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      一種高純銻生產(chǎn)豎式還原爐的制作方法_2

      文檔序號(hào):10227328閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      段7的下方的進(jìn)氣口8,所述進(jìn)氣口 8通過(guò)氣體管道與所述進(jìn)料口 2導(dǎo)通,所述氣體管道自下而上貫穿所述還原管3,所述進(jìn)氣口 8通入的氣體為氫氣。氫氣裝置采用預(yù)加熱安置,這大幅度增加了氫氣和三氯化銻的反應(yīng)效率,減少了氫氣的損耗。
      [0026]優(yōu)選地,所述還原管3為圓柱狀,其端口直徑在50-200毫米之間,整體長(zhǎng)度在500-3000毫米之間。還原爐中部的內(nèi)管采用環(huán)式結(jié)構(gòu),增加了物料在還原爐中行程(3-6倍),從而使得反應(yīng)更加充分,減少物料損耗。
      [0027]優(yōu)選地,還包括一用于將三氯化銻破碎為霧狀的液體霧化裝置9,其設(shè)置在所述進(jìn)料口2底部靠近所述還原加熱爐上段6處。所述液體霧化裝置9的主要目的在于將加入的三氯化銻原料,依靠重力作用,破碎為霧狀,從而使得三氯化銻和氫氣反應(yīng)得更加完全,減少三氯化銻和氫氣的損耗。
      [0028]優(yōu)選地,還包括一與所述還原管3導(dǎo)通的出氣口 10,其設(shè)置在所述進(jìn)氣口的上方,靠近所述還原管3底部的側(cè)端面處。
      [0029 ]優(yōu)選地,還包括一產(chǎn)品裝料管11,其設(shè)置在所述氣液分離出料口 4的下方。
      [0030]優(yōu)選地,在所述氣液分離出料口 4的端部安裝有一氣液分離器。
      [0031 ]優(yōu)選地,所述液體霧化裝置9為霧化擋板,所述霧化擋板傾斜設(shè)置在所述進(jìn)料口 2的底部。
      [0032]優(yōu)選地,所述出氣口10為斜式出氣口 10,所述出氣口 10的外端口處所在的水平高度高于其與所述還原管3導(dǎo)通處的連接口所在的水平高度,并且所述出氣口 10的口徑大于所述進(jìn)氣口的口徑。采用斜式出氣口 10,并加大出氣口 10外徑,避免因還原長(zhǎng)期運(yùn)行導(dǎo)致的出氣口 10堵塞。
      [0033]優(yōu)選地,所述氣液分離出料口 4為滴液口,產(chǎn)品經(jīng)滴液口滴入所述產(chǎn)品裝料管11中。
      [0034]本實(shí)施例的工作原理在于:整體為豎式結(jié)構(gòu),采用兩段加熱方式。還原加熱爐上段6為蒸發(fā)段,主要起到蒸發(fā)三氯化銻為蒸氣,使其和氫氣完全混和的作用。通過(guò)液體霧化裝置9以及對(duì)通入氫氣的預(yù)加熱處理,大幅度增加了氫氣和三氯化銻的反應(yīng)效率,減少了氫氣的損耗。還原爐中部為內(nèi)管加熱,減少了還原管內(nèi)部因溫度梯度導(dǎo)致的還原反應(yīng)不還完全所造成的產(chǎn)物料損耗。還原加熱爐下段7為還原段、底部氣液分離出料口 4和出氣口 10,其采用斜式出氣口 10,并加大出氣口 10外徑,避免因還原長(zhǎng)期運(yùn)行導(dǎo)致的出氣口 10堵塞。
      [0035]采用本實(shí)施例所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,可以大幅度增加了氫氣和三氯化銻的反應(yīng)效率,減少物料損耗。即可以在保證連續(xù)生產(chǎn)的前提下提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本,具有較好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
      [0036]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明,使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的,本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下,在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此,本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例,而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:包括自上而下依次垂直設(shè)置的進(jìn)料管、進(jìn)料口、還原管、氣液分離出料口,其中所述進(jìn)料管嵌入所述進(jìn)料口中,所述進(jìn)料管通入的氣體為三氯化銻,所述進(jìn)料口與所述還原管導(dǎo)通;所述還原管為石英還原管或氧化鋁還原管,其內(nèi)置有還原盤管,所述還原管下方設(shè)有所述氣液分離出料口; 所述還原管兩側(cè)分別設(shè)置有還原加熱爐上段與還原加熱爐下段,所述還原加熱爐上段的頂端靠近所述進(jìn)料口處;所述還原加熱爐下段與所述還原加熱爐上段連接,其底部靠近所述還原管的下端部。2.如權(quán)利要求1所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:還包括一設(shè)置在所述還原加熱爐下段的下方的進(jìn)氣口,所述進(jìn)氣口通過(guò)氣體管道與所述進(jìn)料口導(dǎo)通,所述氣體管道自下而上貫穿所述還原管,所述進(jìn)氣口通入的氣體為氫氣。3.如權(quán)利要求2所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:所述還原管為圓柱狀,其端口直徑在50-200毫米之間,整體長(zhǎng)度在500-3000毫米之間。4.如權(quán)利要求3所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:還包括一用于將三氯化銻破碎為霧狀的液體霧化裝置,其設(shè)置在所述進(jìn)料口底部靠近所述還原加熱爐上段處。5.如權(quán)利要求4所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:還包括一與所述還原管導(dǎo)通的出氣口,其設(shè)置在所述進(jìn)氣口的上方,靠近所述還原管底部的側(cè)端面處。6.如權(quán)利要求5所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:還包括一產(chǎn)品裝料管,其設(shè)置在所述氣液分離出料口的下方。7.如權(quán)利要求1-6任一所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:在所述氣液分離出料口的端部安裝有一氣液分離器。8.如權(quán)利要求4所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:所述液體霧化裝置為霧化擋板,所述霧化擋板傾斜設(shè)置在所述進(jìn)料口的底部。9.如權(quán)利要求5所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:所述出氣口為斜式出氣口,所述出氣口的外端口處所在的水平高度高于其與所述還原管導(dǎo)通處的連接口所在的水平高度,并且所述出氣口的口徑大于所述進(jìn)氣口的口徑。10.如權(quán)利要求6所述的高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,其特征在于:所述氣液分離出料口為滴液口,產(chǎn)品經(jīng)滴液口滴入所述產(chǎn)品裝料管中。
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高純銻生產(chǎn)豎式還原爐,包括自上而下依次垂直設(shè)置的進(jìn)料管、進(jìn)料口、還原管、氣液分離出料口,其中進(jìn)料管嵌入進(jìn)料口中,進(jìn)料管通入的氣體為三氯化銻,進(jìn)料口與還原管導(dǎo)通;還原管內(nèi)置有還原盤管,還原管下方設(shè)有氣液分離出料口;還原管兩側(cè)分別設(shè)置有還原加熱爐上段與還原加熱爐下段,還原加熱爐上段的頂端靠近進(jìn)料口處;還原加熱爐下段與還原加熱爐上段連接,其底部靠近還原管的下端部。本實(shí)用新型整體為豎式結(jié)構(gòu),采用兩段加熱方式。不僅可以大幅度增加了氫氣和三氯化銻的反應(yīng)效率,同時(shí)還能有效減少物料的損耗。即可以在保證連續(xù)生產(chǎn)的前提下提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本,具有較好的市場(chǎng)應(yīng)用前景。
      【IPC分類】F27B17/00, C22B30/02
      【公開(kāi)號(hào)】CN205138199
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520955069
      【發(fā)明人】易德福
      【申請(qǐng)人】江西德義半導(dǎo)體科技有限公司
      【公開(kāi)日】2016年4月6日
      【申請(qǐng)日】2015年11月25日
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