本發(fā)明涉及一種滾軋件、導(dǎo)光組件及制造該導(dǎo)光組件的方法，并且特別是關(guān)于能制造具有高導(dǎo)引出光量導(dǎo)光組件的滾軋件、利用該滾軋件制造的導(dǎo)光組件及制造該導(dǎo)光組件的方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光鍵盤內(nèi)的背光源、液晶顯示器內(nèi)的背光源，甚至照明設(shè)備里皆需裝設(shè)導(dǎo)光組件，例如，增亮膜、擴(kuò)散膜，或?qū)⒐饩€導(dǎo)引至特定位置的導(dǎo)光組件等。

現(xiàn)行不少導(dǎo)光組件已利用卷對(duì)卷成型制程(roll-to-rollprocess)來制造。因?yàn)?，卷?duì)卷成型制程具有較高的生產(chǎn)效率已及較低的生產(chǎn)成本，所以逐漸被用于導(dǎo)光組件的大量制造。卷對(duì)卷成型制程是將可撓性基材(或者薄膜)，從圓筒狀的卷料卷出之后，藉由表面具有微結(jié)構(gòu)的滾軋件在可撓性上基材(或者薄膜)的表面的預(yù)位置上進(jìn)行加工形成預(yù)設(shè)的微結(jié)構(gòu)。然后，再裁切已經(jīng)滾軋的可撓性基材，進(jìn)而獲得具有導(dǎo)光微結(jié)構(gòu)的導(dǎo)光組件。

然而，在滾軋件上形成相對(duì)應(yīng)的微結(jié)構(gòu)一般是藉由機(jī)械切削、蝕刻等傳統(tǒng)加工技術(shù)來形成。采用這些傳統(tǒng)的加工技術(shù)所制造的滾軋件，進(jìn)而制造的導(dǎo)光組件其導(dǎo)引出光量仍有改進(jìn)空間。此外，采用這些傳統(tǒng)的加工技術(shù)，若在滾軋件上形成相對(duì)應(yīng)的微結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜的話，加工過程較為復(fù)雜，并且成本較高。并且，若僅在滾軋件上的若干位置上(非全面性分布)形成相對(duì)應(yīng)的微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的加工技術(shù)在對(duì)位上也不夠精準(zhǔn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為改善上述滾軋件在生產(chǎn)中的精度問題，本發(fā)明提供一種滾軋件。

上述的滾軋件包括：

圓柱體，具有外圓周面；以及

金屬薄板，具有結(jié)合表面、與該結(jié)合表面相對(duì)的工作表面以及形成在該工作表面上的至少一個(gè)孔洞，該至少一個(gè)孔洞中的每一個(gè)孔洞具有緊鄰其開口邊緣的環(huán)狀凸出平臺(tái)，其中每一個(gè)該環(huán)狀凸出平臺(tái)的橫截面為第一近似梯形或第一近似三角形，該第一近似梯形的形狀近似于梯形，該第一近似三角形的形狀近似于三角形，該金屬薄板以該結(jié)合表面結(jié)合在該圓柱體的該外圓周面上，致使該工作表面朝外。

作為可選的技術(shù)方案，每一個(gè)該環(huán)狀凸出平臺(tái)具有粗糙的平臺(tái)表面、粗糙的外環(huán)邊緣表面以及粗糙的內(nèi)環(huán)邊緣表面。

作為可選的技術(shù)方案，該每一個(gè)孔洞以及緊鄰該每一個(gè)孔洞的環(huán)狀凸出平臺(tái)以激光束照射的方式一次同時(shí)成型。

作為可選的技術(shù)方案，該滾軋件還包括兩個(gè)固定部件，該兩個(gè)固定部件分別固定在該圓柱體的兩個(gè)端面上。

本發(fā)明還提供一種制造導(dǎo)光組件的方法，該方法包括：

制備高分子基材，該高分子基材具有成型表面；

加熱該高分子基材以及如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的滾軋件中的至少其中一個(gè)；以及

以該滾軋件滾軋?jiān)摳叻肿踊牡脑摮尚捅砻妫率乖摳叻肿踊牡脑摮尚捅砻嫔闲纬蓪?duì)應(yīng)該至少一個(gè)孔洞的至少一個(gè)環(huán)狀凹槽，其中每一個(gè)環(huán)狀凹槽的橫截面為對(duì)應(yīng)該第一近似梯形的第二近似梯形或該每一個(gè)環(huán)狀凹槽的橫截面為對(duì)應(yīng)該第一近似三角形的第二近似三角形。

作為可選的技術(shù)方案，每一個(gè)環(huán)狀凹槽具有粗糙的外環(huán)壁表面以及粗糙的內(nèi)環(huán)壁表面。

作為可選的技術(shù)方案，每一個(gè)環(huán)狀凹槽具有外環(huán)、內(nèi)環(huán)以及深度，該外環(huán)的外徑的范圍為70～100μm，該內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為30～60μm，該深度的范圍為3～7μm；或者，該外環(huán)的外徑的范圍為50～80μm，該內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為20～50μm，該深度的范圍為3～6μm。

本發(fā)明還提供一種導(dǎo)光組件，該導(dǎo)光組件包含：

高分子基材，具有成型表面以及至少一個(gè)的環(huán)狀凹槽，其中每一個(gè)環(huán)狀凹槽的橫截面為近似梯形或近似三角形。

作為可選的技術(shù)方案，每一個(gè)環(huán)狀凹槽具有粗糙的外環(huán)壁表面以及粗糙的內(nèi)環(huán)壁表面。

作為可選的技術(shù)方案，每一個(gè)環(huán)狀凹槽具有外環(huán)、內(nèi)環(huán)以及深度，該外環(huán)的外徑的范圍為70～100μm，該內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為30～60μm，該深度的范圍為3～7μm；或者，該外環(huán)的外徑的范圍為50～80μm，該內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為20～50μm，該深度的范圍為3～6μm。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的滾軋件所制造的導(dǎo)光組件具有高導(dǎo)引出光量。并且，藉由本發(fā)明的滾軋件制造導(dǎo)光組件在制造上具有對(duì)位準(zhǔn)、精度高、效率高及成本低的優(yōu)點(diǎn)。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明滾軋件的一實(shí)施例的組件分解外觀視圖；

圖2為圖1中滾軋件的組件結(jié)合外觀視圖；

圖3為圖1中滾軋件的金屬薄板的一實(shí)施例的沿a-a線的剖面視圖；

圖4為圖1中滾軋件的金屬薄板的另一實(shí)施例的沿a-a線的剖面視圖；

圖5為本發(fā)明制造導(dǎo)光組件的方法的過程示意圖；

圖6為本發(fā)明導(dǎo)光組件的一實(shí)施例的外觀視圖；

圖7為圖6中導(dǎo)光組件的一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖；

圖8為圖6中導(dǎo)光組件的另一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖；

圖9為圖6中導(dǎo)光組件的另一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖。

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明滾軋件的一實(shí)施例的組件分解外觀視圖，圖2為圖1中滾軋件的組件結(jié)合外觀視圖，圖3為圖1中滾軋件的金屬薄板的一實(shí)施例的沿a-a線的剖面視圖，圖4為圖1中滾軋件的金屬薄板的另一實(shí)施例的沿a-a線的剖面視圖。請(qǐng)一并參照?qǐng)D1至圖4，如圖1所示，滾軋件1包含圓柱體10以及金屬薄板12。圓柱體10具有外圓周面102。

金屬薄板12具有結(jié)合表面122、與結(jié)合表面122相對(duì)的工作表面124以及形成在工作表面124上的至少一個(gè)孔洞126。每一個(gè)孔洞126具有緊鄰其本身的開口1262邊緣的環(huán)狀凸出平臺(tái)1264。每一個(gè)環(huán)狀凸出平臺(tái)1264的橫截面成第一近似梯形或第一近似三角形，第一近似梯形的形狀近似于梯形，第一近似三角形的形狀近似于三角形。如圖3所示，每一個(gè)環(huán)狀凸出平臺(tái)1264的橫截面成第一近似梯形。如圖4所示，每一個(gè)環(huán)狀凸出平臺(tái)1264的橫截面成第一近似三角形。

于一實(shí)施例中，金屬薄板12可以采用金屬來制成，例如，鋁、銅、鋅、鎳、鐵、鈦、鈷中的任意一種等，或者上述金屬中任一種的合金或不銹鋼來制成。

如圖2所示，金屬薄板12以本身的結(jié)合表面122結(jié)合在圓柱體10的外圓周面102上，致使金屬薄板12的工作表面124朝外。

于實(shí)際應(yīng)用中，若滾軋件1用來制造增亮膜、擴(kuò)散膜等導(dǎo)光組件，可在金屬薄板12的工作表面124上形成均勻分布的數(shù)量較多的孔洞126。若滾軋件1用來制造發(fā)光鍵盤內(nèi)的背光源里的導(dǎo)光組件，如圖1、圖2所示，可在金屬薄板12的工作表面124上的特定位置形成孔洞126，并且孔洞126大多不會(huì)均勻分布。

進(jìn)一步地，如圖1、圖2所示，滾軋件1還包含兩個(gè)固定部件(14a、14b)。兩個(gè)固定部件(14a、14b)分別固定在圓柱體10的兩個(gè)端面(104、106)上。

請(qǐng)參閱圖3，于一實(shí)施例中，每一個(gè)環(huán)狀凸出平臺(tái)1264具有粗糙的平臺(tái)表面1265、粗糙的外環(huán)邊緣表面1266以及粗糙的內(nèi)環(huán)邊緣表面1268。而圖4所示的環(huán)狀凸出平臺(tái)1264則沒有粗糙的平臺(tái)表面1265。

于一實(shí)施例中，特別地，每一個(gè)孔洞126以及其緊鄰的環(huán)狀凸出平臺(tái)1264可以以激光束照射一次同時(shí)形成，即每一個(gè)孔洞126及對(duì)應(yīng)的環(huán)狀凸出平臺(tái)1264可一次同時(shí)成型。利用激光束來形成孔洞126以及緊鄰的環(huán)狀凸出平臺(tái)1264，對(duì)于后續(xù)利用滾軋件1制造導(dǎo)光組件在制造上可以達(dá)成對(duì)位準(zhǔn)、精度高、效率高以及成本低的目標(biāo)。

圖5為本發(fā)明制造導(dǎo)光組件的方法的過程示意圖。請(qǐng)參閱圖5，首先，制備高分子基材20，其中高分子基材20具有成型表面202以及與成型表面202相對(duì)的背表面201。

接著，同樣如圖5所示，加熱高分子基材20與滾軋件1中的至少其中之一。

最后，滾軋件1滾軋高分子基材20的成型表面202，致使高分子基材20的成型表面202上形成對(duì)應(yīng)至少一個(gè)孔洞126的至少一個(gè)環(huán)狀凹槽204，其中每一個(gè)環(huán)狀凹槽204的橫截面成對(duì)應(yīng)第一近似梯形的第二近似梯形或?qū)?yīng)第一近似三角形的第二近似三角形。

于本實(shí)施例中，制造導(dǎo)光組件2的方法可以采用卷對(duì)卷成型制程的方式來進(jìn)行。

圖6為本發(fā)明導(dǎo)光組件的一實(shí)施例的外觀視圖。請(qǐng)一并參照?qǐng)D5、圖6，若用來制造本發(fā)明的導(dǎo)光組件2的高分子基材20為圓筒狀的卷料，經(jīng)滾軋的高分子基材20還須經(jīng)裁剪才能獲得如圖6所示的導(dǎo)光組件2。

如圖6所示，導(dǎo)光組件2包含高分子基材20。高分子基材20具有成型表面202、與成型表面202相對(duì)的背表面201以及至少一個(gè)環(huán)狀凹槽204，至少一個(gè)環(huán)狀凹槽204形成于成型表面202上。每一個(gè)環(huán)狀凹槽204對(duì)應(yīng)滾軋件1上的一個(gè)孔洞126。而環(huán)狀凹槽204的橫截面的形狀可近似于梯形或者三角形，例如，圖7為圖6中導(dǎo)光組件的一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖，如圖7所示，每一個(gè)環(huán)狀凹槽204其橫截面成對(duì)應(yīng)第一近似梯形的第二近似梯形；再例如，圖8為圖6中導(dǎo)光組件的另一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖，如圖8所示，每一個(gè)環(huán)狀凹槽204的橫截面成對(duì)應(yīng)第一近似三角形的第二近似三角形。如圖7及圖8所示，每一個(gè)環(huán)狀凹槽204的功用是將高分子基材20內(nèi)傳輸且射向該個(gè)環(huán)狀凹槽204的光線導(dǎo)引至對(duì)應(yīng)的位置。于圖7及圖8中，射向背表面201的光線被背表面201反射至環(huán)狀凹槽204，再由環(huán)狀凹槽204將光線導(dǎo)引至對(duì)應(yīng)的位置。圖9為圖6中導(dǎo)光組件的另一實(shí)施例的沿b-b線的剖面視圖，圖9所示的導(dǎo)光組件2的光學(xué)設(shè)計(jì)以及環(huán)狀凹槽204的功用與圖7及圖8所示的不同。于圖9中，射向環(huán)狀凹槽204的光線被環(huán)狀凹槽204反射至背表面201，再從背表面201射出。

于一實(shí)施例中，如圖7所示，每一個(gè)環(huán)狀凹槽204具有粗糙的底表面205、粗糙的外環(huán)壁表面206以及粗糙的內(nèi)環(huán)壁表面208。圖8所示的環(huán)狀凹槽204則沒有粗糙的底表面205。藉由粗糙的底表面205、粗糙的外環(huán)壁表面206以及粗糙的內(nèi)環(huán)壁表面208，能使得射向每一個(gè)環(huán)狀凹槽204的光線反射率下降，因此，本發(fā)明的導(dǎo)光組件2具有高導(dǎo)引出光量。

于一實(shí)施例中，每一個(gè)橫截面為近似梯形的環(huán)狀凹槽204具有外環(huán)、內(nèi)環(huán)以及深度。外環(huán)的外徑的范圍為70～100μm。內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為30～60μm。深度的范圍為3～7μm。

于另一實(shí)施例中，每一個(gè)橫截面為近似三角形的環(huán)狀凹槽204具有外環(huán)、內(nèi)環(huán)以及深度。外環(huán)的外徑的范圍為50～80μm。內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的范圍為20～50μm。深度的范圍為3～6μm。

于一實(shí)施例中，高分子基材20可以是由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯或其它類似的商用高分子材料所形成。

綜上所述，本發(fā)明的滾軋件所制造的導(dǎo)光組件具有高導(dǎo)引出光量。并且，藉由本發(fā)明的滾軋件制造導(dǎo)光組件在制造上具有對(duì)位準(zhǔn)、精度高、效率高及成本低的優(yōu)點(diǎn)。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。