一種極紫外光學基底的清潔處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光學基底的清潔處理領域，具體涉及一種極紫外光學基底的清潔處理方法。
【背景技術】
[0002]極紫外光刻(ExtremeUltrav1let Lithography，EUV)技術是使用EUV波段，主要是13.5nm波段，進行光刻的微納加工技術。目前，EUVL技術已經(jīng)能夠實現(xiàn)7nm線寬的刻蝕工藝，并具備進一步縮小刻蝕線寬的可能性。這在大規(guī)模集成電路制造領域具有重要意義，能夠實現(xiàn)更大密度的元件集成，以及更低的能耗。
[0003]由于物質對EUV的吸收，EUVL系統(tǒng)使用了全部反射式的設計結構。所用反射鏡一般由光學基底和EUV高反膜構成。由于EUV極短的波長，其對反射鏡的要求也極其苛刻。EUV光學基底一般采用超低熱膨脹系數(shù)材料，如ULE等。這種材料在溫度變化下，體積變化極小，保證了反射鏡的面形基本不變。此外，EUV光學基底還需進行超光滑拋光，使表面高頻粗糙度在0.2nm以下，才能保證EUV高反膜的反射率在65%以上。以上各種因素使得在對極紫外光學基底進行清潔處理時，需要嚴格控制基底面形及高頻粗糙度的變化。
[0004]目前，關于光學基底的清洗技術主要包括，人工擦拭、超聲波清洗，紫外輻照清洗、等離子體清洗、和CO2雪清洗等。其中人工擦拭使用蘸有有機溶劑的擦鏡布進行有針對性的去污處理，能夠有效的去除基底表面肉眼可見的污染物，但造成的有機溶劑殘留是不容忽視的。超聲波清洗是利用超聲波在液體中傳播時產生的空化作用，傳遞的能量，以及攪拌作用實現(xiàn)對樣品的清洗。其中空化作用是指超聲波作為壓力波在液體中傳播時，由于負壓作用產生空穴，在正壓時，空穴又被壓碎產生強大的沖擊力，由此使樣品表面污染物剝離脫落的現(xiàn)象。傳遞的能量是超聲波本身在液體中傳播時，所攜帶的能量使樣品表面污染物震蕩剝離的現(xiàn)象。攪拌作用是指，超聲波在液體中傳播引起的水流變化，將樣品表面污染物帶離的作用。在恰當?shù)囊后w溫度、超聲波頻率、功率以及清洗溶劑的選擇下，超聲波可以實現(xiàn)較為理想的光學基底的清洗。但是超聲波清洗過程中，十分容易破壞基底表面，尤其在EUV基底的清潔處理中，超聲波清洗會造成一定的面形變化，甚至引起高頻粗糙度的變化，這對EUVL技術是致命的。其他幾種清洗技術，主要是對已經(jīng)清潔的光學基底進行進一步處理所使用的，如紫外輻照清洗，是利用紫外燈輻射的183.9nm和253.7nm波段紫外光激發(fā)空氣中的臭氧，進而使基底表面有機物被氧化成CO2和H2O的一種清洗方法。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有清洗光學基底的方法均會對其面形造成一定的影響。因此開發(fā)一種能夠有效并極大降低清洗過程對光學基底產生影響的極紫外光學基底的清潔處理方法是具有十分重要意義的。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明為解決現(xiàn)有清洗光學基底的方法均會對其面形造成影響的技術問題，提供一種能夠有效并極大降低清洗過程對光學基底產生影響的極紫外光學基底的清潔處理方法。
[0007]為了解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案具體如下:
[0008]一種極紫外光學基底的清潔處理方法，該方法包括以下步驟:
[0009]第一步:使用有機溶劑對極紫外光學基底進行手工擦拭；
[0010]第二步:將手工擦拭后的極紫外光學基底進行超聲波清洗；
[0011 ]第三步:將經(jīng)過超聲波清洗的極紫外光學基底進行慢拉脫水處理；
[0012]第四步:酒精烘干第三步處理后的極紫外光學基底。
[0013]在上述技術方案中，所述使用有機溶劑對極紫外光學基底進行手工擦拭的具體步驟為:使用蘸有有機溶劑的無塵布在聚光燈下對極紫外光學基底進行擦拭。
[0014]在上述技術方案中，所述有機溶劑為酒精、石油醚和丙酮中的一種或多種。
[0015]在上述技術方案中，所述將手工擦拭后的極紫外光學基底進行超聲波清洗的具體步驟為:利用清洗工裝夾持待清洗極紫外光學基底，并將其放入超聲波水槽中進行清洗。
[0016]在上述技術方案中，所述清洗工裝能夠將圓形極紫外光學基底側立固定，并不與待清洗面接觸。
[0017]在上述技術方案中，所述超聲波水槽是具有三個不同超聲波頻率的清洗槽體，三個不同超聲波頻率依次為40kHz、68kHz、120kHz。
[0018]在上述技術方案中，將極紫外光學基底放入超聲波水槽中進行清洗的具體步驟為:將超聲波水槽中充入去離子水，并在40kHz水槽中放入配置的有機溶劑，水溫設置為50°C，超聲波功率設置為總功率的25%-30%，清洗時間為3min，將待清洗極紫外光學基底依次放入40kHz、68kHz、120kHz的三個清洗槽體進行清洗。
[0019]在上述技術方案中，所述將經(jīng)過超聲波清洗的極紫外光學基底進行慢拉脫水處理的具體步驟為:將極紫外光學基底浸沒在去離子水中，再緩慢提升，使液面在所述極紫外光學基底表面形成一條水線，利用表面張力使基底表面脫水，水溫設置為60 °C。
[0020]在上述技術方案中，所述酒精烘干第三步處理后的極紫外光學基底具體步驟為:將極紫外光學基底放置在酒精槽上方，并對酒精進行加熱使其沸騰汽化形成大量酒精蒸汽，并通過所述極紫外光學基底表面，進一步使基底脫水烘干。
[0021]本發(fā)明的有益效果是:
[0022]1、本發(fā)明提供的方法通過手工擦拭、低功率超聲波清洗、慢拉脫水、酒精烘干流程實現(xiàn)了能夠有效并極大降低清洗過程對極紫外光學基底產生的影響。
[0023]2、使用手工擦拭，在超聲波功率較小的情況下依然可以對極紫外光學基底做到有效的清潔處理。
[0024]3、使用較小的超聲波功率，極大的降低了超聲波清洗對極紫外光學基底表面面形等的影響。
【附圖說明】
[0025]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0026]圖1為極紫外光學基底的清潔處理流程。
[0027]圖2擦拭后極紫外光學基底的面形圖。
[0028]圖3為利用80%超聲波功率清洗極紫外光學基底的面形圖。
[0029]圖4為利用30%超聲波功率清洗極紫外光學基底的面形圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結合附圖對本發(fā)明做以詳細說明。
[0031 ] 一種極紫外光學基底的清潔處理方法，具體步驟如下:
[0032]第一步:使用蘸有酒精、石油醚和丙酮中的一種或多種的無塵布在聚光燈下對極紫外光學基底進行擦拭。
[0033]第二步:利用清洗工