎng)大、因伸長(zhǎng)而導(dǎo)致的薄壁化引起上述耐沖擊性、耐針孔性降低，但在本發(fā)明中，填充Si粉碎物時(shí)的伸長(zhǎng)被抑制，因此能夠充分發(fā)揮這樣的LLDPE薄膜的特性、有效地避免由Si粉碎物的填充導(dǎo)致的袋的破損。

另外，在本發(fā)明中，對(duì)于形成上述薄膜的聚乙烯系樹(shù)脂，從防止填充至袋1內(nèi)的Si粉碎物的污染的觀點(diǎn)出發(fā)，理想的是減少除樹(shù)脂成分以外的添加劑例如各種填充劑、抗氧化劑等添加劑、特別是金屬化合物的配混量，特別適當(dāng)?shù)氖?，最好不配混這樣的添加劑而僅由樹(shù)脂成分形成薄膜。

Si粉碎物通過(guò)填充用開(kāi)口3而被填充到由上述聚乙烯系樹(shù)脂的薄膜形成的圖1的袋1中。

Si粉碎物被填充至袋1內(nèi)后，根據(jù)需要通過(guò)熱封封閉填充用開(kāi)口3，由此得到具有圖2的(A)及圖2的(B)所示那樣的形態(tài)的本發(fā)明的多晶硅包裝體。在圖2的(A)及(B)中，通過(guò)利用熱封封閉填充用開(kāi)口3而形成的熱封接合部用3a表示、Si粉碎物用4表示、以及形成熱封接合部3a時(shí)存在的頂部空間(head space)(上方的空洞部)用5表示。

如上所述，推薦通過(guò)熱封封閉填充用開(kāi)口3，但例如在袋的未填充部分非常長(zhǎng)時(shí)，也可以通過(guò)將該部分彎折來(lái)進(jìn)行密封。

參照?qǐng)D2，對(duì)于本發(fā)明的多晶硅包裝體，將填充有Si粉碎物4的袋1保持為正立狀態(tài)時(shí)，即以熱封接合部2為底部、且熱封接合部3a為上端部的方式保持時(shí)，以袋1的最大伸長(zhǎng)率為5％以下、特別是3％以下的方式填充多晶硅粉碎物4。

該最大伸長(zhǎng)率通過(guò)下式來(lái)算出。

最大伸長(zhǎng)率(％)＝((L₂-L₁)/L₁)×100

式中，L₁表示在袋1中未填充Si粉碎物4的狀態(tài)下的袋1的空洞部的內(nèi)周長(zhǎng)(參照?qǐng)D1的(B))，

L₂表示，在填充有Si粉碎物4、通過(guò)熱封封閉填充用開(kāi)口3而形成有熱封接合部3a的狀態(tài)下的、在表示最大伸長(zhǎng)的部分(圖2的(B)的B-B’截面)的袋1的內(nèi)周長(zhǎng)。

即，在本發(fā)明中，最大伸長(zhǎng)率在上述范圍是指，由Si粉碎物4的填充導(dǎo)致的袋1的局部伸長(zhǎng)被大幅限制，其結(jié)果，有效地避免由該袋1(聚乙烯系樹(shù)脂薄膜)的伸長(zhǎng)導(dǎo)致的刺穿強(qiáng)度等特性降低、有效地防止由這樣的伸長(zhǎng)導(dǎo)致的袋的破損。

另外，在本發(fā)明中，對(duì)填充至袋1內(nèi)的Si粉碎物4的大小沒(méi)有特別限制，通常，在填充平均最大片長(zhǎng)5～150mm、特別是30～110mm大小的Si粉碎物4時(shí)，本發(fā)明最有效。

即，若將上述那樣大小的Si粉碎物4填充至袋1內(nèi)，則隨著Si粉碎物4的堆疊，會(huì)對(duì)袋1的外側(cè)附加應(yīng)力，若進(jìn)一步填充Si粉碎物4，則之后填充的Si粉碎物4被壓入之前填充的Si粉碎物4，被壓入之前填充并堆疊的Si粉碎物4之間，由此，袋1向外方向擴(kuò)張而伸長(zhǎng)。這樣的伸長(zhǎng)帶來(lái)刺穿強(qiáng)度、耐針孔性的降低等，由于填充時(shí)或者運(yùn)輸時(shí)的振動(dòng)等，容易發(fā)生被Si粉碎物4的尖角刺穿，容易帶來(lái)袋1的破損。然而，在本發(fā)明中，由于有效地抑制了這樣的填充時(shí)的伸長(zhǎng)，因此能夠有效地避免由袋1的伸長(zhǎng)導(dǎo)致的特性降低，能夠有效地避免由所述伸長(zhǎng)導(dǎo)致的破損。

與此相對(duì)，Si粉碎物4是對(duì)將通過(guò)西門(mén)子法制造的多晶硅棒進(jìn)行機(jī)械粉碎而得到的，雖然也存在比上述范圍大的物質(zhì)，但是這樣的大尺寸的Si粉碎物4往往分別被單獨(dú)包裝，在這樣的情況下，由于可以無(wú)視由袋1(聚乙烯樹(shù)脂系薄膜)的伸長(zhǎng)導(dǎo)致的破損的問(wèn)題，因此沒(méi)有應(yīng)用本發(fā)明的意義。

另外，在Si粉碎物4非常小的情況下，例如，在其平均最大片長(zhǎng)比上述范圍小的情況下，由于Si粉碎物4被密實(shí)地填充至袋1內(nèi)并堆疊，因此通過(guò)之后的Si粉碎物4的填充，該Si粉碎物4被壓入到之前填充的Si粉碎物4的堆疊物中的量極少，因此由之后的Si粉碎物的填充引起的伸長(zhǎng)較小。另外，由于對(duì)袋1的內(nèi)面均勻地施加壓力，因此也不易引起局部的伸長(zhǎng)。因此，也不怎么發(fā)生由Si粉碎物4的填充導(dǎo)致的袋1的破損。

這樣，本發(fā)明的多晶硅包裝體在填充有平均最大片長(zhǎng)處于上述范圍內(nèi)的Si粉碎物4的情況下發(fā)揮最優(yōu)異的效果。

進(jìn)而，對(duì)于本發(fā)明的多晶硅包裝體，理想的是，以填充至袋1內(nèi)的Si粉碎物的堆疊高度h相對(duì)于填充Si粉碎物4前的袋1的內(nèi)周長(zhǎng)L₁的比(h/L₁)為0.1以上的方式進(jìn)行設(shè)定。

即，通過(guò)將袋1的內(nèi)周長(zhǎng)L₁設(shè)定為較大、將袋1的高度設(shè)定為較小、例如以上述的比(H/L1)小的方式進(jìn)行設(shè)定，也能夠?qū)⒋?的最大伸長(zhǎng)設(shè)定在前述范圍。但是，對(duì)于這樣將袋1的內(nèi)周長(zhǎng)L₁設(shè)定為較大，該包裝體的設(shè)置空間會(huì)變得大到所需以上，將會(huì)發(fā)生需要所需以上的大的保管場(chǎng)所等不良情況。當(dāng)然，通過(guò)將多個(gè)包裝體疊放，能夠避免這樣的不良情況，但多個(gè)包裝體的疊放會(huì)更容易發(fā)生袋1的破損。

因此，在本發(fā)明中，適當(dāng)?shù)氖菍⒈?h/L₁)設(shè)定在上述范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，最適當(dāng)?shù)氖?，通過(guò)熱封封閉上端的填充用開(kāi)口3而形成熱封接合部3a，在這樣的情況下，在填充至袋1內(nèi)的Si粉碎物4的上面與熱封接合部3a之間通常存在頂部空間5。將比(h/L₁)設(shè)定在上述范圍內(nèi)時(shí)，這樣的頂部空間變?yōu)榈皆摯?的熱封接合部3a的總高度的20～90％的范圍。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于本發(fā)明的多晶硅包裝體，填充Si粉碎物4前的袋1的內(nèi)周長(zhǎng)L₁例如可以通過(guò)將上端部的熱封接合部2附近的頂部空間5的部分切斷，測(cè)定在該部分的內(nèi)周長(zhǎng)來(lái)容易地求出。是因?yàn)閷?duì)于該部分，形成袋1的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的伸長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上是零。另外，根據(jù)同樣的理由，可以通過(guò)切取該部分并測(cè)定刺穿強(qiáng)度來(lái)求出該包裝體的形成中使用的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜的刺穿強(qiáng)度。

另外，在本發(fā)明中，為了將在填充有Si粉碎物4的狀態(tài)下的袋1的最大伸長(zhǎng)設(shè)定在前述范圍，采用如下手段：以前述的比(h/L₁)為規(guī)定范圍內(nèi)的方式將Si粉碎物4的填充量、袋1的大小設(shè)定在適宜的范圍，并且以限制袋1的伸長(zhǎng)的方式填充Si粉碎物4。

具體而言，如圖3所示，只要將填充Si粉碎物4前的空的袋1容納在具有大于該袋的外周長(zhǎng)、且小于外周長(zhǎng)的5％的內(nèi)周長(zhǎng)的框體7的內(nèi)部，邊保持為正立的狀態(tài)，邊進(jìn)行Si粉碎物4的填充即可。即，由Si粉碎物4的填充導(dǎo)致的過(guò)度的變形被框體7抑制，因此有效地避免之后填充的Si粉碎物4被壓入之前填充的Si粉碎物4的堆疊物之間，由此，能夠抑制袋1的局部伸長(zhǎng)，能將最大伸長(zhǎng)設(shè)定在前述范圍內(nèi)。

在圖3中，框體7具有上部開(kāi)口的容器形狀的形態(tài)，當(dāng)然，也可以具有筒狀形狀，并載置在適當(dāng)?shù)幕稀?/p>

另外，從防止由Si粉碎物4的填充導(dǎo)致的變形的觀點(diǎn)出發(fā)，上述框體7的內(nèi)徑應(yīng)該具有接近空的袋1的外周長(zhǎng)的大小，例如，優(yōu)選為與袋1的外周長(zhǎng)相同、或者外周長(zhǎng)的1.05倍以下、特別是1.03倍以下的大小。

進(jìn)而，框體7只要具有能夠抑制由Si粉碎物4的填充導(dǎo)致的變形程度的剛性即可，進(jìn)而，從防止與Si粉碎物4的偶然接觸導(dǎo)致的Si粉碎物的金屬污染的觀點(diǎn)出發(fā)，適當(dāng)?shù)氖菫楹铣蓸?shù)脂制。

例如由聚乙烯系樹(shù)脂、聚丙烯系樹(shù)脂等聚烯烴樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、TEFLON(商品名)等形成框體7，為了確保適度的剛性，理想的是其厚度為1mm以上、優(yōu)選為1.5mm以上、更優(yōu)選為2mm以上。

另外，從防止Si粉碎物4的金屬污染的觀點(diǎn)出發(fā)，適當(dāng)?shù)氖巧鲜龊铣蓸?shù)脂不配混樹(shù)脂成分以外的添加劑。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于上述框體7，為了容易將填充Si粉碎物4后的袋1取出，適當(dāng)?shù)氖峭ㄟ^(guò)鉸鏈連結(jié)等預(yù)先使其側(cè)面能開(kāi)放。

如上所述那樣在袋1內(nèi)填充Si粉碎物后，將填充有Si粉碎物的袋1從該框體7中取出，將填充用開(kāi)口3適宜熱封，從而能夠得到本發(fā)明的多晶硅包裝體。

在這種情況下，將框體7的高度制成填充用開(kāi)口3會(huì)露出那樣的大小，也可以在袋1被容納在框體7內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行熱封。

如上所述那樣得到的本發(fā)明的多晶硅包裝體有效地抑制了在填充Si粉碎物4時(shí)的袋的伸長(zhǎng)。另外，這樣在以抑制伸長(zhǎng)的方式填充了Si粉碎物4后，袋1內(nèi)的Si粉碎物4的流動(dòng)性低，因此難以發(fā)生由袋1內(nèi)的Si粉碎物4的自重導(dǎo)致的袋1的伸長(zhǎng)。因此，如上所述，通過(guò)預(yù)先抑制Si粉碎物4的填充時(shí)的最大伸長(zhǎng)，在Si粉碎物4的填充時(shí)自不必說(shuō)，在其后的包裝體的保管或者運(yùn)輸時(shí)也能有效防止袋的破損、將Si粉碎物4保持為高純度。

另外，本發(fā)明的多晶硅包裝體也可以制成雙重結(jié)構(gòu)來(lái)使用。

即，也可以將上述本發(fā)明的多晶硅包裝體作為內(nèi)袋使用、將其容納于外袋內(nèi)而制成雙重包裝體來(lái)使用。

在這樣的雙重包裝體中，作為外袋，可以由與內(nèi)袋(本發(fā)明的多晶硅包裝體)同樣的聚乙烯樹(shù)脂薄膜形成，特別適當(dāng)?shù)氖?，?nèi)袋的聚乙烯樹(shù)脂系薄膜和外袋的聚乙烯系樹(shù)脂薄膜相互容易滑動(dòng)。

例如，通過(guò)以這些薄膜間的靜摩擦系數(shù)(JIS-K7125)為0.5以下的方式選擇聚乙烯系樹(shù)脂的種類(lèi)，即使內(nèi)袋被Si粉碎物4的角刺破，其力也難以直接傳到外袋上，能夠有效地防止外袋的破損。

另外，從確保這樣高的滑動(dòng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，適當(dāng)?shù)氖?，使用茂金屬LLDPE作為內(nèi)袋(本發(fā)明的多晶硅包裝體)、外袋的薄膜。

進(jìn)而，對(duì)于前述雙重包裝體，前述外袋和內(nèi)袋的平均厚度的總和為500μm以下時(shí)由于防止搬送時(shí)的包裝體的體積大而優(yōu)選。需要說(shuō)明的是，在上述方式中，各個(gè)袋的平均厚度也優(yōu)選超過(guò)100μm且為300μm以下。

[實(shí)施例]

以下，為了更具體地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明而示出實(shí)施例，但本發(fā)明不限定于所述實(shí)施例。

需要說(shuō)明的是，在實(shí)施例中，包裝體的破損率為通過(guò)以下的方法測(cè)定的值。

包裝體的破損率(％)；

將通過(guò)以規(guī)定的方法將Si粉碎物填充至袋內(nèi)并且將該袋的填充用開(kāi)口熱封而制作的多晶硅包裝體40個(gè)每5個(gè)袋地裝入到瓦楞紙箱中，在將緩沖材料插入到瓦楞紙箱內(nèi)的空間部分的狀態(tài)下，載置于輕型卡車(chē)的貨箱中，在普通道路上行駛200km后，將在該包裝體的填充用開(kāi)口的熱封接合部切斷，取出Si粉碎物，從切斷部向袋內(nèi)注入水，將出現(xiàn)噴出水的程度的孔者作為破損袋，將破損袋在40個(gè)中所占的比率作為包裝體的破損率(％)。

進(jìn)行3次該實(shí)驗(yàn)，求出平均的破損率(％)。

<實(shí)施例1、2>

準(zhǔn)備具有表1中示出的刺穿強(qiáng)度(JIS-Z1707)及平均厚度的茂金屬LLDPE的薄膜，用該薄膜制作表1中示出的內(nèi)周長(zhǎng)L₁及長(zhǎng)度(高度)的袋(平袋或角撐袋)。需要說(shuō)明的是，薄膜的制作中使用的茂金屬LLDPE的MFR(190℃)為2g/10分鐘。

需要說(shuō)明的是，袋的外周長(zhǎng)在平袋及角撐袋中實(shí)質(zhì)上與內(nèi)周長(zhǎng)L₁相同。

準(zhǔn)備由厚度約5mm的聚乙烯制的板狀體制成的框體(內(nèi)面周長(zhǎng)為956mm)，在該框體內(nèi)準(zhǔn)備上述袋，手動(dòng)將具有表1中示出的平均最大片長(zhǎng)的Si粉碎物10kg填充至該袋內(nèi)后，對(duì)該袋的填充用開(kāi)口進(jìn)行熱封。

對(duì)于所得的包裝體測(cè)定平均的破損率并示出其結(jié)果。

另外，對(duì)于每個(gè)破損率的測(cè)定實(shí)驗(yàn)中使用的包裝體，測(cè)定袋的最大外周長(zhǎng)，將其作為最大內(nèi)周長(zhǎng)L₂，算出其最大伸長(zhǎng)率并示于表1。

進(jìn)而，表1中一起示出對(duì)各袋測(cè)定的平均頂部空間比率、內(nèi)周長(zhǎng)L₁與Si粉碎物的堆疊高度的比(h/L₁)的平均值。

<比較例1>

不使用框體進(jìn)行Si粉碎物向袋內(nèi)的填充，除此以外，與實(shí)施例1同樣地操作來(lái)制作包裝體、進(jìn)行同樣的測(cè)定并將其結(jié)果示于表1。

[表1]

附圖標(biāo)記說(shuō)明

1：袋

2：下端的熱封接合部

3：填充用開(kāi)口

3a：填充用開(kāi)口的熱封接合部

4：多晶硅粉碎物

5：頂部空間

7：框體