本發(fā)明涉及使包含Ca離子(Ca2+)、硫酸離子(SO42-)以及碳酸離子的被處理水再生的水處理方法以及水處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：
已知在工廠廢水、坑水、下水中包含豐富的離子。另外，在冷卻塔中，在從鍋爐等排出的高溫的廢氣與冷卻水之間進(jìn)行熱交換。通過該熱交換，冷卻水的一部分成為蒸氣，因此冷卻水中的離子被濃縮。因此，從冷卻塔排出的冷卻水(排污水)成為離子濃度較高的狀態(tài)。包含大量離子的水在被實(shí)施了脫鹽處理之后排放到環(huán)境中。作為實(shí)施脫鹽處理的裝置，已知有反浸透膜裝置、納濾膜裝置、離子交換裝置等。在上述的水中所包含的離子內(nèi)，Na+、K+、NH4+等1價(jià)陽(yáng)離子、Cl-、NO3-等陰離子是向水中的溶解度較高的離子。另一方面，Ca2+等2價(jià)金屬離子、SO42-、CO32-等陰離子是構(gòu)成水垢(scale)的成分。構(gòu)成水垢的成分的鹽相對(duì)于水的溶解度較低，因此容易作為水垢而析出。尤其是在上述的坑水、工業(yè)廢水、冷卻塔的排污水中包含豐富的Ca2+、SO42-、碳酸離子(CO32-、HCO3-)。作為性狀的一例，pH為8，Na離子為20mg/L，K離子為5mg/L，Ca離子為50mg/L，Mg離子為15mg/L，HCO3離子為200mg/L，Cl離子為200mg/L，SO4離子為120mg/L，PO4離子為5mg/L。在這些中，Ca離子、Mg離子、SO4離子、HCO3離子濃度高，通過它們進(jìn)行反應(yīng)而生成水垢(CaSO4、CaCO3等)。當(dāng)在實(shí)施上述的脫鹽處理的裝置內(nèi)產(chǎn)生水垢時(shí)，會(huì)導(dǎo)致處理能力降低。因此，謀求不產(chǎn)生水垢地實(shí)施脫鹽處理。在此，作為使用水冷式冷卻塔的成套設(shè)備的例子，例如存在發(fā)電設(shè)備(存在售電用途的商業(yè)用、廠內(nèi)電力利用的工業(yè)用發(fā)電設(shè)備。發(fā)電為火力、地?zé)岬?以及具有發(fā)電設(shè)備、冷卻設(shè)備的成套設(shè)備等。另外，作為成套設(shè)備，存在通常的化學(xué)成套設(shè)備、鋼鐵成套設(shè)備、采礦成套設(shè)備、油田成套設(shè)備、氣田成套設(shè)備以及機(jī)械成套設(shè)備等。作為去除Ca離子的方法，已知有石灰純堿(limesoda)法。在石灰純堿法中，通過向被處理水中添加碳酸鈉，使被處理水中的Ca離子作為碳酸鈣析出、沉淀，由此從水中去除Ca離子。專利文獻(xiàn)1公開了一種將使用石灰純堿法的化學(xué)軟化裝置、離子交換裝置、反浸透膜裝置等組合而得到的廢水處理裝置。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：美國(guó)專利第7815804號(hào)說明書

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的技術(shù)問題石灰純堿法為了進(jìn)行處理而需要添加碳酸鈉，因而處理成本高。若是石灰純堿法，當(dāng)使1mol的Ca離子沉淀為碳酸鈣時(shí)，會(huì)產(chǎn)生2mol的Na+。另一方面，在被處理水中包含SO42-的情況下，若是石灰純堿法，無法被去除。即，若是石灰純堿法，處理后的水中所包含的離子的摩爾數(shù)增加。在使用離子交換裝置去除Ca離子的情況下，也是為了處理1mol的Ca離子而會(huì)產(chǎn)生2mol的Na+，處理后的水中所包含的離子的摩爾數(shù)增加。專利文獻(xiàn)1的系統(tǒng)進(jìn)行這樣的處理：通過反浸透膜裝置對(duì)利用石灰純堿法以及離子交換裝置處理后的水進(jìn)一步去除離子成分。因此，在專利文獻(xiàn)1的系統(tǒng)中，由于離子的摩爾數(shù)增加，因此存在反浸透膜裝置中的浸透壓力增高、處理負(fù)荷增大這樣的問題。另外，在專利文獻(xiàn)1的裝置中，SO42-并未被去除，在處理水中殘留有SO42-，難以得到較高的水回收率。另外，在專利文獻(xiàn)1的廢水處理裝置中，在使離子交換裝置再生時(shí)，需要大量的藥品，從而處理成本較高也成為問題。本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠以較高的水回收率使包含鹽類的水再生的水處理方法以及水處理系統(tǒng)。用于解決技術(shù)問題的方案本發(fā)明的第一方案是一種水處理方法，其包括如下的工序：脫鹽工序，在該脫鹽工序中，將包含Ca離子、SO4離子以及碳酸離子的被處理水分離為濃縮水與處理水，所述濃縮水濃縮有所述Ca離子、所述SO4離子以及所述碳酸離子；析晶工序，在該析晶工序中，向所述濃縮水供給石膏的晶種，從而石膏從所述濃縮水中析晶；以及分離工序，該分離工序在所述析晶工序之后，將所述石膏從所述濃縮水中分離。本發(fā)明的第二方案是一種水處理系統(tǒng)，其具備：脫鹽部，其將包含Ca離子、SO4離子以及碳酸離子的被處理水分離為濃縮水與處理水，所述濃縮水濃縮有所述Ca離子以及所述SO4離子；析晶部，其設(shè)置在所述脫鹽部的下游側(cè)，且具有使石膏從所述濃縮水中析晶的析晶槽與向所述析晶槽供給石膏的晶種的晶種供給部；以及分離部，其在所述析晶部的下游側(cè)將所述石膏從所述濃縮水中分離。在第一方案以及第二方案中，通過在析晶部以及析晶工序中向濃縮水添加石膏的晶種，從而能夠使石膏析晶而從被處理水中分離。其結(jié)果是，能夠以較高的水回收率對(duì)包含Ca離子以及SO4離子的被處理水進(jìn)行處理，能夠降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。此外，還起到能夠回收高純度的石膏這樣的效果。本發(fā)明的第三方案是一種水處理方法，其包括如下的工序：第一水垢防止劑供給工序，在該第一水垢防止劑供給工序中，向包含Ca離子、SO4離子、碳酸離子以及二氧化硅的被處理水供給鈣水垢防止劑，所述鈣水垢防止劑是防止包含鈣的水垢析出的水垢防止劑；第一pH調(diào)整工序，在該第一pH調(diào)整工序中，將所述被處理水調(diào)整為所述二氧化硅能夠溶解于所述被處理水中的pH；第一脫鹽工序，該第一脫鹽工序在所述第一水垢防止劑供給工序以及所述第一pH調(diào)整工序之后，將所述被處理水分離為第一濃縮水與處理水，所述第一濃縮水濃縮有所述Ca離子、所述SO4離子、所述碳酸離子以及所述二氧化硅；第一析晶工序，在該第一析晶工序中，向所述第一濃縮水供給石膏的晶種，從而石膏從所述第一濃縮水中析晶；以及第一分離工序，該第一分離工序在所述第一析晶工序之后，將所述石膏從所述第一濃縮水中分離。本發(fā)明的第四方案是一種水處理系統(tǒng)，其具備：第一水垢防止劑供給部，其向包含Ca離子、SO4離子、碳酸離子以及二氧化硅的被處理水供給鈣水垢防止劑，所述鈣水垢防止劑是防止包含鈣的水垢析出的水垢防止劑；第一pH調(diào)整部，其向所述被處理水供給pH調(diào)整劑，將所述被處理水的pH調(diào)整為所述二氧化硅能夠溶解于所述被處理水中的值；第一脫鹽部，其設(shè)置在所述第一水垢防止劑供給部以及所述第一pH調(diào)整部的下游側(cè)，且將所述被處理水分離為第一濃縮水與處理水，所述第一濃縮水濃縮有所述Ca離子、所述SO4離子、所述碳酸離子以及所述二氧化硅；第一析晶部，其設(shè)置在所述第一脫鹽部的下游側(cè)，且具有使石膏從所述第一濃縮水中析晶的第一析晶槽與向所述第一析晶槽供給石膏的晶種的第一晶種供給部；以及第一分離部，該第一分離部在所述第一析晶部的下游側(cè)將所述石膏從所述第一濃縮水中分離。根據(jù)第三方案以及第四方案，通過添加鈣水垢防止劑且調(diào)整為二氧化硅能夠溶解的pH來實(shí)施水處理，因此能夠防止第一脫鹽部以及第一脫鹽工序中的水垢產(chǎn)生。另外，通過在第一析晶部以及第一析晶工序中向第一濃縮水添加石膏的晶種，從而即便存在水垢防止劑，也能夠使石膏析晶而從被處理水中分離。其結(jié)果是，能夠防止水垢產(chǎn)生，并且能夠以較高的水回收率對(duì)包含Ca離子、SO4離子、碳酸離子以及二氧化硅的被處理水進(jìn)行處理。另外，能夠降低處理所需要的藥品量、運(yùn)轉(zhuǎn)所需要的動(dòng)力，維修也變得容易，因此能夠降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。另外，在水處理的過程中能夠回收高純度的石膏。本發(fā)明的第五方案是一種水處理方法，其包括如下的工序：第二水垢防止劑供給工序，在該第二水垢防止劑供給工序中，向包含Ca離子、SO4離子、碳酸離子以及二氧化硅的被處理水供給鈣水垢防止劑和二氧化硅水垢防止劑，所述鈣水垢防止劑是防止包含鈣的水垢析出的水垢防止劑，所述二氧化硅水垢防止劑是防止所述二氧化硅析出的水垢防止劑；第二脫鹽工序，該第二脫鹽工序在所述第二水垢防止劑供給工序之后，將所述被處理水分離為第二濃縮水與處理水，所述第二濃縮水濃縮有所述Ca離子、所述SO4離子、所述碳酸離子以及所述二氧化硅；第二析晶工序，在該第二析晶工序中，向所述第二濃縮水供給石膏的晶種，從而石膏從所述第二濃縮水中析晶；以及第二分離工序，該第二分離工序在所述第二析晶工序之后，將所述石膏從所述第二濃縮水中分離。本發(fā)明的第六方案是一種水處理系統(tǒng)，其具備：第二水垢防止劑供給部，其向包含Ca離子、SO4離子、碳酸離子以及二氧化硅的被處理水供給鈣水垢防止劑和二氧化硅水垢防止劑，所述鈣水垢防止劑是防止包含鈣的水垢析出的水垢防止劑，所述二氧化硅水垢防止劑是防止二氧化硅析出的水垢防止劑；第二脫鹽部，其設(shè)置在所述第二水垢防止劑供給部的下游側(cè)，且將所述被處理水分離為第二濃縮水與處理水，所述第二濃縮水濃縮有所述Ca離子、所述SO4離子以及所述二氧化硅；第二析晶部，其設(shè)置在所述第二脫鹽部的下游側(cè)，且具有使石膏從所述第二濃縮水中析晶的第二析晶槽與向所述第二析晶槽供給石膏的晶種的第二晶種供給部；以及第二分離部，其在所述第二析晶部的下游側(cè)將所述石膏從所述第二濃縮水中分離。在第五方案以及第六方案中，利用鈣水垢防止劑以及二氧化硅水垢防止劑的效果，能夠防止第二脫鹽部以及第二脫鹽工序中的水垢產(chǎn)生。另外，通過在第一析晶部以及第一析晶工序中向第一濃縮水添加石膏的晶種，從而即便存在水垢防止劑，也能夠使石膏析晶而從被處理水分離。其結(jié)果是，能夠以較高的水回收率對(duì)包含Ca離子、SO4離子以及二氧化硅的被處理水進(jìn)行處理，能夠降低運(yùn)轉(zhuǎn)成本。此外，還起到能夠回收高純度的石膏這樣的效果。在本發(fā)明中，能夠在被處理水的流通方向上對(duì)第三方案及第五方案的水處理方法以及第四方案及第六方案的水處理系統(tǒng)進(jìn)行組合來實(shí)施水處理。在上述方案中，優(yōu)選為，在所述第二析晶工序之后包括第二分離工序，在該第二分離工序中，將所述石膏從所述第二濃縮水中分離。在上述方案中，優(yōu)選為，在所述第二析晶部的下游側(cè)具備第二分離部，該第二分離部將所述石膏從所述第二濃縮水中分離。根據(jù)上述方案，能夠在水處理的過程中回收高純度的石膏。另外，在上述方案中，通過將規(guī)定大小的所述石膏分離并回收，能夠降低石膏的含水率。其結(jié)果是，能夠回收高純度的石膏。在上述方案中，優(yōu)選為，在所述第一分離工序中分離出的所述石膏被用作所述石膏的晶種。優(yōu)選為，在所述第二分離工序中分離出的所述石膏被用作所述石膏的晶種。在上述方案中，優(yōu)選為，由所述第一分離部分離出的所述石膏被用作所述石膏的晶種。優(yōu)選為，由所述第二分離部分離出的所述石膏被用作所述石膏的晶種。根據(jù)上述方案，由于有效地供給石膏的晶種，因此能夠削減石膏的晶種使用量。在上述方案中，優(yōu)選為，相對(duì)于一次所述第一析晶工序，在所述被處理水的流通方向上進(jìn)行多次所述第一分離工序，在所述被處理水的下游側(cè)進(jìn)行的所述第一分離工序所分離的所述石膏的大小比在所述被處理水的最上游進(jìn)行的所述第一分離工序所分離的所述石膏小，由在所述被處理水的下游側(cè)進(jìn)行的所述第一分離工序分離出的所述石膏被供給至所述第一析晶工序中的所述第一濃縮水中。優(yōu)選為，相對(duì)于一次所述第二析晶工序，在所述被處理水的流通方向上進(jìn)行多次所述第二分離工序，在所述被處理水的下游側(cè)進(jìn)行的所述第二分離工序所分離的所述石膏的大小比在所述被處理水的最上游進(jìn)行的所述第二分離工序所分離的所述石膏小，由在所述被處理水的下游側(cè)進(jìn)行的所述第二分離工序分離出的所述石膏被供給至所述第二析晶工序中的所述第二濃縮水中。在上述方案中，優(yōu)選為，所述第一分離部相對(duì)于一個(gè)所述第一析晶部在所述被處理水的流通方向上具有多個(gè)分級(jí)器，位于所述被處理水的下游側(cè)的所述第一分級(jí)器所分離的所述石膏的大小比位于所述被處理水的最上游的所述第一分級(jí)器小，由位于所述被處理水的下游側(cè)的所述第一分級(jí)器分離出的所述石膏被供給至所述第一析晶槽中的所述第一濃縮水中。優(yōu)選為，所述第二分離部相對(duì)于一個(gè)所述第二析晶部在所述被處理水的流通方向上具有多個(gè)第二分級(jí)器，位于所述被處理水的下游側(cè)的所述第二分級(jí)器所分離的所述石膏的大小比位于所述被處理水的最上游的所述第二分級(jí)器所分離的所述石膏小，由位于所述被處理水的下游側(cè)的所述第二分級(jí)器分離出的所述石膏被供給至所述第二析晶槽中的所述第二濃縮水中。根據(jù)上述方案，進(jìn)一步使較小的石膏作為晶種而析晶。因此，能夠提高純度高的石膏的回收率，還能夠提高石膏的純度。另外，由于向下游側(cè)流出的石膏量減少，因此能夠降低例如沉淀部中作為廢棄物而回收的沉淀物的量。在上述方案中，優(yōu)選為，包括第三pH調(diào)整工序，在該第三pH調(diào)整工序中，將所述第二濃縮水調(diào)整為碳酸鈣能夠溶解的pH，在所述第二析晶工序中，將在所述第一分離工序中分離出的所述石膏供給至通過所述第三pH調(diào)整工序調(diào)整了pH的所述第二濃縮水中。在上述方案中，優(yōu)選為，所述第二pH調(diào)整部將所述第二濃縮水調(diào)整為碳酸鈣能夠溶解的pH，將由所述第一分離部分離出的所述石膏供給至所述第二析晶部。根據(jù)上述方案，能夠在水處理的過程中回收高純度的石膏。發(fā)明效果在本發(fā)明的水處理系統(tǒng)以及水處理方法中，能夠防止處理中的碳酸鈣等的水垢產(chǎn)生，且能夠?qū)a2+以及SO42-作為石膏而從被處理水中去除，因此能夠進(jìn)一步提高水回收率。通過本發(fā)明處理過的水在下游側(cè)的離子的摩爾數(shù)大幅降低，因此使位于下游的脫鹽部的動(dòng)力大幅降低。此外，本發(fā)明還起到能夠使高純度的石膏析晶并回收這樣的效果。附圖說明圖1是第一參考實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖2是石膏析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。圖3是碳酸鈣析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。圖4是表示二氧化硅溶解量的pH依賴性的曲線圖。圖5是使用石膏處于過飽和狀態(tài)的模擬水，通過改變模擬水的pH而進(jìn)行了石膏析出實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。圖6是使用石膏處于過飽和狀態(tài)的模擬水，通過改變晶種的濃度而進(jìn)行了石膏析出實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。圖7是在條件5下析晶出的石膏的顯微鏡照片。圖8是在條件3下析晶出的石膏的顯微鏡照片。圖9是第一實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖10是第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖11是第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖12是第三實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖13是第四實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖14是對(duì)第二參考實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)進(jìn)行說明的概要圖。圖15是對(duì)第五實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)進(jìn)行說明的概要圖。圖16是對(duì)第六實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)進(jìn)行說明的概要圖。圖17是對(duì)第七實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)進(jìn)行說明的概要圖。具體實(shí)施方式成為本發(fā)明的處理對(duì)象的水(被處理水)包含Ca2+、SO42-、碳酸離子以及二氧化硅。具體而言，被處理水(原水)為坑水、下水、工廠廢水、冷卻塔的排污水等。另外，被處理水有時(shí)包含Mg離子等金屬離子。[第一參考實(shí)施方式]圖1是本發(fā)明的第一參考實(shí)施方式所涉及的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖1的水處理系統(tǒng)1成為在被處理水的流通方向上連結(jié)有兩個(gè)水處理部的結(jié)構(gòu)。在本參考實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)1中，根據(jù)被處理水的性狀，可以為一個(gè)水處理部，也可以連結(jié)三個(gè)以上的水處理部。每個(gè)水處理部分別從被處理水的上游側(cè)起依次具備第一脫鹽部10(10a、10b)以及第一析晶部20(20a、20b)。第一脫鹽部10a、10b的濃縮側(cè)與第一析晶部20a、20b連接。水處理部在各第一脫鹽部10(10a、10b)的上游側(cè)流路中具備第一水垢防止劑供給部30(30a、30b)以及第一pH調(diào)整部40(40a、40b)。第一水垢防止劑供給部30(30a、30b)由罐31(31a、31b)、閥V1(V1a、V1b)以及控制部32(32a、32b)構(gòu)成。控制部32a、32b分別與閥V1a、V1b連接。在罐31a、31b內(nèi)貯存有水垢防止劑。本參考實(shí)施方式中使用的水垢防止劑用于防止在被處理水中析出包含鈣的水垢。以下稱為“鈣水垢防止劑”。鈣水垢防止劑具有如下的功能：抑制在被處理水中生成石膏或碳酸鈣的結(jié)晶核，并且通過吸附于被處理水中所包含的石膏或碳酸鈣的結(jié)晶核(晶種、超過飽和濃度而析出的小徑的水垢等)的表面而抑制石膏或碳酸鈣的結(jié)晶生長(zhǎng)?；蛘?，鈣水垢防止劑還具有使析出的結(jié)晶等被處理水中的粒子分散(防止凝聚)的功能的類型的鈣水垢防止劑。作為鈣水垢防止劑，具有膦酸系的水垢防止劑、聚羧酸系的水垢防止劑以及它們的混合物等。作為具體例，舉出FLOCON260(商品名，BWA公司制)。在被處理水中包含Mg離子的情況下，能夠使用防止在被處理水中析出包含鎂的水垢(例如氫氧化鎂)的水垢防止劑。以下稱為“鎂水垢防止劑”。作為鎂水垢防止劑，具有聚羧酸系的水垢防止劑等。作為具體例，舉出FLOCON295N(商品名、BWA公司制)。在被處理水中包含二氧化硅的情況下，能夠使用防止二氧化硅在被處理水中作為水垢而析出的水垢防止劑。以下稱為“二氧化硅水垢防止劑”。作為二氧化硅水垢防止劑，具有膦酸系的水垢防止劑、聚羧酸系的水垢防止劑以及它們的混合物等。作為具體例，舉出FLOCON260(商品名、BWA公司制)。在圖1中，在各位置僅圖示出一個(gè)第一水垢防止劑供給部30a、30b，但在投入多個(gè)種類的水垢防止劑的情況下，優(yōu)選設(shè)置多個(gè)第一水垢防止劑供給部。在該情況下，在各個(gè)罐中，按照種類而分開收納水垢防止劑。第一pH調(diào)整部40(40a、40b)由罐41(41a、41b)、閥V2(V2a、V2b)、控制部42(42a、42b)以及pH計(jì)43(43a、43b)構(gòu)成。在罐41a、41b內(nèi)貯存有堿作為pH調(diào)整劑。堿例如是氫氧化鈣、氫氧化鈉。尤其是氫氧化鈣，由于在后述的析晶工序中Ca離子會(huì)被作為石膏回收，因此能夠降低到達(dá)下游側(cè)的脫鹽部的離子量，因而是優(yōu)選的?？刂撇?2a、42b分別與閥V2a、V2b以及pH計(jì)43a、43b連接。在圖1中，第一脫鹽部10a、10b為反浸透膜裝置。此外，第一脫鹽部10a、10b能夠采用電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、離子交換裝置(IEx)、靜電脫鹽裝置(CDI)、納米過濾器(NF)、蒸發(fā)器等。在此，在納米過濾器(NF)、電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、靜電脫鹽裝置(CDl)中，選擇性地去除水垢成分(2價(jià)離子、Ca2+、Mg2+等)，并使Na+以及Cl-等1價(jià)離子透過。若使用這些脫鹽裝置，則能夠抑制濃縮水中的成為水垢成分的離子的離子濃度的濃縮，因此能夠?qū)崿F(xiàn)水回收率的提高、節(jié)能化(例如泵動(dòng)力的削減等)。另外，在被處理水是冷卻塔排污水的情況下，再生水無需是純水，只要能去除水垢成分(2價(jià)離子、Ca2+、Mg2+等)即可，因此具有利用納米過濾器(NF)等的優(yōu)點(diǎn)。在圖1中，僅示出一個(gè)第一脫鹽部10a、10b，但也可以構(gòu)成為沿被處理水的流通方向并聯(lián)或串聯(lián)地連結(jié)多個(gè)脫鹽裝置。第一析晶部20(20a、20b)由第一析晶槽21(21a、21b)以及第一晶種供給部22(22a、22b)構(gòu)成。第一晶種供給部22a、22b分別與第一析晶槽21a、21b連接。第一晶種供給部22a、22b具有晶種罐23(23a、23b)、閥V3(V3a、V3b)以及控制部24(24a、24b)。控制部24a、24b分別與閥V3a、V3b連接。晶種罐23a、23b貯存石膏粒子來作為晶種。在圖1的水處理系統(tǒng)1中，也可以在各個(gè)第一析晶部20a、20b的下游側(cè)設(shè)置第一沉淀部50(50a、50b)。第一沉淀部50a、50b分別具備第一沉淀槽51(51a、51b)以及第一過濾裝置52(52a、52b)。水處理系統(tǒng)1在位于最下游的第一析晶部20b的被處理水下游側(cè)具備下游側(cè)脫鹽部60。在圖1中，下游側(cè)脫鹽部60是反浸透膜裝置。下游側(cè)脫鹽部60能夠采用電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、離子交換裝置、靜電脫鹽裝置(CDI)、納米過濾器(NF)、蒸發(fā)器等。在水處理系統(tǒng)1中，在位于被處理水的最上游的第一水垢防止劑供給部30a以及第一pH調(diào)整部40a的上游處設(shè)置有沉淀槽71以及過濾裝置72來作為第一上游側(cè)沉淀部70。沉淀槽71以及過濾裝置72是與第一沉淀部50的第一沉淀槽51以及第一過濾裝置52相同的結(jié)構(gòu)。尤其是在被處理水中包含Mg離子的情況下，第一上游側(cè)沉淀部能夠采用沿被處理水的流通方向串聯(lián)地連接多個(gè)沉淀槽71的結(jié)構(gòu)。在圖1所示的水處理系統(tǒng)1中，在第一上游側(cè)沉淀部70的上游側(cè)也可以設(shè)置第一脫氣部73。具體而言，第一脫氣部73是具備去除二氧化碳的填充劑的脫氣塔或者分離膜。在第一脫氣部73的被處理水上游側(cè)也可以設(shè)置將被處理水調(diào)整為使碳酸離子以CO2的狀態(tài)存在的pH的pH調(diào)整部(未圖示)。第一脫氣部73也可以設(shè)置在第一上游側(cè)沉淀部70的被處理水下游側(cè)且第一水垢防止劑供給部30a以及第一pH調(diào)整部40a的上游側(cè)。也可以在第一脫鹽部10與第一析晶部20之間的流路中、第一析晶部20與第一沉淀部50之間的流路中以及第一沉淀部50的下游側(cè)且與第一脫鹽部10b或者下游側(cè)脫鹽部60之間的流路中設(shè)置與第一脫氣部73相同結(jié)構(gòu)的脫氣部。在被處理水中的Ca離子濃度較高的情況下，也可以在過濾裝置72的下游且位于最上游的第一水垢防止劑供給部30a以及第一pH調(diào)整部40a的上游處設(shè)置離子交換裝置(未圖示)。離子交換裝置例如是離子交換樹脂塔、離子交換膜裝置。當(dāng)向第一脫鹽部10a流入的被處理水中的石膏已經(jīng)成為過飽和時(shí)，由于在第一脫鹽部10a中離子進(jìn)一步被濃縮，因此石膏濃度成為更高的狀態(tài)。在該情況下，不僅需要投入大量的鈣水垢防止劑，而且有可能發(fā)生石膏濃度增加到鈣水垢防止劑發(fā)揮效果的程度以上而導(dǎo)致在第一脫鹽部10a內(nèi)產(chǎn)生水垢。因此，在原水(被處理水)中的石膏為過飽和的情況下，也可以在最上游的第一水垢防止劑供給部30a以及第一pH調(diào)整部40a的上游設(shè)置與上述的第一析晶槽21a、21b相同結(jié)構(gòu)的上游側(cè)析晶部(未圖示)，在使石膏濃度降低之后將被處理水送至第一脫鹽部10a。以下，說明使用第一參考實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)1對(duì)被處理水進(jìn)行處理的方法。首先，對(duì)水中的石膏、二氧化硅以及碳酸鈣的析出行為進(jìn)行說明。圖2是石膏析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。圖3是碳酸鈣析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。在該圖中，橫軸為pH，縱軸分別為石膏或碳酸鈣的析出量(mol)。模擬使用OLI公司制的模擬軟件在如下條件下進(jìn)行：向水中分別混合0.1mol/L的各固體成分，添加H2SO4作為酸，并添加Ca(OH)2作為堿。圖4是表示二氧化硅溶解量的pH依賴性的曲線圖(出處：美國(guó)專利第7815804號(hào)說明書的圖4)。在該圖中，橫軸為pH，縱軸為二氧化硅的溶解量(mg/L)。根據(jù)圖2可知，石膏析出不存在pH依賴性，在整個(gè)pH區(qū)域中析出。但是，當(dāng)添加鈣水垢防止劑后，在高pH區(qū)域中，石膏以溶解于水中的狀態(tài)存在。根據(jù)圖3可知，碳酸鈣在pH超過5時(shí)析出。根據(jù)圖4可知，二氧化硅在pH成為10以上時(shí)存在溶解于水中的趨勢(shì)。<前處理>在被處理水為工業(yè)廢水等的情況下，在被處理水流入第一上游側(cè)沉淀部70之前，實(shí)施用于去除被處理水中的油分、浮游粒子等的工序、通過生物處理或化學(xué)氧化處理去除有機(jī)物的工序。<第一脫氣工序>在圖1的水處理系統(tǒng)1中，流入第一脫氣部73之前的被處理水被調(diào)整為低pH。被處理水中的碳酸根據(jù)被處理水的pH而成為以下的平衡狀態(tài)?！净瘜W(xué)式1】在pH較低為6.5以下的情況下，在被處理水中主要以HCO3-以及CO2的狀態(tài)存在。包含CO2的被處理水向第一脫氣部73流入。CO2在第一脫氣部73中從被處理水中被去除。若預(yù)先將被處理水調(diào)整為碳酸離子作為CO2而存在的pH，則能夠高效地去除二氧化碳。通過第一脫氣工序而降低了碳酸離子濃度的被處理水被送至第一上游側(cè)沉淀部70。<第一上游側(cè)沉淀工序>在第一上游側(cè)沉淀部70中，Ca離子以及碳酸離子作為碳酸鈣而預(yù)先從被處理水中被去除一部分。在被處理水中包含Ca離子以外的金屬離子的情況下，在第一上游側(cè)沉淀部70中，金屬離子作為向水中的溶解性較低的金屬化合物而被預(yù)先從被處理水中粗去除。該金屬化合物主要為金屬氫氧化物，但有時(shí)也包含碳酸鹽。在沉淀槽71中向被處理水投入Ca(OH)2以及陰離子系聚合物(三菱重工機(jī)電一體化系統(tǒng)(有限公司)制，商品名：ヒシフロツクH305)，沉淀槽71內(nèi)的pH被管理為4以上且12以下，優(yōu)選被管理為8.5以上且12以下。如圖3所示，在該pH區(qū)域中，碳酸鈣的溶解度較低。當(dāng)碳酸鈣成為過飽和時(shí)，碳酸鈣析出并沉淀到沉淀槽71的底部。金屬化合物的溶解度依賴于pH。越為酸性，則金屬離子向水中的溶解度越高。在上述的pH區(qū)域中，大多金屬化合物的溶解度變低。在上述pH區(qū)域中，向水中的溶解度較低的金屬化合物在沉淀槽71內(nèi)凝聚，并沉淀到沉淀槽71的底部。沉淀后的碳酸鈣以及金屬化合物從沉淀槽71的底部排出。Mg離子相對(duì)于水形成難溶性的鹽，因此是容易作為水垢而析出的成分。Mg(OH)2在pH為10以上時(shí)析出。在利用本參考實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)1對(duì)包含Mg離子的被處理水進(jìn)行處理的情況下，將沉淀槽71中的被處理水的pH調(diào)整為鎂化合物(主要是氫氧化鎂)析出的pH。具體而言，被處理水的pH被調(diào)整為10以上，優(yōu)選pH被調(diào)整為10.5以上，更優(yōu)選pH被調(diào)整為11以上。這樣，鎂化合物從被處理水中析出，并沉淀到沉淀槽71的底部而被去除。其結(jié)果是，被處理水中的Mg離子被粗去除，使被處理水中的Mg離子濃度降低。在上述的情況下，從第一上游側(cè)沉淀部70排出后的被處理水優(yōu)選調(diào)整為上述的鎂化合物能夠溶解的pH。具體而言，調(diào)整為pH小于10。這樣，能夠防止在下游側(cè)的裝置以及工序中、尤其是在第一脫鹽部10a以及第一脫鹽工序中生成水垢。在設(shè)置多段沉淀槽71的情況下，能夠可靠地去除被處理水中的Mg離子，從而使送至下游側(cè)的被處理水中的Mg離子濃度降低。作為被處理水的沉淀槽71內(nèi)的上清液被從沉淀槽71排出。向被排出的被處理水中添加FeCl3，上清液中的碳酸鈣、金屬化合物等的固成分與Fe(OH)3凝聚。被處理水被送至過濾裝置72。經(jīng)由過濾裝置72去除在Fe(OH)3的作用下凝聚了的固成分。在實(shí)施了第一上游側(cè)沉淀工序后實(shí)施第一脫氣工序的情況下，被處理水的pH被調(diào)整為碳酸離子能夠作為CO2存在的pH，具體而言調(diào)整為6.5以下。需要說明的是，根據(jù)被處理水的性狀，也可以省略上述第一脫氣工序以及第一上游側(cè)沉淀工序。在設(shè)置了離子交換裝置的情況下，通過離子交換裝置而去除被處理水中的Ca離子。在被處理水中包含Mg離子的情況下，Mg離子也被離子交換裝置去除。在原水中的石膏為過飽和的情況下，在接著過濾裝置72設(shè)置的上游側(cè)析晶部向被處理水中投入石膏的晶種，石膏析晶而使被處理水中的石膏濃度降低。石膏濃度降低了的被處理水被送至第一脫鹽部10a。<第一水垢防止劑供給工序>第一水垢防止劑供給部30a的控制部32a將閥V1a開放，從罐31a向被處理水供給規(guī)定量的鈣水垢防止劑?？刂撇?2a以使鈣水垢防止劑的濃度成為根據(jù)被處理水的性狀而設(shè)定的規(guī)定值的方式調(diào)整閥V1a的開度。在被處理水中包含Mg離子的情況下，在第一水垢防止劑供給工序中，通過與上述相同的方法向被處理水供給鎂水垢防止劑。在該情況下，在多個(gè)第一水垢防止劑供給部的罐中分別收納鈣水垢防止劑以及鎂水垢防止劑，各控制部對(duì)鈣水垢防止劑以及鎂水垢防止劑的供給量進(jìn)行調(diào)整。<第一pH調(diào)整工序>第一pH調(diào)整部40a的控制部42a將第一脫鹽部10a入口處的被處理水的pH管理為二氧化硅能夠在被處理水中溶解的值。具體而言，將被送至第一脫鹽部10a的被處理水的pH調(diào)整為10以上，優(yōu)選調(diào)整為10.5以上，更優(yōu)選調(diào)整為11以上。pH計(jì)43a對(duì)第一脫鹽部10a入口處的被處理水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)?？刂撇?2a以使pH計(jì)43a的計(jì)測(cè)值成為規(guī)定的pH管理值的方式調(diào)整閥V2a的開度，并從罐41a向被處理水投入堿。<第一脫鹽工序>在第一脫鹽部10a中，對(duì)調(diào)整了pH后的被處理水進(jìn)行處理。在第一脫鹽部10a為反浸透膜裝置的情況下，通過了反浸透膜的水作為處理水而被回收。被處理水中所包含的離子以及水垢防止劑無法透過反浸透膜。因此，反浸透膜的非透過側(cè)成為離子濃度較高的濃縮水。例如在使用靜電脫鹽裝置等其他的脫鹽裝置的情況下，被處理水也分離為處理水和離子濃度較高的濃縮水(第一濃縮水)。通過第一脫鹽工序，如圖4所示，二氧化硅以溶解于被處理水中的狀態(tài)包含在第一濃縮水中。即便在第一濃縮水中的石膏以及碳酸鈣濃縮為飽和濃度以上的情況下，也能夠利用鈣水垢防止劑來抑制水垢產(chǎn)生。在被處理水中包含Mg離子的情況下，通過第一脫鹽工序，第一濃縮水中所包含的Mg離子濃度增加。但是，利用鎂水垢防止劑能夠抑制產(chǎn)生包含鎂的水垢。第一濃縮水被朝向第一析晶部20a送給。<第一析晶工序>從第一脫鹽部10a排出的第一濃縮水貯存于第一析晶部20a的第一析晶槽21a。第一晶種供給部22a的控制部24a將閥V3a開放，從罐23a向第一析晶槽21a內(nèi)的第一濃縮水中添加石膏的晶種。來自第一脫鹽部10a的第一濃縮水的pH為10以上。如上所述，在存在有鈣水垢防止劑的高pH區(qū)域的水中，石膏為溶解狀態(tài)。但是，若存在足夠的晶種，則即便存在水垢防止劑，也以晶種為核而發(fā)生石膏析晶。在圖1的水處理系統(tǒng)1中，結(jié)晶生長(zhǎng)了的大徑(例如粒徑為10μm以上，更優(yōu)選為20μm以上)的石膏沉淀在第一析晶槽21a的底部。沉淀了的石膏從第一析晶槽21a的底部排出。另一方面，若pH為10以上，則二氧化硅在第一析晶槽21a內(nèi)以溶解于第一濃縮水中的狀態(tài)存在。即便在第一濃縮水中的二氧化硅濃度超過了飽和溶解度的情況下，由于不存在二氧化硅的晶種，因此二氧化硅也作為膠狀等的小浮游物析出而難以沉淀。根據(jù)圖3，在pH為10以上存在碳酸鈣析出的趨勢(shì)。但是，由于添加有鈣水垢防止劑，因此能夠抑制碳酸鈣在第一析晶槽21a內(nèi)析出。另外，在設(shè)置第一上游側(cè)沉淀部、第一脫氣部的情況下，能夠預(yù)先降低碳酸鈣的濃度。其結(jié)果是，在第一析晶槽21a中，碳酸鈣不易以石膏的晶種為核而析晶。需要說明的是，若存在石膏的晶種，則不依賴于pH，石膏發(fā)生析晶，pH越低，則析晶速度越高。圖5是在向石膏處于過飽和狀態(tài)的模擬水(包含Ca2+、SO42-、Na+、Cl-)中添加了水垢防止劑(FLOCON260)的情況下，改變模擬水的pH而進(jìn)行石膏析出實(shí)驗(yàn)所得到的結(jié)果。實(shí)驗(yàn)條件如下。模擬水的石膏過飽和度(25℃)：460％，水垢防止劑添加量：2.1mg/L，pH：6.5(條件1)，5.5(條件2)，4.0(條件3)，3.0(條件4)，晶種添加量：0g/L。從剛剛調(diào)整pH后起經(jīng)過兩小時(shí)以及六小時(shí)后，使用原子吸光分析裝置(島津制作所制，AA-7000)來計(jì)測(cè)在各條件下處理后的模擬水中的Ca濃度，并將計(jì)算過飽和度所得到的結(jié)果示于圖5。在該圖中，縱軸為過飽和度(％)。根據(jù)圖5，即便在不存在晶種的條件下，也為越降低pH則析晶速度越變大。因此可知，在存在晶種的情況下，在條件1(pH6.5)下也發(fā)生石膏析晶，析晶速度的關(guān)系如圖5那樣，pH低則析晶速度變高。在被處理水中包含碳酸離子的情況下，在pH較低的條件下，如化學(xué)式(1)那樣碳酸離子作為CO2而被從被處理水中去除。另外，根據(jù)圖3可知，在pH較低的情況下，碳酸鈣成為溶解狀態(tài)。根據(jù)以上的結(jié)果，當(dāng)在pH較低的條件下進(jìn)行第一析晶工序時(shí)，由于碳酸鈣、二氧化硅的含有量較低，因此析晶出純度較高的石膏，并從第一析晶槽21a底部被回收。在以較低的pH進(jìn)行第一析晶工序的情況下，在第一析晶槽21a內(nèi)或者第一脫鹽部10a與第一析晶槽21a之間的流路中，設(shè)置有用于供給作為pH調(diào)整劑的酸的第三pH調(diào)整部(未圖示)。該pH調(diào)整部是與后述的第二pH調(diào)整部相同的結(jié)構(gòu)。另一方面，在水處理過程中，為了使pH變動(dòng)而需要供給大量的藥品(酸或堿)。使用酸以及堿會(huì)導(dǎo)致向第一析晶部20a的下游側(cè)輸送的離子量增大，而成為下游側(cè)的脫鹽部(圖1中為第一脫鹽部10b、下游側(cè)脫鹽部60)的動(dòng)力增大的原因。從運(yùn)轉(zhuǎn)成本的觀點(diǎn)來看，在第一脫鹽工序和第一析晶工序中不使pH變動(dòng)是有利的。石膏的析晶速度依賴于晶種的投入量。圖6是在向模擬水中添加了鈣水垢防止劑(FLOCON260)的情況下改變晶種的添加量而進(jìn)行石膏析出實(shí)驗(yàn)所得到的結(jié)果。除了使pH為4.0并使作為晶種的石膏(CaSO4·2H2O)為以下的添加量之外，與圖5的實(shí)驗(yàn)條件相同。晶種添加量：0g/L(條件3)，3g/L(條件5)，6g/L(條件6)，3g/L(條件7)。在條件5、6下，向添加了水垢防止劑的模擬水中添加了晶種和用于調(diào)整pH的硫酸。在條件7下，向添加了水垢防止劑的模擬水中添加預(yù)先浸漬于上述水垢防止劑中的晶種，并且為了調(diào)整pH而添加了硫酸。從剛剛調(diào)整pH后起經(jīng)過兩小時(shí)后，利用與圖5相同的方法對(duì)在各條件下處理后的模擬水中的Ca濃度進(jìn)行了計(jì)測(cè)。在圖6中，縱軸為過飽和度(％)。根據(jù)圖6的結(jié)果可知，在未添加晶種的條件3下，過飽和度為215％，但隨著晶種濃度增大，過飽和度降低為199％(條件5)、176％(條件6)，石膏析出速度增大。即便在pH較高的條件下，同樣也存在晶種投入量越多則石膏析出速度越增大的趨勢(shì)。條件5與條件7是除了使用未浸漬于水垢防止劑的晶種和浸漬于水垢防止劑中的晶種之外相同的試驗(yàn)條件。能夠確認(rèn)：即便在預(yù)先使水垢防止劑附著于晶種的條件7下，過飽和度也成為199％，析出與條件5相同程度的石膏。即，條件5、7的結(jié)果示出：與晶種的鈣水垢防止劑中的浸漬時(shí)間無關(guān)，通過使pH下降為4.0而導(dǎo)致降低水垢防止劑的功能降低。圖7、8是通過析晶而得到的石膏的顯微鏡照片。圖7是條件5(添加有晶種)的結(jié)果，圖8是條件3(未添加晶種)的結(jié)果。在條件5下，析出了比條件3大的石膏。通常，析出的石膏越大，則含水率越低。若含水率低，則石膏為高純度。若平均粒徑為10μm以上，優(yōu)選為20μm以上，則能夠獲得含水率充分降低了的石膏。本發(fā)明中的“平均粒徑”是指利用由JISZ8825規(guī)定的方法(激光衍射法)計(jì)測(cè)得到的粒徑。<第一沉淀工序>第一析晶部20a的上清液(第一濃縮水)被送至第一沉淀部50a。在第一沉淀部50a中，向析晶工序后的第一濃縮水中投入Ca(OH)2以及陰離子系聚合物(ヒシフロツクH305)，將第一沉淀槽51a內(nèi)的pH管理為4以上且12以下，優(yōu)選管理為8.5以上且12以下。在第一沉淀槽51a內(nèi)，碳酸鈣以及金屬化合物沉淀并從第一濃縮水中被去除。沉淀了的碳酸鈣以及向水中的溶解性較低的金屬化合物被從第一沉淀槽51a的底部排出。第一沉淀槽51a內(nèi)的作為上清液的被處理水被從第一沉淀槽51a排出。向被排出的被處理水中添加FeCl3，被處理水中的碳酸鈣、金屬化合物等的固成分與Fe(OH)3凝聚。被處理水被送至第一過濾裝置52a。經(jīng)由第一過濾裝置52a去除在Fe(OH)3的作用下凝聚了的固成分。第一析晶部20a的上清液中的二氧化硅可以在第一沉淀工序中從第一濃縮水中被去除，也可以不去除而送至下游側(cè)。是否在第一沉淀工序中去除二氧化硅根據(jù)被處理水、第一濃縮水的性狀來決定。在未去除二氧化硅的情況下，在不向第一沉淀槽51a供給二氧化硅的晶種以及二氧化硅的沉淀劑的狀態(tài)下實(shí)施第一沉淀工序。在該情況下，二氧化硅在位于下游側(cè)的脫鹽部(第一脫鹽部10b、下游側(cè)脫鹽部60)與處理水分離。在去除二氧化硅的情況下，從未圖示的供給部向第一沉淀部50a內(nèi)的第一濃縮水中供給二氧化硅的晶種與二氧化硅的沉淀劑中的至少一方。二氧化硅的晶種例如是硅膠，二氧化硅的沉淀劑例如是MgSO4、鋁酸Na(Na[Al(OH)4])。在去除二氧化硅的情況下，優(yōu)選將第一沉淀槽51a內(nèi)的第一濃縮水的pH調(diào)整為8以上且10以下。在使用了二氧化硅的晶種的情況下，以晶種為核而發(fā)生二氧化硅析晶。在使用MgSO4作為二氧化硅的沉淀劑的情況下，析出硅酸鎂。析晶出的二氧化硅、硅酸鎂沉淀在第一沉淀槽51a的底部，并從第一沉淀槽51a的底部排出。在被處理水中包含Mg離子的情況下，在第一沉淀工序中，第一濃縮水中的Mg離子與二氧化硅發(fā)生反應(yīng)而沉淀。二氧化硅以及Mg離子去除的工序根據(jù)第一沉淀槽51a內(nèi)的第一濃縮水中的Mg離子的含有量與二氧化硅的含有量的平衡而不同。在第一沉淀工序中的第一濃縮水的Mg離子濃度相對(duì)于二氧化硅含有量較低的情況下，Mg離子在與二氧化硅的沉淀中被消耗。為了去除未在與Mg離子的沉淀中被消耗的剩余的二氧化硅而供給二氧化硅的沉淀劑(MgSO4)。二氧化硅的沉淀劑的供給量根據(jù)第一沉淀工序中的二氧化硅的含有量以及Mg離子的含有量而供給與消耗上述剩余的二氧化硅對(duì)應(yīng)的量。在第一沉淀工序中的第一濃縮水的Mg離子濃度相對(duì)于二氧化硅含有量較高的情況下，Mg離子與二氧化硅的沉淀結(jié)果為Mg離子殘留。當(dāng)?shù)谝粷饪s水在殘留的Mg離子濃度較高的狀態(tài)下從第一沉淀槽51a排出時(shí)，有可能在后段的脫鹽部(在圖1中為第一脫鹽部10b，在最下游的第一沉淀部的情況下為下游側(cè)脫鹽部60)析出包含Mg的水垢。因此，第一沉淀槽51a內(nèi)的第一濃縮水被調(diào)整為鎂化合物(主要是氫氧化鎂)能夠析出的值。這樣，在第一沉淀槽51a內(nèi)，鎂化合物沉淀，使第一沉淀槽51a內(nèi)的第一濃縮水的Mg離子濃度降低。此外，在第一沉淀工序之后，將從第一沉淀槽51a排出的第一濃縮水調(diào)整為鎂化合物能夠溶解的pH。具體而言，pH小于10。這樣，能夠抑制在脫鹽部中析出包含Mg的水垢。在以多段實(shí)施處理的情況下，通過了前段的第一水處理部的第一過濾裝置52a的第一濃縮水作為被處理水而向后段的水處理部流入。在后段的水處理部中，實(shí)施上述的第一水垢防止劑供給工序至第一沉淀工序。<下游側(cè)脫鹽工序>通過了位于被處理水最下游的第一沉淀部50b的濃縮水(第一濃縮水)被送至下游側(cè)脫鹽部60。通過了下游側(cè)脫鹽部60的水作為處理水而被回收。下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水被向系統(tǒng)外排出。若設(shè)置下游側(cè)脫鹽部60，則能夠從由水處理部處理后的水中進(jìn)一步回收處理水，因此水回收率提高。在本參考實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)1中，在第一脫鹽部10中將離子濃縮，但在第一析晶部、第一沉淀部等中去除石膏、碳酸鈣、二氧化硅等。因此，向下游側(cè)脫鹽部60流入的水的離子的摩爾數(shù)比處理前降低。因此，位于下游的第一脫鹽部10b、下游側(cè)脫鹽部60中的浸透壓力變低，從而需要的動(dòng)力降低。也可以在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游設(shè)置蒸發(fā)器(圖1中未圖示)。在蒸發(fā)器中，水從濃縮水中蒸發(fā)，濃縮水所包含的離子作為固體而析出，并作為固體而被回收。在蒸發(fā)器的上游側(cè)水被回收而使?jié)饪s水量顯著減量，因此能夠減小蒸發(fā)器，并能夠減少蒸發(fā)所需要的能量。[第一實(shí)施方式]圖9是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)的概要圖。在圖9中，對(duì)與第一參考實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)。第一實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)100在第一析晶部20a、20b的下游側(cè)設(shè)置有第一分離部180(180a、180b)。圖9的水處理系統(tǒng)100成為在被處理水的流通方向上連結(jié)有兩個(gè)水處理部的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)100中，根據(jù)被處理水的性狀，可以為一個(gè)水處理部，也可以連結(jié)三個(gè)以上的水處理部。在圖9中，第一分離部180(180a、180b)由分級(jí)器181(181a、181b)和脫水器182(182a、182b)構(gòu)成。分級(jí)器181a、181b例如為旋液分離器。脫水器182a、182b例如為帶式過濾器。在圖9中，第一分離部180僅設(shè)置有一個(gè)分級(jí)器，但也可以沿被處理水的流通方向串聯(lián)地連接多個(gè)分級(jí)器。在第一實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)100中，除了接著第一析晶工序之后進(jìn)行第一分離工序之外，以與第一參考實(shí)施方式相同的工序?qū)Ρ惶幚硭M(jìn)行處理。<第一分離工序>第一析晶槽21a、21b內(nèi)的第一濃縮水被輸送至第一分離部180a、180b。在此被輸送的第一濃縮水是包含在第一析晶槽21a、21b內(nèi)析出的固形物的水。在從第一析晶槽21a、21b排出的第一濃縮水中，除了具有各種粒徑的石膏之外，還包含由于超過了飽和濃度而析出的碳酸鈣、二氧化硅。碳酸鈣、二氧化硅并非是在晶種的存在下而析出的物質(zhì)，因此成為小徑或膠狀的浮游物。當(dāng)?shù)谝粷饪s水流入分級(jí)器181a、181b時(shí)，規(guī)定大小、例如平均粒徑10μm以上的石膏沉降到分級(jí)器181a、181b的底部，小粒徑的石膏、碳酸鈣以及二氧化硅殘留在上清液中。沉降到分級(jí)器181a、181b的底部的石膏由脫水器182a、182b進(jìn)一步脫水而被回收。包含小粒徑的石膏、碳酸鈣以及二氧化硅的上清液被送至第一沉淀部50a、50b。在本實(shí)施方式中，由于添加晶種而使析晶發(fā)生，因此主要析出平均粒徑10μm以上的石膏，小徑的石膏的比例變少。通過第一分離工序，能夠以較高的回收率對(duì)含水率低且不包含雜質(zhì)的(即高純度的)石膏進(jìn)行分離回收。由第一分離部180a、180b回收的石膏的一部分也可以作為晶種而循環(huán)至晶種罐23a、23b。[第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例]成為本發(fā)明的處理對(duì)象的水(被處理水)包含Ca2+、SO42-以及碳酸離子。具體而言，被處理水(原水)為坑水、下水、工廠廢水、冷卻塔的排污水等。另外，被處理水有時(shí)包含Mg離子等金屬離子。圖10是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖10的水處理系統(tǒng)201成為在被處理水的流通方向上連結(jié)有兩個(gè)水處理部的結(jié)構(gòu)。根據(jù)被處理水的性狀，可以為一個(gè)水處理部，也可以連結(jié)三個(gè)以上的水處理部。第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中的每個(gè)水處理部分別從被處理水的上游側(cè)起依次具備第二脫鹽部210(210a、210b)以及第二析晶部220(220a、220b)。第二脫鹽部210a、210b的濃縮側(cè)與第二析晶部220a、220b連接。水處理部在各第二脫鹽部210(210a、210b)的上游側(cè)流路具備第二水垢防止劑供給部230(230a、230b)。第二水垢防止劑供給部230a、230b分別由罐231(231a、231b)、閥V4(V4a、V4b)以及控制部232(232a、232b)構(gòu)成。控制部232a、232b與閥V4a、V4b連接。在第二水垢防止劑供給部230a、230b的罐231a、231b內(nèi)貯存有水垢防止劑。本實(shí)施方式的第一實(shí)施例中使用的水垢防止劑用于防止在被處理水中析出包含鈣的水垢。以下稱為“鈣水垢防止劑”。鈣水垢防止劑具有如下的功能：抑制在被處理水中生成石膏或碳酸鈣的結(jié)晶核，并且通過吸附于被處理水中所包含的石膏或碳酸鈣的結(jié)晶核(晶種、超過飽和濃度而析出的小徑的水垢等)的表面而抑制石膏或碳酸鈣的結(jié)晶生長(zhǎng)?；蛘撸}水垢防止劑還具有使析出的結(jié)晶等被處理水中的粒子分散(防止凝聚)的功能的類型的鈣水垢防止劑。作為鈣水垢防止劑，具有膦酸系的水垢防止劑、聚羧酸系的水垢防止劑以及它們的混合物等。作為具體例，舉出FLOCON260(商品名，BWA公司制)。圖10示出罐231a、231b，在罐231a、231b中收納有鈣水垢防止劑。在圖10中，第二脫鹽部210a、210b是反浸透膜裝置。此外，第二脫鹽部210a、210b能夠采用電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、離子交換裝置(IEx)、靜電脫鹽裝置(CDI)、納米過濾器(NF)、蒸發(fā)器等。在此，在納米過濾器(NF)、電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、靜電脫鹽裝置(CDl)中，選擇性地去除水垢成分(2價(jià)離子、Ca2+、Mg2+等)，并使Na+以及Cl-等1價(jià)離子透過。若使用這些脫鹽裝置，則能夠抑制濃縮水中的成為水垢成分的離子的離子濃度的濃縮，因此能夠?qū)崿F(xiàn)水回收率的提高、節(jié)能化(例如泵動(dòng)力的削減等)。另外，在被處理水是冷卻塔排污水的情況下，再生水無需是純水，只要能去除水垢成分(2價(jià)離子、Ca2+、Mg2+等)即可，因此具有利用納米過濾器(NF)等的優(yōu)點(diǎn)。在圖10中，僅示出一個(gè)第二脫鹽部210a、210b，但也可以構(gòu)成為沿被處理水的流通方向并聯(lián)或串聯(lián)地連結(jié)多個(gè)脫鹽裝置。第二析晶部220(220a、220b)由第二析晶槽221(221a、221b)以及第二晶種供給部222(222a、222b)構(gòu)成。第二晶種供給部222a、222b與第二析晶槽221a、221b連接。第二晶種供給部222a、222b具有晶種罐223(223a、223b)、閥V5(V5a、V5b)以及控制部224(224a、224b)。控制部224a、224b與閥V5a、V5b連接。晶種罐223a、223b貯存石膏粒子來作為晶種。在圖10的水處理系統(tǒng)201中，也可以在第二析晶部220a、220b的下游側(cè)設(shè)置第二沉淀部250(250a、250b)。第二沉淀部250a、250b分別具備第二沉淀槽251(251a、251b)以及第二過濾裝置252(252a、252b)。水處理系統(tǒng)201在位于最下游的第二析晶部220b的被處理水下游側(cè)具備下游側(cè)脫鹽部60。在圖10中，下游側(cè)脫鹽部60是反浸透膜裝置。下游側(cè)脫鹽部60能夠采用電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、離子交換裝置、靜電脫鹽裝置(CDI)、納米過濾器(NF)、蒸發(fā)器等。在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游也可以設(shè)置蒸發(fā)器(在圖10中未圖示)。在蒸發(fā)器中，水從濃縮水中蒸發(fā)，濃縮水所包含的離子作為固體而析出，并作為固體而被回收。在蒸發(fā)器的上游側(cè)水被回收而使?jié)饪s水量顯著減量，因此能夠減小蒸發(fā)器，并能夠減少蒸發(fā)所需要的能量。在第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中，也可以在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間設(shè)置第二pH調(diào)整部240(240a、240b)。第二pH調(diào)整部240由罐241(241a、241b)、閥V6(V6a、V6b)、pH計(jì)243(243a、243b)以及控制部242(242a、242b)構(gòu)成。在罐241內(nèi)貯存有作為pH調(diào)整劑的酸。酸例如能夠使用鹽酸、硫酸、硝酸等。尤其是硫酸，由于在析晶工序中SO42-會(huì)作為石膏被去除而能夠降低到達(dá)下游側(cè)的脫鹽部的離子量，因此是優(yōu)選的?？刂撇?42與閥V6以及pH計(jì)243連接。pH計(jì)243可以如圖10那樣設(shè)置在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間的流路中，也可以設(shè)置在第二析晶槽221內(nèi)。在水處理系統(tǒng)201中，在位于被處理水的最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游側(cè)，設(shè)置有沉淀槽271以及過濾裝置272來作為第二上游側(cè)沉淀部270。第二上游側(cè)沉淀部270是與第一沉淀部250的第一沉淀槽251以及第一過濾裝置252相同的結(jié)構(gòu)。尤其是在被處理水中包含Mg離子的情況下，第二上游側(cè)沉淀部270能夠采用沿被處理水的流通方向串聯(lián)地連接多個(gè)沉淀槽271的結(jié)構(gòu)。如圖10所示，水處理系統(tǒng)201也可以在第二上游側(cè)沉淀部270的上游側(cè)設(shè)置第二脫氣部273。具體而言，第二脫氣部273是具備用于去除二氧化碳的填充劑的脫氣塔或者分離膜。在第二脫氣部273的被處理水上游側(cè)，也可以設(shè)置將被處理水調(diào)整為使碳酸離子以CO2的狀態(tài)存在的pH的pH調(diào)整部(未圖示)。第二脫氣部273也可以設(shè)置在第二上游側(cè)沉淀部270的被處理水下游側(cè)且第二水垢防止劑供給部230a的上游側(cè)。也可以在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間的流路中、第二析晶部220與第二沉淀部250之間的流路中以及第二沉淀部250的下游側(cè)且與第二脫鹽部210b或者下游側(cè)脫鹽部60之間的流路中設(shè)置與第二脫氣部273相同結(jié)構(gòu)的脫氣部。在被處理水中的Ca離子濃度較高的情況下，也可以在過濾裝置272的下游且位于最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游設(shè)置離子交換裝置(未圖示)。離子交換裝置例如是離子交換樹脂塔、離子交換膜裝置。當(dāng)向第二脫鹽部210a流入的被處理水中的石膏已經(jīng)成為過飽和時(shí)，由于在第二脫鹽部210a中離子進(jìn)一步被濃縮，因此石膏濃度成為更高的狀態(tài)。在該情況下，不僅需要投入大量的鈣水垢防止劑，而且有可能發(fā)生石膏濃度增加到鈣水垢防止劑發(fā)揮效果的程度以上而導(dǎo)致在第二脫鹽部210a內(nèi)產(chǎn)生水垢。因此，在原水(被處理水)中的石膏為過飽和的情況下，也可以在最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游設(shè)置與第二析晶部220a、220b相同結(jié)構(gòu)的上游側(cè)析晶部(未圖示)，在使石膏濃度降低之后將被處理水送至第二脫鹽部210a。在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，如圖10所示，在第二析晶部220的下游側(cè)設(shè)置有第二分離部280(280a、280b)。第二分離部280是與第一分離部180相同的結(jié)構(gòu)，具備分級(jí)器281(281a、281b)和脫水器282(282a、282b)。分級(jí)器281a、281b例如為旋液分離器。脫水器282a、282b例如為帶式過濾器。在圖10中，第二分離部280僅設(shè)置有一個(gè)分級(jí)器，但也可以沿被處理水的流通方向串聯(lián)地連接多個(gè)分級(jí)器。以下，說明使用第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201對(duì)被處理水進(jìn)行處理的方法。首先，對(duì)水中的石膏以及碳酸鈣的析出行為進(jìn)行說明。圖2是石膏析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。圖3是碳酸鈣析出量的pH依賴性的模擬結(jié)果。在該圖中，橫軸為pH，縱軸分別為石膏或碳酸鈣的析出量(mol)。模擬使用OLI公司制的模擬軟件在如下條件下進(jìn)行：向水中分別混合0.1mol/L的各固體成分，添加H2SO4作為酸，并添加Ca(OH)2作為堿。根據(jù)圖2可知，石膏析出不存在pH依賴性，在整個(gè)pH區(qū)域中析出。但是，當(dāng)添加鈣水垢防止劑后，在高pH區(qū)域中，石膏以溶解于水中的狀態(tài)存在。根據(jù)圖3可知，碳酸鈣在pH超過5時(shí)析出。<前處理>在被處理水為工業(yè)廢水等的情況下，在被處理水流入第二上游側(cè)沉淀部270之前，實(shí)施用于去除被處理水中的油分、浮游粒子等的工序、通過生物處理或化學(xué)氧化處理去除有機(jī)物的工序。<第二脫氣工序>在圖10的水處理系統(tǒng)201中，流入第二脫氣部273之前的被處理水被調(diào)整為低pH。被處理水中的碳酸根據(jù)被處理水的pH而成為以下的平衡狀態(tài)?！净瘜W(xué)式2】在pH較低為6.5以下的情況下，在被處理水中主要以HCO3-以及CO2的狀態(tài)存在。包含CO2的被處理水向第二脫氣部273流入。CO2在第二脫氣部273中從被處理水中被去除。若預(yù)先將被處理水調(diào)整為碳酸離子作為CO2而存在的pH，則能夠高效地去除二氧化碳。通過第二脫氣工序而降低了碳酸離子濃度的被處理水被送至第二上游側(cè)沉淀部270。<第二上游側(cè)沉淀工序>在第二上游側(cè)沉淀部270中，Ca離子以及碳酸離子作為碳酸鈣而預(yù)先從被處理水中被粗去除。在被處理水中包含Ca離子以外的金屬離子的情況下，在第二上游側(cè)沉淀部270中，金屬離子作為向水中的溶解性較低的金屬化合物而被預(yù)先從被處理水中被粗去除。該金屬化合物主要為金屬氫氧化物，但有時(shí)也包含碳酸鹽。在沉淀槽271中向被處理水投入Ca(OH)2以及陰離子系聚合物(三菱重工機(jī)電一體化系統(tǒng)(有限公司)制，商品名：ヒシフロツクH305)，沉淀槽271內(nèi)的pH被管理為4以上且12以下，優(yōu)選被管理為8.5以上且12以下。如圖3所示，在該pH區(qū)域中，碳酸鈣的溶解度較低。當(dāng)碳酸鈣成為過飽和時(shí)，碳酸鈣析出并沉淀到沉淀槽271的底部。金屬化合物的溶解度依賴于pH。越為酸性，則金屬離子向水中的溶解度越高。在上述的pH區(qū)域中，大多金屬化合物的溶解度變低。在上述pH區(qū)域中，向水中的溶解度較低的金屬化合物在沉淀槽271內(nèi)凝聚，并沉淀到沉淀槽271的底部。沉淀后的碳酸鈣以及金屬化合物從沉淀槽271的底部排出。Mg離子相對(duì)于水形成難溶性的鹽，因此是容易作為水垢而析出的成分。Mg(OH)2在pH為10以上時(shí)析出。在利用本實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201對(duì)包含Mg離子的被處理水進(jìn)行處理的情況下，在第二上游側(cè)沉淀部270中將處理水調(diào)整為鎂化合物(主要是氫氧化鎂)析出的pH。具體而言，被處理水的pH被調(diào)整為10以上，優(yōu)選pH被調(diào)整為10.5以上，更優(yōu)選pH被調(diào)整為11以上。這樣，鎂化合物從被處理水中析出，并沉淀到沉淀槽271的底部而被去除。其結(jié)果是，被處理水中的Mg離子被粗去除，被處理水中的Mg離子濃度降低。在上述的情況下，從第二上游側(cè)沉淀部270排出后的被處理水優(yōu)選調(diào)整為上述的鎂化合物能夠溶解的pH。具體而言，調(diào)整為pH小于10。這樣，能夠防止在下游側(cè)的裝置以及工序中，尤其是在第二脫鹽部210以及第二脫鹽工序中生成水垢。在設(shè)置多段沉淀槽271的情況下，能夠可靠地去除被處理水中的Mg離子，從而使送至下游側(cè)的被處理水中的Mg離子濃度降低。作為被處理水的沉淀槽271內(nèi)的上清液被從沉淀槽271排出。向被排出的被處理水中添加FeCl3，上清液中的碳酸鈣、金屬化合物等的固成分與Fe(OH)3凝聚。被處理水被送至過濾裝置272。經(jīng)由過濾裝置272去除在Fe(OH)3的作用下凝聚了的固成分。在實(shí)施了第二上游側(cè)沉淀工序后實(shí)施第二脫氣工序的情況下，被處理水的pH被調(diào)整為碳酸離子能夠作為CO2存在的pH，具體而言調(diào)整為6.5以下。根據(jù)被處理水的性狀，能夠省略上述第二脫氣工序以及第二上游側(cè)沉淀工序。在第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中設(shè)置了離子交換膜裝置的情況下，通過離子交換裝置去除被處理水中的Ca離子。在被處理水中包含Mg離子的情況下，Mg離子也被離子交換裝置去除。在原水中的石膏為過飽和的情況下，在接著過濾裝置272設(shè)置的上游側(cè)析晶部向被處理水投入石膏的晶種，石膏析晶而使被處理水中的石膏濃度降低。石膏濃度降低了的被處理水被送至第二脫鹽部210a。<第二水垢防止劑供給工序>第二水垢防止劑供給部230a的控制部232a將閥V4a開放，從罐231a向被處理水供給規(guī)定量的鈣水垢防止劑?？刂撇?32a以使鈣水垢防止劑的濃度成為根據(jù)被處理水的性狀而設(shè)定的規(guī)定值的方式分別調(diào)整閥V4a的閥的開度。在被處理水中包含Mg離子的情況下，在第二水垢防止劑供給工序中，通過與上述相同的方法向被處理水供給鎂水垢防止劑。在該情況下，在多個(gè)第二水垢防止劑供給部的罐中分別收納鈣水垢防止劑以及鎂水垢防止劑，各控制部對(duì)鈣水垢防止劑以及鎂水垢防止劑的供給量進(jìn)行調(diào)整。在第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中，能夠任意地進(jìn)行將要流入第二脫鹽部210之前的被處理水的pH調(diào)整。例如，在圖10的結(jié)構(gòu)中，通過添加FeCl3而使被處理水的pH成為5至6左右后向第二脫鹽部210a流入。如圖3所示，若被處理水的pH為6.5以下，則碳酸鈣向水中的溶解度較高。另外，如式(1)所示，在上述pH區(qū)域，碳酸在水中主要以HCO3-以及CO2的狀態(tài)存在。向第二脫鹽部210a流入的被處理水的碳酸鈣濃度變低。在這種情況下，也可以不在第二脫鹽部210a之前調(diào)整pH。需要說明的是，在對(duì)要通過第二脫鹽工序進(jìn)行處理的被處理水的pH進(jìn)行調(diào)整的情況下，也可以在第二脫鹽部210a的上游設(shè)置與第二pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的pH調(diào)整部，并將pH調(diào)整后的被處理水送至第二脫鹽部210a。<第二脫鹽工序>在第二脫鹽部210a中，對(duì)投入了水垢防止劑的被處理水進(jìn)行處理。在第二脫鹽部210a為反浸透膜裝置的情況下，通過了反浸透膜的水作為處理水而被回收。被處理水所包含的離子以及水垢防止劑無法透過反浸透膜。因此，反浸透膜的非透過側(cè)成為離子濃度較高的濃縮水(第二濃縮水)。通過第二脫鹽部210a的處理，即便在第二濃縮水中的石膏以及碳酸鈣被濃縮到飽和濃度以上的情況下，也能夠利用鈣水垢防止劑來抑制水垢產(chǎn)生。在被處理水中包含Mg離子的情況下，通過第二脫鹽工序，第二濃縮水中所包含的Mg離子濃度增加。但是，利用鎂水垢防止劑能夠抑制包含鎂的水垢的產(chǎn)生。在使用例如靜電脫鹽裝置等其他的脫鹽裝置的情況下，被處理水也被分離為處理水和離子濃度較高的濃縮水(第二濃縮水)。第二濃縮水被朝向第二析晶部220a送給。<第二pH調(diào)整工序>在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，也可以在第二脫鹽部210a與第二析晶部220a之間，利用第二pH調(diào)整部240a來調(diào)整被處理水(第二濃縮水)的pH。第二pH調(diào)整部240a將第二濃縮水的pH管理為鈣水垢防止劑的功能降低而第二濃縮水中的石膏能夠析出的值。pH計(jì)243a對(duì)第二濃縮水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)。控制部242a以使pH計(jì)243a中的計(jì)測(cè)值成為規(guī)定的pH管理值的方式調(diào)整閥V6a的開度。<第二析晶工序>從第二脫鹽部210a排出的第二濃縮水貯存在第二析晶部220a的第二析晶槽221a中。第二晶種供給部222a的控制部224a將閥V5a開放，從晶種罐223a向第二析晶槽221a內(nèi)的第二濃縮水添加石膏的晶種。來自第二脫鹽部210a的第二濃縮水的pH為10以上。如上所述，在存在鈣水垢防止劑的高pH區(qū)域的水中，石膏為溶解狀態(tài)。但是，若存在足夠的晶種，則即便存在水垢防止劑，也以晶種為核而發(fā)生石膏析晶。在圖10的水處理系統(tǒng)201中，結(jié)晶生長(zhǎng)了的大徑(例如粒徑為10μm以上，更優(yōu)選為20μm以上)的石膏沉淀在第二析晶槽221a的底部。沉淀了的石膏從第二析晶槽221a的底部排出。根據(jù)圖3，在pH為10以上存在碳酸鈣析出的趨勢(shì)。但是，由于添加有鈣水垢防止劑，因此能夠抑制碳酸鈣在第二析晶槽221a內(nèi)析出。另外，在設(shè)置第二上游側(cè)沉淀部、第二脫氣部的情況下，能夠預(yù)先降低碳酸鈣的濃度。其結(jié)果是，在第二析晶槽221a中，碳酸鈣不易以石膏的晶種為核而析晶。需要說明的是，若存在石膏的晶種，則不依賴于pH，石膏發(fā)生析晶，pH越低，則析晶速度越高。圖5是在向石膏處于過飽和狀態(tài)的模擬水(包含Ca2+、SO42-、Na+、Cl-)中添加了水垢防止劑(FLOCON260)的情況下，改變模擬水的pH而進(jìn)行石膏析出實(shí)驗(yàn)所得到的結(jié)果。實(shí)驗(yàn)條件如下。模擬水的石膏過飽和度(25℃)：460％，水垢防止劑添加量：2.1mg/L，pH：6.5(條件1)，5.5(條件2)，4.0(條件3)，3.0(條件4)，晶種添加量：0g/L。從剛剛調(diào)整pH后起經(jīng)過兩小時(shí)以及六小時(shí)后，使用原子吸光分析裝置(島津制作所制，AA-7000)來計(jì)測(cè)在各條件下處理后的模擬水中的Ca濃度，并將計(jì)算過飽和度所得到的結(jié)果示于圖5。在該圖中，縱軸為過飽和度(％)。根據(jù)圖5，即便在不存在晶種的條件下，也為越降低pH則析晶速度越變大。因此可知，在存在晶種的情況下，在條件1(pH6.5)下也發(fā)生石膏析晶，析晶速度的關(guān)系如圖5那樣，pH低則析晶速度變高。在被處理水中包含碳酸離子的情況下，在pH較低的條件下，如化學(xué)式(1)那樣碳酸離子作為CO2而被從被處理水中去除。另外，根據(jù)圖3可知，在pH較低的情況下，碳酸鈣成為溶解狀態(tài)。根據(jù)以上的結(jié)果，當(dāng)在pH較低的條件下進(jìn)行第二析晶工序時(shí)，由于碳酸鈣的含有量較低，因此析晶出純度較高的石膏，并從第二析晶槽221a底部被回收。在以較低的pH進(jìn)行第二析晶工序的情況下，在第二析晶槽221a內(nèi)或者第二脫鹽部210a與第二析晶槽221a之間的流路中，設(shè)置有用于供給作為pH調(diào)整劑的酸的第三pH調(diào)整部(未圖示)。該pH調(diào)整部是與第二pH調(diào)整部相同的結(jié)構(gòu)。另一方面，在水處理過程中，為了使pH變動(dòng)而需要供給大量的藥品(酸或堿)。使用酸以及堿會(huì)導(dǎo)致向第二析晶部220a的下游側(cè)輸送的離子量增大，而成為下游側(cè)的脫鹽部(圖10中為第二脫鹽部210b、下游側(cè)脫鹽部60)的動(dòng)力增大的原因。從運(yùn)轉(zhuǎn)成本的觀點(diǎn)來看，在第二脫鹽工序和第二析晶工序中不使pH變動(dòng)是有利的。石膏的析晶速度依賴于晶種的投入量。圖6是在向模擬水中添加了鈣水垢防止劑(FLOCON260)的情況下改變晶種的添加量而進(jìn)行石膏析出實(shí)驗(yàn)所得到的結(jié)果。除了使pH為4.0并使作為晶種的石膏(CaSO4·2H2O)為以下的添加量之外，與圖5的實(shí)驗(yàn)條件相同。晶種添加量：0g/L(條件3)，3g/L(條件5)，6g/L(條件6)，3g/L(條件7)。在條件5、6下，向添加了水垢防止劑的模擬水中添加了晶種和用于調(diào)整pH的硫酸。在條件7下，向添加了水垢防止劑的模擬水中添加預(yù)先浸漬于上述水垢防止劑中的晶種，并且為了調(diào)整pH而添加了硫酸。從剛剛調(diào)整pH后起經(jīng)過兩小時(shí)后，利用與圖5相同的方法對(duì)在各條件下處理后的模擬水中的Ca濃度進(jìn)行了計(jì)測(cè)。在圖6中，縱軸為過飽和度(％)。根據(jù)圖6的結(jié)果可知，在未添加晶種的條件3下，過飽和度為215％，但隨著晶種濃度增大，過飽和度降低為199％(條件5)、176％(條件6)，石膏析出速度增大。即便在pH較高的條件下，同樣也存在晶種投入量越多則石膏析出速度越增大的趨勢(shì)。條件5與條件7是除了使用未浸漬于水垢防止劑的晶種和浸漬于水垢防止劑中的晶種之外相同的試驗(yàn)條件。能夠確認(rèn)：即便在預(yù)先使水垢防止劑附著于晶種的條件7下，過飽和度也成為199％，析出與條件5相同程度的石膏。即，條件5、7的結(jié)果示出：與晶種的鈣水垢防止劑中的浸漬時(shí)間無關(guān)，通過使pH下降為4.0而導(dǎo)致降低水垢防止劑的功能降低。圖7、8是通過析晶而得到的石膏的顯微鏡照片。圖7是條件5(添加有晶種)的結(jié)果，圖8是條件3(未添加晶種)的結(jié)果。在條件5下，析出了比條件3大的石膏。通常，析出的石膏越大，則含水率越低。若含水率低，則石膏為高純度。若平均粒徑為10μm以上，優(yōu)選為20μm以上，則能夠獲得含水率充分降低了的石膏。本發(fā)明中的“平均粒徑”是指利用由JISZ8825規(guī)定的方法(激光衍射法)計(jì)測(cè)得到的粒徑。在圖6中，作為與條件5(pH4.0)的比較，在條件7(pH4.0)中向添加了鈣水垢防止劑的模擬水中添加預(yù)先浸漬于上述鈣水垢防止劑中的晶種，并且為了調(diào)整pH而添加了硫酸。上述以外的條件，條件5與條件7相同，據(jù)此進(jìn)行了石膏析出實(shí)驗(yàn)。從調(diào)整pH起經(jīng)過兩小時(shí)后，利用與圖3相同的方法對(duì)模擬水中的Ca濃度進(jìn)行了計(jì)測(cè)。其結(jié)果是，如圖6所示，條件5和條件7的過飽和度均為199％以下。由此可以說，與晶種的鈣水垢防止劑中的浸漬時(shí)間無關(guān)，當(dāng)使pH下降為4.0時(shí)，鈣水垢防止劑的功能下降?？紤]到鈣水垢防止劑的效果，通過第二pH調(diào)整工序?qū)⒌诙饪s水的pH調(diào)整為6.0以下，優(yōu)選調(diào)整為5.5以下，更優(yōu)選調(diào)整為4.0以下。尤其是在將第二濃縮水的pH調(diào)整為4.0以下時(shí)，能夠使鈣水垢防止劑的功能顯著下降。通過將第二濃縮水的pH調(diào)整為鈣水垢防止劑的水垢防止功能降低的值，從而促進(jìn)第二析晶部220a中的析晶。根據(jù)水垢防止劑的種類而適當(dāng)設(shè)定第二pH調(diào)整工序中的pH區(qū)域。根據(jù)圖3可知，當(dāng)pH為6.0以下時(shí)，碳酸鈣溶解于水中。據(jù)此，在第二水處理部的第二析晶槽221a中能夠回收高純度的石膏。<第二分離工序>第二析晶槽221a、221b內(nèi)的第二濃縮水被向第二分離部280a、280b輸送。在此輸送的第二濃縮水是包含在第二析晶槽221a、221b內(nèi)析出的固形物的水。在從第二析晶槽221a、221b排出的第二濃縮水中，除了通過析晶而析出的具有各種粒徑的石膏之外，還包含由于超過了飽和濃度而析出的碳酸鈣。碳酸鈣并非是在晶種的存在下析出的物質(zhì)，因此成為小徑或膠狀的浮游物。當(dāng)?shù)诙饪s水流入分級(jí)器281a、281b時(shí)，規(guī)定大小、例如平均粒徑10μm以上的石膏沉降到分級(jí)器281a、281b的底部，小粒徑的石膏、碳酸鈣以及二氧化硅殘留在上清液中。沉降到分級(jí)器281a、281b的底部的石膏由脫水器282a、282b進(jìn)一步脫水而被回收。包含小粒徑的石膏、碳酸鈣以及二氧化硅的上清液被送至第二沉淀部250a、250b。在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，由于添加晶種而使析晶發(fā)生，因此主要析出平均粒徑10μm以上的石膏，小徑的石膏的比例變少。通過第二分離工序，能夠以較高的回收率對(duì)含水率低且不包含雜質(zhì)的(即高純度的)石膏進(jìn)行分離回收。由第二分離部280a、280b回收的石膏的一部分也可以作為晶種而循環(huán)至晶種罐223a、223b。在未設(shè)置第二分離部280a的情況下，沉淀到第二析晶部220a的第二析晶槽221a的底部的石膏從第二析晶槽221a排出。第二析晶槽221a的上清液被送至第二沉淀部250a。<第二沉淀工序>第二析晶部220a的上清液(第二濃縮水)或者從第二分離部280a排出的上清液(第二濃縮水)被送至第二沉淀部250a。在第二沉淀部250a中，向析晶工序后的第二濃縮水投入Ca(OH)2以及陰離子系聚合物(ヒシフロツクH305)，將第二沉淀槽251a內(nèi)的pH管理為4以上且12以下，優(yōu)選管理為8.5以上且12以下。在第二沉淀槽251a內(nèi)，碳酸鈣以及金屬化合物沉淀并從第二濃縮水中被去除。沉淀了的碳酸鈣以及向水中的溶解性較低的金屬化合物被從第二沉淀槽251a的底部排出。第二沉淀槽251a內(nèi)的作為上清液的被處理水被從第二沉淀槽251a排出。向被排出的被處理水中添加FeCl3，被處理水中的碳酸鈣、金屬化合物等的固成分與Fe(OH)3凝聚。被處理水被送至第二過濾裝置252a。經(jīng)由第二過濾裝置252a去除在Fe(OH)3的作用下凝聚了的固成分。在如圖10所示那樣以多段實(shí)施處理的情況下，通過了前段的第二水處理部的第二過濾裝置252a的第二濃縮水作為被處理水而向后段的水處理部流入。在后段的水處理部中，實(shí)施上述的第二水垢防止劑供給工序至第二沉淀工序。<下游側(cè)脫鹽工序>通過了位于被處理水最下游的第二沉淀部250b的第二濃縮水由下游側(cè)脫鹽部60進(jìn)行處理。通過了下游側(cè)脫鹽部60的水作為處理水而被回收。下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水被向系統(tǒng)外排出。若設(shè)置下游側(cè)脫鹽部60，則能夠從由水處理部處理后的水中進(jìn)一步回收處理水，因此水回收率提高。在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，也可以在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游設(shè)置蒸發(fā)器(未圖示)。在第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，在第二pH調(diào)整工序中將第二濃縮水調(diào)整為鈣水垢防止劑的功能降低的pH的情況下，作為第三pH調(diào)整工序，也可以在第二析晶工序之后將第二濃縮水的pH調(diào)整為鈣水垢防止劑能夠發(fā)揮其功能。具體而言，pH為4.0以上，優(yōu)選為5.5以上，更優(yōu)選為6.0以上。第三pH調(diào)整工序在第二析晶工序之后且第二脫鹽工序之前實(shí)施，或者在第二析晶工序之后且下游側(cè)脫鹽工序之前實(shí)施。在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中，在第二脫鹽部210a中將離子濃縮，但在第二析晶部220a、第二沉淀部250a等中去除石膏、碳酸鈣等。因此，向第二脫鹽部210b、下游側(cè)脫鹽部60流入的水的離子的摩爾數(shù)比處理前降低。因此，位于下游的第二脫鹽部210b、下游側(cè)脫鹽部60中的滲透壓力變低，從而需要的動(dòng)力降低。在本實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201中，為了實(shí)施第三pH調(diào)整工序，而在第二析晶部與接著之后的第二脫鹽部(圖10中為第二析晶部220a與第二脫鹽部210b之間，尤其是第二沉淀部250a與第二脫鹽部210b)之間設(shè)置與第二pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的第三pH調(diào)整部(圖10中未圖示)。另外，在最下游的第二沉淀部250b與下游側(cè)脫鹽部60之間，設(shè)置與第二pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的第三pH調(diào)整部(圖10中未圖示)。這樣，即便在下游側(cè)脫鹽工序中對(duì)第二濃縮水進(jìn)行處理而使?jié)饪s水側(cè)的Ca離子濃度增高的情況下，也能夠利用鈣水垢防止劑的功能來抑制水垢生成。通過使用第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例的水處理系統(tǒng)201，能夠以較高的水回收率對(duì)包含離子的被處理水進(jìn)行處理。尤其是在第二實(shí)施方式的第一實(shí)施例中，在第二析晶部220主要使石膏析出，因此第二析晶部220中的石膏回收率高，向下游側(cè)送給的離子的摩爾數(shù)進(jìn)一步降低。另外，能夠提高由第二析晶部220回收的石膏的純度。[第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例]圖11是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)的概要圖。圖11的水處理系統(tǒng)200成為在被處理水的流通方向上連結(jié)有兩個(gè)水處理部的結(jié)構(gòu)。根據(jù)被處理水的性狀，可以為一個(gè)水處理部，也可以連結(jié)三個(gè)以上的水處理部。第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中的每個(gè)水處理部分別從被處理水的上游側(cè)起依次具備第二脫鹽部210(210a、210b)以及第二析晶部220(220a、220b)。第二脫鹽部210a、210b的濃縮側(cè)與第二析晶部220a、220b連接。水處理部在各第二脫鹽部210(210a、210b)的上游側(cè)流路具備第二水垢防止劑供給部230(230a、230b)。第二水垢防止劑供給部230a、230b分別由罐231(231a、231b)、閥V4(V4a、V4b)以及控制部232(232a、232b)構(gòu)成?？刂撇?32a、232b與閥V4a、V4b連接。在第二水垢防止劑供給部230a、230b的罐231a、231b內(nèi)貯存有水垢防止劑。在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中使用的水垢防止劑是在第一參考實(shí)施方式中說明的鈣水垢防止劑以及防止二氧化硅在被處理水中作為水垢而析出的水垢防止劑(稱為“二氧化硅水垢防止劑”)。作為二氧化硅水垢防止劑，具有膦酸系的水垢防止劑、聚羧酸系的水垢防止劑以及它們的混合物等。作為具體例，舉出FLOCON260(商品名，BWA公司制)。圖11中示出兩個(gè)罐231a，例如在一方的罐231a中收納鈣水垢防止劑，在另一方的罐231a中收納二氧化硅水垢防止劑。在圖11中，第二脫鹽部210為反浸透膜裝置。此外，第二脫鹽部210能夠采用電透析裝置(ED)、極性轉(zhuǎn)換式電透析裝置(EDR)、電再生式純水裝置(EDI)、離子交換裝置、靜電脫鹽裝置(CDI)、納米過濾器(NF)、蒸發(fā)器等。在圖11中僅示出一個(gè)第二脫鹽部210，但也可以構(gòu)成為沿被處理水的流通方向并聯(lián)或串聯(lián)地連結(jié)多個(gè)脫鹽裝置。第二析晶部220(220a、220b)由第二析晶槽221(221a、221b)以及第二晶種供給部222(222a、222b)構(gòu)成。第二晶種供給部222與第二析晶槽221連接。第二晶種供給部222具有晶種罐223(223a、223b)、閥V5(V5a、V5b)以及控制部224(224a、224b)。控制部224與閥V5連接。晶種罐223貯存石膏粒子來作為晶種。在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中，也可以在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間設(shè)置第二pH調(diào)整部240(240a、240b)。第二pH調(diào)整部240由罐241(241a、241b)、閥V6(V6a、V6b)、pH計(jì)243(243a、243b)以及控制部242(242a、242b)構(gòu)成。在罐241內(nèi)貯存有作為pH調(diào)整劑的酸。酸例如能夠使用鹽酸、硫酸、硝酸等。尤其是硫酸，由于在析晶工序中SO42-會(huì)作為石膏被去除而能夠降低到達(dá)下游側(cè)的脫鹽部的離子，因此是優(yōu)選的?？刂撇?42與閥V6以及pH計(jì)243連接。pH計(jì)243可以如圖11那樣設(shè)置在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間的流路中，也可以設(shè)置在第二析晶槽221內(nèi)。在水處理系統(tǒng)200中，在位于被處理水的最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游側(cè)，設(shè)置有沉淀槽271以及過濾裝置272來作為第二上游側(cè)沉淀部270。第二上游側(cè)沉淀部270是與第一上游側(cè)沉淀部70相同的結(jié)構(gòu)。與第一參考實(shí)施方式相同，也可以沿被處理水的流通方向串聯(lián)地連結(jié)多段沉淀槽271。如圖11所示，水處理系統(tǒng)200也可以在第二上游側(cè)沉淀部270的上游側(cè)設(shè)置第二脫氣部273。第二脫氣部273是與第一參考實(shí)施方式的第一脫氣部73相同的結(jié)構(gòu)。第二脫氣部273也可以設(shè)置在第二上游側(cè)沉淀部270的被處理水下游側(cè)且第二水垢防止劑供給部230a的上游側(cè)。也可以在第二脫鹽部210a與第二析晶部220a之間的流路中、第二析晶部220與第二沉淀部250之間的流路中以及第二沉淀部250的下游側(cè)且與第二脫鹽部210b或下游側(cè)脫鹽部60之間的流路中設(shè)置與第二脫氣部273相同結(jié)構(gòu)的脫氣部。在過濾裝置272的下游且位于最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游，也可以與第一參考實(shí)施方式同樣地設(shè)置離子交換裝置(未圖示)。另外，根據(jù)被處理水中的石膏濃度，也可以在最上游的第二水垢防止劑供給部230a的上游設(shè)置與第二析晶部相同結(jié)構(gòu)的上游側(cè)析晶部(未圖示)。在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，也可以如圖11所示那樣在第二析晶部220的下游側(cè)設(shè)置第二分離部280(280a、280b)。第二分離部280是與第一分離部180相同的結(jié)構(gòu)，具備分級(jí)器281(281a、281b)和脫水器282(282a、282b)。在圖11的水處理系統(tǒng)200中，也可以在第二析晶部220的下游側(cè)設(shè)置第二沉淀部250(250a、250b)。第二沉淀部250是與第一沉淀部50相同的結(jié)構(gòu)，具備第二沉淀槽251(251a、251b)以及第二過濾裝置252(252a、252b)。水處理系統(tǒng)200在第一水處理部的被處理水下游側(cè)具備下游側(cè)脫鹽部60。在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游也可以設(shè)置蒸發(fā)器(圖11中未圖示)。以下說明使用第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200對(duì)被處理水進(jìn)行處理的方法。<前處理>針對(duì)被處理水實(shí)施在第一參考實(shí)施方式中說明的前處理。<第二脫氣工序>與在第一參考實(shí)施方式中說明的第一脫氣工序同樣地，通過利用第二脫氣部273去除被處理水中的CO2，從而降低被處理水中的碳酸離子濃度。<第二上游側(cè)沉淀工序>在第二上游側(cè)沉淀部270中，Ca離子以及碳酸離子作為碳酸鈣而被預(yù)先從被處理水中粗去除。在被處理水中包含Ca離子以外的金屬離子的情況下，在第二上游側(cè)沉淀部270中，預(yù)先將向水中的溶解性較低的金屬化合物從被處理水中粗去除。第二上游側(cè)沉淀工序以與第一上游側(cè)沉淀工序相同的工序?qū)嵤?。在利用本?shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200對(duì)包含Mg離子的被處理水進(jìn)行處理的情況下，與第一參考實(shí)施方式同樣地，在第二上游側(cè)沉淀部270中將被處理水調(diào)整為鎂化合物析出的pH，實(shí)施被處理水中的Mg離子的粗去除。然后，優(yōu)選在第二上游側(cè)沉淀部270的下游側(cè)調(diào)整為上述的鎂化合物能夠溶解的pH。具體而言，調(diào)整為pH小于10。這樣，能夠防止下游側(cè)的裝置以及工序、尤其是第二脫鹽部210以及第二脫鹽工序中的水垢生成。在實(shí)施了第二上游側(cè)沉淀工序后實(shí)施第二脫氣工序的情況下，被處理水的pH被調(diào)整為碳酸離子能夠作為CO2存在的pH，具體而言調(diào)整為6.5以下。根據(jù)被處理水的性狀，能夠省略上述第二脫氣工序以及第二上游側(cè)沉淀工序。在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中設(shè)置了離子交換膜裝置的情況下，通過離子交換膜裝置來去除被處理水中的Ca離子以及Mg離子。在設(shè)置了上游側(cè)析晶部的情況下，在上游側(cè)析晶部中通過與第一參考實(shí)施方式相同的工序來降低被處理水中的石膏濃度。<第二水垢防止劑供給工序>第二水垢防止劑供給部230a的控制部232a將閥V4a開放，從罐231a向被處理水供給規(guī)定量的鈣水垢防止劑。第二水垢防止劑供給部230b的控制部232b將閥V4b開放，從罐231b向被處理水供給規(guī)定量的二氧化硅水垢防止劑?？刂撇?32a以及控制部232b分別以使鈣水垢防止劑以及二氧化硅水垢防止劑的濃度成為根據(jù)被處理水的性狀而設(shè)定的規(guī)定值的方式調(diào)整閥V4a以及閥V4b閥的開度。在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中，能任意地進(jìn)行將要流入第二脫鹽部210之前的被處理水的pH調(diào)整。例如，在圖11的結(jié)構(gòu)中，通過添加FeCl3而使被處理水的pH成為5至6左右后向第二脫鹽部210a流入。如圖3所示，若被處理水的pH為6.5以下，則碳酸鈣向水中的溶解度較高。另外，如式(1)所示，在上述pH區(qū)域，碳酸在水中主要以HCO3-以及CO2的狀態(tài)存在。向第二脫鹽部210a流入的被處理水的碳酸鈣濃度變低。在這種情況下，也可以不在第二脫鹽部210a之前調(diào)整pH。需要說明的是，在對(duì)要通過第二脫鹽工序進(jìn)行處理的被處理水的pH進(jìn)行調(diào)整的情況下，也可以在第二脫鹽部210a的上游設(shè)置與第一參考實(shí)施方式的第一pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的pH調(diào)整部，并將pH調(diào)整后的被處理水送至第二脫鹽部210a。<第二脫鹽工序>在第二脫鹽部210a中，對(duì)投入了水垢防止劑的被處理水進(jìn)行處理。在第二脫鹽部210a為反浸透膜裝置的情況下，通過了反浸透膜后的水作為處理水而被回收。包含離子以及水垢防止劑的水從反浸透膜的非透過側(cè)作為濃縮水(第二濃縮水)排出。通過第二脫鹽部210a的處理，第二濃縮水中的石膏以及二氧化硅被濃縮，但利用鈣水垢防止劑以及二氧化硅水垢防止劑能夠抑制水垢產(chǎn)生。在使用例如靜電脫鹽裝置等其他的脫鹽裝置的情況下，被處理水也被分離為處理水和離子濃度較高的濃縮水(第二濃縮水)。第二濃縮水被朝向第二析晶部220a送給。<第二pH調(diào)整工序>在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，也可以在第二脫鹽部210a與第二析晶部220a之間，利用第二pH調(diào)整部240a來調(diào)整被處理水(第二濃縮水)的pH。第二pH調(diào)整部240a將第二濃縮水的pH管理為鈣水垢防止劑的功能降低而第二濃縮水中的石膏能夠析出的值。pH計(jì)243a對(duì)第二濃縮水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)?？刂撇?42a以使pH計(jì)243a中的計(jì)測(cè)值成為規(guī)定的pH管理值的方式調(diào)整閥V6a的開度。<第二析晶工序>第二濃縮水貯存在第二析晶部220a的第二析晶槽221中。第二晶種供給部222a的控制部224a將閥V5開放，從晶種罐223a向第二析晶槽221a內(nèi)的第二濃縮水添加石膏的晶種。雖然在第二濃縮水中包含鈣水垢防止劑，但投入晶種后，會(huì)發(fā)生石膏析晶且結(jié)晶生長(zhǎng)。如圖5所示，在條件1(pH6.5)下，過飽和度為460％，即便經(jīng)過六小時(shí)，也未從初始的過飽和度發(fā)生變化。在條件1下，水垢防止劑發(fā)揮功能而抑制石膏的析出。另一方面，在條件2至條件4下，過飽和度降低。即，能夠確認(rèn)：即便未投入晶種，當(dāng)使pH降低時(shí)，水垢防止劑的功能也會(huì)降低而發(fā)生石膏析晶。另外，根據(jù)圖5的結(jié)果，得到了pH越低則析出速度越大這樣的結(jié)果。在圖6中，作為與條件5(pH4.0)的比較，在條件7(pH4.0)中向添加了鈣水垢防止劑的模擬水中添加預(yù)先浸漬于上述鈣水垢防止劑中的晶種，并且為了調(diào)整pH而添加了硫酸。上述以外的條件，條件5與條件7相同，據(jù)此進(jìn)行了石膏析出實(shí)驗(yàn)。從調(diào)整pH起經(jīng)過兩小時(shí)后，利用與圖3相同的方法對(duì)模擬水中的Ca濃度進(jìn)行了計(jì)測(cè)。其結(jié)果是，如圖6所示，條件5與條件7的過飽和度均為199％以下。由此可以說，與晶種的鈣水垢防止劑中的浸漬時(shí)間無關(guān)，當(dāng)使pH下降為4.0時(shí)，鈣水垢防止劑的功能下降?？紤]到鈣水垢防止劑的效果，通過第二pH調(diào)整工序?qū)⒌诙饪s水的pH調(diào)整為6.0以下，優(yōu)選調(diào)整為5.5以下，更優(yōu)選調(diào)整為4.0以下。尤其是在將第二濃縮水的pH調(diào)整為4.0以下時(shí)，能夠使鈣水垢防止劑的功能顯著下降。通過將第二濃縮水的pH調(diào)整為鈣水垢防止劑的水垢防止功能降低的值，從而促進(jìn)第二析晶部220a中的析晶。根據(jù)水垢防止劑的種類而適當(dāng)設(shè)定第二pH調(diào)整工序中的pH區(qū)域。根據(jù)圖4可知，在pH較低的情況下，有時(shí)二氧化硅成為飽和溶解度以上。但是，在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，在第二水處理部中投入二氧化硅水垢防止劑，因此即便pH較低，也能夠抑制二氧化硅的析出。即便在第二析晶槽221a內(nèi)析出了二氧化硅，也作為小徑粒子、膠狀浮游物而存在。另外，根據(jù)圖3可知，當(dāng)pH為6.0以下時(shí)，碳酸鈣溶解于水中。據(jù)此，在第二水處理部的第二析晶槽221a中能夠回收高純度的石膏。另一方面，也可以通過第二pH調(diào)整工序，將第二析晶工序中的第二濃縮水調(diào)整為二氧化硅能夠溶解于第二濃縮水的pH。這樣，能夠抑制在第二析晶槽221a中二氧化硅從第二濃縮水中析出。其結(jié)果是，在通過第二分離部280a對(duì)從第二析晶槽221a排出的第二濃縮水進(jìn)行了分級(jí)的情況下，能夠提高所回收的石膏純度。<第二分離工序>在設(shè)置有第二分離部280a的情況下，包含在第二析晶槽221a內(nèi)析出的固形物的第二濃縮水被向第二分離部280a輸送。在第二析晶槽221a內(nèi)的第二濃縮水中存在有通過析晶而析出的石膏。此外，由于原水的水質(zhì)變動(dòng)、濃縮，有可能包含由于二氧化硅的濃度增高至二氧化硅水垢防止劑所發(fā)揮的功能以上而析出的二氧化硅。二氧化硅作為小徑粒子、膠狀浮游物存在于第二濃縮水中。通過與第一實(shí)施方式相同的工序，第二分離部280a的分級(jí)器281a將包含規(guī)定大小(例如平均粒徑10μm以上)的石膏與小徑析出物(石膏、二氧化硅)的上清液分離。大徑的石膏在脫水器282a中被進(jìn)一步脫水而被回收。根據(jù)本實(shí)施方式的第二實(shí)施例，能夠回收高純度的石膏。所回收的石膏的一部分也可以作為晶種而循環(huán)至晶種罐223a。在未設(shè)置第二分離部280a的情況下，在第二析晶部220a的第二析晶槽221a的底部沉淀的石膏從第二析晶槽221a排出。第二析晶槽221a的上清液被送至第二沉淀部250a。<第二沉淀工序>第二析晶部220a的上清液(第二濃縮水)或者從第二分離部280a排出的上清液(第二濃縮水)被送至第二沉淀部250a。在第二沉淀工序中，與在第一參考實(shí)施方式中說明的第一沉淀工序同樣地，通過第二沉淀槽251a以及第二過濾裝置252a來去除第二濃縮水中的碳酸鈣以及金屬化合物。在第二沉淀工序中，也可以與第一沉淀工序同樣地，向第二沉淀槽251a中添加二氧化硅的晶種與二氧化硅的沉淀劑中的至少一方，從而將二氧化硅從第二濃縮水中去除。在如圖11所示那樣以多段實(shí)施處理的情況下，通過了前段的第二水處理部的第二過濾裝置252a的第二濃縮水作為被處理水向后段的水處理部流入。在后段的水處理部中，實(shí)施上述的第二水垢防止劑供給工序至第二沉淀工序。<下游側(cè)脫鹽工序>通過了位于被處理水最下游的第二沉淀部250b的第二濃縮水由下游側(cè)脫鹽部60進(jìn)行處理。通過了下游側(cè)脫鹽部60的水作為被處理水而被回收。下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水向系統(tǒng)外排出。在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，也可以在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游設(shè)置蒸發(fā)器(未圖示)。在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，在第二pH調(diào)整工序中將第二濃縮水調(diào)整為鈣水垢防止劑的功能降低的pH的情況下，作為第三pH調(diào)整工序，也可以在第二析晶工序之后將第二濃縮水的pH調(diào)整為鈣水垢防止劑能夠發(fā)揮其功能。具體而言，pH為4.0以上，優(yōu)選為5.5以上，更優(yōu)選為6.0以上。第三pH調(diào)整工序在第二析晶工序之后且第二脫鹽工序之前實(shí)施，或者在第二析晶工序之后且下游側(cè)脫鹽工序之前實(shí)施。在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中，為了實(shí)施第三pH調(diào)整工序，而在第二析晶部與接著之后的第二脫鹽部(圖11中為第二析晶部220a與第二脫鹽部210b之間，尤其是第二沉淀部250a與第二脫鹽部210b)之間設(shè)置與第二pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的第三pH調(diào)整部(圖11中未圖示)。另外，在最下游的第二沉淀部250b與下游側(cè)脫鹽部60之間，設(shè)置與第二pH調(diào)整部相同結(jié)構(gòu)的第三pH調(diào)整部(圖11中未圖示)。這樣，即便在下游側(cè)脫鹽工序中對(duì)第二濃縮水進(jìn)行處理而使?jié)饪s水側(cè)的Ca離子濃度增高的情況下，也能夠利用鈣水垢防止劑的功能來抑制水垢生成。在本實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200中，通過第二水處理部中的處理而使二氧化硅濃縮。當(dāng)?shù)诙饪s水中的二氧化硅濃度成為二氧化硅水垢防止劑有效發(fā)揮功能的濃度以上時(shí)，二氧化硅有可能從第二濃縮水中作為水垢而生成。例如，在使用FLOCON260作為二氧化硅水垢防止劑的情況下，為了獲得防止水垢產(chǎn)生的效果，使二氧化硅濃度為200mg/L左右。因此，將第二水處理部的段數(shù)設(shè)定為能夠濃縮至二氧化硅水垢防止劑能夠發(fā)揮效果的濃度。通過使用第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的水處理系統(tǒng)200，能夠以較高的水回收率對(duì)包含離子的被處理水進(jìn)行處理。尤其是，在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中，在第二析晶部220主要使石膏析出，因此第二析晶部220中的石膏回收率高，向下游側(cè)送給的離子的摩爾數(shù)進(jìn)一步降低。另外，能夠提高由第二析晶部220回收的石膏的純度。[第三實(shí)施方式]圖12是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)的概要圖。在圖12中，針對(duì)與第一參考實(shí)施例、第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)。第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300設(shè)置有在第一參考實(shí)施方式中說明的水處理部。在該水處理部的被處理水下游側(cè)設(shè)置有在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的水處理部。在圖12的水處理系統(tǒng)300中，在第一析晶部20的下游側(cè)設(shè)置有第一分離部180。另外，在第二析晶部220的下游側(cè)設(shè)置有與第一分離部180相同的第二分離部280。在位于最下游的第二析晶部220的被處理水下游側(cè)設(shè)置有下游側(cè)脫鹽部60。在第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300中，在位于被處理水的最上游的第一水垢防止劑供給部30以及第一pH調(diào)整部40的上游側(cè)，具備在第一參考實(shí)施方式中說明的第一上游側(cè)沉淀部70。此外，如圖12所示，第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300在第一上游側(cè)沉淀部70的上游側(cè)具有與第一參考實(shí)施方式相同的第一脫氣部73。第一脫氣部73也可以設(shè)置在第一上游側(cè)沉淀部70的被處理水下游側(cè)且第一水垢防止劑供給部30以及第一pH調(diào)整部40的上游側(cè)。需要說明的是，也可以在第一脫鹽部10與第一析晶部20之間的流路中、第一析晶部10與第一沉淀部50之間的流路中、第二析晶部220與第二沉淀部250之間的流路中以及第一沉淀部50與第二脫鹽部210之間的流路中設(shè)置與第一脫氣部73相同結(jié)構(gòu)的脫氣部。在本實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300中，也可以在第一水垢防止劑供給部30以及第一pH調(diào)整部40的上游設(shè)置離子交換裝置(未圖示)以及上游側(cè)析晶部(未圖示)。在圖12中，從第一水垢防止劑供給部30至第一沉淀部50的水處理部以及從第二水垢防止劑供給部230至第二沉淀部250的水處理部各示出一段，但也可以分別連結(jié)多段水處理部。在第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300中，首先通過在第一參考實(shí)施方式以及第一實(shí)施方式中說明的水處理方法對(duì)被處理水進(jìn)行處理。將通過第一參考實(shí)施方式以及第一實(shí)施方式的方法處理后的第一濃縮水作為被處理水，實(shí)施在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的第二水垢防止劑供給工序至第二沉淀工序的處理。通過了最下游的第二沉淀部250的第二濃縮水由下游側(cè)脫鹽部60進(jìn)行處理。通過了下游側(cè)脫鹽部60的水作為處理水而被回收。下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水向系統(tǒng)外排出。在本實(shí)施方式中，也可以在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游設(shè)置蒸發(fā)器(未圖示)。在第三實(shí)施方式中，在通過第二pH調(diào)整工序?qū)⒌诙饪s水調(diào)整為鈣水垢防止劑的功能降低的pH的情況下，也可以實(shí)施在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的第三pH調(diào)整工序。[第四實(shí)施方式]圖13是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)的概要圖。在圖13中，針對(duì)與第一參考實(shí)施方式、第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)。第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400設(shè)置有在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的水處理部。在該水處理部的被處理水下游側(cè)設(shè)置有在第一參考實(shí)施方式中說明的水處理部。在圖13的水處理系統(tǒng)400中設(shè)置有第一分離部180以及第二分離部280。在位于最下游的第一析晶部20的被處理水下游側(cè)設(shè)置有下游側(cè)脫鹽部60。在第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400中，在位于被處理水的最上游的第二水垢防止劑供給部230的上游側(cè)具備在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的第二上游側(cè)沉淀部270。此外，如圖13所示，第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400在第二上游側(cè)沉淀部270的上游側(cè)具備與第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例相同的第二脫氣部273。第二脫氣部273也可以設(shè)置在第二上游側(cè)沉淀部270的被處理水下游側(cè)且第二水垢防止劑供給部230的上游側(cè)。需要說明的是，也可以在第二脫鹽部210與第二析晶部220之間的流路中、第一析晶部20與第一沉淀部50之間的流路中、第二析晶部220與第二沉淀部250之間的流路中以及第二沉淀部250與第一脫鹽部10之間的流路中設(shè)置與第二脫氣部273相同結(jié)構(gòu)的脫氣部。在本實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400中，也可以在第二水垢防止劑供給部230的上游設(shè)置離子交換裝置(未圖示)以及上游側(cè)析晶部(未圖示)。在圖13所示的本實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400中，也可以在第一析晶槽21以及第二析晶槽221的下游側(cè)分別設(shè)置第一分離部180以及第二分離部280。在圖13中，從第二水垢防止劑供給部230至第二沉淀部250的水處理部以及從第一水垢防止劑供給部30至第一沉淀部50的水處理部各示出一段，但也可以分別連結(jié)多段水處理部。在第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400中，首先通過在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的水處理方法對(duì)被處理水進(jìn)行處理。將通過第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例的方法處理后的第二濃縮水作為被處理水，實(shí)施在第一參考實(shí)施方式以及第一實(shí)施方式中說明的第一水垢防止劑供給工序至第一沉淀工序的處理。通過了最下游的第一沉淀部50的第一濃縮水由下游側(cè)脫鹽部60進(jìn)行處理。通過了下游側(cè)脫鹽部60的水作為處理水而被回收。下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水向系統(tǒng)外排出。在本實(shí)施方式中，也可以在下游側(cè)脫鹽部60的濃縮水側(cè)的下游設(shè)置蒸發(fā)器(未圖示)。在第四實(shí)施方式中，在通過第二pH調(diào)整工序?qū)⒌诙饪s水調(diào)整為鈣水垢防止劑的功能降低的pH的情況下，也可以實(shí)施在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的第三pH調(diào)整工序。通過第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300以及第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)400，也能夠以較高的水回收率來處理包含離子的被處理水。尤其是，在第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，在被處理水上游側(cè)的第二析晶部220中主要使石膏析出，因此第二析晶部220中的石膏回收率較高，向下游側(cè)送給的離子的摩爾數(shù)進(jìn)一步降低。此外，能夠提高由第二析晶部220回收的石膏的純度。[第二參考實(shí)施方式]本發(fā)明的第二參考實(shí)施方式在第一參考實(shí)施方式、第一實(shí)施方式至第四實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，控制向第一析晶槽21以及第二析晶槽221供給的石膏的晶種的量。使用圖14來說明對(duì)向第一析晶槽21供給的晶種供給量進(jìn)行控制的結(jié)構(gòu)。關(guān)于第二析晶槽221也適用相同的結(jié)構(gòu)。在第二參考實(shí)施方式中，設(shè)置有對(duì)第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)的第一pH計(jì)測(cè)部543。第一pH計(jì)測(cè)部543可以設(shè)置在將第一脫鹽部10與第一析晶槽21連結(jié)的流路中，也可以直接設(shè)置在第一析晶槽21中。第一pH計(jì)測(cè)部543與晶種供給部22的控制部24連接。在第二參考實(shí)施方式中，如圖14那樣設(shè)置有pH調(diào)整部540。pH調(diào)整部540具備罐541、控制部542以及閥V7。第一pH計(jì)測(cè)部543與pH調(diào)整部540的控制部542連接。pH調(diào)整部540基于第一pH計(jì)測(cè)部543的計(jì)測(cè)值，將第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水的pH管理為規(guī)定值。需要說明的是，在控制向第二析晶槽221供給的石膏的晶種的量的情況下，在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的pH計(jì)243a相當(dāng)于第二pH計(jì)測(cè)部，第二pH調(diào)整部的控制部242相當(dāng)于控制部542。在第一晶種供給部22的晶種罐23中貯存的晶種可以為新的藥品，但在設(shè)置第一分離部180的情況下，也可以將由分級(jí)器181分離出的規(guī)定粒徑以上的石膏、由脫水器182脫水后的石膏貯存于晶種罐23。第二參考實(shí)施方式所涉及的晶種供給量的控制按照以下的工序來實(shí)施。以下，以連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)始終控制晶種供給量的情況為例進(jìn)行說明。第一pH計(jì)測(cè)部543對(duì)第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)。計(jì)測(cè)出的pH的值被發(fā)送至晶種供給部22的控制部24。控制部24存儲(chǔ)有鈣水垢防止劑的水垢防止功能降低的pH范圍。具體而言，如在第二析晶工序中說明的那樣，鈣水垢防止劑的水垢防止功能降低的pH范圍為6.0以下，優(yōu)選為5.5以下，更優(yōu)選為4.0以下?？刂撇?4對(duì)第一pH計(jì)測(cè)部543的計(jì)測(cè)值與上述pH范圍進(jìn)行比較?？刂撇?4在計(jì)測(cè)值處于上述pH范圍的情況下，減小閥V3的開度而使石膏的晶種的供給量降低?？刂撇?4在計(jì)測(cè)值比上述pH范圍高的情況下，增大閥V3的開度而使石膏的晶種的供給量增大。若存在晶種則析出石膏，但在鈣水垢防止劑發(fā)揮功能的情況下，析晶速度變慢。因此，通過增大晶種量來促進(jìn)析晶。另一方面，在鈣水垢防止劑的功能降低的情況下，即便晶種較少也能夠獲得足夠的析晶速度。這樣，若根據(jù)pH來調(diào)整晶種供給量，則能夠減少晶種使用量。在本參考實(shí)施方式中，通過在連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)定期地計(jì)測(cè)pH，從而能夠間歇地供給晶種。此外，例如也可以在系統(tǒng)的試運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)預(yù)先獲取pH的經(jīng)時(shí)變化，并基于獲取到的經(jīng)時(shí)變化，使晶種供給量增減。[第五實(shí)施方式]本發(fā)明的第五實(shí)施方式是具備第一分離部180與第二分離部280中的至少一方的水處理系統(tǒng)600。水處理系統(tǒng)600在將由分離部分離出的石膏作為晶種而直接向第一析晶槽或第二析晶槽供給這一點(diǎn)上與第二參考實(shí)施方式不同。使用圖15，來說明本實(shí)施方式中的對(duì)向第一析晶槽21供給的晶種供給量進(jìn)行控制的結(jié)構(gòu)。關(guān)于第二析晶槽221也適用相同的結(jié)構(gòu)。在圖15中，設(shè)置有以將沉降到第一分離部180的分級(jí)器181的底部的石膏的一部分直接向第一析晶槽21供給的方式進(jìn)行輸送的第一循環(huán)路線601。另外，設(shè)置有以將由脫水器182脫水后的石膏的一部分直接向第一析晶槽21供給的方式進(jìn)行輸送的第二循環(huán)路線602。在第一循環(huán)路線601中設(shè)置有閥V8，在第二循環(huán)路線602中設(shè)置有閥V9。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，也可以構(gòu)成為設(shè)置有第一循環(huán)路線601以及第二循環(huán)路線602中的任一方。控制部610與和第二參考實(shí)施方式相同的第一pH計(jì)測(cè)部543、閥V8以及閥V9連接。第五實(shí)施方式所涉及的晶種供給量的控制按照以下的工序來實(shí)施。以下，以在連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)始終控制晶種供給量的情況為例進(jìn)行說明。第一pH計(jì)測(cè)部543對(duì)第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水的pH進(jìn)行計(jì)測(cè)。計(jì)測(cè)后的pH的值被發(fā)送至控制部610。控制部610存儲(chǔ)有鈣水垢防止劑的水垢防止功能降低的pH范圍?？刂撇?10通過與第二參考實(shí)施方式相同的工序，對(duì)第一pH計(jì)測(cè)部543的計(jì)測(cè)值與上述pH范圍進(jìn)行比較，從而調(diào)整閥V8以及閥V9的開度。在第二參考實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式中，也可以在第一析晶槽21中設(shè)置用于計(jì)測(cè)第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水中的石膏晶種濃度的晶種濃度計(jì)測(cè)部(未圖示)。晶種濃度計(jì)測(cè)部對(duì)第一析晶槽21內(nèi)的晶種濃度進(jìn)行計(jì)測(cè)。計(jì)測(cè)出的濃度的值被發(fā)送至控制部24或控制部610?？刂撇?4或控制部610存儲(chǔ)有晶種濃度的閾值，在晶種濃度成為閾值以下的情況下，增大晶種供給量。作為第二參考實(shí)施方式以及第五實(shí)施方式的變形例，在第一析晶槽21的下游側(cè)且第一沉淀部50的上游側(cè)設(shè)置第一濃度計(jì)測(cè)部(未圖示)。在設(shè)置第一分離部180的情況下，第一濃度計(jì)測(cè)部?jī)?yōu)選設(shè)置在第一分離部180的下游側(cè)，但也可以設(shè)置在第一分離部180的上游側(cè)。第一濃度計(jì)測(cè)部與控制部24或控制部610連接。在第二析晶槽221的情況下，代替第一濃度計(jì)測(cè)部而設(shè)置第二濃度計(jì)測(cè)部。第一濃度計(jì)測(cè)部對(duì)從第一析晶槽21排出的第一濃縮水中的Ca離子的濃度與硫酸離子的濃度中的至少一方進(jìn)行計(jì)測(cè)。計(jì)測(cè)出的濃度被發(fā)送至控制部24或控制部610。由第一濃度計(jì)測(cè)部計(jì)測(cè)的Ca離子的濃度以及硫酸離子的濃度依賴于第一析晶槽21內(nèi)的析晶速度。在為相同的滯留時(shí)間的情況下，Ca離子的濃度以及硫酸離子的濃度越低，則析晶速度越快?？刂撇?4以及控制部610存儲(chǔ)Ca離子的濃度與硫酸離子的濃度中的至少一方的閾值?？刂撇?4在由第一濃度計(jì)測(cè)部計(jì)測(cè)的Ca離子的濃度與硫酸離子濃度中的至少一方為閾值以上的情況下，增大閥V3的開度而使晶種的供給量增大?？刂撇?4在由第一濃度計(jì)測(cè)部計(jì)測(cè)的Ca離子的濃度與硫酸離子濃度中的至少一方小于閾值的情況下，減小閥V3的開度而使晶種的供給量減少?？刂撇?10在由第一濃度計(jì)測(cè)部計(jì)測(cè)的Ca離子的濃度與硫酸離子濃度中的至少一方為閾值以上的情況下，增大閥V8以及閥V9的開度而使晶種的供給量增大?？刂撇?10在由第一濃度計(jì)測(cè)部計(jì)測(cè)的Ca離子的濃度與硫酸離子濃度中的至少一方小于閾值的情況下，減小閥V8以及閥V9的開度而使晶種的供給量減少。在第二析晶槽221的情況下，也通過與上述相同的工序來控制晶種的供給量。這樣，當(dāng)利用析晶工序后的Ca離子的濃度與硫酸離子的濃度中的至少一方來控制晶種的供給量時(shí)，能夠減少晶種使用量。[第六實(shí)施方式]圖16是本發(fā)明的第六實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)的局部概要圖。在圖16中，針對(duì)與第一參考實(shí)施方式、第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)。圖16的水處理系統(tǒng)700構(gòu)成為，對(duì)第四實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)中由第一析晶部20從第一濃縮水中分離出的石膏進(jìn)行回收并向第二析晶部220的第二析晶槽221供給。在第三實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)中也能夠采用相同的結(jié)構(gòu)。如在第一參考實(shí)施方式中說明的那樣，第一析晶部20的第一析晶槽21內(nèi)的濃縮水(第一濃縮水)的pH并不特別限定，從運(yùn)轉(zhuǎn)成本的觀點(diǎn)來看，不使pH從第一脫鹽工序變動(dòng)而進(jìn)行第一析晶工序是有利的。在該情況下，第一析晶工序在二氧化硅能夠溶解的pH(10以上)下進(jìn)行，但在該pH區(qū)域中，碳酸鈣的溶解度較低。另一方面，如在第二實(shí)施方式的第二實(shí)施例中說明的那樣，第二析晶部220(第二析晶工序)在更低的pH區(qū)域進(jìn)行石膏的析晶。在第二析晶工序的pH區(qū)域(6.0以下，更優(yōu)選為4.0以下)中，碳酸鈣能夠溶解于水中。當(dāng)將由第一析晶部20回收的、包含碳酸鈣的石膏供給至第二析晶部220的第二析晶槽221時(shí)，作為雜質(zhì)的碳酸鈣溶解于第二濃縮水中，石膏作為固體而存在于第二濃縮水中。若使用第六實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)300，則能夠以較高的水回收率對(duì)被處理水進(jìn)行處理，并且能夠回收高純度的石膏。[第七實(shí)施方式]圖17是本發(fā)明的第七實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)的局部概要圖。在圖17中，針對(duì)與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的符號(hào)。需要說明的是，以下使用具有第一分離工序的水處理方法以及具有第一分離部的水處理系統(tǒng)對(duì)第七實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但第二分離工序以及第二分離部也能夠應(yīng)用相同的結(jié)構(gòu)。在圖17中，水處理系統(tǒng)800相對(duì)于一個(gè)第一析晶部20而在被處理水的流通方向上具備多個(gè)分級(jí)器(第一分級(jí)器)181。在圖17中設(shè)置有兩個(gè)第一分級(jí)器181a、181b。位于最上游的第一分級(jí)器181a與位于下游側(cè)的第一分級(jí)器181b所分離的石膏的大小不同。在本實(shí)施方式中，由第一分級(jí)器181b分離的石膏的大小比由第一分級(jí)器181a分離的石膏小。例如，第一分級(jí)器181a為分離平均粒徑10μm以上的粒子的分級(jí)器，第一分級(jí)器181b為分離平均粒徑5μm以上的粒子的分級(jí)器。在設(shè)置有三個(gè)以上的第一分級(jí)器181的情況下，設(shè)計(jì)為由各第一分級(jí)器181分離的石膏的大小從上游側(cè)朝向下游側(cè)依次變小?？紤]水回收率、石膏回收率、處理成本等而適當(dāng)設(shè)定進(jìn)行被處理的流通方向上的第一分級(jí)器的設(shè)置數(shù)量、能夠由各分級(jí)器分離的固形物的粒徑。在第七實(shí)施方式的水處理系統(tǒng)800中，在第一分離工序中實(shí)施以下的處理。在位于最上游的第一分級(jí)器181a中，平均粒徑10μm以上的石膏被分級(jí)而沉降到第一分級(jí)器181a的底部。沉降了的石膏從第一分級(jí)器181a排出，并送至脫水器182。第一分級(jí)器181a的上清液被送至下游側(cè)的第一分級(jí)器181b。該上清液中主要包含粒徑小于10μm的粒子(石膏、碳酸鈣、二氧化硅等)。在位于下游側(cè)的第一分級(jí)器181b中，平均粒徑5μm以上的石膏被分級(jí)而沉降到第一分級(jí)器181b的底部。第一分級(jí)器181b的上清液被送至第一沉淀部50。沉降了的石膏從第一分級(jí)器181b排出。被排出的石膏通過固形物循環(huán)路線801而被送至第一析晶槽21，并供給至第一析晶槽21內(nèi)的第一濃縮水中。循環(huán)來的石膏在第一析晶槽21內(nèi)作為晶種發(fā)揮功能，循環(huán)來的石膏通過析晶而結(jié)晶生長(zhǎng)。結(jié)晶生長(zhǎng)至平均粒徑10μm以上的循環(huán)石膏被與第一濃縮水一起從第一析晶槽21送至第一分級(jí)器181a，并由第一分級(jí)器181a從第一濃縮水中分離出而向脫水器182輸送。第一分級(jí)器181b的上清液中包含粒徑小于5μm、例如粒徑為2μm至3μm左右的較小徑的粒子。尤其是在水處理系統(tǒng)的運(yùn)轉(zhuǎn)初期(剛起動(dòng)后等)，石膏在第一析晶槽21中生長(zhǎng)至足夠大小之前被從第一析晶槽21中排出，導(dǎo)致向第一沉淀槽51流入的石膏量增多。在這種情況下，第一沉淀槽51中的沉淀物包含大量的石膏。因此，在本實(shí)施方式中，也可以設(shè)置將第一沉淀槽51的底部與第一析晶槽21連結(jié)的循環(huán)路線802，使在第一沉淀部51的底部沉淀的包含石膏的固形物循環(huán)至第一析晶槽21。根據(jù)本實(shí)施方式，能夠使由第一分離部回收的石膏量增大，并且能夠使所回收的石膏的含水率下降。若使用本實(shí)施方式的水處理工序以及水處理系統(tǒng)，則能降低向下游側(cè)流出的較小徑的石膏粒子量，因此能夠提高水回收率，此外能夠削減伴隨水處理而生成的廢棄物的量。符號(hào)說明1、100、200、300、400、500、600、700、800水處理系統(tǒng)10第一脫鹽部20第一析晶部21第一析晶槽22第一晶種供給部23、223晶種罐24、32、42、224、232、242、542、610控制部30第一水垢防止劑供給部31、41、231、241、541罐40第一pH調(diào)整部43、243pH計(jì)50第一沉淀部51第一沉淀槽52第一過濾裝置60下游側(cè)脫鹽部70第一上游側(cè)沉淀部71沉淀槽72過濾裝置73第一脫氣部180第一分離部181、181a、181b、281分級(jí)器182、282脫水器210第二脫鹽部220第二析晶部221第二析晶槽222第二晶種供給部230第二水垢防止劑供給部240第二pH調(diào)整部250第二沉淀部251第二沉淀槽252第二過濾裝置280第二分離部540pH調(diào)整部543第一pH計(jì)測(cè)部601第一循環(huán)路線602第二循環(huán)路線801、802固形物循環(huán)路線