為，菌在等離子體與液體相接的界面分解。但是，根據(jù)發(fā)明者的見(jiàn)解，可以認(rèn)為，在等離子體與液體的界面處消滅的菌數(shù)較少，通過(guò)在水中浮游的菌與原子團(tuán)進(jìn)行碰撞從而滅菌。實(shí)施方式I的液體處理裝置10a能夠生成長(zhǎng)壽命的原子團(tuán)，因此能夠使該長(zhǎng)壽命的原子團(tuán)與被處理水中的菌碰撞。并且，使菌附著在電介質(zhì)隔壁上，在使菌的運(yùn)動(dòng)停止的狀態(tài)下使原子團(tuán)起作用，從而能夠有效地使菌與原子團(tuán)碰撞來(lái)滅菌。
[0126]并且，典型地，原子團(tuán)和菌的碰撞概率與菌的數(shù)密度和原子團(tuán)的數(shù)密度之積成比例，因此，當(dāng)菌數(shù)變少時(shí)，即使使用長(zhǎng)壽命的原子團(tuán)，除菌速度也變慢。但是，實(shí)施方式I的液體處理裝置10a有效地使菌與原子團(tuán)碰撞，能夠使除菌速度提高，因此例如即使應(yīng)用于含菌的被處理水僅一次通過(guò)等離子體的一次通過(guò)性除菌，也具有顯著的效果。此外，液體處理裝置10a在使含菌的被處理水循環(huán)來(lái)進(jìn)行處理的情況下也具有效果。
[0127](實(shí)施方式2)
[0128]對(duì)實(shí)施方式2的液體處理裝置200進(jìn)行說(shuō)明。
[0129]圖6是表示實(shí)施方式2的液體處理裝置200的整體構(gòu)成的一例的概略圖。如圖6所示，實(shí)施方式2的第一電極201及其周邊構(gòu)成與實(shí)施方式I相比，第一電極201的形狀以及絕緣體202的配置不同。此外，實(shí)施方式2中的第一電極201及其周邊構(gòu)成與實(shí)施方式I相比，不同點(diǎn)還在于不具備氣體供給裝置。實(shí)施方式2的其他構(gòu)成與實(shí)施方式I相同。以下，對(duì)實(shí)施方式2的第一電極201及其周邊構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
[0130]【第一電極及其周邊構(gòu)成2】
[0131]如圖6所示，第一電極201及其周邊構(gòu)成具備第一電極201和絕緣體202。第一電極201例如為圓柱狀，在第一電極201的外周配置有絕緣體202。絕緣體202配置為，在其與第一電極201的外周之間形成間隙203。并且，絕緣體202設(shè)有開(kāi)口部204。因而，在開(kāi)始液體處理之前，形成在第一電極201和絕緣體202之間的間隙203為充滿(mǎn)被處理水的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，電源105向第一電極201和第二電極104之間施加了高頻交流電壓時(shí)，從第一電極201向間隙203內(nèi)的被處理水流過(guò)電流。由于該電流，間隙203內(nèi)的被處理水被加熱并汽化而生成氣體。并且，該氣體穿過(guò)絕緣體202的開(kāi)口部204時(shí)進(jìn)行放電，從而能夠生成等離子體205。即，實(shí)施方式2中，在通過(guò)使被處理水汽化而生成的氣體內(nèi)放電，產(chǎn)生等離子體205。由此，與實(shí)施方式I相比，例如能夠生成氮離子等雜質(zhì)較少、更加純凈的原子團(tuán)。
[0132]【動(dòng)作(液體處理方法)】
[0133]對(duì)實(shí)施方式2的液體處理裝置200的動(dòng)作、即通過(guò)實(shí)施方式2的液體處理裝置200實(shí)施的液體處理方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。
[0134]在開(kāi)始液體處理之前，用電解液充滿(mǎn)處理槽101內(nèi)的第二空間107。此外，在開(kāi)始液體處理之前，用被處理水充滿(mǎn)在第一電極201和絕緣體202之間形成的間隙203。
[0135]電源105向第一電極201和第二電極104之間施加高頻交流電壓。間隙203內(nèi)的被處理水被從第一電極201提供的電力加熱，汽化從而生成氣體。生成的氣體在間隙203內(nèi)聚集而成團(tuán)。并且，由于間隙203內(nèi)部的壓力和處理槽101的壓力之間的壓力差，該氣體的團(tuán)從在絕緣體202中設(shè)置的開(kāi)口部204向處理槽101內(nèi)的第一空間106的被處理水中放出。
[0136]該氣體的團(tuán)穿過(guò)絕緣體202的開(kāi)口部204時(shí)，開(kāi)口部204的被處理水置換為氣體，形成由被處理水包圍的氣體即氣泡。即，通過(guò)該氣泡，從第一電極201朝向處理槽101的第一空間106內(nèi)的被處理水的導(dǎo)電路徑被絕緣。此時(shí)，向存在于開(kāi)口部204的氣泡施加來(lái)自電源105的高頻交流電壓，由于電場(chǎng)集中而在氣泡內(nèi)發(fā)生放電。結(jié)果，在氣泡內(nèi)產(chǎn)生等離子體205。一旦產(chǎn)生等離子體205，則持續(xù)并連續(xù)地生成等離子體205。內(nèi)含等離子體205的氣泡從絕緣體202的開(kāi)口部204朝向處理槽101的第一空間106內(nèi)的被處理水放出。該內(nèi)含等離子體205的氣泡成為從絕緣體202的開(kāi)口部204向處理槽101的第一空間106內(nèi)的被處理水中突出的狀態(tài)。
[0137]進(jìn)而，從突出的氣泡中一部分分離，從而形成多個(gè)氣泡206。多個(gè)氣泡206在處理槽101的第一空間106內(nèi)的被處理水中擴(kuò)散。多個(gè)氣泡206包括直徑在微米以下的氣泡。因此，實(shí)施方式2的液體處理裝置200還具有產(chǎn)生微泡(microbubble)的功能。該氣泡206與典型的微泡不同，在氣泡206內(nèi)部含有通過(guò)等離子體205生成的電子、離子或原子團(tuán)。實(shí)施方式2的液體處理裝置200能夠通過(guò)這些多個(gè)氣泡206對(duì)被處理水進(jìn)行除菌和/或?qū)Ρ惶幚硭兴幕瘜W(xué)物質(zhì)進(jìn)行分解。
[0138]此外，向第一電極201和第二電極104之間施加了高頻交流電壓時(shí)，與實(shí)施方式I同樣地，配置在處理槽101內(nèi)的電介質(zhì)隔壁102帶正電和負(fù)電。并且，電介質(zhì)隔壁102的第二空間107側(cè)的壁面帶負(fù)電時(shí)，第一空間106側(cè)的壁面帶正電，在第一空間106形成正的電場(chǎng)。被處理水中帶負(fù)電的菌被該正的電場(chǎng)吸引，附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上。液體處理裝置200使通過(guò)等離子體205生成的原子團(tuán)與該附著在電介質(zhì)隔壁102上的菌碰撞來(lái)進(jìn)行除菌。
[0139]【效果】
[0140]在實(shí)施方式2的液體處理裝置200中，通過(guò)第一電極201及其周邊構(gòu)成，被處理水汽化而生成氣體。并且，實(shí)施方式2的液體處理裝置200中，當(dāng)氣體穿過(guò)絕緣體202的開(kāi)口部204時(shí)放電，從而產(chǎn)生等離子體205。由此，能夠生成更加純凈的原子團(tuán)。結(jié)果，能夠在短時(shí)間內(nèi)對(duì)被處理水進(jìn)行處理。并且，電源105向第一電極201和第二電極104之間施加了高頻交流電壓時(shí)，電介質(zhì)隔壁102的第一空間106側(cè)的壁面帶正電，能夠使被處理水的菌附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上。因此，液體處理裝置200能夠使通過(guò)等離子體205生成的原子團(tuán)高效地與附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上的菌進(jìn)行碰撞，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行被處理水的處理。
[0141](實(shí)施方式3)
[0142]對(duì)實(shí)施方式3的液體處理裝置300進(jìn)行說(shuō)明。
[0143]圖7是表示實(shí)施方式3的液體處理裝置300的整體構(gòu)成的一例的概略圖。如圖7所示，實(shí)施方式3的第一電極301及其周邊構(gòu)成與實(shí)施方式2相比，不同點(diǎn)在于具備氣體供給裝置。實(shí)施方式3的其他構(gòu)成與實(shí)施方式2相同。以下，對(duì)實(shí)施方式3中的第一電極301及其周邊構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
[0144]【第一電極及其周邊構(gòu)成3】
[0145]如圖7所示，第一電極301及其周邊構(gòu)成具備第一電極301、絕緣體302和氣體供給裝置303。第一電極301例如為圓柱狀，在第一電極301的外周配置有絕緣體302。絕緣體302配置為，在其與第一電極301的外周之間形成間隙304。并且，絕緣體302設(shè)有開(kāi)口部305。另外，在圖7中，開(kāi)口部305設(shè)置在絕緣體302的側(cè)面(圖示上方)，但是不限于該位置。在第一電極301的一個(gè)端部，連接有供給氣體的氣體供給裝置303。氣體供給裝置303向在第一電極301和絕緣體302之間形成的間隙304供給氣體。被供給到該間隙304的氣體將第一電極301的周?chē)采w，并且從絕緣體302的開(kāi)口部305排出到被處理水中而形成氣泡306。因而，通過(guò)電源105向第一電極301和第二電極104之間施加了高頻交流電壓時(shí)，在氣泡306內(nèi)穩(wěn)定地發(fā)生放電，能夠高效地產(chǎn)生等離子體307。即，實(shí)施方式3能夠高效地產(chǎn)生等離子體307，并生成長(zhǎng)壽命的OH原子團(tuán)。
[0146]【動(dòng)作(液體處理方法)】
[0147]對(duì)實(shí)施方式3的液體處理裝置300的動(dòng)作、即通過(guò)實(shí)施方式3的液體處理裝置300實(shí)施的液體處理方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。
[0148]在開(kāi)始液體處理之前，用電解液充滿(mǎn)處理槽101內(nèi)的第二空間107。
[0149]在開(kāi)始液體處理之前，用被處理水充滿(mǎn)處理槽101內(nèi)的第一空間106。
[0150]氣體供給裝置303向形成在第一電極301和絕緣體302之間的間隙304供給氣體。供給的氣體的量沒(méi)有特別限制，例如可以是0.5升/min?2.0升/min。被供給到該間隙304的氣體從絕緣體302的開(kāi)口部305排出到被處理水中，形成將第一電極301的一部分覆蓋的柱狀的氣泡306。氣泡306是從絕緣體302的開(kāi)口部305起在一定距離內(nèi)沒(méi)有間斷的、單一的大氣泡。即，通過(guò)氣體的供給，在第一電極301和絕緣體302之間的間隙304中流過(guò)氣體，第一電極301成為始終被氣體覆蓋的狀態(tài)。并且，被供給到該間隙304的氣體從絕緣體302的開(kāi)口部305排出，形成柱狀的氣泡306。
[0151]電源105向第一電極301和第二電極104之間施加高頻交流電壓。這樣，通過(guò)向第一電極301和第二電極104之間施加高頻交流電壓，從第一電極301附近，在氣泡306內(nèi)產(chǎn)生等離子體307。等離子體307不僅產(chǎn)生在第一電極301頂端附近的氣泡306內(nèi)，還廣泛地產(chǎn)生在絕緣體302內(nèi)部的間隙304中。
[0152]并且，向第一電極301和第二電極104之間施加了高頻交流電壓時(shí)，與實(shí)施方式I同樣地，配置在處理槽101內(nèi)的電介質(zhì)隔壁102帶正電和負(fù)電。并且，當(dāng)電介質(zhì)隔壁102的第二空間107側(cè)的壁面帶負(fù)電時(shí)，第一空間106側(cè)帶正電，在第一空間106形成正的電場(chǎng)。被處理水中的帶負(fù)電的菌被該正的電場(chǎng)吸引，附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上。液體處理裝置300使通過(guò)等離子體307生成的原子團(tuán)與該附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上的菌碰撞來(lái)進(jìn)行除菌。
[0153]【效果】
[0154]實(shí)施方式3的液體處理裝置300通過(guò)第一電極301及其周邊構(gòu)成，能夠高效地產(chǎn)生等離子體307，因此能夠生成長(zhǎng)壽命的原子團(tuán)。并且，通過(guò)電源105向第一電極301和第二電極104之間施加了高頻交流電壓而電介質(zhì)隔壁102帶正電時(shí)，能夠使菌附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上。因此，液體處理裝置300能夠使通過(guò)等離子體307生成的原子團(tuán)高效地與附著在電介質(zhì)隔壁102的壁面上的菌進(jìn)行碰撞，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行被處理水的處理。
[0155](實(shí)施方式4)
[0156]對(duì)實(shí)施方式4的液體處理裝置400進(jìn)行說(shuō)明。
[0157]圖8是表示實(shí)施方式4的液體處理裝置400的整體構(gòu)成的一例的概略圖。如圖8所示，實(shí)施方式4的第一電極401及其周邊構(gòu)成與實(shí)施方式2相比，不同點(diǎn)在于具備氣體去除裝置403。實(shí)施方式4的其他構(gòu)成與實(shí)施方式2相同。以下對(duì)實(shí)施方式4的第一電極401及其周邊構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
[0158]【第一電極及其周邊構(gòu)成4】
[0159]如圖8所示，第一電極401及其周邊構(gòu)成具備第一電極401、絕緣體402和氣體去除裝置403。第一電極401例如為圓柱狀，在第一電極401的外周配置有絕緣體402。絕緣體402配置為，在其與第一電極401的外周之間形成間隙404。并且，絕緣體402設(shè)有開(kāi)口部405。氣體去除裝置403將形成在第一電極401和絕緣體402之間的間隙404的氣體去除。氣體去除裝置403除了使用注射器以外，例如也可以使用泵等。氣體去除裝置403經(jīng)由流路406從形成在第一電極401和絕緣體402之間的間隙404將氣體去除，將間隙404用處理槽101內(nèi)的被處理水充滿(mǎn)。并且，電源105向第一電極401和第二電極104之間施加高頻交流電壓。第一電極401和第二電極104之間被施加高頻交流電壓時(shí)，間隙404內(nèi)的被處理水汽化而生成氣體。并且，該氣體穿過(guò)絕緣體402的開(kāi)口部405時(shí)放電，產(chǎn)生等離子體407。
[0160]【動(dòng)作(液體處理方法)】
[0161]對(duì)實(shí)施方式4的液體處理裝置400的動(dòng)作、即通過(guò)實(shí)施方式4的液體處理裝置400實(shí)施的液體處理方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。
[0162]在開(kāi)始液體處理之前，用電解液充滿(mǎn)處理槽101內(nèi)的第二空間107。
[0163]在開(kāi)始液體處理之前，用被處理水充滿(mǎn)處理槽101內(nèi)的第一空間106。
[0164]在放電前的最初階段，氣體去除裝置403將殘留在形成于第一電極401和絕緣體402之間的間隙404中的氣體去除。氣體去除裝置403例如通過(guò)對(duì)氣體去除裝置403內(nèi)的壓力進(jìn)行減壓，將間隙404中殘留的氣體去