1.一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于：聚酯原料先依次經(jīng)結(jié)晶、除塵、干燥，再經(jīng)熔融擠出機(jī)熔融擠出后進(jìn)入粗過濾器，粗過濾后的聚酯熔體先進(jìn)入脫揮裝置進(jìn)行脫揮，脫揮后的聚酯熔體再依次進(jìn)入計(jì)量擠出機(jī)和精過濾器，精過濾后的聚酯熔體經(jīng)過熔體管進(jìn)入模頭，從模頭擠出后經(jīng)過鑄片輥冷卻形成厚片，之后厚片依次經(jīng)過縱向拉伸、橫向拉伸、熱定型和牽引收卷的工序，制得耐高溫低析出聚酯薄膜；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，上板狀電極表面包覆有上板狀電極保護(hù)層，下板狀電極表面包覆有下板狀電極保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，殼體的材質(zhì)為氧化鋯或氮化硼，殼體內(nèi)表面的粗糙度rz為1μm以下；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，聚酯原料為膜級(jí)聚酯切片與二氧化硅母粒切片，膜級(jí)聚酯切片與二氧化硅母粒切片的質(zhì)量比為9:1；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，結(jié)晶是指在流化床中于170～175℃沸騰處理5min；
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，熔融擠出溫度為275～285℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，粗過濾器的過濾精度為20μm，精過濾器的過濾精度為10μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，脫揮裝置內(nèi)的真空度為-70kpa以下，粗過濾后的聚酯熔體在脫揮裝置中的停留時(shí)間為5min以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，耐高溫低析出聚酯薄膜中分子量在12000以下的低分子含量為0.2wt‰以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種耐高溫低析出聚酯薄膜的制備方法，其特征在于，耐高溫低析出聚酯薄膜內(nèi)部每10000m2焦料點(diǎn)缺為10個(gè)以下。