本實用新型涉及一種承載盤，尤其是指一種承載晶片支撐件的承載盤及其與晶片支撐件的組合。
背景技術(shù)：
：晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓分割切成若干小晶片，不同的晶片進行組合封裝可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。這些小晶片通常需要特定的支撐結(jié)構(gòu)，目前的支撐組件通常包括支撐體、設(shè)置于支撐體表面的膠層，以及設(shè)在膠層表面的載帶。通過半沖切工藝將支撐體和膠層沖切成特定尺寸和形狀后，將支撐件從載帶上剝離，然后將支撐件放置在特定的承載盤上，以便于儲存和運輸。使用時利用吸盤將支撐件從承載盤上吸附取出，然后將其與晶片貼合。這種承載盤的用于承載支撐件的表面通常為平面，且所述平面與支撐件緊密貼合，因而在吸盤吸取時所需的剝離力量極大，導致剝離困難，且剝離時容易導致支撐件發(fā)生變形。因此，有必要設(shè)計一種新的承載盤及其與晶片支撐件的組合，以克服上述問題。技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的創(chuàng)作目的在于提供一種承載盤及其與晶片支撐件的組合，可降低承載盤與晶片支撐件之間的剝離力。為了達到上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案：一種承載盤，包括：一基部；一收容部，自所述基部向下延伸形成，所述收容部用于收容一晶片支撐件，所述收容部具有一底壁用于支撐晶片支撐件的底面，所述底壁與所述底面不平行。進一步，所述底壁為弧面。具體地，所述底壁呈上凸的球面或者下凹的球面?；蛘呖蛇x地，所述底壁為折面。本實用新型還提供一種晶片支撐件與承載盤的組合，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層以及位于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述膠層，所述底壁與所述膠層不平行?？蛇x地，所述底壁具有一貼合區(qū)與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述間隙位于所述貼合區(qū)的外圍。可選地，所述底壁具有一貼合區(qū)與所述膠層相貼合，所述膠層與底壁之間還具有一間隙，所述貼合區(qū)位于所述間隙的外圍。本實用新型還提供一種晶片支撐件與承載盤的組合，包括：一晶片支撐件，包括一不銹鋼層、設(shè)置于所述不銹鋼層下表面的一膠層，所述膠層用于黏合晶片；一離型膜，部分貼合于所述膠層的下表面；一承載盤，包括用于收容所述晶片支撐件的一收容部，所述收容部具有一底壁用于支撐所述離型膜，所述底壁與所述膠層不平行，且所述離型膜的整個下表面與所述底壁貼合。進一步，所述底壁呈弧面。所述離型膜的上下表面均呈弧面，且弧度與底壁的弧度匹配。所述離型膜的光面與所述膠層貼合，所述離型膜的粗面與所述底壁貼合?？蛇x地，所述離型膜具有一貼合區(qū)與所述膠層相貼合，所述膠層與離型膜之間還具有一間隙，所述間隙位于所述貼合區(qū)的外圍?？蛇x地，所述離型膜具有一貼合區(qū)與所述膠層相貼合，所述離型膜與底壁之間還具有一間隙，所述貼合區(qū)位于所述間隙的外圍。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過將承載盤用于支撐晶片支撐件的底壁設(shè)置為與晶片支撐件的底面不平行，從而實現(xiàn)底壁與底面發(fā)生局部分離，可減小底壁與晶片支撐件結(jié)合或者接觸的面積，達到有效降低剝離力的目的?！靖綀D說明】圖1為本實用新型的立體圖；圖2為本實用新型第一實施例的剖視圖；圖3為本實用新型第二實施例的剖視圖；圖4為本實用新型第三實施例的剖視圖；圖5為本實用新型第四實施例的剖視圖。具體實施方式的附圖標號說明：承載盤1基部10收容部11底壁110側(cè)壁111晶片支撐件2不銹鋼層20膠層21離型膜3貼合區(qū)A間隙B【具體實施方式】為便于更好的理解本實用新型的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步說明。如圖1所示，本實用新型的承載盤1，用于承載晶片支撐件2，所述承載盤1包括一基部10，以及自所述基部10向下延伸形成的多個收容部11(本圖示僅示意性畫出兩個)，所述收容部11用于收容晶片支撐件2。所述承載盤1由絕緣材料經(jīng)過熱壓形成。所述基部10呈水平的平板狀，收容部11則自基部10向下凹陷呈矩形。所述收容部11包括底壁110和連接底壁110與基部10的四個側(cè)壁111，所述側(cè)壁111均為與基部10相垂直的平面，而底壁110則為非平面。具體而言，所述底壁110可以為弧面，也可以為折面，當然也可以是規(guī)則或者不規(guī)則的曲面。如圖2所示，為本實用新型的第一實施例，所述底壁110呈上凸的球面，底壁110的中央?yún)^(qū)域向上凸起，底壁110沿豎直方向的任一截面均為弧形。本實施例中的晶片支撐件2，包括呈矩形的一不銹鋼層20以及位于所述不銹鋼層20下表面的一膠層21，所述膠層21用于黏合晶片(未圖示)。所述不銹鋼層20為平面，不銹鋼層20的下表面涂布黏膠形成所述膠層21，因而所述膠層21也呈平面。由于本實用新型的晶片支撐件2尺寸較小，其長寬大約10.33mm×9.73mm，不銹鋼層20的厚度大約0.05mm，因而不銹鋼層20本身可發(fā)生彎曲彈性形變。為防止生產(chǎn)和移動過程中灰塵沾染到膠層21，所述膠層21下表面還臨時貼合有一離型膜3，離型膜3的上表面為光面，下表面為粗面，且本實施例中，離型膜3的光面與膠層21臨時貼合。當利用吸盤將晶片支撐件2從載帶(未圖示)上吸取并放置到承載盤1的收容部11內(nèi)時，需要對晶片支撐件2施加向下的擠壓力。由于收容部11的底壁110呈上凸的球面，擠壓晶片支撐件2時會使得不銹鋼層20也發(fā)生彈性彎曲變形呈上凸的弧形，使得離型膜3的下表面即粗面貼合至底壁110，且離型膜3的整個下表面均與底壁110緊密貼合。當擠壓力撤銷后，不銹鋼層20由于自身的彈性會恢復成原來的平面狀，膠層21緊貼于不銹鋼層20上，由于離型膜3的光面是與膠層21貼合、粗面與底壁110貼合，離型膜3與底壁110之間的黏合力會大于離型膜3與膠層21之間的黏合力，此時離型膜3的下表面即粗面依然緊密貼合在底壁110，其上表面的中央部分與膠層21依然貼合，中央部分以外的整個一圈邊緣部分則與膠層21分離：所述離型膜3的上表面形成一貼合區(qū)A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與離型膜3之間還具有一間隙B，所述間隙B位于所述貼合區(qū)A的外圍。此時，所述離型膜3完全貼合在底壁110，離型膜3的上下表面均呈弧面，且弧度與底壁110的弧度匹配。后續(xù)利用吸盤將晶片支撐件2從承載盤1中吸取時，由于膠層21與離型膜3已經(jīng)發(fā)生局部分離,二者間接觸和結(jié)合面積減小，因而只需較小的吸取力量則可將晶片支撐件2吸起，同時離型膜3會留在承載盤1中。如圖3所示的第二實施例，其與第一實施例的不同之處在于：底壁110則呈下凹的球面。晶片支撐件2的置入過程與第一實施例類似，區(qū)別僅在于：晶片支撐件2置入后，離型膜3的下表面即粗面依然緊密貼合在底壁110，所述離型膜3的上表面形成一貼合區(qū)A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與離型膜3之間還具有一間隙B，所述貼合區(qū)A位于所述間隙B的外圍。亦即離型膜3上表面的中央部分與膠層21分離，中央部分以外的整個一圈邊緣部分與膠層21依然貼合。如圖4所示的第三實施例，其中承載盤1結(jié)構(gòu)與圖2所示第一實施例相同，不同之處在于，晶片支撐件2僅由不銹鋼層20和膠層21組成。本實施例中，由于晶片支撐件2下方未設(shè)置離型膜3或者在置入承載盤1中前離型膜3就已經(jīng)被剝除，可利用吸盤吸取晶片支撐件2，直接將其置放在收容部11中(無需施加向下的擠壓力)，膠層21即自動與底壁110貼合。類似地，本實施例中，晶片支撐件2放入收容部11后，由于底壁110為上凸的球面，不銹鋼層20一開始也會發(fā)生彈性彎曲變形呈上凸的弧形，但緊接著，不銹鋼層20會由于自身的彈性會恢復成原來的平面狀，膠層21緊貼于不銹鋼層20上，因而膠層21會與底壁110發(fā)生局部分離：所述底壁110具有一貼合區(qū)A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與底壁110之間還具有一間隙B，所述間隙B位于所述貼合區(qū)A的外圍。也就是說，底壁110的中央?yún)^(qū)域與膠層21貼合，邊緣區(qū)域則與膠層21發(fā)生局部分離。如此，同樣可降低晶片支撐件2從底壁110剝離的力量。如圖5所示的第四實施例，其與第三實施例基本相同，不同之處在于：底壁110為下凹的球面，對應的，晶片支撐件2放入收容部11后，所述底壁110具有一貼合區(qū)A與所述膠層21相貼合，所述膠層21與底壁110之間還具有一間隙B，所述貼合區(qū)A位于所述間隙B的外圍。本實施例中，底壁110的邊緣區(qū)域與膠層21貼合，中央?yún)^(qū)域則與膠層21發(fā)生局部分離。如此，同樣可降低晶片支撐件2從底壁110剝離的力量。上述實施例中，剝離力的大小和底壁110彎曲的弧度有相應的關(guān)系，在不更改材料的前提下，也可通過修改底壁110弧面的弧度(或者折面的夾角、曲面的曲率)來調(diào)節(jié)接觸區(qū)的范圍，從而控制剝離力的大小。當然，在其它實施例(未圖示)中，所述底壁110也可以為折面或者曲面，只要其與晶片支撐件2的底面不平行，使得底壁110或者離型膜3可與晶片支撐件2的膠層21可發(fā)生局部分離即可。通過修改底壁110折面的夾角、曲面的曲率來調(diào)節(jié)接觸區(qū)的范圍，從而控制剝離力的大小。綜上所述，本實用新型通過將承載盤1的底壁110設(shè)置為與晶片支撐件2的底面不平行，從而實現(xiàn)底壁110或者離型膜3與晶片支撐件2的底面發(fā)生局部分離，可減小底壁110或者離型膜3與晶片支撐件2結(jié)合或者接觸的面積，達到有效降低剝離力的目的。以上詳細說明僅為本實用新型之較佳實施例的說明，非因此局限本實用新型之專利范圍，所以，凡運用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為之等效技術(shù)變化，均包含于本創(chuàng)作之專利范圍內(nèi)。當前第1頁1 2 3