本實(shí)用新型涉及一種點(diǎn)煙器，特別是指其點(diǎn)火方式是通過(guò)產(chǎn)生電弧的方式實(shí)現(xiàn)點(diǎn)火的點(diǎn)煙器。

背景技術(shù)：

市場(chǎng)的點(diǎn)煙器（在很多時(shí)候稱為打火機(jī)）以點(diǎn)火出現(xiàn)的形式分為以下幾種：1、明火點(diǎn)煙器，2防風(fēng)火點(diǎn)煙器，3、電熱絲點(diǎn)煙器；第一種和第二種點(diǎn)煙器比較常見(jiàn)，但是由于這兩種需要燃燒氣體，所以存在安全隱患，另外充氣也比較麻煩；第三種出現(xiàn)相對(duì)比較少，其中主要問(wèn)題是電熱絲瓷杯很難有好的結(jié)構(gòu)、體積比較大，安裝更換不方便，另外電熱絲經(jīng)常要和被燃物體接觸，很容易損壞。

目前，有一種與本實(shí)用新型接近的電弧點(diǎn)煙器專利，該專利的專利號(hào)為：201320475421.0的《充電式雙保險(xiǎn)電弧打火機(jī)》，該電弧打火機(jī)存的主要問(wèn)題是產(chǎn)生的電弧是一條細(xì)線，如圖1所示，這樣在點(diǎn)火的時(shí)候非常不方便，在點(diǎn)煙的時(shí)候會(huì)使煙以便點(diǎn)著，一邊未點(diǎn)著。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種結(jié)構(gòu)合理，點(diǎn)火時(shí)使電弧成立體形形狀出現(xiàn)的電弧點(diǎn)煙器。

實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：一種電弧點(diǎn)煙器，其特征在于：包括有電源、單片機(jī)、MOS管和高壓包，其中電源對(duì)單片機(jī)供電，單片機(jī)的輸出連接在MOS管的柵極上，MOS管的漏極連接在高壓包的初級(jí)線圈，高壓包初級(jí)線圈另一端接電源，MOS管的源及接地，其中MOS管的工作電流為3A-6A，工作電壓為60-100V。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步設(shè)置是：所述高壓包的初次端線圈匝數(shù)比在1:60-1:100之間，高壓包初級(jí)線圈的電感量為22-32H,所述電源的倍率在20C以上。

本實(shí)用新型的再進(jìn)一步設(shè)置是：所述MOS管至少設(shè)置有兩組，各MOS管并聯(lián)設(shè)置。

本實(shí)用新型的進(jìn)一步設(shè)置是：所述單片機(jī)輸出信號(hào)為矩形波，該矩形波的占空比為2:1-4:1。

通過(guò)采用上述方案，使該電弧點(diǎn)煙器產(chǎn)生的電弧為立體形狀，通常為球形，這樣其點(diǎn)火的面積比較大，又由于電弧產(chǎn)生的穩(wěn)定非常高，這樣點(diǎn)火效果非常好，特別是點(diǎn)雪茄等比較粗的香煙具有很大的優(yōu)勢(shì)。

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

附圖說(shuō)明

圖1為背景技術(shù)中電弧打火機(jī)產(chǎn)生的電弧形狀；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1的電路示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1的效果圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖2—3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例一、一種電弧點(diǎn)煙器，包括有電源1、單片機(jī)2、MOS管3和高壓包4，其中電源1對(duì)單片機(jī)2供電，單片機(jī)2的輸出連接在MOS管3的柵極上，MOS管3的漏極連接在高壓包4的初級(jí)線圈，高壓包4初級(jí)線圈另一端接電源，MOS管3的源及接地，其中MOS管3為NPNMOS管3，其工作電流為3-6A，工作電壓為60-100V。所述高壓包4的初次端線圈匝數(shù)比為1:60，高壓包4初級(jí)線圈的電感量為22H，所述電源1的倍率為20C。所述單片機(jī)2輸出信號(hào)為矩形波，該矩形波的占空比為2:1，產(chǎn)生如圖3所述球形電弧。

實(shí)施一改變參數(shù)后的具體情況，一種電弧點(diǎn)煙器，包括有電源1、單片機(jī)2、MOS管3和高壓包4，其中電源1對(duì)單片機(jī)2供電，單片機(jī)2的輸出連接在MOS管3的柵極上，MOS管3的漏極連接在高壓包4的初級(jí)線圈，高壓包4初級(jí)線圈另一端接電源，MOS管3的源及接地，其中MOS管3為NPNMOS管3，其工作電流為3-6A，工作電壓為60-100V。所述高壓包4的初次端線圈匝數(shù)比在1:80之間，高壓包4初級(jí)線圈的電感量為27H，所述電源1的倍率為25C。所述單片機(jī)2輸出信號(hào)為矩形波，該矩形波的占空比為3:1，產(chǎn)生如圖3所述球形電弧。

實(shí)施一改變參數(shù)后的具體情況，一種電弧點(diǎn)煙器，包括有電源1、單片機(jī)2、MOS管3和高壓包4，其中電源1對(duì)單片機(jī)2供電，單片機(jī)2的輸出連接在MOS管3的柵極上，MOS管3的漏極連接在高壓包4的初級(jí)線圈，高壓包4初級(jí)線圈另一端接電源，MOS管3的源及接地，其中MOS管3為NPNMOS管3，其工作電流為3-6A，工作電壓為60-100V。所述高壓包4的初次端線圈匝數(shù)比在1:100之間，高壓包4初級(jí)線圈的電感量為32H，所述電源1的倍率為30C。所述單片機(jī)2輸出信號(hào)為矩形波，該矩形波的占空比為4:1，產(chǎn)生如圖3所述球形電弧。

如圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例二、一種電弧點(diǎn)煙器，包括有電源1、單片機(jī)2、MOS管3和高壓包4，其中電源1對(duì)單片機(jī)2供電，單片機(jī)2的輸出連接在MOS管3的柵極上，所述MOS管3為NPNMOS管3設(shè)置有兩組，兩MOS管3并聯(lián)設(shè)置，MOS管3的漏極連接在高壓包4的初級(jí)線圈，高壓包4初級(jí)線圈另一端接電源1，MOS管3的源及接地，其中MOS管3的工作電流為3A-6A，工作電壓為80-120V。所述高壓包4的初次端線圈匝數(shù)比在1:60-1:100之間，高壓包4初級(jí)線圈的電感量為22-32H，所述電源1的倍率在20C以上。所述單片機(jī)2輸出信號(hào)為矩形波，該矩形波的占空比為2:1-5:1。

最后我們要說(shuō)明的是，在實(shí)際做產(chǎn)品的時(shí)候我們可以在上述電路中增加功能，如充電電路、發(fā)光電路等，但是這種只是附加功能，其產(chǎn)生立體形電弧還必須滿足上述基本電路的條件。