本實(shí)用新型屬于晶片清洗的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種晶片清洗機(jī)。

背景技術(shù)：

石英晶體諧振器中的晶片，是制成石英晶體諧振元件的主體，石英晶體經(jīng)切割定向、粗中細(xì)磨等加工后成為石英片，其被粘污的物質(zhì)有油脂、蠟、研磨粉、研磨盤的金屬粒子等，為了去除這些污物，必須進(jìn)行清洗，以使腐蝕均勻、銀層牢固，減小諧振電阻、降低老化率。由此晶片表面的清潔度程度是衡量產(chǎn)品能否在集成電路板上長(zhǎng)期可靠工作的重要環(huán)節(jié)。由于酸性溶劑可以有效去除晶片表面在加工中附著的油脂、蠟、金屬顆粒類粘污物質(zhì)，現(xiàn)傳統(tǒng)晶片清洗工藝多使用以酸性溶劑為主的清洗液如：硫酸、硝酸、鹽酸等，晶片浸沒在酸性清洗液內(nèi)在電爐上加熱，然后再經(jīng)過去離子水沖洗，接著通過超聲波清洗等步驟以達(dá)到去除粘污物質(zhì)的目的；該種清洗方式雖清洗效果較理想，但使用電爐加熱煮洗在操作中有安全隱患、長(zhǎng)期接觸酸性溶劑對(duì)人體有一定損害、清洗中產(chǎn)生的揮發(fā)氣體對(duì)環(huán)境有一定污染，由此迫切需要一種能取代酸性清洗工藝的新清洗工藝及清洗設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種環(huán)境污染小、清洗效果好的晶片清洗機(jī)。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：本實(shí)用新型包括清洗機(jī)本體，所述本體內(nèi)設(shè)置有清洗倉(cāng)，所述本體上設(shè)置有控制面板，所述本體上設(shè)置有與所述清洗倉(cāng)相適配的封倉(cāng)門，所述清洗倉(cāng)內(nèi)依次設(shè)置有均與所述控制面板電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置、噴淋洗凈裝置和超聲波純凈水清洗裝置，所述超聲波NDK花王清洗裝置、所述噴淋洗凈裝置和所述超聲波純凈水清洗裝置均設(shè)置有若干個(gè)網(wǎng)杯，所述網(wǎng)杯內(nèi)均設(shè)置有晶片。

進(jìn)一步的，所述超聲波NDK花王清洗裝置包括第一清洗槽、第一提籃機(jī)構(gòu)、第一液體集裝箱、第一超聲波儀器、第一回收槽、第一管道和NDK花王清洗溶劑，所述第一清洗槽安裝于所述清洗倉(cāng)的一端，所述第一提籃機(jī)構(gòu)與所述第一清洗槽相適配且安裝于所述第一清洗槽內(nèi)，所述第一提籃機(jī)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯，所述第一液體集裝箱安裝于所述本體的一端且與所述第一清洗槽通過第一管道相連通，所述第一超聲波儀器安裝于所述第一清洗槽的底部，所述第一回收槽安裝于所述第一清洗槽的外側(cè)，且與所述第一液體集裝箱相連通，所述第一液體集裝箱內(nèi)裝有所述NDK花王清洗溶劑，所述NDK花王清洗溶劑通過所述第一管道從所述第一液體集裝箱流入所述第一清洗槽。

進(jìn)一步的，所述噴淋洗凈裝置包括安裝于所述清洗倉(cāng)中間上的安裝底板和安裝于所述本體的一端上的第二液體集裝箱，所述第二液體集裝箱內(nèi)裝有第一純水，所述安裝底板上設(shè)置有若干個(gè)與所述網(wǎng)杯相適配的網(wǎng)瓶，所述安裝底板的兩端設(shè)置均設(shè)置有若干個(gè)噴灑機(jī)構(gòu)，所述噴灑機(jī)構(gòu)均與所述第二液體集裝箱通過第二管道相連通，所述安裝底板的底端設(shè)置有廢液排放槽。

進(jìn)一步的，所述超聲波純凈水清洗裝置包括第二清洗槽、第二提籃機(jī)構(gòu)、第三液體集裝箱、第二超聲波儀器、第三管道和第二回收槽，所述第二清洗槽安裝于所述清洗倉(cāng)的另一端，所述第二提籃機(jī)構(gòu)與所述第二清洗槽相適配且安裝于所述第二清洗槽內(nèi)，所述第二提籃機(jī)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯，所述第三液體集裝箱與所述第二清洗槽通過所述第三管道相連通，所述第三液體集裝箱裝有第二純水，所述第二純水通過所述第三管道從所述第三液體集裝箱流入所述第二清洗槽，所述第二超聲波儀器安裝于所述第二清洗槽的底部，所述第二回收槽安裝于所述第二清洗槽的外側(cè)，且所述第二回收槽與所述第二液體集裝箱相連通。

進(jìn)一步的，所述第一提籃機(jī)構(gòu)和所述第二提籃機(jī)構(gòu)均包括清洗框、連桿和與控制面板電性連接的驅(qū)動(dòng)氣缸，所述第一清洗槽和所述第二清洗槽內(nèi)均設(shè)置有所述清洗框，所述清洗框上均設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯，所述清洗框的上端兩側(cè)與所述連桿相連接，所述連桿與所述驅(qū)動(dòng)氣缸相連接，所述驅(qū)動(dòng)氣缸安裝于所述清洗倉(cāng)的壁內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述噴灑機(jī)構(gòu)包括支架和噴灑頭，所述支架位于所述安裝底板的兩端，所述噴灑頭安裝于所述支架的頂端，所述噴灑頭與所述第二管道相連接。

進(jìn)一步的，所述第一液體集裝箱與第一管道的連接出口處設(shè)置有第一負(fù)吸裝置，所述第二液體集裝箱與第二管道的連接出口處設(shè)置有第二負(fù)吸裝置，所述第三液體集裝箱與第三管道的連接出口處設(shè)置有第三負(fù)吸裝置。

進(jìn)一步的，所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置均為抽水泵，且所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置均與所述控制面板電性連接。

進(jìn)一步的，所述控制面板包括MCU控制模塊和與MCU控制模塊均電性連接的第一啟動(dòng)開關(guān)、第二啟動(dòng)開關(guān)和第三啟動(dòng)開關(guān)，所述第一啟動(dòng)開關(guān)、所述第二啟動(dòng)開關(guān)、所述第三啟動(dòng)開關(guān)分別與所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置電性連接，所述控制面板還包括有分別與所述第一啟動(dòng)開關(guān)、所述第二啟動(dòng)開關(guān)、所述第三啟動(dòng)開關(guān)電性連接的第一計(jì)時(shí)顯示器、第二計(jì)時(shí)顯示器、第三計(jì)時(shí)顯示器，所述第一提籃機(jī)構(gòu)上的所述驅(qū)動(dòng)氣缸和所述第二提籃機(jī)構(gòu)上的所述驅(qū)動(dòng)氣缸分別與所述第一啟動(dòng)開關(guān)和所述第三啟動(dòng)開關(guān)電性連接，所述控制面板還設(shè)置有與所述第一超聲波儀器電性連接的第一超聲開關(guān)和與所述第二超聲波儀器電性連接的第二超聲開關(guān)，所述第一超聲開關(guān)和所述第二超聲開關(guān)均與所述MCU控制模塊電性連接。

本實(shí)用新型的有益效果是：由于本實(shí)用新型包括清洗機(jī)本體，所述本體內(nèi)設(shè)置有清洗倉(cāng)，所述本體上設(shè)置有控制面板，所述本體上設(shè)置有與所述清洗倉(cāng)相適配的封倉(cāng)門，所述清洗倉(cāng)內(nèi)依次設(shè)置有均與所述控制面板電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置、噴淋洗凈裝置和超聲波純凈水清洗裝置，所述超聲波NDK花王清洗裝置、所述噴淋洗凈裝置和所述超聲波純凈水清洗裝置上均設(shè)置有若干個(gè)網(wǎng)杯，所述網(wǎng)杯內(nèi)均設(shè)置有晶片,所以本實(shí)用新型與現(xiàn)有酸性溶劑電爐加熱清洗晶片工藝相比，利用所述晶片清洗機(jī)可進(jìn)行一種新的晶片清洗作業(yè)，使清洗操作安全性提高、使用專用環(huán)保清洗劑對(duì)人體去損害、對(duì)環(huán)境幾乎無(wú)污臟；并且清洗全過程能減少異物附著；通過清洗效果實(shí)驗(yàn)及顯微鏡下清潔效果的檢查證實(shí)其可達(dá)到甚至高于酸性溶劑的效果，晶片在鍍膜時(shí)銀層和水晶片的附著力也能達(dá)到檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的示意圖；

圖2是清洗倉(cāng)的俯視圖；

圖3是提籃機(jī)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1至圖3所示，在本實(shí)施例中，本實(shí)用新型包括清洗機(jī)本體1，所述本體1內(nèi)設(shè)置有清洗倉(cāng)2，所述本體1上設(shè)置有控制面板3，所述本體1上設(shè)置有與所述清洗倉(cāng)2相適配的封倉(cāng)門4，所述清洗倉(cāng)2內(nèi)依次設(shè)置有均與所述控制面板3電性連接的超聲波NDK花王清洗裝置5、噴淋洗凈裝置6和超聲波純凈水清洗裝置7，所述超聲波NDK花王清洗裝置5、所述噴淋洗凈裝置6和所述超聲波純凈水清洗裝置7均設(shè)置有若干個(gè)網(wǎng)杯8，所述網(wǎng)杯8內(nèi)均設(shè)置有晶片。

在本實(shí)施例中，所述超聲波NDK花王清洗裝置5包括第一清洗槽51、第一提籃機(jī)構(gòu)52、第一液體集裝箱53、第一超聲波儀器、第一回收槽54、第一管道55和NDK花王清洗溶劑，所述第一清洗槽51設(shè)置于所述清洗倉(cāng)2的一端，所述第一提籃機(jī)構(gòu)52與所述第一清洗槽51相適配且安裝于所述第一清洗槽51內(nèi)，所述第一提籃機(jī)構(gòu)52內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯8，所述第一液體集裝箱53安裝于所述本體1的一端且與所述第一清洗槽51通過第一管道55相連通，所述第一液體集裝箱53與第一管道55的連接出口處設(shè)置有第一負(fù)吸裝置，所述第一超聲波儀器安裝于所述第一清洗槽51的底部，所述第一回收槽54安裝于所述第一清洗槽51的外側(cè)，且與所述第一液體集裝箱53相連通，所述第一液體集裝箱53內(nèi)裝有所述NDK花王清洗溶劑，此設(shè)計(jì)可以通過所述第一負(fù)吸裝置將所述第一液體集裝箱53內(nèi)的所述NDK花王清洗溶劑通過所述第一管道55流入所述第一清洗槽51，當(dāng)所述NDK花王清洗溶劑從所述第一清洗槽51溢出時(shí)，溢滿出的所述NDK花王清洗溶劑可流入所述第一回收槽54，從而流回所述第一液體集裝箱53內(nèi)，從而到達(dá)所述NDK花王清洗溶劑循環(huán)利用的效果，且所述NDK花王清洗溶劑使用一段時(shí)間后續(xù)更新新的所述NDK花王清洗溶劑。

在本實(shí)施例中，所述噴淋洗凈裝置6包括安裝于所述清洗倉(cāng)2中間上的安裝底板61和安裝于所述本體1的一端上的第二液體集裝箱，所述第二液體集裝箱內(nèi)裝有第一純水，所述安裝底板61上設(shè)置有若干個(gè)與所述網(wǎng)杯8相適配的網(wǎng)瓶62，所述安裝底板61的兩端設(shè)置均設(shè)置有若干個(gè)噴灑機(jī)構(gòu)63，所述噴灑機(jī)構(gòu)63包括支架631和噴灑頭632，所述支架631位于所述安裝底板61的兩端，所述噴灑頭632安裝于所述支架631的頂端，所述噴灑機(jī)構(gòu)63均與所述第二液體集裝箱通過第二管道相連通，所述安裝底板61的底端設(shè)置有廢液排放槽64，所述第二液體集裝箱與第二管道的連接出口處設(shè)置有第二負(fù)吸裝置，所述第二管道的一端與所述第二液體集裝箱相連接，所述第二管道的另一端設(shè)置有若干個(gè)與所述噴灑頭632相連通的分支管；此設(shè)計(jì)可以通過所述第二負(fù)吸裝置將所述第二液體集裝箱內(nèi)的所述第一純水輸送到各個(gè)所述噴灑頭632上，并通過所述噴灑頭632對(duì)安裝于所述安裝底板61上的若干個(gè)所述網(wǎng)杯8進(jìn)行不斷沖淋，沖淋完后的所述第一純水流入到所述廢液排放槽64內(nèi)排放。

在本實(shí)施例中，所述超聲波純凈水清洗裝置7包括第二清洗槽71、第二提籃機(jī)構(gòu)72、第三液體集裝箱、第二超聲波儀器、第三管道73和第二回收槽74，所述第二清洗槽71安裝于所述清洗倉(cāng)2的另一端，所述第二提籃機(jī)構(gòu)72與所述第二清洗槽71相適配且安裝于所述第二清洗槽71內(nèi)，所述第二提籃機(jī)構(gòu)72內(nèi)設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯8，所述第三液體集裝箱與所述第二清洗槽71通過所述第三管道73相連通，所述第三液體集裝箱與第三管道73的連接出口處設(shè)置有第三負(fù)吸裝置，所述第三液體集裝箱裝有第二純水，所述第二純水通過所述第三管道73從所述第三液體集裝箱流入所述第二清洗槽71，所述第二超聲波儀器安裝于所述第二清洗槽71的底部，所述第二回收槽74安裝于所述第二清洗槽的外側(cè)，且所述第二回收槽74與所述第二液體集裝箱相連通，此設(shè)計(jì)可以通過所述第三負(fù)吸裝置將所述第三液體集裝箱內(nèi)的所述第二純水通過所述第三管道73流入所述第二清洗槽71，當(dāng)所述第二純水從所述第二清洗槽71溢出時(shí)，溢滿出的所述第二純水可流入所述第二回收槽74，從而流入于所述第二液體集裝箱內(nèi)，從而可使所述第二純水在所述第二清洗槽71利用完后，可再次利用于所述噴淋洗凈裝置6上。

在本實(shí)施例中，所述第一提籃機(jī)構(gòu)52和所述第二提籃機(jī)構(gòu)72均包括清洗框9、連桿10和與控制面板3電性連接的驅(qū)動(dòng)氣缸11，所述第一清洗槽51和所述第二清洗槽71內(nèi)均設(shè)置有所述清洗框9，所述清洗框9上均設(shè)置有若干個(gè)所述網(wǎng)杯8，所述清洗框9的上端兩側(cè)與所述連桿10相連接，所述連桿10與所述驅(qū)動(dòng)氣缸11相連接，所述驅(qū)動(dòng)氣缸11安裝于所述清洗倉(cāng)2的壁內(nèi)，此設(shè)計(jì)可通過所述驅(qū)動(dòng)氣缸帶動(dòng)所述連桿10上下移動(dòng)，從而使放置于所述清洗框9上的所述網(wǎng)杯8上下移動(dòng)，從而使放置于所述網(wǎng)杯8內(nèi)的晶片上下浮動(dòng)，使晶片清洗效果更好。

在本實(shí)施例中，所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置均為抽水泵，且所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置均與所述控制面板3電性連接。

在本實(shí)施例中，所述控制面板3包括MCU控制模塊和與MCU控制模塊均電性連接的第一啟動(dòng)開關(guān)31、第二啟動(dòng)開關(guān)32和第三啟動(dòng)開關(guān)33，所述第一啟動(dòng)開關(guān)31、所述第二啟動(dòng)開關(guān)32、所述第三啟動(dòng)開關(guān)33分別與所述第一負(fù)吸裝置、所述第二負(fù)吸裝置、所述第三負(fù)吸裝置電性連接，所述控制面板3還包括有分別與所述第一啟動(dòng)開關(guān)31、所述第二啟動(dòng)開關(guān)32、所述第三啟動(dòng)開關(guān)33電性連接的第一計(jì)時(shí)顯示器34、第二計(jì)時(shí)顯示器35、第三計(jì)時(shí)顯示器36，所述第一提籃機(jī)構(gòu)52上的所述驅(qū)動(dòng)氣缸和所述第二提籃機(jī)構(gòu)72上的所述驅(qū)動(dòng)氣缸分別與所述第一啟動(dòng)開關(guān)31和所述第三啟動(dòng)開關(guān)33電性連接，所述控制面板3還設(shè)置有與所述第一超聲波儀器電性連接的第一超聲開關(guān)37和與所述第二超聲波儀器電性連接的第二超聲開關(guān)38，所述第一超聲開關(guān)37和所述第二超聲開關(guān)38均與所述MCU控制模塊電性連接。

在本實(shí)施例中，其工作步驟包括：

a.將晶片放入于所述網(wǎng)杯8內(nèi)，再將裝有晶片的所述網(wǎng)杯8放入第一提籃機(jī)構(gòu)52，按下所述第一啟動(dòng)開關(guān)31和所述第一超聲開關(guān)37，所述第一超聲波儀器開始工作且所述第一計(jì)時(shí)顯示器34開始顯示計(jì)時(shí)時(shí)間，所述第一液體集裝箱53開始通過所述第一管道55向所述第一清洗槽51流入代替酸性溶劑的所述NDK花王清洗溶劑，所述第一提籃機(jī)構(gòu)52帶動(dòng)所述網(wǎng)杯8在充滿所述NDK花王清洗溶劑的所述第一清洗槽51上下運(yùn)動(dòng)，晶片可在所述網(wǎng)杯8內(nèi)浮動(dòng)，使晶片清洗效果更好，所述步驟a至少清洗三十分鐘；

b.將完成步驟a的所述網(wǎng)杯8轉(zhuǎn)移至所述噴淋洗凈裝置6，按下所述第二啟動(dòng)開關(guān)32，所述第二計(jì)時(shí)顯示器35開始顯示計(jì)時(shí)時(shí)間，通過所述噴灑機(jī)構(gòu)63向所述網(wǎng)杯8不斷沖淋裝于所述第二液體集裝箱內(nèi)的所述第一純水，所述第一純水為導(dǎo)電率1.0μ以下的純水，所述步驟b至少?zèng)_淋三十分鐘；

c.將完成步驟b的所述網(wǎng)杯8轉(zhuǎn)移至所述超聲波純凈水清洗裝置7，按下所述第三啟動(dòng)開關(guān)33和所述第二超聲開關(guān)38，所述第二超聲波儀器開始工作且所述第三計(jì)時(shí)顯示器36開始顯示計(jì)時(shí)時(shí)間，所述第三液體集裝箱開始通過所述第三管道73向所述第二清洗槽71流入導(dǎo)電率1.0μ以下的所述第二純水，所述第二提籃機(jī)構(gòu)72帶動(dòng)所述網(wǎng)杯8在充滿所述第二純水的所述第二清洗槽71上下運(yùn)動(dòng)，晶片可在所述網(wǎng)杯8內(nèi)浮動(dòng)，使晶片清洗效果更好，所述步驟c至少清洗三十分鐘；

以上步驟均在所述清洗倉(cāng)2內(nèi)封閉進(jìn)行作業(yè)。

本實(shí)用新型應(yīng)用于晶片清洗的技術(shù)領(lǐng)域。

雖然本實(shí)用新型的實(shí)施例是以實(shí)際方案來(lái)描述的，但是并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型含義的限制，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，根據(jù)本說明書對(duì)其實(shí)施方案的修改及與其他方案的組合都是顯而易見的。