本發(fā)明涉及微波技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種微波爐空載檢測(cè)方法、微波爐空載檢測(cè)設(shè)備、以及包含該微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的微波爐。

背景技術(shù)：

微波是一種電磁波，微波爐是一種用微波加熱食品的現(xiàn)代化烹調(diào)灶具。微波爐由電源、磁控管、控制電路和烹調(diào)腔等部分組成。電源向磁控管提供大約4000伏高壓，磁控管在電源激勵(lì)下，連續(xù)產(chǎn)生微波，再經(jīng)過(guò)波導(dǎo)系統(tǒng)，耦合到烹調(diào)腔內(nèi)。在烹調(diào)腔的進(jìn)口處附近，有一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的攪拌器，因?yàn)閿嚢杵魇秋L(fēng)扇狀的金屬，旋轉(zhuǎn)起來(lái)以后對(duì)微波具有各個(gè)方向的反射，所以能夠把微波能量均勻地分布在烹調(diào)腔內(nèi)，從而加熱食物。微波爐的功率范圍一般為500～1000瓦。

現(xiàn)有微波爐大多少是通過(guò)傳感器檢測(cè)腔體中的溫度、濕度或重量變化，然后判斷出腔體中是否有負(fù)載。例如，中國(guó)專利CN103542437B公開(kāi)了一種防空載微波爐及其檢測(cè)方法，防空載微波爐包括爐腔和固設(shè)在爐腔內(nèi)頂部的溫度感測(cè)裝置，溫度感測(cè)裝置包括金屬探頭和設(shè)在金屬探頭內(nèi)的熱敏電阻。該方案通過(guò)基于溫度實(shí)現(xiàn)了對(duì)微波爐運(yùn)轉(zhuǎn)過(guò)程的判斷。

本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的上述方案僅能夠間接地判斷出微波爐內(nèi)是否有負(fù)載，在某些特殊情況下，檢測(cè)結(jié)果并不夠準(zhǔn)確。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種微波爐空載檢測(cè)方法、微波爐空載檢測(cè)設(shè)備、以及包含該微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的微波爐，其可直接對(duì)入射和反射的微波信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，使得空載檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種微波爐空載檢測(cè)方法，該方法包括：檢測(cè)所述微波爐的微波源的入射功率；檢測(cè)所述微波爐的微波源的反射功率；以及根據(jù)所述入射功率及反射功率，確定所述微波爐是否空載。

可選的，所述微波爐包含一個(gè)或多個(gè)微波源。

可選的，在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值且所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值的情況下，確定所述微波爐空載。

可選的，在所述微波爐處于工作狀態(tài)且不滿足所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值的情況下，發(fā)出微波爐故障的信號(hào)。

可選的，在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值、所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值、且大于所述反射功率閾值的持續(xù)時(shí)間大于預(yù)定時(shí)間的情況下，確定所述微波爐空載。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種用于微波爐的空載檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備包括：入射功率檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)所述微波爐的微波源的入射功率；反射功率檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)所述微波爐的微波源的反射功率；以及判斷裝置，用于根據(jù)所述入射功率及反射功率，確定所述微波爐是否空載。

可選的，所述微波爐包含一個(gè)或多個(gè)微波源。

可選的，在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值且所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值的情況下，確定所述微波爐空載。

可選的，該空載檢測(cè)設(shè)備還包含：報(bào)警裝置，用于在所述微波爐處于工作狀態(tài)且不滿足所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值的情況下，發(fā)出微波爐故障的信號(hào)。

可選的，該空載檢測(cè)設(shè)備還包含：計(jì)時(shí)器，用于對(duì)反射功率之和大于所述反射功率閾值的持續(xù)時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)；

所述判斷裝置用于在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值、所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值、且大于所述反射功率閾值的持續(xù)時(shí)間大于預(yù)定時(shí)間的情況下，確定所述微波爐空載。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種微波爐，該微波爐包含上述空載檢測(cè)設(shè)備。

通過(guò)上述技術(shù)方案，在微波爐啟動(dòng)后，可不斷地進(jìn)行微波源入射功率及反射功率的檢測(cè)，可根據(jù)入射功率及反射功率來(lái)判斷有多少微波功率是被微波爐內(nèi)的負(fù)載吸收了。如果大部分的功率均被反射回到微波源中，則可判定為微波爐空載；而如果反射回來(lái)的微波功率很小，則說(shuō)明大部分的微波功率已被負(fù)載吸收，則可判定微波爐內(nèi)存在負(fù)載。本發(fā)明直接依據(jù)微波源入射功率及反射功率來(lái)檢測(cè)微波爐是否空載，可使得空載檢測(cè)結(jié)果非常準(zhǔn)確。

本發(fā)明實(shí)施例的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說(shuō)明。

附圖說(shuō)明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明實(shí)施例，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限制。在附圖中：

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10 入射功率檢測(cè)裝置 20 反射功率檢測(cè)裝置

30 判斷裝置 40 提醒裝置

50 計(jì)時(shí)器 100 微波檢測(cè)設(shè)備

110 控制中心 120 微波源

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明實(shí)施例。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖。如圖1所示，本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種微波爐空載檢測(cè)方法，該方法包括：

步驟S110，檢測(cè)所述微波爐的微波源的入射功率；

步驟S120，檢測(cè)所述微波爐的微波源的反射功率；以及

步驟S130，根據(jù)所述入射功率及反射功率，確定所述微波爐是否空載。

具體而言，在微波爐啟動(dòng)后，可不斷地進(jìn)行微波源入射功率及反射功率的檢測(cè)，可根據(jù)入射功率及反射功率來(lái)判斷有多少微波功率是被微波爐內(nèi)的負(fù)載吸收了。如果大部分的功率均被反射回到微波源中(少量微波功率可能會(huì)被腔體和空氣吸收)，則可判定為微波爐空載；而如果反射回來(lái)的微波功率很小，則說(shuō)明大部分的微波功率已被負(fù)載吸收，則可判定微波爐內(nèi)存在負(fù)載。

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖。如圖2所示，該另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法包括：

步驟S210，檢測(cè)所述微波爐的微波源的入射功率；

步驟S220，判斷微波源的入射功率是否大于入射功率閾值；當(dāng)檢測(cè)到入射功率大于預(yù)設(shè)的入射閾值后，即說(shuō)明有一定的微波功率進(jìn)入到腔體中，可繼續(xù)執(zhí)行步驟S230。對(duì)于微波爐而言，其可具有一個(gè)或多個(gè)微波源產(chǎn)生在2.4GHz～2.5GHz之間的微波信號(hào)，該步驟S220的判斷可以針對(duì)每一微波源，即判斷每一微波源的入射功率是否能夠大于入射功率閾值，只有在每一微波源的入射功率均能夠大于入射功率閾值的情況下，才說(shuō)明微波源工作正常，否則說(shuō)明微波源無(wú)法正常工作。

步驟S230，檢測(cè)微波源的反射功率；

步驟S240，判斷微波源的反射功率是否大于反射功率閾值；在反射功率大于反射功率閾值的情況下，說(shuō)明微波功率被吸收得很少，微波爐內(nèi)可能無(wú)負(fù)載，則可執(zhí)行步驟S250，判定微波爐空載。對(duì)于微波爐內(nèi)包含多個(gè)微波源的情況而言，該步驟S240可為判斷所有微波源的反射功率之和是否大于反射功率閾值，在所有微波源的反射功率之和大于反射功率閾值的情況下，可執(zhí)行步驟S250，判定微波爐空載。

步驟S250，判定微波爐空載。

需要說(shuō)明的是，上述針對(duì)微波爐具有多個(gè)微波源的情形所描述的方案并非是必須的，在某些情況下，出于微波爐內(nèi)對(duì)不同負(fù)載(例如，面包、牛奶)的加熱效果需要，可能各個(gè)微波源所輻射的微波功率是不同的，因此并非必須所有的微波源都必須發(fā)出大于所述入射功率閾值的微波，因此并非某一微波源所發(fā)射的微波功率低于入射功率閾值便表明其出現(xiàn)故障，可根據(jù)實(shí)際情形做出一些調(diào)整。

圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法的流程圖。如圖3所示，本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)方法包括：

步驟S310，檢測(cè)微波爐的所有微波源的入射功率及反射功率。

步驟S320，判斷是否所有微波源的入射功率均大于入射功率閾值P_thfwd；在所有微波源的入射功率均大于入射功率閾值P_thfwd的情況下，說(shuō)明所有微波源工作正常，有一定的微波功率進(jìn)入到微波爐腔體中，執(zhí)行下一步驟S330，否則說(shuō)明某些微波源可能無(wú)法正常工作，執(zhí)行步驟S321，提示故障。

步驟S321，提示微波爐故障。

步驟S330，判斷是否所有微波源的反射功率之和大于反射功率閾值P_threv；在所有微波源的反射功率之和大于反射功率閾值P_threv的情況下，說(shuō)明微波功率被吸收得很少，微波爐內(nèi)可能無(wú)負(fù)載，則可執(zhí)行步驟S340；如果所有微波源的反射功率之和不大于反射功率閾值P_threv，則說(shuō)明微波功率被吸收了一些，微波爐內(nèi)很可能有負(fù)載，可執(zhí)行步驟S351。

步驟S340，啟動(dòng)計(jì)時(shí)器開(kāi)始計(jì)時(shí)，t＝t+1；該計(jì)時(shí)器所記的時(shí)間t即為所有微波源的反射功率之和大于反射功率閾值P_threv的持續(xù)時(shí)間。

步驟S350，判斷所述計(jì)時(shí)器所記的時(shí)間是否大于時(shí)間閾值T_th；如果是，則執(zhí)行步驟S360，判定所述微波爐空載，否則繼續(xù)執(zhí)行上述步驟S310-S330。

步驟S351，計(jì)時(shí)器清零，t＝0；

步驟S360，確定微波爐空載。

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備包括：入射功率檢測(cè)裝置10，用于檢測(cè)所述微波爐的微波源的入射功率；反射功率檢測(cè)裝置20，用于檢測(cè)所述微波爐的微波源的反射功率；以及判斷裝置30，用于根據(jù)所述入射功率及反射功率，確定所述微波爐是否空載。其中所述入射功率檢測(cè)裝置10及反射功率檢測(cè)裝置20可通過(guò)安裝于微波源上的檢波二極管等器件實(shí)現(xiàn)。

其中，所述微波爐可包含一個(gè)或多個(gè)微波源。在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值且所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值的情況下，確定所述微波爐空載。

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，與圖4所示實(shí)施例的不同之處在于，本發(fā)明另一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備還包括還包含：報(bào)警裝置40，用于在所述微波爐處于工作狀態(tài)且不滿足所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值的情況下，發(fā)出微波爐故障的信號(hào)。

圖6為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，與圖5所示實(shí)施例的不同之處在于，本發(fā)明再一實(shí)施例提供的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備還包括：計(jì)時(shí)器50，用于對(duì)反射功率之和大于所述反射功率閾值的持續(xù)時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。所述判斷裝置30用于在所述一個(gè)或多個(gè)微波源的入射功率均大于入射功率閾值、所述一個(gè)或多個(gè)微波源的反射功率之和大于反射功率閾值、且大于所述反射功率閾值的持續(xù)時(shí)間大于預(yù)定時(shí)間的情況下，確定所述微波爐空載。

有關(guān)本發(fā)明的微波爐空載檢測(cè)設(shè)備的具體細(xì)節(jié)及益處，可參閱上述針對(duì)微波爐空載檢測(cè)方法的描述，于此不再贅述。

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所述，本發(fā)明一實(shí)施例提供的微波爐包含：控制中心110、微波源120、以及上述空載檢測(cè)設(shè)備110。

在微波爐啟動(dòng)后，首先控制中心110輸出指令控制微波源120工作起來(lái)，空載檢測(cè)設(shè)備100不斷對(duì)微波源的入射功率及反射功率進(jìn)行檢測(cè)，并對(duì)入射功率、反射功率的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷，一段時(shí)間內(nèi)，當(dāng)檢測(cè)到入射功率大于預(yù)設(shè)的入射閾值后，即說(shuō)明有一定的微波功率進(jìn)入到腔體中。然后判斷反射功率數(shù)據(jù)，當(dāng)所有微波源的反射功率之和大于預(yù)設(shè)的反射閾值時(shí)，即說(shuō)明進(jìn)入到腔體中的微波能量絕大部分又反射回到微波源中(少部分微波能量被腔體和空氣吸收)，這種情況即可判斷為空載，控制中心110可控制關(guān)斷微波源120輸出；當(dāng)反射功率數(shù)據(jù)很小時(shí)，即為有載。

通過(guò)本發(fā)明的方案，可避免空載損壞微波加熱設(shè)備；減少空載工作對(duì)用戶造成的危險(xiǎn)，如輻射增大等；避免空載浪費(fèi)電能。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明例的可選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明實(shí)施例并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍。

另外需要說(shuō)明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過(guò)任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)各種可能的組合方式不再另行說(shuō)明。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例方法中的全部或部分步驟是可以通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，該程序存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一個(gè)(可以是單片機(jī)，芯片等)或處理器(processor)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

此外，本發(fā)明實(shí)施例的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本發(fā)明實(shí)施例的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的內(nèi)容。