本發(fā)明涉及到led燈的加工工藝方面的領(lǐng)域，特別是對(duì)led燈的硅片電路板的加工方面的改進(jìn)，尤其涉及到一種led燈硅片電路板的清洗方法。

背景技術(shù)：

隨著生活水平的提高，人們對(duì)日常照明的要求也相對(duì)較高，在照明的同時(shí)也需要對(duì)led燈的使用普遍較多，因此就需要對(duì)led燈的硅片電路板進(jìn)行大量的加工制造，在以往的電路板的制作中，由于使用的制作方法不合理，導(dǎo)致在制作時(shí)電路板的表面容易觸發(fā)化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致電路板表面大量氧化，并且由于在加工中粘附大量的油脂，影響電路板走線(xiàn)，以及對(duì)應(yīng)的后續(xù)加工，但是在以往的清洗中，由于清洗的方法缺陷，導(dǎo)致清洗時(shí)清洗不干凈，電路板的表面殘留大量的有機(jī)物殘?jiān)?，降低清洗效率?/p>

因此，提供一種led燈硅片電路板的清洗方法，以期能夠通過(guò)對(duì)led燈的電路板清洗方法進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)在清洗液中添加一定比例的油脂吸收劑和spm溶液進(jìn)行清洗，能夠?qū)㈦娐钒灞砻娴挠椭透鞣N有機(jī)物進(jìn)行清洗吸收，提高電路板表面的清潔程度，在降低電路板表面有機(jī)物殘?jiān)耐瑫r(shí)，又能保證電路板的表面不受破壞，既提高了電路板的清洗效率，又能提高電路板的表面質(zhì)量，就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種led燈硅片電路板的清洗方法，以期能夠通過(guò)對(duì)led燈的電路板清洗方法進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)在清洗液中添加一定比例的油脂吸收劑和spm溶液進(jìn)行清洗，能夠?qū)㈦娐钒灞砻娴挠椭透鞣N有機(jī)物進(jìn)行清洗吸收，提高電路板表面的清潔程度，在降低電路板表面有機(jī)物殘?jiān)耐瑫r(shí)，又能保證電路板的表面不受破壞，既提高了電路板的清洗效率，又能提高電路板的表面質(zhì)量。

為解決背景技術(shù)中所述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種led燈硅片電路板的清洗方法，其電路板的清洗方法為：

(1)清洗液配制，電路板清洗液的主要成分及比例為：二乙二醇單丁醚15—20份、丙二醇甲醚10—13份、溶劑型分散劑8—10份、油脂吸附劑5—8份，將上述成分按照要求比例進(jìn)行混合后得到清洗原液；

(2)將h2so4溶液和h2o2溶液按照一定比例混合得到spm溶液，然后再將步驟1得到的電路板清洗原液與混合得到的spm溶液按照5:2的比例混合得到電路板清洗液，然后將硅片電路板放置到得到的電路板清洗液內(nèi)進(jìn)行探入式清洗，在探入式清洗時(shí)如水次數(shù)為3—5次；

(3)然后將步驟2中進(jìn)行初步清洗的硅片電路板通過(guò)氫氟酸進(jìn)行沖洗，租后在用高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行電路板干燥處理。

優(yōu)選地，所述的步驟2的spm溶液中h2so4溶液和h2o2溶液的成分比為1:7，通過(guò)對(duì)spm溶液中的成分比例進(jìn)行控制，能夠達(dá)到既能對(duì)硅片電路板表面的有機(jī)物進(jìn)行清洗，又能夠防止spm溶液中的腐蝕性物質(zhì)對(duì)硅片電路板的表面造成腐蝕。

優(yōu)選地，所述的步驟2對(duì)硅片電路板進(jìn)行探入式清洗時(shí)每次在溶液中停留的時(shí)間為5—8秒，通過(guò)探入式的清洗方式對(duì)硅片電路板進(jìn)行清洗，并且對(duì)探入的時(shí)間進(jìn)行控制，能夠更好的對(duì)電路板的表面進(jìn)行清洗，防止在溶液中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，避免硅片電路板表面受到化學(xué)腐蝕，提高硅片電路板的質(zhì)量。

優(yōu)選地，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行氫氟酸沖洗時(shí)的氫氟酸溶液的濃度為8—10％，使用氫氟酸進(jìn)行沖洗，既能夠除去硅片電路板表面的氧化膜，又能夠在表面附著抑制氧化膜的形成。

優(yōu)選地，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行高溫干燥處理時(shí)的熱氣體中含有大量的氮?dú)?，且其中熱氣體的氮?dú)夂繛?5—97％，通過(guò)高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行干燥處理，防止在熱干燥時(shí)出現(xiàn)表面氧化。

本發(fā)明的有益效果是：

1)、能夠?qū)㈦娐钒灞砻娴挠椭透鞣N有機(jī)物進(jìn)行清洗吸收，提高電路板表面的清潔程度，降低電路板表面有機(jī)物殘?jiān)?/p>

2)、又能保證電路板的表面不受破壞，既提高了電路板的清洗效率，又能提高電路板的表面質(zhì)量。

具體實(shí)施方式

為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)介紹。

實(shí)施例1：

一種led燈硅片電路板的清洗方法，其電路板的清洗方法為：

(1)清洗液配制，電路板清洗液的主要成分及比例為：二乙二醇單丁醚15份、丙二醇甲醚13份、溶劑型分散劑10份、油脂吸附劑8份，將上述成分按照要求比例進(jìn)行混合后得到清洗原液；

(2)將h2so4溶液和h2o2溶液按照一定比例混合得到spm溶液，然后再將步驟1得到的電路板清洗原液與混合得到的spm溶液按照5:2的比例混合得到電路板清洗液，然后將硅片電路板放置到得到的電路板清洗液內(nèi)進(jìn)行探入式清洗，在探入式清洗時(shí)如水次數(shù)為3次；

(3)然后將步驟2中進(jìn)行初步清洗的硅片電路板通過(guò)氫氟酸進(jìn)行沖洗，租后在用高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行電路板干燥處理。

進(jìn)一步的，所述的步驟2的spm溶液中h2so4溶液和h2o2溶液的成分比為1:7，通過(guò)對(duì)spm溶液中的成分比例進(jìn)行控制，能夠達(dá)到既能對(duì)硅片電路板表面的有機(jī)物進(jìn)行清洗，又能夠防止spm溶液中的腐蝕性物質(zhì)對(duì)硅片電路板的表面造成腐蝕。

進(jìn)一步的，所述的步驟2對(duì)硅片電路板進(jìn)行探入式清洗時(shí)每次在溶液中停留的時(shí)間為8秒，通過(guò)探入式的清洗方式對(duì)硅片電路板進(jìn)行清洗，并且對(duì)探入的時(shí)間進(jìn)行控制，能夠更好的對(duì)電路板的表面進(jìn)行清洗，防止在溶液中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，避免硅片電路板表面受到化學(xué)腐蝕，提高硅片電路板的質(zhì)量。

進(jìn)一步的，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行氫氟酸沖洗時(shí)的氫氟酸溶液的濃度為10％，使用氫氟酸進(jìn)行沖洗，既能夠除去硅片電路板表面的氧化膜，又能夠在表面附著抑制氧化膜的形成。

進(jìn)一步的，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行高溫干燥處理時(shí)的熱氣體中含有大量的氮?dú)?，且其中熱氣體的氮?dú)夂繛?5％，通過(guò)高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行干燥處理，防止在熱干燥時(shí)出現(xiàn)表面氧化。

實(shí)施證明，采用此數(shù)據(jù)，能夠在最大程度上提高硅片電路板進(jìn)行清洗，能夠很好的對(duì)硅片電路板表面的有機(jī)物進(jìn)行清洗，提高電路板表面的清潔程度，在降低電路板表面有機(jī)物殘?jiān)?，提高電路板的清洗效率，但由于在清洗時(shí)對(duì)探入式清洗時(shí)的探入時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能會(huì)導(dǎo)致在清洗時(shí)出現(xiàn)輕微的表面腐蝕，在一定程度上影響了電路板表面的光滑度。

實(shí)施例2：

一種led燈硅片電路板的清洗方法，其電路板的清洗方法為：

(1)清洗液配制，電路板清洗液的主要成分及比例為：二乙二醇單丁醚20份、丙二醇甲醚12份、溶劑型分散劑9份、油脂吸附劑8份，將上述成分按照要求比例進(jìn)行混合后得到清洗原液；

(2)將h2so4溶液和h2o2溶液按照一定比例混合得到spm溶液，然后再將步驟1得到的電路板清洗原液與混合得到的spm溶液按照5:2的比例混合得到電路板清洗液，然后將硅片電路板放置到得到的電路板清洗液內(nèi)進(jìn)行探入式清洗，在探入式清洗時(shí)如水次數(shù)為5次；

(3)然后將步驟2中進(jìn)行初步清洗的硅片電路板通過(guò)氫氟酸進(jìn)行沖洗，租后在用高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行電路板干燥處理。

優(yōu)選地，所述的步驟2的spm溶液中h2so4溶液和h2o2溶液的成分比為1:7，通過(guò)對(duì)spm溶液中的成分比例進(jìn)行控制，能夠達(dá)到既能對(duì)硅片電路板表面的有機(jī)物進(jìn)行清洗，又能夠防止spm溶液中的腐蝕性物質(zhì)對(duì)硅片電路板的表面造成腐蝕。

優(yōu)選地，所述的步驟2對(duì)硅片電路板進(jìn)行探入式清洗時(shí)每次在溶液中停留的時(shí)間為5秒，通過(guò)探入式的清洗方式對(duì)硅片電路板進(jìn)行清洗，并且對(duì)探入的時(shí)間進(jìn)行控制，能夠更好的對(duì)電路板的表面進(jìn)行清洗，防止在溶液中停留時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，避免硅片電路板表面受到化學(xué)腐蝕，提高硅片電路板的質(zhì)量。

優(yōu)選地，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行氫氟酸沖洗時(shí)的氫氟酸溶液的濃度為10％，使用氫氟酸進(jìn)行沖洗，既能夠除去硅片電路板表面的氧化膜，又能夠在表面附著抑制氧化膜的形成。

優(yōu)選地，所述的步驟3中對(duì)硅片電路板進(jìn)行高溫干燥處理時(shí)的熱氣體中含有大量的氮?dú)?，且其中熱氣體的氮?dú)夂繛?7％，通過(guò)高氮?dú)夂康臒釟怏w進(jìn)行干燥處理，防止在熱干燥時(shí)出現(xiàn)表面氧化。

實(shí)施證明，采用此數(shù)據(jù)，能夠在最大程度上提高硅片電路板進(jìn)行清洗，能夠很好的對(duì)硅片電路板表面的有機(jī)物進(jìn)行清洗，提高電路板表面的清潔程度，在降低電路板表面有機(jī)物殘?jiān)岣唠娐钒宓那逑葱?，同時(shí)在清洗時(shí)對(duì)探入式清洗時(shí)的探入時(shí)間進(jìn)行嚴(yán)格控制，既達(dá)到了更好的清洗效果，又保證電路板表面不受影響。

因此，本實(shí)施例為最佳實(shí)施例。

以上只通過(guò)說(shuō)明的方式描述了本發(fā)明的某些示范性實(shí)施例，毋庸置疑，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以用各種不同的方式對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行修正。因此，上述描述在本質(zhì)上是說(shuō)明性的，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。