1.一種用于確定層(100)的溫度曲線(t)的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法，所述層是對(duì)象(10)的橫截面，所述方法借助用于基于粉末的增材制造工藝的激光束或電子束來(lái)選擇性地固化所述層(100)，所述方法包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述位置相關(guān)的熱阻(rth)被確定作為取決于局部深度(lt)的第一參數(shù)函數(shù)(fl)，和/或所述位置相關(guān)的特定的熱容量(cth)被確定作為取決于局部深度(lt)的第二參數(shù)函數(shù)(fd)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述模型(210)借助在時(shí)間相關(guān)和位置相關(guān)的熱傳導(dǎo)方程中的第一源項(xiàng)(qn)來(lái)考慮進(jìn)入位于所述層(100)之下的所述部分(10’)中的熱損耗。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一源項(xiàng)(qn)通過(guò)第一參數(shù)函數(shù)(fl)考慮所述熱阻的位置相關(guān)的表層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其中，所述第一源項(xiàng)(qn)通過(guò)第二參數(shù)函數(shù)(fd)考慮所述熱容量(cth)的位置相關(guān)的表層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4和5所述的方法，其中，所述第二參數(shù)函數(shù)(fd)是用于所述位置相關(guān)的特定的熱容量和所述位置相關(guān)的熱阻的位置相關(guān)的復(fù)值的熱阻抗表層的虛數(shù)部分，并且所述第一參數(shù)函數(shù)(fl)是實(shí)數(shù)部分。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述模型(210)基于所述暴露向量(v1，vn)通過(guò)在時(shí)間相關(guān)和位置相關(guān)的熱傳導(dǎo)方程中的第二源項(xiàng)(ql)來(lái)考慮通過(guò)所述激光束或電子束進(jìn)入所述層(100)中的熱耦合。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述位置相關(guān)的特定的熱容量(cth)和/或所述位置相關(guān)的熱阻(rth)各自被限定為在能限定的節(jié)點(diǎn)(n1，nn)處的離散值和/或在橫截面上的連續(xù)函數(shù)。
9.一種用于確定取決于局部深度(lt)的參數(shù)函數(shù)(fd，fl)的方法，所述局部深度用于層(100)的模型(210)，所述模型用于根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述模型(210)將對(duì)象(10)的位于所述層(100)之下的部分(10’)以位置相關(guān)的特定的熱容量(cth)和位置相關(guān)的熱阻(rth)的形式進(jìn)行考慮，所述方法包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述參數(shù)函數(shù)(fd，fl)從足夠大的局部深度(lt)朝向所述開(kāi)始參數(shù)收斂。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其中，針對(duì)朝向0收斂的局部深度(lt)，所述第二參數(shù)函數(shù)(fd)朝向比第二開(kāi)始參數(shù)更小的值收斂，并且所述第一參數(shù)函數(shù)(fl)朝向比第一開(kāi)始參數(shù)更大的值收斂。
12.根據(jù)權(quán)利要求9、10或11所述的方法，其中，所述參數(shù)函數(shù)(fd，
13.一種用于驗(yàn)證暴露向量(v1，…，vn)的方法，所述方法借助用于基于粉末的增材制造工藝的激光束或電子束來(lái)選擇性地固化對(duì)象(10)的層(100)，所述方法包括以下步驟：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，將在極限溫度之上的溫度(t)的持續(xù)時(shí)間用作標(biāo)準(zhǔn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其中，將絕對(duì)最大溫度用作標(biāo)準(zhǔn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13、14或15所述的方法，其中，將在溫度之上的最大面積用作標(biāo)準(zhǔn)，所述最大面積特別是熔池的最大尺寸。
17.一種借助根據(jù)基于粉末的增材制造工藝的激光束或電子束來(lái)選擇性地固化對(duì)象(10)的層(100)的方法，所述方法包括以下步驟：